《模拟电子技术基础》课程教学大纲

《模拟电子技术基础》课程教学大纲课程编号：04210035课程性质：学科基础课适合专业：电子科学与技术先修课程：电路分析开设学期：第三学期考核方式：闭卷考试总学时数：72学分：4（一）课程教学目标通过本课程的学习，使学生掌握最常用电子元器件的基本特征，熟悉它们在电路中的运用，包括二极管、双极结型晶体管、场效应晶体管和运算放大器等。同时，使学生掌握模拟电路技术的设计方法，尤其是几种放大器和反馈系统的设计方法。（二）课程的目的与任务本课程为专业的核心基础课程之一。通过本课程的学习，学生将掌握设计过程中的基本理念和方法，理解电子学相关专业领域的常用基本概念、常用单元电路的基本实现手段，掌握半导体器件的工作原理、放大电路的设计与分析方法，了解反馈系统的构造方法，为进一步学习模拟电子系统设计奠定坚实基础。（三）理论教学的基本要求1、了解以下基本概念：半导体材料，两种载流子，掺杂工艺，扩散和漂移，PN结形成，耗尽层，沟道，二极管单向导电作用，稳压管稳压作用，三极管放大、截止、饱和三种状态，场效应管截止、恒流和可变电阻去等概念，场效应和三极管放大倍数，放大器输入和输出电阻，静态工作点，直流通路与交流通路，静态与动态，交流和直流负载线，正反馈、负反馈，交流与直流反馈，电压与电流反馈，串联与并联反馈，温漂（零点漂移），差模与共模，互补，输出功率和效率，虚短与虚断。自激振荡、整流、滤波、复合管，开环电压增益、差模输入电阻，共模抑制比，直接耦合，幅频和相频特性，集成运放工作在非线性区的特点，交越失真，低通、高通、带通、带阻滤波器，比较器，稳压电路，频率补偿，放大器稳定性等。2、正确理解以下基本原理：1）半导体三极管和场效应管（BJT，FET）的放大作用2）三极管单管放大电路三种组态的工作原理3）场效应管单管放大电路三种组态的工作原理4）差动放大电路抑制温漂的工作原理5）集成运放组件组成的比例（包括同相输入，反相输入和差动输入方式）电路的工作原理及输入、输出关系6）简单比较器，滞回比较器和窗口比较器的工作原理及输入、输出关系。7）正弦波振荡的幅度和相位平衡条件8）OCL直接耦合功率放大电路的工作原理9）单相桥式整流电路的工作原理10）串联型直流稳压电路的工作原理3、掌握下列分析方法1）用于确定静态工作点，分析输出功率和波形失真的图解法2）分析放大电路Au、Ri、Ro的简化h参数微变等效电路法3）差分放大电路双端输入电路的Q点，Ad，Rid和Ro的计算方法4）判断反馈极性和类型的分析方法5）分析运算放大器电路所用虚短、虚断法6）处理实际问题时所用的工程估算法（四）实验要求实验单独开课。（五）教学学时分配数章次各章名称总学时0ProloguetoElectronics21SemiconductorMaterialsandDevices62DiodeCircuits43TheFieldEffectTransistor84BasicFETAmplifiers85TheBipolarJunctionTransistor46BasicBJTAmplifiers47FrequencyResponse88OutputStagesandPowerAmplifiers29IdealOperationalAmplifiersandOp-AmpCircuits210DifferentialandMultistageAmplifiers411FeedbackandStability812ApplicationsandDesignofIntegratedCircuits4Reviewandguidance0-8Totle64-72（六）大纲内容0ProloguetoElectronics教学目的认识电子学的研究内容和研究方法，初步了解分析方法与设计方法的基本概念，掌握有源器件和无源器件的基本概念，熟悉电子学中的变量表示内容。教学基本要求学生能够理解电子学的基本研究对象和研究内容，能够正确区分什么是有源器件，什么是无源器件，对电子系统的两种设计方法有初步的认识，对于电子学中规范的变量表示内容能够正确识别。