模电练习测试卷

第页模电练习测试卷1.

已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要加的输入信号为50mV，那么电路的反馈深度为__________，反馈系数为__________。A、20,0.05B、

50,0.049C、

50,0.01D、

20,0.01【正确答案】：B解析：

由题目可知：开环增益A=1V/1mV=1000，同样的输出时，输入为50mV，则闭环增益为：1V/50mV=20。由闭环增益的一般表达式：Af=A/(1+AF)，可知，反馈深度为：1+AF=1000/20=50,反馈系数为：F=[(A/Af)-1]/A=49/1000=0.0492.对于放大电路，所谓开环是指_________。A、

无电源B、

无信号源C、

无反馈通路D、

无负载【正确答案】：C解析：：对于放大电路，没有反馈通路就称之为开环，此时信号无法再回到输入。3.

为了稳定放大电路的输出电压，应引入_______负反馈。A、

电压取样B、

电流取样C、

串联输入D、

并联输入【正确答案】：A解析：在输出端引电压负反馈，可以稳定放大电路的输出电压。4.

在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。A、共漏，共源，共栅，共漏，共栅B、

共漏，共栅，共源，共漏，共栅C、

共漏，共栅，共漏，共源，共栅D、

共源，共漏，共栅，共漏，共栅【正确答案】：A解析：

电压增益小于1但接近等于1，输入和输出电压同相，有电压跟随作用的电路为共漏极组态；输出和输入反相，具有较大电压增益的为共源极电路；输出和输入同相，具有电流跟随作用的为共栅极电路。三种组态的放大电路中，共漏极电路的输出电阻最小，共栅极电路的输入电阻最小。5.

射极偏置电路如图所示，已知β＝60，该电路的电压增益Av约为_________。A、-90B、-120C、-103D、-110【正确答案】：C解析：先求出基极分压的电压值，VB=20*16/(20+60)=4V,用这个电压减去0.7V，得到发射极电位为VE=

4V-0.7V=3.3V，用这个电压除以发射极电阻，就得到发射极电流为IE=VE/RE=3.3V/2k=1.65mA;

因此可得小信号模型的电阻rbe=200+（1+β）*26/1.65

=

1161Ω,

由小信号等效模型，可得电压增益为：Av=-β*(Rc//RL)/rbe=-60*2/1.161=-103。6.当输入信号频率为fL或fH时，放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的

。A、0.5倍B、0.9倍C、0.7倍D、1倍【正确答案】：C解析：

当输入信号频率为fL或fH时，放大电路增益的幅值约下降为通带内增益的0.707倍。7.电路如图所示，UCC=12V，晶体管T的电流放大系数β=50，RB=300kΩ，RC=3kΩ，晶体管T处于（

）

A、截止状态B、开关状态C、放大状态D、饱和状态【正确答案】：C8.电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的________元件，将其________。A、

Rb，调小B、

Cb2，调大C、

Rb，调大D、

Rc，调小【正确答案】：A解析：

A、对静态工作点无影响，也就不能改善失真。B、调大失真会更严重。C、图示电路为PNP管构成的共发射极电路，-12V是电路中最低电位点。失真波形是底部失真，也就是集电极电位不能再继续降低了，意味着Rc上压降几乎为零了，即集电极电流接近为零，因此为截止失真。应该调小Rb，以增大集电极电流。且调Rb基本不改变电路的输出电阻。D、会改变输出电阻。9.功率管2N6078室温下的参数为，VCE(max)=250V，IC(max)=7A，PC(max)=45W，若电路工作时VCE＝20V，则IC的最大电流为_______。A、

4.5AB、

2.25AC、

7AD、

3.5A【正确答案】：B解析：在实际工作时，要根据工作条件核算极限参数带来的约束，因为PC=VCE*IC，所以IC=45W/20V=2.25A，小于IC(max)，因此IC的最大电流为2.25A。10.在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。A、VL=0.9V2B、VL=1.2V2C、VL=0.45V2D、VL=1.4V2【正确答案】：B解析：在单相桥式整流电容滤波电路中，当满足RC回路的放电时间常数为3~5倍的输入信号的周期的一半时，负载上输出电压的平均值VL为变压器副边电压有效值V2的1.1~1.2倍。11.复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是__________，3端是__________。A、

基极，集电极B、发射极，集电极C、发射极，基极D、集电极，发射极【正确答案】：D解析：两个管子构成复合管时，管子的类型由前面的管子决定，因此，图中复合管的类型为PNP管，1是基极，2是发射极（电流流进），3是集电极。12.

N型半导体中的多数载流子是

，而P型半导体中的多数载流子是

。A、

空穴，正离子B、

空穴，负离子C、

自由电子，空穴D、

自由电子，负离子【正确答案】：C解析：

N型半导体是由本征半导体掺入五价杂质元素形成，多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴；而P型半导体是在本征半导体中掺入三价杂质元素形成，多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子。13.

