电力电子技术复习题库

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一、判断题

1.当品闸管所加正向电压达到一定值时，即使门板不加触发电压，晶闸管也会导

通，所以门极触发电压不是晶闸管导通的必要条件。（B）

A.对B.错

2.晶闸管加正向电压后，既可以通过门极触发导通也可以〃硬开通〃，所以晶闸管

是半控型元件。（B）

A.对B.错

3.只要晶闸管的阳极电位低于阴极电位就可以使晶闸管关断。（A）

A对B专音

4：当晶闸管导通后，若断开门极触发电压，则晶闸管就会自行关断。（B）

A.对B.错

5.晶闸管导通后，门极触发电压应继续保持存在。（B）

A.对B.错

6.晶闸管只要加上正向阳极电压就会导通，加上反向阳极电压则阻断，所以晶闸

管具有单向导电特性。（B）

A.对B.错

7.晶闸管导通后，要使其阻断，只要使门极电压为零或加负电压即可。（B）

A.对B.错

8.晶闸管导通后，去掉门极电压或加负的门极电压，晶闸管仍然导通。（A）

A.对B.错

9.晶闸管导通后，当阳极甩流小于维持电流时晶闸管必然自行关断。（A）

A.对B.错

10.品闸管的额定电流就是通过其电流的有效值。（B）

A.对B.错

11.晶闸管的正向转折电压大于其正向不重复峰值电压。（A）

A.对B.错

12.额定电流相同的晶闸管，通态平均电压越小，则晶闸管越好。（A）

A.对B.错

13.晶闸管的额定电压就是将其正反向重复峰值电压中较小的那个值按百位取整

后的数值。（A）

A.对B.错

14.品闸管合格证上标明了触发电压0.2V<UGr<3.0V,表示在该品闸管门极所加触

发电压的幅值不能大于3.OVo（B）

A.对B.错

15.当门极被加入毫安级的电流或儿伏电压时，就可以控制阳极安培级的电流，

所以晶闸管和晶体管一样具有放大功能。（B）

A.对B.错

16.晶闸管具有可以控制的单向导电性，而且控制信号很小，阳极回路被控电流

可以很大。（A）

A.对B.错

17.造成晶闸管误导通的原因有两个:一是干扰信号加于门极，二是加到晶闸管上

的电压上升率过大。（A）

A.对B.错

18.通过晶闸管的电流平均值，只要不超过晶闸管的额定电流值，就是符合使用

要求的。（B）

A.对B.错

19.晶闸管加正向电压，触发电流越大，越容易导通。（B）

A.对B.错

20.功率MOSFET电压不能太高、电流容量也不能太大，所以目前只适用于小功率

电力电子装置。（A）

A.对B.错

21.MOSFET是压控型器件，其门极控制信号是电流。（B）

A.对B.错

22.普通晶闸管通过门吸控制开通和控制关断，所以是全控型器件。（B）

A.对B.错

23.单相桥式全控整流电路，接电阻性负载或电感性负载，晶闸管均在电源电压

过零时关断。（B）

A.对B.错

24.晶间管可控整流实际上是控制晶闸管的导通时间。（A）

A.对B.错

25.晶闸管在反向击穿电压作用下，有限流电阻也能工作。（B）

A.对B.错

26.晶闸管整流装置触发系统性能的调整，如，定相、调零、调节幅值、开环、

闭环、过流保护等，瓦根据调试仪器的使用情况任意进行。（B）

A.对B.错

27.在晶闸管整流电路中，导通角越大，则输出电压的平均值越小。（B）

A.对B.错

28.单相半波整流电路若接电动机负载，需在负教侧并接续流二极管才能正常工

作。（A）

A.对B.错

29.单相半控桥整流电路，晶闸管整流二极管和续流二极管均承受相同的正反向

电压。（A）

A.对B.错

30.电阻性负载单相半控桥式整流电路中，当a>90。时，晶闸管承受的最大反向电

压小于五U2。（B）

A.对B.错

31.对于单相桥式全控整流电路，晶闸管VTI无论是短路还是断路，电路都可作

单和半波整流电路工作。（R）

A.对B.错

32.在单相半控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取口。（B）

A.对B.错

33.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，如电路有故障时会出现

失控现象。（A）

A.对B.错

34.在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U20（B）

A.对B.错

35.在变压器二次电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半

波整流电路输出电流的2倍。（B）

A.对B.错

36.若U,为电源变压器二次电压的有势值，则半波整流电容滤波电路和全波整流

电容滤波2电路在空载时的输出电压为同2。（A）

A.对B.错

37.三相半波可控整流电路，若为电阻性负载，当控制角"60。时，输出波形仍能

连续。（B）

A.对B.错

38.三相半控整流电路对触发脉冲的要求与三相半波可控整流相同，一个周期需

间隔为120。的三个触发脉冲。（A）

A.对B.错

39.三相全控桥和三和半控桥都是由两组三相半波可控整流电路串联组合而成。

（B）

A.对B.错

40.在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（B）

A.对B.错

41.三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。（B）

A.对B.错

42.三相半波可控整流电路，既不需要用大于60。小于120。的宽脉冲触发，也不

需要相隔60。的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120。的三组脉冲触发就能正常

工作。（A）

A.对B.错

43.在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形

中没有负面积。（A）

A.对B.错

44.三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置.，则a的移

