第6章单片机总线与存储器的扩展课件研究报告

第6章单片机总线与存储器的扩展单片机原理、接口及应用内容提要

★单片机系统总线和系统扩展方法

★程序存储器的扩展

★数据存储器的扩展

★*新型存储器扩展MCS51系列单片机的特点就是体积小，功能全，系统结构紧凑，硬件设计灵活。对于简单的应用，最小系统即能满足要求。所谓最小系统是指在最少的外部电路条件下，形成一个可独立工作的单片机应用系统。一片89C51，或者一片8031外接一片EPROM就构成了一个单片机最小系统。在很多复杂的应用情况下，单片机内的RAM，ROM和I/O接口数量有限，不够使用，这种情况下就需要进行扩展。因此单片机的系统扩展主要是指外接数据存贮器、程序存贮器或I/O接口等，以满足应用系统的需要。

6.1单片机系统总线和系统扩展方法单片机是通过地址总线，数据总线和控制总线与外部交换信息的。MCS-51单片机的总线接口信号见图系统的扩展的连线原则系统的扩展归结为三总线的连接，连接的方法很简单，连线时应遵守下列原则：1.连接的双方数据线连数据线，地址线连地址线，控制线连控制线。要特别注意的是：程序存储器接PSEN;数据存储器接RD和WR2.控制线相同的地址线不能相同，地址线相同的控制线不能相同。3.片选信号有效的芯片才选中工作，当一类芯片仅一片时片选端可接地，当同类芯片多片时片选端可通过线译码、部分译码、全译码接地址线（通常是高位地址线），在单片机中多采用线选法。6.2程序存储器的扩展6.2.1EPROM的扩展

程序存储器扩展电路的安排应满足单片机从外存取指令的时序要求。从时序图中分析ALE、PSEN、Po和P2怎样配合使程序存储器完成取指操作，从而得出扩展程序存储器的方法。

单片机一直处于不断的取指令码－执行－取指令码－执行的工作过程中，在取指令码时和执行MOVC指令时PSEN会变为有效，和其它信号配合完成从程序存储器读取数据。一个机器周期

根据以上取指时序的要求，8XX51单片机扩展程序存储器2732的电路图见图

图中，74LS373为8D锁存器，其主要特点在于：控制端为高电平时，输出Qo~Q7复现输入Do~D7的状态；G为下跳沿时Do~D7的状态被锁存在Qo~Q7上。当把ALE与G相连后，ALE的下跳沿正好把Po端口上此时出现的PC寄存器指示的低8位指令地址Ao~A7锁存在74LS373的Qo~Q7上，PC的高4位地址A8~A11则直接由P2.0~P2.3提供。

由于只扩展了一片2732EPROM，因此2732的片选端接地。PSEN与2732的输出允许型号OE相连，PSEN的上升沿使OE有效，打开2732中由A0~A11指定的地址单元，该单元中的指令码从2732的O0~O7输出，被正好处于读入状态的Po端口输入到单片机内,经译码执行。这就是从外存指定地址单元中取出1字节指令并加以执行的整个过程。

单片机扩展2761，2764，27128等EPROM的方法与图9-3相同，差别仅在于不同的芯片的存储容量的大小不同，因而使用高8位地址的P2端口线的根数不同。扩展2716（2KB）需使用A8~A10三条高位地址线扩展2764（8KB）需要A8~A12五条高位地址线。扩展27128（16KB)时需要A8~A13六条高位地址线。这是因为

存储器其容量=2N

N为地址线的根数注意：2764和27128的PGM引脚应接Vcc。6.2.2EEPROM的扩展

1.电可擦除只读存储器EEPROM的性能电可擦除只读存储器EEPROM即可像EPROM那样长期非易失地保存信息，又可像RAM那样随时用电改写，近年来出现了快擦下FLASHEEPROM，它门被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。目前，常用的EEPROM如表9-1，它们有如下共同特点：*单+5V供电，电可擦除可改写。*使用次数为1万次，信息保存时间为10年。*读出时间为ns级，写入时间为ms级。*芯片因角信号与相应的RAM和EPROM芯片兼容，见表9-1。型号引脚数容量/字节引脚兼容的存储器28162817286428C25628F51228F01028F02028F04024282832323232322KB2KB8KB32KB64KB128KB256KB512KB2716，61162764，626427C25627C51227C01027C02027C040