电路如图所示，设RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降可忽略不计，负载可得到的最大不失真的输出功率为9W时，电源电压VCC至少应该为

。A、

大于等于24VB、

大于等于12VC、

大于等于6VD、

大于等于18V【正确答案】：A解析：该电路为单电源功率放大电路，Pomax=(VCC/2-VCES)的平方除以(2*RL)=(VCC/2)的平方除以(2*RL)=(VCC)的平方除以(8RL)=9W，可得VCC≥24V。14.电路如图所示，假设运算放大器均为理想的，则Vo为A、

B、

C、

D、

【正确答案】：C解析：电路中第一级构成了反相积分器，可以得到：VO1=-1/RC乘以VI1对时间t的积分，然后第二级电路构成了求差电路，输出VO=R1/R1乘以VI2和VO1的差值，也就是VO=VI2–VO1=VI2–(-1/RC乘以VI1对时间t的积分)=VI2+(1/RC乘以VI1对时间t的积分)15.

电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rg＝100kΩ，Rd＝10kΩ，Rsi＝1kΩ。场效应管的VT＝1V，Kn＝0.5mA/，λ=0。则电路的输入电阻约为_______，源电压增益为_______，输出电阻约为_______。

A、

2kΩ，5，10kΩB、

1kΩ，-5，10kΩC、

0.5kΩ，-5，10kΩD、

1kΩ，5，10kΩ【正确答案】：D解析：

图示电路中，恒流源电流即为MOSFET的漏极电流，因此漏极电流ID=0.5mA，由gm为2乘以导电因子与漏极电流乘积的开平方，可得gm=1ms;有小信号模型等效电路可知，电路的输入电阻为Ri=1/gm=1/1ms=1kΩ.电路的电压增益为：Av=gmRd=1*10=10，源电压增益为：Av*Ri/(Ri+Rs)=10*1/(1+1)=5;电路的输出电阻即为漏极电阻Rd，因此为10kΩ.16.

开关稳压电源比线性稳压电源效率高的原因是_____。A、可以不用电源变压器B、可以不加散热器C、调整管工作于放大状态下D、调整管工作于开关状态【正确答案】：D解析：开关稳压电源的调整管工作于开关状态下，饱和导通时电压很小，截止时无电流，所以管耗小，因此效率高。17.乙类互补对称功率放大电路如图所示，采用双电源供电，若忽略BJT的饱和压降，则功率管承受的最大反向电压为

A、2(VCC－VCES)B、VCESC、2VCCD、2VCC－VCES【正确答案】：C解析：：由于两管处于轮流导通状态，所以当一管导通接近饱和时，另一个处于截止状态的三极管承受了正负两个电源的总压差即VCC-（-VCC）=2VCC.18.用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。A、不确定B、相等

C、小D、大【正确答案】：D解析：

由题目条件可知，信号源相同时，负载开路时，A和B电路的输出电压相等，因此A和B电路开路电压增益相同，接入相同的负载电阻时，测得A的输出电压小于B电路的输出电压，那么只能是A和B电路的输出电阻不同，且输出电阻越大的电路，输出电压就越小。19.PN结内电场方向是由

。A、

与外加电压有关B、

N区指向P区C、

不确定D、

P区指向N区【正确答案】：B解析：

PN结内电场的形成是势垒区中的正负离子形成的，由于势垒区的N型半导体留下不能移动的正离子，P型半导体留下不能移动的负离子，因此电场由正离子指向负离子，也就是由N区指向P区。20.稳压电路如图所示。若VI=10V，R=100Ω，齐纳二极管的VZ=5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是

。

A、

大于111ΩB、

大于111kΩC、

小于111kΩD、

小于111Ω【正确答案】：A解析：

当齐纳二极管正常稳压时，两端的压降为5V，而输入电压为10V，因此电阻R上的压降为5V，电流为5V/100Ω=50mA，当负载开路时，电流全部流入二极管，即最大电流为50mA，当二极管电流最小5mA时，流过负载电阻的电流为50mA-5mA=45mA，而负载两端的压降为5V，因此负载电阻的值为5V/45mA=111欧。而齐纳二极管正常稳压时，要求电流大于5mA小于50mA，因此要求负载电阻的电流小于45mA，那么电阻必须大于111欧。21.当温度升高时，BT集电极电流

A、减小B、增大C、无法确定D、不变【正确答案】：B解析：

温度升高时，半导体内载流子浓度会增加，所以BJT的集电结电流会有所增加。22.电路如图示，设VCC＝12V，RL＝8Ω，输入信号vi为正弦波，若BJT的饱和压降为2V，负载可得到的最大的输出功率为________。A、

12.5WB、

18WC、

6.25W

D、

9W【正确答案】：C解析：

负载上的最大输出功率为：Pomax=(VCC-VCES)的平方除以(2*RL)=(12-2)的平方除以(2*8)=100/16=6.25W.23.