相范围只有120°（B）

A.对B.错

45.三相半波可控整流电路必须采用双窄脉冲触发。（B）

A.对B.错

46.在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还

要满足触发电路相序要求才能正常工作。（A）

A.对B.错

47.只要采用双窄脉冲触发三相桥式全控整流电路的晶闸管，电路就能正常工作。

（B）

A.对B.错

48.三相半波可控整流电路的接法有两种，一种是共阴极接法，另-种是共阳极接

法。（A）

A.对B.错

49.三相全控桥式整流主电路，实质上是由共阴极组（1、3、5）与共阳极组（2、4、

6）两组电路并联组成。（B）

A.对B.错

50.在三相全控桥式整流电路中，晶闸管导通顺序

是：6.131.2玲2.3玲3.4）4.5玲5.6玲6.1。（B）

A.对B.错

51.续流二极管只起到了及时关断晶闸管的作用，对输出电压值、电流值没有任

何影响。（B）

A.对B.错

52.为保证晶闸管都能可靠导通，其门极触发电压和电流可以在短时间内超过额

定值。（A）

A.对B.错

53.由于一般晶闸管的导通时间为6ns,所以触发脉冲的宽度只要在6Hs以上即可

保证晶闸管可靠导通。（B）

A.对B.错

54.同一型号的晶闸管其门极触发电压和触发电流是一致的。（A）

A.对B.错

55.晶闸管触发电路的漏电压越小越好。（A）

A.对B.错

56.同一电路不同的负载对晶闸管触发脉冲的宽度要求也不同。（A）

A.对B.错

57.电路中触发信号的移相范围是根据负载的要求确定的。（A）

A.对B.错

58.任何形式的触发信号对于晶闸管的门极和阴极来说必须是正向的。（A）

A.对B.错

59.单结晶体管由一个发射极、一个基极、一个集电极组成。（B）

A.对B.错

60.单结晶体管只要发射极电压高过谷点电压就可导通。（B）

A.对B.错

61.用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发

脉冲与晶闸管主电路实现同步。（A）

A.对B.错

62.在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲的移相范围°

（B）

A.对B.错

63.在电路中接入单结晶体管时，如果把'、b?接反了，就会烧坏管子。（B）

A.对B.错

64.单结晶体管触发电路输出的触发脉冲比较窄。（A）

A.对B.错

65.单结晶体管的第一基极b„与发射极e之间的电阻为固定电阻。（B）

A.对B.错

66.当单结晶体管的发射极电压增加至峰点电压巴时，单结晶体管就导通。（A）

A.对B.错

67.当单结晶体管的发射极电压降低到谷点电压Uv以下时，单结晶体管则截止。

（A）

A.对B.错

68.单结晶体管自激振荡电路中，电阻R2,是温度补偿电阻，作用是保持振荡频率

的稳定。（A）

A.对B.错

69.同步电压为锯齿波的触发电路，输出脉冲几乎不受电网电压波动的影响。（A）

A.对B.错

70.同步电压为锯齿波的触发电路，其产生的锯齿波线性度较好，抗干扰能力强。

（A）

A.对B,错

71.根据教材图3-8所示，由于采用了恒流源给电容C2充电，所以锯齿波线性度

较好。（A）

A.对B.错

72.晶闸管触发电路采用强触发的目的是为了缩短晶闸管的开通时间，提高系统

的可靠性。（A）

A.对B.错

73.司步电压为锯齿波的触发电路，采用了强触发环节后，输出的脉冲幅值更高,

前沿更陡。（A）

A.对B.错

74.同步电压为锯齿波的触发电路，由于没有采用强触发环节，所以其输出秋冲

为方脉冲。（A）

A.对B.错

75.KC04既适用于单相，又适用于三相全控桥整流装置中作晶闸管的双路触发脉

冲。（A）

A.对B.错

76.用KC04组成的三相全控桥集成触发电路，因主电路有6只晶闸管，所以需要

6块KC04集成块。（B）

A.对B.错

77.KC04的内部电路与分立元件组成的锯齿波触发电路相似。（A）

A.对B.错

78.用KC04、KC41C组成的三相全控桥集成触发电路，经KC41输出的双窄脉冲需

要进一步放大才能触发大功率的晶闸管。（A）

A.对B.错

79.晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同接线方式来

实现的。（A）

A.对B.错

80.在三相变流装置中，由于触发电路是弱电，主电路是强电，所以触发电路电

源与主电路电源不能取自同一电网。（B）

A.对B.错

81.三相全控桥式整流电路触发电路中，同步电压的相序必须和主电路的相序保

持一致。（A）

A.对B,错

82.在触发电路中采用脉冲变压器可以保障人员和设备的安全。（A）

A.对B.错

83.快速熔断器必须与其他过电流保护措施同时使用。（A）

A.对B.错

84.造成晶闸管误导通的主要原因是干扰信号侵入门极网路引起的。（A）

A.对B.错

85.大功率的晶闸管可以通过很大的电流，所以它的抗过我能力很强，一般不容

易损环。（B）

A.对B.错

86.在发电机一电动机组中，当电流自发电机流向电动机时，电动机处于发电制

动状态。（B）

A.对B.错

87.有源逆变是电能从没备向电网回馈。（A）

A.对B.错

88.半控桥或有续流二吸管的电路不能实现有源逆变。（A）

A.对B.错

89.a和p是从两个方向表示晶闸管的触发导通时刻，表示的是不同的触发点。

(B)

A.对B.错

90.逆变时，要有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，且其值大于变流

器直流侧平均电压，才能提供逆变能量。(A)

A.对B.错

二、选择题

1.在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在⑻状态。

A.放大B.截止C.饱和D.开关

2.晶闸管导通后，在其门极加反向电压，则该晶闸管(A)