教学内容电子学研究对象、有源器件与无源器件、电子学发展简史、符号表示方法与意义、电子系统设计方法与案例、本课程与相关课程以及整个专业体系架构的关系、本课程相关仿真软件介绍、本课程的学习方法。教学提示本部分为学生入门导引内容，需要说明本课程与电路分析课程之间的关系、与线性代数、高等数学、概率论与数理统计等相关课程之间的关系，鼓励学生将相关专业基础课程学好。特别要注意的是，电子学中的变量表示方法，该内容对于本专业知识系统有着重要作用。电子学发展史中有很多经典案例，能够引导学生进行创业和创新，对于学生的电路设计能力和就业以及考研都有一定的参考价值，鼓励学生阅读和查阅相关资料。教学重点和难点教学重点：有源器件与无源器件的区分方法、变量符号的意义教学难点：变量符号的意义学法指导建议学生查阅互联网相关资料、鼓励学生对本学院的实验平台、大学生创新创业孵化园、电子技术开放实验室、因仑工作室等基地平台和实验室多多了解，鼓励学生查阅电子设计大赛相关题目和参考案例。引导学生热爱本课程。作业Listthenamesofpassivedevicesandactivedevicesasyouknow.SketchasignalcontainingaDCpartandACpart,toshowthedifferenttwopartindividuallyandexplainthenametheeachvariable.Showthetwodifferentelectronicsystemdesignschemes,andgivetheadvantageanddisadvantageofeachone.Tellthebriefelectronichistorytoyourfriend.DescribetheresearchcontentofelectronicsNowadays,what’sthefutureofICtechnology?小结本引言部分为本课程的重要组成部分，其中设计到的有源器件与无源器件、电路中变量表示法都对本课程乃至本专业有重要影响，是关键基础内容，务必让学生透彻理解。本部分对于培养学生热爱本专业的意识尤其重要，需要善加引导。1SemiconductorMaterialsandDevices教学目的了解半导体材料的基本性质，特别是掺杂性质，掌握PN结的基本性质，特别是单向导电性，能够分析简单的二极管电路，理解特殊二极管的基本工作原理。教学基本要求理解多子和少子、自由电子和空穴在半导体的作用和性质，能够分析二极管整流电路，并学会计算简单的二极管电路的各项指标和参数。教学内容半导体材料的基本性质、载流子的浓度计算方法，PN结的形成和单向导电性，二极管电路的基本分析方法。教学提示本章内容，特别是半导体材料的相关内容，建立在半导体物理课程的基础之上，但是，对于电子类专业的学生，并未涉猎该课程内容，因而在理解相关问题上存在诸多疑问。需要从浅显的方法上进行梳理，让学生能够接受相关结论。二极管电路模型，以及“偏置”的概念值得特别强调。教学重点和难点教学重点：PN结伏安特性、二极管小信号等效电路。教学难点：半导体材料基本性质、载流子浓度计算公式、PN结的形成过程。学法指导认真阅读教材，独立完成作业，从线性系统叠加定理的基础上理解二极管小信号分析方法，对于熟悉动画制作的同学，建议制作PN结形成和工作原理的动画，加深对于二极管工作原理的理解。作业(P11)1.1CalculatetheintrinsiccarrierconcentrationinGalliumarsenideandGermaniumatT=300K.(P30)EX1.2DetermineVbiforasiliconpnjunctionatT=300Kfor