差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。A、共模增益的大小B、差模增益的大小C、抑制零漂的能力D、带负载能力【正确答案】：C解析：

共模抑制比是差模增益与共模增益之比，并不单纯反映差模增益或共模增益，而抑制零漂能力是需要相对考量的，既要考虑抑制共模信号的能力，又要考虑放大差模信号的能力，这正是通过共模抑制比来反映的。24.

温度升高时，若想稳定放大电路的静态工作点，应当引入___________负反馈。A、

交流B、

直流【正确答案】：B解析：

要稳定放大电路的静态工作点，需要引入直流负反馈，因为静态工作点为直流工作情况。25.12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为

，二极管两端的最大反向电压为

。A、

240mA，24VB、

120mA，12VC、

360mA，36VD、

120mA，36V【正确答案】：D解析：

采用理想模型分析，vs是振幅为24V的正弦波，当输入信号达到正的峰值电压24V时，二极管导通且达到最大峰值电流，为(24-12)V/100Ω=120mA；当输入电压达到负的最大峰值时，二极管承受最大的反向峰值电压，为：24V+12V=36V26.设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的|Avd|=100，|Avc|=2。则输出电压|vo|=________。A、

100mVB、

10mVC、

200mVD、

12mV【正确答案】：D解析：差分式放大电路最后的输出为差模和共模输出的叠加，即vO=vod+vOc，因此最大输出电压为：|vO|=|vod|+|vOc|=|Avd|(vi1-vi2)+|Avc|(vi1+vi2)/2=100*(1050-950)uV+2*(1050+950)uV/2=12000uV=12mV。27.在两级放大电路中，已知各自单级20lg|AVM1|=40dB，fL1=4Hz，fH1=20kHz；20lg|AVM2|=30dB，fL2=400Hz，fH2=150kHz。则两级放大电路的电压增益为___________，上限截止频率约为___________，下限截止频率约为___________。A、

12dB，44kHz，400HzB、

40dB，170kHz，4HzC、

10dB，20kHz，150HzD、

70dB，20kHz，400Hz【正确答案】：D解析：

多级放大电路的增益为单级放大电路增益的倍数相乘，对数相加，因此增益为40dB+30dB=70dB。由于两个单级的下限频率相差超过4倍，上限频率相差也超过4倍，所以两级的上限截止频率取单级中的较小值，为20kHz，下限频率取单级中的较大值为400Hz。28.场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。A、

电场，电压B、

电流，电场C、

电压，电流D、

电流，电压【正确答案】：A解析：之所以称为场效应管，就是因为它是利用栅源电压产生的电场，控制导电沟道，从而控制沟道电流。因此场效应管是电压控制型器件。29.欲将方波电压转换为三角波电压，应选用

。A、微分运算电路B、积分运算电路C、加法运算电路D、同相输入式放大电路【正确答案】：B解析：积分电路可以将方波电压转换为三角波电压。30.当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。A、N沟道增强型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道耗尽型【正确答案】：D解析：：当栅源电压为0V时，依然有导电沟道的MOS管必然为耗尽型。正的栅源电压，可以获得更大的漏极电流，就应该是N沟道MOS管，因此MOS管为N沟道耗尽型。31.N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。A、电子和空穴B、正离子C、电子D、空穴【正确答案】：C解析：

N沟道场效应管的沟道为N型沟道，因此沟道中基本上只有自由电子，因此最终形成漏极电流为自由电子在电场的作用下漂移形成。32.图示电路中级间的交流反馈属于_________。A、

电压串联负反馈B、

电流串联负反馈C、

电压并联负反馈D、

电流并联负反馈【正确答案】：B解析：

反馈极性：电路的级间反馈由电阻R6实现，由瞬时极性法可知，当输入信号的瞬时极性为正时，运算放大器A1的输出为负，经过电阻R3加到运算放大器A2的反相输入端，输出为正，经过电阻RL和电阻R6后，反馈到A1的同相输入端的极性为正，正的输入信号和正的反馈信号相减，净输入信号减小，因此为负反馈。输入端：输入信号在反相输入端，反馈在同相输入端，因此输入端为串联反馈，输入信号和反馈信号均为电压。输出端：将负载电阻RL短路，输出电压Vo为零，但是依然存在输出电流，因此电阻R6两端会存在反馈电压，因此为电流反馈。综合以上结论，电路的级间交流反馈为电流串联负反馈。33.已知某信号源内阻为1kΩ，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为

。A、2kΩB、1kΩC、4kΩD、5kΩ【正确答案】：C解析：由输入回路的KVL方程可知：vs*[Ri/(Ri+Rs)]=vi，因此10*[Ri/(Ri+1)]=8,

解方程可得：Ri=4kΩ。34.

‏P沟道增强型MOS管的阈值电压是________。A、

正值B、

零值C、

负值D、

不确定【正确答案】：C解析：N沟道增强型MOS管的阈值电压为正值，而P沟道增强型MOS管的阈值电压为负值。35.