A.继续导通B.饱和C.状态不定D.关断

3.晶体管内部具有(C)PN结。

A1个B2个C3个D4个

4：普通品闸将由中间P层引出防电极是(B)。

A.阳极B.门极C.阴极D.无法确定

5.晶闸管具有(B)性。

A.单向导电B.可控单向导电C.电流放大D.负阻效应

6.晶间管硬开通是在⑹情况下发生的。

A.阳极反向电压小于反向击穿电压

B.阳极正向电压小于正向转折电压

0.阳极正向电压大于正向转折电压

D.阴极加正压，门极加反压

7.晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的(C)来表示的。

A.有效值B.最大值C.平均值

8.下面给出的四个图形符号中，(B)是可关断晶闸管的图形符号。

9.(A)广泛应用于电力机车的逆变器、大功率直流斩波器调速装置中。

A.GTOB.CTRC.MOSFETD.IGBT

10.ICBT是20世纪80年代发展起来的复合型电力电子器件，它将(B)结合于一

体。

A.GTO和GTRB.MOSFET和GTRC.MOSFETflGTOD.MOSFET、GTR和GTO

11.单相半成可控整流电路中，显闸管可能承受的反向峰值电压为(B)。

A.U2B.V2U2C.2V2UZD.V6U2

12.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是

(D)o

A.增加晶闸管的导电能力B.抑制温漂

C.增加输出电压稳定性D.防止失控现象的产生

13.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是(D)。

A.90°B.120°C.150°D.180°

14.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角a的移相范围是(A)o

A.0°~90°B.0°"180°C.90°"180°D.180°~360°

15.单相全控桥整流电路L负载，负载电流L=10A,安全裕量取2,晶闸管的通态

平均电流LAY应为(A)。

A9AB5AC45AD20A

心三相小波可隹越流电◎各，电阻性负载，当控制角(B)时，整流输出电压与电流

波形断续。

A.O0<0^30°B.30°<a^l50°C.60°<a<180°D.90°<a<180°

17.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当a=(C)时，整流平均电压口加。

A.30°B.60°C.90°D.120°

18.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为(C)。

A.0°"180°B.0°~150°C.0°120°D.0°~90°

19.当a为(C)时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形处于连续

和断续的临界状态。

A.0°B.60°C.30°D.120°

20.三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)。

A.交流相电压的过零点

B.本相相电压与相邻相相电压正、2周的交点处

C.比三相不控整流电路的自然换木口点超前30°

D.比三相不控整流电路的自然换力目点滞后60°

21.当好(B)时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处

于连续和断续的临界状态。

A.0°B.60°C.30°D.120°

22.三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，a

的移相范围为(D)。

A.0°飞0°B.0°~90°C.0°~120°D.0°"150°

23.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时,控制角a的有效移相范围是(A)o

A.0°~90°B.0°~180°C.90°~180°

24.三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角a=0°时，输出的负载电压平

均值为(D)。

A.0.45&B.0.9U2C.1.17U2D.2.34U2

25.三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角a的有效移相范围是3)。

A.0°~90°B.30°"120°C.60°~150°D.90°"150°

26.三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置来触发，a

的移相范围是(D)。

A.O0〜60°B.0°~90°C.0°"120°D.0°"150°

27.三和半波可控整流电路各相触发脉冲相位差为(C)o

A.60°B.90°C.120°D.180°

28.三相全控桥在一个周期内，每个整流器件的导通时间是负载电流通过时间的

(B)o

A.1/2B.1/3C.1/6D.1/8

29.三相半波共阴极可挣整流电路L负载，负载电流L=100A,不考虑安全裕量,