(a)Na=1015cm-3,Nd=1017cm-3,andfor(b)Na=Nd=1017cm-3.(P42)EX1.3Assumethecircuitanddiodeparametersforthecircuitinfigure1.34(a)areVPS=10V,R=20KΩ,Vγ=0.7V,andvI=0.2sinwtV.Determinethequiescentdiodecurrentandthetime-varyingdiodecurrent.(P44)EX1.4TYU1.11determinethediffusionconductanceofapnjunctiondiodeatT=300Kandbiasedatacurrentof0.8mA.EX1.5(P59,designproblems)D1.62:DesignacircuittoproducethecharacteristicsshowninFigureP1.62wherevIistheinputvoltageandiIisthecurrentsuppliedbyvI.Assumeanydiodesinthecurrenthavepiecewiselinearparametersofvγ=0.7andrf=0.EX1.6Designacircuitthathasavoltagetransferfunctionshowntotheleft.(pp60)小结本章的二极管等效电路模型，是整个课程的基础，对于理解含有PN结这种单向器件的分析具有重要的参考价值。“偏置”这个重要的思想从这里开始。2DiodeCircuits教学目的使学生能够分析二极管的各种整流电路，理解多种二极管电路的工作原理和基本设计方法，对于一些特殊二极管的应用方法也有一定的理解。教学基本要求掌握：二极管桥式整流电路的工作原理和特征；齐纳二极管特征应用到齐纳二极管稳压电路中；多个二极管电路的方法。理解：齐纳二极管工作原理；二极管的非线性特征；限幅和钳位等整形电路；多二极管电路的分析方法。教学内容分析二极管整流电路的工作原理和特征。二极管整流电路是电源电路中将交流信号转化为直流信号的第一级电路。将齐纳二极管特征应用到齐纳二极管稳压电路中。运用二极管的非线性特征设计限幅和钳位等整形电路。研究用于分析包含多个二极管电路的方法。教学提示二极管应用电路有很多种，本章只给出了一些典型应用。稳压二极管是一种特殊的二极管，应该强调该管子工作在反向击穿状态。教学重点和难点教学重点：直流电源的基本框架；稳压二极管电路教学难点：限幅电路和钳位电路学法指导认真分析二阶管电路，关键是学会假设二极管的某种工作状态，之后进行分析，看看是否可以得到合理的答案。作业EX2.1P98EX2.10；Ex2.2P99EX2.11；Ex2.3DeterminethevalueofRrequiredtolimitthecurrent(10mA)inthecircuitwhentheinputisinthelowstate(0.2V).(Vr=1.7V).EX2.4P104EX2.14小结本章内容偏向应用，因此需要一定的综合分析问题的能力，对于不能确定二极管工作状态的电路，一定要先假设一种状态，然后进行分析。对于多个二极管的电路，先进行一定的分析，然后再假设管子导通与截止的状态组合，能够使得问题的解决更加快速。3TheFieldEffectTransistor教学目的对于场效应有初步的认识，并能够熟练分析场效应管放大电路的直流参数，确定场效应管的工作状态。教学基本要求理解场效应管的基本工作原理，掌握场效应管的三种工作状态，熟练运用场效应管的电流电压方程。对于恒流源电路工作原理，有比较深入的认识，能够分析基本的恒流源电路。教学内容各种类型MOSFET的工作原理和特征；MOSFET电路的直流分析和设计方法；MOSFET电路的三种应用（开关；逻辑电路；放大器）；MOSFET的电流源偏置电路；分析多级或多个晶体管电路的直流偏置；结型场效应晶体管的工作原理和特征，JFET电路的直流响应。教学提示本章内容是本课程的核心。场效应管已经是目前的主流器件，占据了电子市场的60%以上，广泛应用于各种电子系统中。深入理解场效应管的工作原理和场效应管电路的直流分析方法，才能判断该管子的工作状态。在教学过程中，一定要强调输入输出端口上的不同特性，特别是场效应管，为什么所有的教材都不讨论输入特性。在输出特性曲线上，特别注意短沟道效应导致的有限的输出电阻，也就是沟道长度调制效应问题，有助于学生对于实际工程问题的理解和创新能力的培养。教学重点和难点教学重点：场效应管放大电路的直流分析方法教学难点：场效应管的工作原理，各种不同场效应管的区别。