EEPROM的使用非常简单方便。不用紫外线擦除，在单一的+5V电压下写入的新数据即覆盖了旧数据。下面以2864为例说明EEPROM和单片机的连接方法。

2864为8KBEEPROM维持电流为60mA，典型读出时间为200~350ns，字节编程写入时间为10~20µs，芯片内有电压提升电路，编程时不必增高压，单一+5V供电。引脚和6264，2764兼容，引脚配置见右图。8XX51扩展2864硬件电路如下图所示。图中2864即可作为数据存储器，有又可作为程序存储器。由于只扩展了一片，片选端接地。6.3数据存储器的扩展MCS-51单片机内只有128字节的数据RAM，当应用中需要更多的RAM时，只能在片外扩展。可扩展的最大容量为64KB图9-6是单片机对片外RAM进行读操作的时序。当执行指令MOVXA，@Ri或MOVXA，@DPTR时进入外部数据RAM是的读周期。1.外部数据RAM的读周期时序

在ALE的上升沿，把外部程序存储器的指令读入后就开始了对片外RAM的读过程。ALE高电平期间，在P0处于高阻三态后，根据指令间址提供的地址，P2口输出外部RAM的高8位地址A15~A8，P0端口输出低8位地址A7~A0；在ALE下跳沿，P0输出的低8位地址被锁存在锁存器中，随后P0又进入高阻三态，RD信号有效后，被选中的RAM的数据出现在数据总线上，P0处于输入状态，CPU从P0读入外部RAM的数据。2.外部数据RAM的写周期当执行MOVX@Ri，A或MOVX@DPTR，A指令时进入外部数据存储器的写周期，其写周期时序如下：

写外部RAM的操作时序与读外部RAM的时序差别在于：其一，WR有效代替RD有效，以表明这是写数据RAM的操作；其二，在P0输出低8位地址A0~A7后，P0立即处于输出状态，提供要写入外部RAM的数据供外部RAM取走。

由以上时序分析可见，访问外部数据RAM的操作与从外部程序存储器取指令的过程基本相同，只是前者有读有写，而后者只有读而无写；前者用RD或WR选通，而后者用PSEN选通；前者一个机器周期中ALE两次有效，后者则只有一次有效。因此，不难得出51单片机和外部RAM的连接方法。

8XX51单片机扩展8KB静态RAM6264的电路见下图。

由图9-8可见，ALE把P0端口输出的低8位地址A0~A7锁存在74LS373，P2口的P2.0~P2.4直接输出高5位地址A8~A12，由于单片机的RD和WR分别与6264的输出允许OE和写信号WE相连，执行读操作指令时，RD使OE有效，6262RAM中指定地址单元的数据经D0~D7由P0口读入；执行写指令时，WR使WE有效，由P0口提供的要写入RAM的数据经Do~D7写入6264的指定地址单元中。单片机8XX51读写外部数据RAM的操作使用MOVX指令，用Ri间址或用DPTR间址。

要把A累加器中内容写入外部数据RAM1050H地址单元，其程序可为：MOVP2，#10HMOVR1，#50HMOVX@R1，A或MOVDPTR，#1050HMOVX@DPTR，A例如，将外部数据RAM1050H地址单元中的内容读入A累加器，可有如下两种程序。第一种MOVP2，#10H；端口提供高8位地址MOVR1，#50H；Ri提供低8位地址MOVXA，@R1第二种MOVDPTR，#1050HMOVXA，@DPTR；DPTR提供16位地址

MCS-51系列单片机中的数据存储器和程序存储器在逻辑上是