晶闸管的通态平均电流ITAV应取(C)。

A.20AB.30AC.36.8AD.10A

30.三相半波共阴极可控整流电路R负载，触发延迟角最大移相范围是(A)。

A.150°B.120°C.90°D.180°

31.单结晶体管自激振荡电路输出的脉冲幅值为(D)。

A.单结晶体管发射结正向电压B.电容器上充电电压

C.电容器充电电压的峰值D.单结晶体管的峰点电压减去谷点电压的值

32.当单结晶体管的发射极电压Ue升高到(A)时,就会导通。

A.峰点电压B.谷点电压C.两基极间电压D.不确定

33.一旦单结晶体管导通后，就呈现负阻特性，即随Ie增大，必将(B)。

A.变大B.变小C.不变D.不确定

34.单结晶体管自激振荡电路中，R,上的脉冲电压的宽度取决于(D)。

A.R的大小B.电容C的大小

C.R?的大小D.电容C的放电时间常数

35.单结晶体管自激振荡电路中，R上的脉冲电压的幅值取决于(A)。

A.R的大小B.电容C的大小

C.R?的大小D.电容C的放电时间常数

36.单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管(B)的工作特性设计的。

A.截止区B.负阻区C.饱和区D.任意区域

37.单结晶体管触发电路输出的触发信号是(B)0

A.方脉冲B.尖脉冲C.强触发脉冲D.脉冲列

38.脉冲变压器传递的是(C)电压。

A.直流B.正弦波C.脉冲波

39.在同步电压为锯齿波的晶体管触发电路中，通过改变(B)的大小，使输出脉冲

产生相位移动，达到移相控制的目的。

A.同步电压B.控制电压C.脉冲变压器变比

40.同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，以锯齿波电压为基准，再叠加(B)控制

晶袜管状态。

A.交流控制电压B.直流控制电压C.脉冲信号D.任意波形电压

41.关于同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，下列叙述正确的是(B)。

A.产生的触发功率最大B,适用于大容量晶闸管

C.锯齿波线性度最好D.适用于较小容量晶闸管

42.带强触发环节的，同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，输出的触发信号是

(C)O

A.方脉冲B.尖脉冲C.强触发脉冲D.脉冲列

43.晶闸管两端并联一个R-C电路的作用是(C)。

A.分流B.降压C.过电压保护D.过电流保护

44.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要作用是用来(C)。

A.分流B.降压C.过电压保护D.过电流保护

45.抑制晶闸管回路电流上升率过大的方法通常是在回路中串联一个(A)。

A.电感B.压敏电阻C.R-C电路D.硒堆

46.能够实现有源逆变的电路是(A)。

A.全控桥式电路B.半控桥式电路

C.全控桥式带续流二极管电路D.二极管单相整流电电路

47.逆变时，晶闸管的控制角a(A)。

B.A.大于90。B.小于90。C.等于90。D.大于或小于90。

48.二相半波野逆变时,广晶闸管承强的最大正反向电压为(A)o

A.V6n2R.<3n2C.J2&D.V5U2

49.下列情况中，会造成逆变失败的是(D)。

A.负载电流增大B.晶闸管逆变角增大

C.单触发脉冲改为双窄脉冲D.触发脉冲丢失

50.逆变角B太小，换流失败的原因是(C)。

A.该关断的晶闸管已关断B.该关断的晶闸管的丢脉冲

C.该关断的晶闸管没关断D.该关断的晶洞管过载

51.若要增大SPWM逆变器的输出电压，可采用的控制方法是(D)

A.增大三角波频率B.增大三角波幅值

C.增大正弦控制电压频率D.增大正弦控制电压幅值

52.三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的最大反向电压峰值为(其中

民为变压器二次侧相电压有效值)(C)

A.26LB.2V2U2C.76U2D.V3U2

53.按器件的可控性分类，普通晶闸管属于(B)

A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.电压型器件

54.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，其逆变角B的变化范围为(A)。

A.0°~90°B.0°~120°C.90°~180°D.0°"150°

55.三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间

隔(C)

A.60°B.90°C.120°D.180°

56.单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流品闸管的导通

角为。(D)

A.60°B.90°C.120°D.180°

57.单相半控桥式带续流二极管阻感性负载电路，设触发角为a,则整流晶词管

导通角为。(A)

A.n-aB.-n-aC.--aD.--a

632

58.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(A)