学法指导场效应管类型较多，MOS型和JFET以及MESFET，工作原理比较繁杂，建议在突出基本概念“场效应”的基础之上，强调器件外特性的应用方法，将器件的电压电流约束关系应用到电路中，从器件约束和电路结构约束两个方面去分析电路和设计电路，切实提高学生的设计能力和基本工程素质。作业(P128)EX3.1AnNMOStransistorwithVTN=1VhasadraincurrentiD=0.8mAwhenvGS=3VandvDS=4.5V.Calculatethedraincurrentwhen:(a)vGS=2V,vDS=4.5V;and(b)vGS=3V,vDS=1V.(P142)EX3.2ThetransistorhasparametersVTN=2V,kn=0.25mA/V2.ThecircuitparametersareVDD=10V,R1=280KΩ,R2=160KΩ,RD=10KΩ.FindID,VDS,andpowerdissipatedinthetransistor.(Ans.ID=0.669mA,VDS=3.31V,P=2.21mW)(P144)EX3.3Considerthecircuitshownright.Assumethat,VTP=-1.2V,R1//R2=200KΩ,VDD=10V,andKp=0.4mA/V2.DesignthecircuitthatIDQ=1.2mA,andVSDQ=4V.(Ans.R1=283KΩ,R2=682KΩ,RD=5KΩ)(P155)EX3.4Considerthecircuitbelow.ThetransistorparametersareVTP=-0.8VandKp=0.050mA/V2.DesignthecircuitsuchthatID=120μAandVSD=8V.(Ans.RD=36.25KΩ,RS=63.75KΩ)(P177)EX3.5Thetransistorparametersforthecircuitshownbelowarethesameasinexample3.5.DesignthecircuitsuchthatIDQ1=0.1mA,IDQ2=0.3mA,VDSQ1=VDSQ2=5V,andRi=200KΩ.(Ans.RS2=16.7K,RD1=25.8K,RS1=24.3K,R1=491K,R2=337K)(P187)EX3.6forthecircuitshownbelow,thetransistorparametersare:VP=-3.5V,IDSS=18mA,andλ=0.CalculateVGSandVDS.Isthetransistorinthesaturationornonsaturationregion?(Ans.VGS=-1.17,VDS=7.43V,saturationregion)小结本章内容比较庞杂，指导学生应该抓住FET管子的本质，那就是“场效应”，充分利用管子的伏安特性约束关系，进行电路分析和设计工作，提高学生对于电路设计的认识能力。4BasicFETAmplifiers教学目的理解FET放大电路的工作原理，掌握FET放大电路的分析方法，能够设计一般的FET放大电路。教学基本要求理解FET放大电路的工作原理，掌握三种不同组态的FET放大电路的分析方法和设计方法，熟练使用小信号等效电路对于放大电路进行分析。教学内容单极型晶体管放大电路的工作原理，以及FET在交流小信号电路中的等效电路模型；三种基本的FET放大器；恒流源偏置和有源负载的放大电路；多晶体管或多级放大器电路的分析方法；JFET小信号模型并分析JFET基本放大电路。教学提示本章内容为本课程的核心内容，FET交流小信号等效电路模型是本章的核心内容，其它内容可以看成是本等效电路的具体应用。教学重点和难点教学重点：FET等效电路教学难点：共源放大电路输出电阻的求法；共栅放大电路输入电阻、输出电阻的求法。学法指导认真领会FET的交流小信号等效电路的精髓，在交流通路中，用等效电路替代FET，就可以得到交流小信号等效电路，鼓励学生充分应用电路分析课程中的定理和方法进行求解。