单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。A、

1,1B、

2,3C、

1,2D、

2,1【正确答案】：C解析：单门限比较器只有一个唯一的门限值，而迟滞比较器有两个门限值。36.电路如图所示，假设运算放大器为理想的，那么=

。

A、

B、

C、

D、

【正确答案】：C解析：利用虚短，可知反相输入端的电压为输入电压vI,对这个节点写KCL方程，且由虚断可知：(0-vI)/R=(vI-vx)/2R，其中vx表示三个电阻连接处节点的电压，得到：vx=3vI，再对vx写KCL方程，可得：：(vI–vx)/2R=(vx-0)/R+(vx–vO)/2R，解得：vO＝11vI37.为了减小放大电路的输入电阻，应引入

负反馈。A、

并联B、

串联C、

电压D、

电流【正确答案】：A解析：

在输入端引入并联负反馈，可以减小放大电路的输入电阻。38.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为

。A、1kΩB、0.5kΩC、10kΩD、2kΩ【正确答案】：A解析：由输出电阻的计算公式，输出电阻=(负载开路时的电压/接上负载后的电压-1)*负载电阻=（4/3-1）*3kΩ=1kΩ.39.电路如图所示，D为硅二极管，若VDD=2V，R=1kΩ，正弦信号vs=50sin(2π×50t)mV。则静态（即vs=0）时，二极管中的静态电流为

，vO的静态电压

；动态时，vO的交流电压振幅为

A、

2mA，2V；0.049VB、

2mA，2V；0.05VC、

1.3mA，1.3V；0.049VD、

1.3mA，1.3V；0.05V【正确答案】：C解析：

首先分析电路的静态，将电路中交流信号源置零，二极管采用恒压降模型分析，得到流过二极管的静态电流为(2-0.7)V/1

kΩ=1.3mA；此时电阻R两端的电压为2V-0.7V=1.3V；由二极管的静态电流，可以计算出二极管的小信号电阻为：rd=26mV/1.3mA=20Ω,

则电阻R上的交流分压为：50mV*1000Ω/(1000+20)Ω=0.049V。40.

射极输出器是(

)

A、共基极电路B、共集电极电路C、不确定D、共发射极电路【正确答案】：B41.已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_______，电压增益为_______，输入电阻为_______。

A、

图(b)，-10，2075kΩB、

图(c)，-10，2075kΩC、

图(b)，-3.3，2075kΩD、

图(c)，-3.3，2075kΩ【正确答案】：C解析：将电路中所有电容置为短路，所有的直流源置零（电压源短路，电流源开路），画出电路的交流通路，可以判断电路为带有源极电阻R1的共源极电路，然后将MOSFET替换为对应的小信号模型，可得答案为b图。注意，R1没有被电容交流短路。由小信号模型的等效电路进行交流分析，可得电路的电压增益为：(-gm*Rd)/(1+gm*R1)=(-1*10)/(1+1*2)=-10/3=-3.3；由小信号模型等效电路可知，电路的输入电阻为Ri=Rg3+（Rg1//Rg2）=2000k+300k//100k=2000k+75k=2075k.42.

在图示电路中，二极管D1、D2和R3的作用是__________。A、

限幅B、

整流C、

滤波D、

克服交越失真【正确答案】：D解析：

图示电路中，二极管D1、D2和R3的作用是为功放管提供一定的直流偏置电压，消除交越失真。43.

当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2=150mV，则vid=_________mV，vic=_________mV。A、

100，400B、

100，200C、

50，200D、

200，100【正确答案】：B解析：

差模输入电压为两个输入信号的差值，共模输入电压为两个输入电压的算术平均值，因此差模输入vid=vi1-vi2=250-150=100mV；共模输入vic=(vi1+vi2)/2=(250+150)/2=200mV.44.电流源电路是一个__________，其交流等效电阻__________。A、双口网络，很小B、单口网络，很小C、双口网络，恒定D、单口网络，很大【正确答案】：D解析：

电流源并非放大电路，它没有信号输入端口，只有恒定电流输出的端口，因此是单口网络。交流等效电阻等于端口变化电压与变化电流之比，由于电流源的输出电流近似恒定不变，因此其交流电阻非常大。45.加减法运算电路如图所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为

。A、

B、

C、

D、

【正确答案】：C解析：

可以利用虚短和虚断来求解输出电压的表达式：

对反相输入端，(VI1-VN)/R1

+

(VI2-VN)/R2

=

(VN-VO)/R6;

对同相输入端：(VI3-VP)/R3

+

(VI4-VP)/R4

=

(VP-0)/R5;

然后：VN

=

VP；

联立方程，代入电阻的值，可以解得：VO=VI3+VI4-VI1-VI246.

源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1mA/，VTN＝1./V，λ=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为________，输出电阻约为________。

A、

0.89,2ΩB、

0.89,0.5kΩC、

1,0.5kΩD、

1,2Ω【正确答案】：B解析：

电路中恒流源电流即为MOSFET的漏极电流，因此漏极电流ID=1mA，由gm为2乘以导电因子与漏极电流乘积的开平方，可得gm=2ms;图示电路为源极跟随器，电压增益大于零，小于1但接近为1，且由小信号模型等效电路，可得增益为：Av=gm*RL/(1+gm*RL)=0.89;电路的输出电阻Ro=1/gm=500Ω=0.5kΩ.47.