A.干扰信号B.触发电压信号

C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号

59.在三相不控整流电路中，在自然换相点R与U间，整流输出电压s为［B）

A.4匕B.C.u&cD.泣c

60.单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角a的最大移相范围是（D）

A.90°B.120°C.150°D.180°

61.下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件（C）

A.二极管B.品闸管C.功率晶体管D.逆导晶闸管

62.逆变电路的功能是将直流电能转换为（B）

A.直流电B.交流电能C.磁场能D.化学能

63.在规定的条件下，额定电流为1000A的晶闸管，所允许连续通过的正弦半波

电流的最大平均值为（B）

A.阴AB.1000AC.100()x>/2AD.1000x7-FA

V22

64.晶闸管导通后，在其门极加反向电压，则该晶闸管（A）

A.继续导通B,截止C.状态不定D.关断

65.普通晶闸管由中间P层引出的电极是（B）

A.阳极B.门极C.阴极D.无法确定

66.在大电感负载单和全控桥式整流电路中，当。=0°时，整流输出电压平均值

为（设整流输入电压有效值为U2）<,（C）

A.0B.—C.—U,D.—U,

nnTC

67.在三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角a的有效移相范围是（A）

A.0°〜90°B.30°〜120°

C.60°〜150c口.90°〜150°

68.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角Q的最大移相范围是（D）

A.90°B.120°C.150°D.180°

69.单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的正向峰值电压为（B）

A.U2B.V2U2C.2V2U2D.76U2

70.三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（C）

A.60°B.90°C.120°D.150°

71、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（A）度。

A、180°B、60°C、360°D、120°

72、。为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，

处于连续和断续的临界状态。（C）

A、0度B、60度C、30度D、120度

73、晶闸管触发电路中，若改变的大小，则输出脉冲产生相位移动，达

到移相控制的目的。（B）

A、同步电压B、控制电压

C、脉冲变压器变比D、电流

74、如某晶闸管的正向阻断峰值电压为745V,反向峰值电压为825V,则该晶闸

管的额定电压应为（A）

A、700VB、750VC、800VD、850V

75.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（D）

A.增加晶闸管的导电能力B.抑制温漂

C.增加输出电压稳定性D.防止失控现象的产生

76.单结晶体管触发电路输出的触发信号是（B）

A.方脉冲B.尖脉冲C.强触发脉冲D.脉冲列

77.电阻性负载三相半波可控整流电路，当控制角时，整流输出电压

平均值等于零。（C）

A.90°B.120°C.150°D.180°

78.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关（设&为

整流输入电压有效值，a为控制角，L为负载电流，Xc为变压器漏抗）。（A）

A.a、L以及XcB.a以及Id

C.a以及口D.a、U2及Xc

79.晶闸管在正常工作中，触发控制信号应加在［C）

A.阳极氏阴极C.门极D.漏极

80.晶闸管的伏安特性是指（C）

A.阳极电压与门极电流的美系B.门极电压与门极电流的美系

C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系

81、按照器件内部电子和空穴两种液子参与导电的情况，属于单极型电力电子器

件有：肖特基二极管、电力MOSFET和（A）。

A.SITB.IGBTC.GTRD.SITH

82、按照器件内部电子和空穴两种液子参与导电的情况，属于复合型电

力电子器件有：（B）、SITH、MCT

A.SITB.IGBTC.GTRD.SITH

83.全波整流电路中，a移相范围为（C）

A.0°~150°B.0°~120"C.0°~180°D.（T~90°

84、全波整流电路中，整流电压平均值Ud=（D）

A.0.24U2B.3.24U2C.2.34U2D.0.9U2

85.单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大电压为（A）

A.2如B.3血C.2闻D.2电

86.三相半波可控整流电路，电阻性负载时。角移相范围为（B）

A.0°~180°B.0°~150°C.0°-120°D.0°~90°

87.（C）是电力电子电路中出现最早的一种、它的作田是将交流电能变

为直流电能供给置流用电设备。

A.有源逆变电路B.无源逆变电路

C.整流电路D.降压斩波电路

88.当交流侧和电网连接时，这种逆变电路称为（D）。

A.降压斩波电路B.无源逆变电路

C.整流电路D.有源逆变电路

89.借助于外部手段（电网电压或负载电压）来实现换流的，他们属（A）。

A.外部换流B.内部换流C.局部换流D.以上都是

90.降压斩波电路中，已知电源电压E=16V,导通占空比a二"三”

则负载电压Uo=(B)o

A.18VB.12VC.16VD.6V

91.一般认为交交变频输出的上限频率约为电网频率的(C)o

A.0-1/3B.1/2-3/4C.1/2-1/3D.1/4-1/3

92.一般认为交交变频输出的上限频率约为(D)