作业P214，EX4.2；P227,EX4.5;P239,TYU4.13;P254,EX4.14;EX4.5Determinethesmall-signalvoltagegain,outputresistanceRoandRiofamultistagecascadecircuit.Considerthecircuitshowninlastpage,thetransistorparametersare:Kn1=0.5mA/V2,Kn2=0.2mA/V2,VTN1=VTN2=1.2V,andλ1=λ2=0;ThequiescentdraincurrentsareID1=0.2mAandID2=0.5mA.(Ans.Av=-6.14,Ro=1.32KΩ,Ri=99.8KΩ)Note:modifiedfromexample4.17andEx4.17.P281:4.53,4.54P283:4.60小结FET放大电路是本课程的核心内容，学生必须深入理解该等效电路，并熟练应用该等效电路进行放大电路的分析，对于不同组态的放大电路，充分理解每一种放大电路的性质和应用场合，对于实际电路的设计具有非常重要的作用。特别值得注意的是，有源负载和恒流源电路，是非常值得注意的电路单元。5TheBipolarJunctionTransistor教学目的理解三极管的工作原理，掌握三极管放大电路静态工作的分析方法。教学基本要求理解双极型晶体管的基本物理结构和工作原理，掌握三极管三种不同工作状态下的伏安特性；掌握三极管放大电路静态工作点的计算方法；理解三极管在三种不同场合下的应用关键技术；对于三极管放大电路的偏置方法有比较深入的理解，能够初步计算或者设计多级或者多个三极管电路的直流偏置。教学内容双极型晶体管的物理结构和工作原理；双极型晶体管电路的直流分析和设计方案；双极型晶体管电路的三种基本应用；双极型晶体管电路的各种直流偏置电路；多级或多个晶体管电路的直流偏置。教学提示本章内容为本课程核心内容之一，三极管的基本结构可以用“一个管子两个结三个极”的方法进行归纳和总结，对于不同的工作状态，可以从两个PN的不同偏置来进行阐述，对于恒流源偏置和有源负载等相关内容，可以和场效应管对应章节内容进行类比。教学重点和难点教学重点：三极管放大电路的直流分析教学难点：三极管工作原理学法指导简化三极管的载流子电流模型，突出主要电流主线，导出三个电极之间的电流约束关系，利用这种约束关系进行DC分析。强调这种电流约束关系的根源在于管子的结构，在于基区比较薄而且掺杂浓度比较低，集电结面积比较大。作业P297TYU5.1；P297TYU5.2；P317Ex5.7；P351EX5.21小结本章内容从三极管的结构开始展开比较合适，要特别突出每个区的结构和结的区别，从而引出三极管三个电极电流之间的约束关系，进而将这种约束关系和电路拓扑结构约束进行结合，这样分析电路就有了基本的出发点和原则。6BasicBJTAmplifiers教学目的理解三极管H参数交流小信号等效电路模型，熟练掌握应用该模型进行电路分析。教学基本要求能够画出各种组态放大电路的交流小信号等效电路，并能够计算出各种组态下，三极管放大电路的各项交流指标。了解功耗降低的基本方法。教学内容模拟信号的概念和线性放大器的原理；三极管线性放大电路；三极管H参数交流小信号等效电路；三种不同组态的三极管放大电路的交流小信号分析方法和结论；多晶体管或多级放大器电路。教学提示从三极管的基本原理出发，可以认为三极管是一个电压控制电流器件，也可以认为它是一个电流控制器件，根据电路已知条件可以灵活把握该选用哪一种模型。对于Early电压，要求学生有比较深入的理解，原因在于目前的器件逐渐小型化，导致基区宽度调制效应愈发明显。可以将三极管交流小信号等效电路模型作为出发点，广泛应用于各种放大电路中。特别要注意小信号的概念，一定要清楚这个使用条件。在课堂教学中，一定要强调模型的适用范围。教学重点和难点教学重点：三极管交流小信号等效电路模型教学难点：灵活运用H参数模型，特别是有源负载和恒流源的情况下。学法指导在搞清楚三极管交流小信号等效电路的情况下，不要拘泥于放大电路的等效电路的形状，从规范图形的角度，可以对于初步画出的交流等效电路进行优化。要大胆应用在电路分析课程中学到的基础理论和方法，进行电路分析和计算以及设计。