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第4章场效应管及其基本放大电路4.1引言结型场效应晶体管N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管P沟道耗尽型

增强型

耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道

场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型器件。

场效应管按结构可分为结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET。

4.2.1绝缘栅场效应管一、N沟道增强型MOSFET1.结构和符号N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏极、衬底和源极断开，表示零栅压时沟道不通。

场效应管有三个电极：源极(s)、栅极(g)、漏极(d)，对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。4.2场效应管

2.工作原理

(1)uGS对iD的控制作用

不足以形成导电沟道

形成N型导电沟道uGS>0，但较小uGS>UGS(th)

(2)uDS对iD的影响

iD随uDS的增大而增大

漏极处出现夹断区

uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻,

iD仅受控于uGS。uGD=uGS-uDS>UGS(th)可变电阻区uGD=UGS(th)预夹断uGD<UGS(th)恒流区(1)输出特性曲线gs电压控制ds的等效电阻预夹断条件，uGD＝UGS(th)iD几乎仅决定于uGS3.特性曲线(2)转移特性曲线开启电压UGS(th)IDO是uGS=2UGS(th)时对应的iD。

※为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？在恒流区时，有

1.结构和符号

N沟道耗尽型MOS管，衬底箭头向里。漏极、衬底和源极不断开表示零栅压时沟道已经连通。

在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入适量的金属正离子。当uGS=0V时，在这些正离子作用下，SiO2绝缘层的下方就能够形成反型层，形成了漏源之间的导电沟道。

二、N沟道耗尽型MOSFET2.

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