A.10HZB.50HZC.6HZD.20HZ

93.目前实际应用的PWM逆变电路几乎都是(A)电路。

A.电压型B.电流型C.电压电流型D.以上都是

94.电子技术包括(B)两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子

技术就属于前者。

A.高频电子技术和电力电子技术

氏信息电子技术和电力电子技术

C.高频电子技术和低频电子技术

D.信息电子技术和低频电子技术

95.1904年出现了(C)、它能在真空中对电子流进行控制、并应用于

通信和无线电、从而开启了电子技术用于电力领域的先河。

A.二极管B.晶间管C.电子管D.三极管

96.普通晶闸管的管心由(D)层杂质半导体组成。

A.1B.2C.3D.4

97.晶闸管外部的电极数目为(C)个。

A.1B.2C.3D.4

98.单向晶闸管内部有⑻个PN结。

A.2B.3C.4D.多于4

99.普通晶闸管由中间P层引出的电极是(B)。

A.阳极B.门极C.阴极D.无法确定

100.下列属于晶闸管导通必备的条件为(B)。

A.阴极加正向电压

B.阳极加正向电压同时在门极上加正向电压

C.同时在门极上加反向电压

D.以上都对

101.晶闸管导通后通过晶闸管的电流决定于(0o

A.电路的负载B.晶闸管的电流容量

C.晶闸管阳极和阴极之间的电压D.门极电流

102.触发导通的晶间管，当用极电流减小到低于维持电流以下时，品闸管的状态

是⑻。

A.继续维持导通B.转为关断

C.阳极一阴极间有正向电压，管子能继续导通D.不确定

103.允许重复加在晶闸管阳极和阴极之间的电压为(B)。

A.正反向转折电压的有效值

B.正反向转折电压的峰值减去100V

C.正反向转折电压的峰值

104.晶闸管硬开通是在(C)情况下发生的。

A.阳极反向电压小于反向击穿电压

B.阳极正向电压小于正向转折电压

C.阳极正向电压大于正向转折电压

D.阴极加正向电压，门极加反向电压

105.晶闸管具有(B)性。

A.单向导电B.可控的单向导电

C.电流放大D.负阻效应

106.关于晶闸管，下面叙述不正确的是(D)。

A.具有反向阻断能力B.具有正向阻断能力

C.导通后门极失去作用D.导通后门极仍起作用

107.晶闸管由导通变为截止要满足(D)条件。

A.升高阳极电压B.降低阴极电压

C.断开控制电路D.正向电流小于最小维持电流

108.要使晶闸管导通，必须同时满足(B)。

A.阳极和阴极间加正向电压，门极加适当的反向电压

B.阳极和阴极间加正向电压，门极加适当的正向电压

C.阳极和阴极间加反向电压，门极加适当的反向电压

D.阳极和阴极间加反向电压，门极加适当的正向电压

109.触发导通的品闸管，当阳极电流减小到维持电流I”以下时，晶闸管的状态

(B)o

A.继续维持导通B.转为关断

C.只要阳极、阴极间有正向电压，管子能继续导通D.不确定

110.三相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形，在控制角a=(C)时，有

电压输出部分等于无电压输出部分。

A、30°B、60°C、90°D、120°

111.用万用表测试好的单向晶闸管时，A、K极间的正反向电阻应(A)。

A.一大一小B,都很小C.都很大D,都不大

112.晶闸管整流电路输出电压的改变是通过(A)实现的。

A.调节控制角B.调节触发电压大小

C.调节阳极电压大小D.调节触发电流大小

113.晶闸管的导通角越大，则控制角(A)。

A.越小B.越大C.不改变D.均不是

114.单相半波可控整流电路，电阻性负载，输入电压Uz=220V,输出电压UL=50V,

其控制角为⑴)。

A.45°B.90°C.120°D.22.5°

115.在可控整流电路中，输出电压随控制角的变大而(B)。

A.变大B.变小C.不变D.无规律

116.单相半波可控整流电路的直流输出电压平均值是交流输入电压有效值的(C)

倍。

A.0.9B.0.45C.00.45D.00.9

117.单相半波可控整流电路，若负载平均电流为10mA,则实际通过晶闸管的平

均电流为(C)mA。

A.5B.OC.10D.2

118.单相半波可控整流电路，变压器次级电压为20V,则晶闸管实际承受的最高

反向电压为(B)V。

A.20B.20V2C.18D.9

119.三相平波可控整流电路，若负载平均电流为18A,则每个晶闸管实际通过的

平均电流为(C)

A.18B.9C.6D.3

120.三相半波可控整流电路，若变压器的次级电压为％当0°<a<30°,则输出

平均电压为(A)。

A.1.17U2cosaB.0.9U2C0SaC.0.45U2cosaD.1.17U2

121.三相半波可控整流电路，若触发脉冲加于自然换相点之前，则输出电压将

(C)o

A.很大B.很小C,出现缺相现象D.为0

122.三相半波可控整流电路的输出直流电压波形在(B)的范围内是连续的。

A.a<60°B.a<30°C.30°<a<150°D.a>30°

123.三相半控桥式整流电路，刚好维持输出电压波形连续的控制角a是(B)。

A.30°B.60°C.120°D.90°

124.在三相半控桥式整流电路中，要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间的相位差

为(B)o

A.60°B.120°C.150°D.180°

125.在三相半控桥式整流电路中，每只晶闸管承受最高正反向电压为变压器二次

相电压的(D)倍。

A.1B.V2C.V3D.76

126.三相半控桥式整流电路的移相范围为(A)。

A.a=0°480°B.a=0°*90°C.a=0°420°D.0=0°450°

127.感性负载可控整流电路中续流二极管接反时，电路(C)。

A.能正常工作B.会造成开路C.会造成短路

rt

128.单相半控桥式整流电路，电阻性负载，a=30,UL=100V,若将负载换成直

流电动机，控制角不变，则输出电压为(A).