作业P405,EX6.6；P426Ex6.13；P443,Ex6.16，P446，TYU6.17；P459，6.21小结本章是本课程的核心内容之一，由于绝大多数学生对于受控源的分析不太清楚，因此造成本部分的讲解比较难于被接受，教师应当突出受控源的分析方法。强调控制量与被控制量之间的约束关系。7FrequencyResponse教学目的掌握三极管和场效应管放大电路的频率特性，理解密勒电容和密勒效应。教学基本要求理解放大电路频率响应的一般特性，掌握通频带的概念和计算方法；理解传递函数的求解方法，能够解释频率特性的原因；理解宽频带放大器的实现方法并能够予以实现。教学内容放大器频率响应的一般特性；系统传递函数和波特图；带有电容的晶体管电路的频率响应；MOS管和双极型晶体管的频率响应；密勒效应和密勒电容；放大电路的高频响应。教学提示本部分内容表面上看上去有点杂乱，但要以电容为中心就比较调理，从管子外面的电容和管子内部的电容两个方面进行阐述，对于学生理清本章的知识结构脉络有比较积极的作用。放大电路的高频特性对于通频带的展宽有决定性作用，为学生打下该方面的基础对于后续课程的学习以及电路的设计能力培养具有积极作用。教学重点和难点教学重点：电容对放大器的频率特性的影响教学难点：密勒效应原理的应用学法指导从管子外部的电容和PN结电容两个方面去分析频率特性，从放大器频率特性的一般特性到特殊性质。按照这两条线索进行理解，本章的内容将显得比较简单而有条理。作业P485,EX7.2；P512.EX7.10；P524EX7.13；P552,7.38;P557,7.62小结本章内容属于比较难于理解的内容，但是如果从电容的基本性质出发，引入到RC串并联电路，进而到放大电路就会比较容易接受。本章需要着重考虑如何设计放大器才能使得放大器满足实际工程的需要，特别需要强调的是，不一定总是要展宽通频带。8OutputStagesandPowerAmplifiers教学目的掌握典型甲乙类末级功放的分析与设计方法，理解散热在功率放大电路中的特殊表现。教学基本要求掌握输出级电路的基本要求，理解功率放大电路的工作原理和计算方法，掌握甲乙类互补推挽功率放大电路的工作原理。教学内容功率放大器的概念；BJT和MOSFET功率晶体管的特性，散热片器件的温度和热流特性；各类功率放大器特性；几种功率放大器的电路结构和最高效率。教学提示功率放大器在实际应用中，具有广阔的应用市场。特别是甲乙类互补推挽OCL功率放大电路，并在该电路中采用复合管结构，和VBE倍增电路，更是经典案例。对于本电路应该重点讲解，每一个同学都能够很好的理解。教学重点和难点教学重点：甲乙类互补推挽OCL功率放大电路教学难点：对于各类功放电路效率的计算学法指导功率放大器是用于驱动负载的，应该具有较强的带负载能力，因而对于三极管电路，采用共集电极电路，对于场效应管，则采用共漏极电路。由于功放电路有较大的工作电流，需要考虑效率问题，因而不能采用甲类功放。对于效率的计算，应该从电源提供的总功率和实际输出的功率进行讨论。作业P588TYU8.4；P602TYU8.7；P611,8.26；P6128.36；P6138.39小结本章内容在实际应用中经常直接采用，应该引起重视。由于输出级需要带负载，因而需要较强的驱动能力，电压跟随器是这种电路的不二选择。对于该种类型的电路，由于是大信号，因而会存在比较严重的非线性失真和较多发热现象，因而多采用图解方法，并在电路中较多采用散热装置。9IdealOperationalAmplifiersandOp-AmpCircuits教学目的理解理想运算放大器的基本性质，能够分析理想运算放大器的常用电路。教学基本要求理解理想运算放大器的参数和特性，掌握确定理想运算放大器电路的分析方法。能够设计简单的加法电路、减法电路、积分电路、运算电路、乘法电路、除法电路、指数函数电路和对数函数电路等。教学内容理想运算放大器的参数和特性；理想运算放大器电路的分析方法；几种理想运算放大器电路（包括差分放大器和仪表放大器）；多种运算电路。教学提示虚短和虚短是理想运算放大器在深度负反馈情况下的现象，可以直接使用。但是要强调这种模型的应用范围和条件。对于各种运算电路，经常用来实现波形变换，因而经常用于各种函数发生器设备中。