放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而

放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。A、反相，反相B、反相，同相C、同相，同相D、同相，反相【正确答案】：B解析：反相比例放大电路中，运算放大器的同相输入端接地，反相输入端就虚地，而同相比例放大电路中，同相输入端接输入信号，反相输入端的信号和这个信号近似相等所以不为零。48.在单相桥式整流电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为_______。A、VL=0.9V2B、VL=1.2V2C、VL=0.45V2D、VL=1.4V2【正确答案】：A解析：在单相桥式整流电路中，没有连接滤波电容时，负载上输出的直流电压的平均值为变压器副边电压有效值的0.9倍49.工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足(A、发射结、集电结均反偏B、发射结、集电结均正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏【正确答案】：C50.电流源电路如图所示，VDD=VSS=5V，T1～T3的VTN=2V，λ=0，而Kn1=Kn3=0.25/

，Kn2=0.10/，则IREF=_________mA和IO=_________mA。A、

5，0.2B、

1，0.1C、

22.5，0.9D、

2.25，0.9【正确答案】：D解析：

从正电源VDD到负电源VSS列写KVL方程有：VDD+VSS=VGS3+VGS1，因此VGS3=VGS1=VDD，三极管工作于饱和区，因此，ID3=ID1=Kn(VGS-VTN)exp(2)=0.25(5-2)exp(2)=2.25mA=IREF。IO=ID2=Kn2(VGS-VTN)exp(2)=0.1*(5-2)exp(2)=0.9mA51.图示电路属于__________。A、乙类放大器B、丙类放大器C、甲乙类放大器D、甲类放大器【正确答案】：C解析：

图示电路采用两个二级管和R3为T1~T4提供微导通的静态偏置，消除交越失真，因此放大电路工作于甲乙类状态。52.齐纳二极管正常稳压时，工作在

状态。A、

放大B、

正向导通C、

反向截止D、

反向击穿【正确答案】：D53.

以下放大电路中，效率最高的是________。A、

差分式放大器B、

乙类放大器C、

甲乙类放大器D、

甲类放大器【正确答案】：B解析：：乙类放大器在无信号输出时，自身也不消耗功率，其他几类放大器在无信号输出时自身都有功率消耗，所以效率最高的是乙类放大器。54.

已知放大电路的开环增益为2000，反馈系数为0.01，那么电路的闭环增益和反馈深度为__________。A、

100,20B、

95.2,21C、

95.2,20D、

100,21【正确答案】：B解析：由闭环增益的一般表达式：Af=A/(1+AF)，可知，闭环增益为：2000/(1+2000*0.01)=95.2；反馈深度为：1+AF=1+2000*0.01=2155.集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的

能力强。A、电压放大B、电流放大C、带负载D、抑制零点漂移【正确答案】：D解析：

在由多级放大电路构成的运算放大器中，影响零点漂移最重要的就是第一级，采用差分式放大电路，可以在输入级有效地抑制零点漂移。56.已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd=

。A、

1kΩB、

52ΩC、

52kΩD、

19.2kΩ【正确答案】：B解析：由二极管小信号模型的电阻计算公式得rd=VT/ID=26mV/0.5mA=52Ω57.电路如图所示，开关S闭合时电路增益＝；开关S断开时电路增益＝

。A、

S闭合，；S断开，

B、

S闭合，；S断开，C、

S闭合，

；S断开，D、

S闭合，；S断开，

【正确答案】：A解析：：开关S闭合时，电路的同相输入端接地，此时电路相当于反相放大器，电压增益等于-1；开关S断开时，输入信号同时加到同相输入和反相输入端，可以利用叠加原理求解，当只考虑反相输入时，VO1=-VI，仅考虑同相输入时，电路构成同相比例放大电路，VO2=2VI，因此叠加得到输出信号VO=VO1+VO2=2VI-VI=VI，因此电压增益等于1。58.在输入量不变的情况下，若引入反馈后_____________，则说明引入的反馈是负反馈。A、

净输入量减小B、

输出量增大C、

输入电阻增大D、

净输入量增大【正确答案】：A解析：

引入反馈后，如果净输入信号减小，输出也将减小，意味着增益比开环时减小了，就是负反馈。59.

图中最适合用于电流到电压转换的电路是_________。A、B、C、D、【正确答案】：A解析：

A、引入了电压并联负反馈适合用来实现电流到电压的转换。

B、引入了正反馈不适合。

C、引入了电压串联负反馈不适合。

D、引入了电压并联负反馈适合，但电阻R1是多余的。60.