A.大于100VB.小于100V

C.100VD.因失控不能工作

129.带续流二极管的单相半控桥式大电感负载整流电路，当触发延迟角a等于(D)

时，流过续流二极管电流的平均值等于流过晶闸管电流的平均值。

A.90°B.120°C.150°D.60°

130.带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后，晶闸管的导通角比没有接续

流二极管前减小了，此时电路的功率因数(A)。

A.提高rB,减小了C.小变化D.尢关

131.如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高，最好采用(A)滤波。

A.串平波电抗器B.并大电容

C.串大电阻D.并小电阻

132.为防止晶闸管电流上升速度过快，可采取(A)。

A.串接一个扼流圈

B.通过一个RC串联电路与负载并联

C.通过一个续流二极管与晶闸管并联

D.均可

133.晶闸管的保护主要是针对下列(A)。

A.过压保护B.短路保护

C.失压保护D.欠流保护

134.晶闸管的电压和电流参数是按其最大工作数值的(C)倍以上进行选择。

C.1.52D.0.52

135.下列不属于单结晶体管电极的是(C)。

A.第一基极B.第二基极C.集电极D.发射极

136.单结晶体管的发射极电压高于(B)电压时就导通。

A.额定B.峰点C.谷点D.安全

137.单结晶体振荡电路是利用单结晶体管(C)的工作特性设计的。

A.截止区B.饱和区C.负阻区D.任意区域

138.单结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管导通角(A)。

A.增大B.减小C.不变D.无关

139.单结晶体管触发电路输出触发脉冲的幅值取决于(D)。

A.发射极电压U°B.电容CC.电阻RD.分压比n

140.单结晶体管触发电路输出脉冲的频取决于(B；。

A.振荡器中充电回路的时间常数B.单结晶体管的分压比

C.直流电源电压D.笫一和第二基极电阳

141.把(C)的装置称为逆变器。

A.交流电变换为直流电B,交流电压升高或降低

C.直流电变换为交流电D.直流电压升高或降低

142.可实现有源逆变的电路为(C)o

A.三相半波可控整流电路B.三相半控桥整流电路

C.单相全控桥接续流二极管电路D.单相半控桥整流电路

143.在一般可逆电路中，最小逆变角选在下面哪一种范围合理(A)。

A.30°~35°B.10°45°C.0°-10°D.0°

144.在有源逆变电路中，逆变角B的移相范围应选(C)为最好。

A.8=90°~180°B.P=35°~90°C.P=0°~90°

145.晶闸管逆变器输出交流电的频率由(D)来决定。

A.一组晶闸管的导通时间B.两组晶闸管的导通时间

C.一组晶闸管的触发脉冲频率D.两组晶闸管的触发脉冲频率

146.晶闸管触发电路所产生的触发脉冲信号必须要(A)。

A、有一定的电抗B、有一定的移相范围

C、有一定的电位D、有一定的频率

147.锯齿波触发电路由锯齿波产生与相位控制、⑴)、强触发与输出、双窄执冲

产生等四个环节组成。

A、矩形波产生与移相B、脉冲形成与放大

C.尖脉冲产生与移相D、三角波产生与移相

148.锯齿波触发电路中双窄脉冲产生环节可在一个周期内发生间隔(A)的两个窄

脉冲。

A、60°B、90°C、180°D、120°

149.三相半波可控整流电路电阻负载，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均

值的(A)。

A、1/3B、1/2C、1/6D、1/4

150.三相半波可控整流电路大电感负载无续流管的控制角a移相范围是(C)。

A、0"120°B、0^150°C、0~90°D、0~60°

151.三相半控桥式整流电路由三只共阴极晶闸管和三只⑻功率二极管组成。

A、共阴极B、共阳极C、共基极D、共门极

152.三相半控桥式整流电路电阻性负载晶闸管承受的最高电压是相电压口的(C)

倍。

A、后B.V3C、瓜

153.三相全控桥式整流电路由三只共阴极晶闸管与三只共阳极(D)组成。

A、场效应管B、二极管C、三极管D、晶闸管

154.三相全控桥式整流电路电阻性负载，控制角a的移相范围是(D)o

A、0~30°B、。飞0°C、0~90°D、0~120°

155.三相可控整流触发电路调试时，要使每相输出的两个窄脉冲(双脉冲)之间相

差(A)。

A、60°B、120°C、90°D、180°

156.单相桥式可控整流电路电感性负载无续流管，控制角好30。时，输出电压波

形中(D)

A、不会出现最大值部分B、会出现平直电压部分

C、不会出现负电压部分D、会出现负电压部分

157.单相桥式可控整流电路大电感性负载有续流管的输出电压波形中，在控制角

a=(A)时，有输出电压的部分等于没输出电压的部分。

A、90°B、120C、150°D、180°

158.三相全控桥式整流电路电阻负载，控制角a增大，输出电压(A)。

A、减小B、增大C、不变D、不定

159.三相全控桥式整流电路电阻负载，控制角a移相范围是(D)。

A、0~30°B、0~60°C、0~90D、0~120°

160.三相半波可控整流电路电感性负载无续流管，晶闸管电流有效值是输出电流

平均值的(B)倍。

A、0、333B、0、577C、0、707D、0、9

161.三相全控桥式整流电路电感性负载无续流管，输出电压平均值的计算公式是

(Oo

A、Ud=2.34U2cosa(0°<=a<=30°)