教学重点和难点教学重点：理想运算放大器的特征参数教学难点：仪表放大器的分析学法指导充分理解应用虚短和虚断的条件，在需要求解理想运算放大器的过程中，要积极使用在电路分析课程中所学过的定理和公式。作业EX1.Assumingtheop-ampsshownin9-18areallideal,showthatthevoltageamplificationP57，9.22；P61，9.45，9.48小结运算放大器已经广泛应用于各种电子电路系统中。虽然实际放大器距离理想运算放大器有一定的距离，但采用理想运算放大器模型进行估算，所得到的近似结果具有很高的参考价值。在深度负反馈闭环系统中，要应用虚短和续断进行分析。10DifferentialandMultistageAmplifiers教学目的掌握各种差分放大电路的分析方法，能够设计简单的差分放大器。教学基本要求理解差分放大器的基本性质和相关参数的意义，掌握基本FET和三极管差分放大电路的分析方法，理解BiMOS电路；了解差分放大器的频率响应和运算放大器的基本结构。教学内容理想差分放大器的特征和术语；基本双极型差分放大器；基本FET差分放大器；带有有源负载的BJT和FET；各种BiCMOS电路；差分放大器的频率响应；运算放大器的内部基本结构。教学提示正确处理差分放大器放大倍数、驱动能力、带宽之间的关系：基本差分放大电路放大倍数比较低，为了提高放大倍数，一般采用用有源负载，但是有缘负载在提高放大倍数的同时，却造成驱动能力下降和通频带变窄。教学重点和难点教学重点：差分放大器的基本思想教学难点：有源负载差分放大器的工作原理以及频响特性学法指导从简单到复杂的过程梳理：基本差分放大电路放大倍数比较低，为了提高放大倍数，一般采用用有源负载，但是有缘负载在提高放大倍数的同时，却造成驱动能力下降和通频带变窄。FET和BJT各有千秋，将其结合在一起，可以互相补充，因而BiMOS技术是当今重要的技术之一。作业P160,Ex11.8；P168,Ex11.11Explainthebasicprincipleofthefollowingcircuits,givethereasonofcombiningtheBJTandMOS.小结差分放大器能够有效克服共模信号的干扰，因而广泛应用于工业生产中。该种类型的电路具有多种不同的结构，但其共性确是利用电路的对称性克服了干扰信号，同时有效的放大差模信号。牺牲了一倍的管子，换来了理想的共模抑制。11FeedbackandStability教学目的理解反馈类型对放大电路性能的影响，掌握应用各种反馈类型从而改进基本放大器性能的方法。教学基本要求能够判断反馈类型，并根据反馈类型判定该反馈对放大器性能有何影响；在必要的情况下，会通过调整元器件的参数对反馈深度进行调整，从而优化负反馈放大器的某些性能。教学内容理想反馈电路系统的传输函数；四种反馈电路的结构，理想反馈电路和实际反馈电路的闭环增益的计算方法；反馈电路稳定性判据；频率补偿。教学提示从反馈的一般概念出发，得出一般性的结论，即：反馈对放大电路会产生什么样的影响。然后从一般性到特殊性，对于四种不同的反馈类型，分别探讨反馈带来的影响，以及相关参数的计算方法。对于反馈带来的不利影响，如何进行消除。教学重点和难点教学重点：反馈类型的判断以及反馈对放大器性能的影响教学难点：频率补偿学法指导从反馈的一般概念推广到特殊性的时候，注意变量下标的含义，从而确定采样信号和反馈回来的信号的类型，就会比较容易的理解反馈对放大器性能影响的原因。反馈的主要作用是使得放大器稳定，但是也可能引起放大器的自激，频率补偿可以解决这个问题。在这个过程中，注意45度相位角的意义。作业P239,Ex12.2;P243,EX12.4;P248,Ex12.5;P303,Ex12.21小结反馈是开环到闭环的转变，能够将输出的一部分或者全部送回到输入端，因而可以实现系统自身的调整。在合适的结构中，可以得到更加稳定的系统。负反馈使得系统稳定，合适的构造反馈类型，可以显著改善放大器的性能，从而满足设计的需要。负反馈带来的不良影响是造成系统的不稳定，而频率补偿则可以解决这个问题。12ApplicationsandD