试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。A、aB、dC、bD、c【正确答案】：C解析：（a）电路中管子为N沟道增强型，因此漏源之间必须提供正向偏置电压，且满足VGS>VT时，管子才会开启，但是电路中的电容Cb1隔断了直流通路，VGG的直流电压无法加到栅极上，因此管子处于截止区。（b）图中管子为N沟道增强型，栅极通过电阻R1和R2分压获得直流电压，从而可以满足VGS>VT，交流输入信号能正常送入栅极并从漏极输出，因此电路参数合理时，是可以正常放大交流信号的。(c）图中，管子为N沟道增强型，但在交流通路中，电容Cb1视为短路，直流源VDD置零（接地），因此输入的交流信号vi将被交流接地，无法引起MOSFET栅源电压变化，也就不能被放大了。（d）图中，管子为N沟道增强型，因此，栅源之间必须有正向的偏置电压，但是由于栅极绝缘，Rg中无电流，栅极电位为零伏，栅源电压为零，因此管子处于截止区。

61.NPN型BT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为

，此时应该

基极电流。A、饱和失真，增大B、饱和失真，减小C、截止失真，增大D、截止失真，减小【正确答案】：C62.欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用

。A、反相输入式放大电路B、加法运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路【正确答案】：C解析：微分电路可以将方波电压转换为尖脉冲电压。63.在图示电路中，忽略二极管的正向压降，每个二极管的最大反向电压为_____（V2为变压器副边电压的有效值）。A、B、C、D、【正确答案】：B解析：

图示电路中，若不考虑二极管的正向导通电压，每个二极管承受的最大的反向电压就为变压器副边电压的峰值。64.电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1mA/，λ=0。则场效应管的gm≈_______，电路的小信号电压增益约为_______。

A、

1.42mA/V，-12.78B、

3.02mA/V，-12.78C、

1.42mA/V，12.78D、

3.02mA/V，12.78【正确答案】：A解析：

电路中恒流源电流即为MOSFET的漏极电流，因此漏极电流ID=0.5mA，由gm为2乘以导电因子与漏极电流乘积的开平方，可得gm=1.42mS;利用小信号模型等效电路分析，电路的小信号的电压增益为：-gm*Rd=-1.42mS*9k=-12.7865.电路如图所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av=vO/vI=

，Ri=

；图（b）Av=vO/vI=

，Ri=

。

A、图(a)Av=-10,Ri=1kΩ;图(b)Av=1;Ri=∞B、图(a)Av=11,Ri=1kΩ;图(b)Av=1;Ri=1kΩ

C、图(a)Av=11,Ri=1kΩ;图(b)Av=1;Ri=∞D、图(a)Av=-10,Ri=1kΩ;图(b)Av=1;Ri=1kΩ

【正确答案】：A解析：

图中电路（a）为反相比例运算电路，增益为-10/1=-10，输入电阻为R1电阻的值，也就是1kΩ，图（b）电路为电压跟随器电路，电压增益为1，输入电阻为无穷大。66.

图示一阶RC电路，设R=1KΩ，为了对高于1MHz信号的衰减能达到3dB以上，只要电容C值________就可以。A、

大于1μFB、

大于160pFC、

大于10μFD、

大于1pF【正确答案】：B解析：

电路的转折频率：f=1/(2*π*R*C)，因此可得：C=1/(2*π*R*f)，取R=1kΩ，f=1MHz，可得C≈160pF，因此为了对高于1MHz信号的衰减能达到3dB以上，可取C>160pF。67.二极管正偏时应重点关注

，反偏时应重点关注

。A、

最大反向电压，结电容B、

最高工作频率，最大反向电压C、

导通电流和耗散功率，最大反向电压D、

最高工作频率，导通电流和耗散功率【正确答案】：C解析：二极管正向偏置时，二极管会导通，二极管呈现低电阻，此时的电流为较大的正向扩散电流，因此必须关注正向的导通电流和二极管上的功率消耗是否超限；而二极管反偏时，二极管呈现大电阻，小电流，此时必须考虑二极管是否可以承受这个反向偏置电压。68.BT具有放大作用的外部电压条件是发射结

集电结

A、反偏，零偏B、正偏，反偏C、反偏，正偏D、零偏，正偏【正确答案】：B69.方波-三角波产生电路如图示，但是该电路有错误，其错误是__________。

A、

不能用D2B、

电容参数不合适C、

A2的两个输入端接反了D、

C1的两个输入端接反了【正确答案】：D解析：电路中C1应该构成迟滞比较器，但现在R2引入的反馈是负反馈，不能构成迟滞比较器70.电路如图示，为了使电路能够起振，R3至少应该

。电路的振荡频率约为

。

A、

大于1.3k欧，10kHzB、

大于2.7k欧，1kHzC、

小于1.3k欧，100HzD、

大于1.3k欧，1kHz【正确答案】：D解析：为了使电路能够起振，必须满足A大于3，而增益为1+[(R3+R2)/R1]>3,因此R3>1.3k。电路的振荡频率为：f=1/(2πRC)=1061Hz≈1kHz。71.

图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。A、-15V，+15VB、+15V，-15VC、+9V，-9VD、-18V，+18V【正确答案】：B解析：7815输出电压为+15V，7915输出电压为-15V。72.