<>

B、Ud=2.34U2cosa(00<=a<=60)

C、Ud=2.34U2cosa(00<=a<=90°)

D、Ud=2.34U2cosa(0°<=a<=120°)

162.三相全控桥式整流电路电感性负载无续流管，晶闸管电流有效值是输出电流

平均值的⑻倍。

A、1.414B、1.732、C、0.707D、0.577

163.出双相可热靛意社发电调试时，首先要检查三相同步电压波形，再检查(C),

最后检查输出双脉冲的波形。

A、整流变压器的输出波形B.同步变压器的输出波形

C、三相锯齿波波形D、晶闸管两端的电压波形

164.单相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形中一个周期内会出现(A)

个波峰。

A、2B、1C、4D、3

165.(A)适用于8~50kHz频率范围。

A、1GBTB、SITC.MOSFETD、MOSFET

166.三相半波可控整流电路其最大移向范围位150。,每个晶闸管最大导通角为(C)

A、60°B、90C、120°D、150°

167.如果(A)个整流元件全采用晶闸管，就成了三相桥式全控整流电路。

A、六B、五C、四D、三

168.(C)属于无源逆变。

A、绕线式异步电动机串级调速B、高压直流输电

C、交流电动机变速调速D、直流电动机可逆调速

169.三相半波有源逆变运行时，为计算方便，引入逆变角B=(D)

A、90°+aB、180°+aC、900-aD、1800-a

170.三相桥式逆变电路脉动小，变压器利用率高，晶闸管工作电压低，电抗器比

三相半波电路小，在(D)容量可逆系统中广泛使用。

A、小B、中、小C、大D、大、中

171.可逆电路从控制方式分可分为有(D)可逆系统。

A、并联和无并联B、并联和有环流

C,并联和无环流D、环流和无环流

172.脉动环流产生的原因是整流电压和逆变电压⑻不等。

A、平均值B、瞬时值C、有效值D、最大值

173.关断晶闸管构成高性施的变速调速系统。但目前由于元件的制造水平，只限

于()容量。(D)

A、大、中B、大C、中、小D、较小

174.三相半波可控整流电路电阻负载的导通角e的变化范围是(O。

A、0~90°B、0、100℃、0~120°D、0^150°

175.三相全控桥式整洸电路电感性负载有续流管，控制角a的移相范围是(D)。

A、0~30°B、0~60°C、0~90°D、0^120°

176.三相半波可控整流电路电感性负载有续流二极管时，若控制角a为(A),则

晶闸管电流平均值等于续流二极管电流平均值。

A、60°B、90°C、120°D、30°

177.三相可控整流触发电路调试时，要使三相锯齿波的波形高度一致，斜率相同，

相位互差(B)。

A、60°B>120℃、90D、180

178.单相桥式可控整流点路电阻性负载的输出电流波形(C)o

A、只有正弦波的正半周部分B、正电流部分大于负电流部分

C、与输出电压波形相似D、是一条近似水平线

179.三相半波可控整流电路电感性负载无续流管的输出电压波形在控制角⑹时

出现负电压部分。

A、a>60°B.B、a>4C、a>30°D>a>90°

180.三相半波可控整流电路电阻性负载的输出电流波形在控制角a>(C)时出现

断续。A、90°B、45°C、30°D>15°

三、多选题

1.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分

为（ABC）

A.半控型器件

B,全控型器件

C.不可控型器件

D.半导体器件

2.不可控整流电路目前最常用的是（AB）两种接法。

A.单相桥式

B.三相桥式

C.单项半控

D,三相全控

3.电子技术包括（AC）两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属

于前者。

A.信息电子技术

B.模拟电子技术

C.电力电子技术

D.数字电子技术

4.整流电路按交流输入相数可分为（CD）o

A.两相电路

B.五相电路

C.单相电路

D.多相电路

5.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路，在电解电镀等工业应用中，经常需要

（AD）的直流电源。

A.低电压

B.高电压

C.小电流

D.人电流

6.根据三相联结形式的不同，三相交流调压电路分为（ABC）o

A.星形联结

B.支路控制三角形联结

C.中点控制三角形联结

D.三角形联结

7.（BD）是电流驱动型器件。

A.MOSFET

B.GTR

C.1GBT

D.GTO

8.典型全控器件包括（ABCD）

A.GTO

B.GTR

C电力MOSFET

D.IGBTo

9.换流的方式可分为（ABCD）

A.器件换流

流

网换

B.电

流

载换

C.负

流

容换

D.电

种。

C)三