若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。可采用________电压比较器。A、

同相单门限B、

反相迟滞C、

同相迟滞D、

反相单门限【正确答案】：B解析：据题中描述，该比较器有+3伏和-3伏两个门限值，因此应该使用迟滞比较器，另外，输入电压小于-3V时，输出电压为高电平，必须采用反相输入的比较器，因此为反相迟滞比较器73.

在图示的射极耦合差分式放大电路中，VCC＝VEE＝10V，IO＝1mA，ro＝25kΩ，Rc1＝Rc2＝10kΩ，BJT媋β＝200，VBE＝0.7V。当vi1＝vi2＝0时，VCE1＝VCE2＝________；由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1»________，共模抑制比KCMR≈________。A、

5V,93.5,467.5B、

5.7V,93.5,467.5C、

5V,-93.5,467.5D、5.7V,-93.5,467.5【正确答案】：D解析：公共支路的恒流源电流IO＝1mA，因此T1和T2的发射极电流为IE1=IE2=0.5mA，则VC1＝VC2＝10V-IC1*Rc1=10V-0.5*10k=5V，而发射极电压为VE=0-VBE=-0.7V，则VCE1＝VCE2＝VC1-VE＝5V-(-0.7V)=5.7V。由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1为单管共射增益的一半，单管共射电压增益为-βRc/rbe，而rbe=200+(1+β)*26mV/0.5mA=200+201*52=10.652k，因此单管增益为：-200*10k/10.652k=-187，则由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1为-187/2=-93.5；共模增益为：Avc=-βRc/[rbe+2(1+β)ro)]=-0.2，因此共模抑制比为：93.5/0.2=467.5。74.电路如图所示，若发射极交流旁路电容C因介质失效而导致电容值近似以为零，此时电路

A、不能稳定静态工作点B、

能稳定静态工作点，电压放大倍数升高C、不确定D、能稳定静态工作点，但电压放大倍数降低【正确答案】：D75.图示电压比较器的门限电压为

。（图中VZ＝9V）。A、

0VB、

+3V和-3VC、

+5V和-5VD、

+6V和-6V【正确答案】：B解析：门限电压是输出发生跳变时刻对应的输入电压。该电路在vP=vN时输出发生跳变。而vP的电压表达式为：vP=vI*[R2/(R1+R2)]+vO*[R1/(R1+R2)]，输出翻转时刻(vP=vN=0)的输出，即门限值为：VT=vI=-(R1/R2)*vO=-(5/15)*(±9V)=∓3V。76.

某放大电路中的幅频响应波特图如图示。那么该电路的中频电压增益=______，上限频率fH=______，下限频率fL=______。A、60，1Hz，10GHzB、

60dB，100Hz，100MHzC、

1000，100MHz，100HzD、

60，10GHz，1Hz【正确答案】：C解析：由图示波特图，可知中频时的通带增益为60dB，换算成放大倍数就是1000倍；上限频率为10的八次方赫兹，也就是100MHz，下限频率为100赫兹。77.电路如图所示，已知R1=5kΩ，R2=15kΩ，R3=10kΩ，RC=2kΩ，RE=2kΩ，当电阻R不慎被短路后如图，该电路中的晶体管处于(A、开关状态B、饱和状态C、放大状态D、截止状态【正确答案】：B78.为了增大放大电路的输出电阻，应引入_______负反馈。A、

电流取样B、

并联输入C、

串联输入D、

电压取样【正确答案】：A解析：

在输出端引电流负反馈，可以增大放大电路的输出电阻79.若信号频率低于20Hz，应选用______滤波器。A、

高通B、

带通C、

低通D、

带阻【正确答案】：C解析：

若信号频率低于20Hz，需要选择的是低于某一个频率值以下的信号，应该选择低通滤波器。80.设图示电路满足深度负反馈条件，则它的闭环电压增益为A、B、C、D、【正确答案】：D解析：图示电路的反馈组态为：电压串联负反馈，当满足深度负反馈条件时，T1和T2两个基极构成的输入端口有虚短和虚断，那么T1基极的输入电压就约等于T2基极的反馈电压，因此闭环电压增益为：Af=vo/vi=vo/vf=1+Rf/Rb281.

在图示电路中，已知Rb＝260kΩ，Re＝RL＝5.1kΩ，Rsi＝500Ω，VEE＝12V，β＝50，|VBE|＝0.2V，则电路的输入电阻约为________，输出电阻约为________。A、110.3kΩ，33kΩB、

110.3kΩ，36ΩC、

87.3kΩ，36ΩD、

87.3kΩ，33kΩ【正确答案】：C解析：

图示电路构成了共集电极电路，首先利用直流通路求解静态工作点，

IB

=

VEE/[Rb+(1+β)Re]

=

23μA，IC

=βIB=1.15mA；

rbe

=

200+（1+β）*26/1.15

=

1.35kΩ,

由小信号模型等效电路，可知Ri=Rb//[rbe+(1+β)(Re//RL)]=87.3kΩ,

Ro=Re//[(rbe+Rb//Rsi)/(1+β)]=36Ω。82.

设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为________。A、

30WB、50WC、40WD、20W【正确答案】：D解析：

在乙类功率放大器中，功放管的最大功率为最大输出功率的0.2倍左右，因此要输出100W的额定功率时，功放管的最大功耗可能会达到0.2*100W=20W。83.BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_______和_______放大电路。A、功率，共集电极B、共集电极，反馈C、反馈，功率D、共集电极，共基极【正确答案】：D84.放大电路产生零点漂移的主要原因是A、增益太大B、采用了直接耦合方式C、采用了正负双电源供电D、采用了阻容耦合方式【正确答案】：B解析：放大电路如果采用阻容耦合方式，漂移量会被电容隔离，不会被放大送到输出，但是直接耦合的放大电路无法隔离漂移量，这个漂移量会被放大后送到输出，从而输出出现漂移，称为零点漂移。85.图示一阶RC高通电路，当输入信号的频率等于时，电路的=______。A、

3dBB、

-20dBC、

-3dBD、

0dB【正确答案】：B解析：：图示电路为无源高通滤波电路，通带增益最大为1，也就是0dB，此时电路的转折频率为1/(2*π*R*C)，当输入信号的频率等于1/(20*π*R*C)，也即是转折频率的十分之一时，增益减小20dB，因此为0dB-20dB=-20dB。86.放大电路的工作方式有甲类、乙类和甲乙类等，其中甲乙类放大器中放大管的导通角_________。A、

2πB、

大于π小于2πC、

小于πD、

π【正确答案】：B解析：

甲类放大器的导通角为2π；乙类放大器的导通角为π；甲乙类放大器的导通角大于π小于2π87.放大电路在低频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。A、

三极管极间电容和分布电容的影响B、

耦合电容和旁路电容的影响C、

放大电路的静态工作点不合适D、

三极管的非线性特性影响【正确答案】：B解析：

影响放大电路低频放大倍数主要是大的耦合和旁路电容。88.用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是

，该管是

型。A、

e、c、b；PNPB、

e、c、b；NPNC、

b、c、e；PNPD、

b、c、e；NPN【正确答案】：B89.

放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。A、

三极管极间电容和分布电容的影响B、

三极管的非线性特性影响C、

放大电路的静态工作点不合适D、

耦合电容和旁路电容的影响【正确答案】：A解析：影响放大电路高频放大倍数主要是小的极间电容和分布电容。90.

在差分式放大电路中，源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置，带来的好处是__________。A、提高共模电压增益B、提高差模电压增益C、提高输入电阻D、提高共模抑制比【正确答案】：D解析：差分式放大电路抑制共模信号的能力和公共支路上的电阻成正比，采用恒流源做偏置，利用恒流源内阻很大的特点，可以提高共模抑制比。91.

整流是________。A、电压变为电流B、将高频变为低频C、将交流变为直流D、将正弦波变为方波【正确答案】：C解析：整流就是将有正负极性的电压或双向的电流变换为单极性电压或单方向电流的过程。单极性电压或单方向电流也称为一种直流。92.为了增大放大电路的输出电阻，应引入_______负反馈。A、

电压取样B、

并联输入C、

电流取样D、

串联输入【正确答案】：C解析：

在输出端引电流负反馈，可以增大放大电路的输出电阻。93.下图所示各电路，能实现正常交流电压放大的电路是(A、DB、BC、CD、A【正确答案】：D94.已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是

。A、-0.5V~0.5VB、-0.1V~0.1VC、-1.0V~1.0VD、-0.25V~0.25V【正确答案】：B解析：

通带电压增益为40dB，换算成放大倍数为：100倍，因此放大电路不失真放大时输入电压的范围为：-10/100~+10/100，也就是-0.1V~+0.1V。95.半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中

的移动。A、

共价键中价电子B、

自由电子C、

正离子

D、

负离子【正确答案】：A解析：在半导体中，空穴的移动是依靠价电子摆脱共价键的束缚后，又填充到属于另一个共价键的空穴中，形成新的空穴实现的。因此，空穴的移动本质上反映了共价键中价电子的移动。96.

‏在图示电路中，已知各MOS管的阈值电压∣VT∣=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。A、aB、bC、c【正确答案】：B解析：

a电路中MOS管为N沟道增强型，而电路采用栅极分压式结构，且栅极电压为电阻Rg2和Rg1的分压，值为5V*[40/(40+60)]=2V>0.5V，因此MOS管已经开启。

b电路中MOS管为P沟道增强型，因此阈值电压应该为负值，即-0.5V，但电路中的栅极电压为+2.5V，源极电压只可能小于等于+2.5V，所以栅源电压大于等于0，而P沟道MOS管在VGS<VTP时才能开启，因此MOS管处于截止区。

c电路中MOS管为N沟道增强型，而电路采用栅极分压式结构，且栅极电压为电阻Rg2和Rg1的分压，值为5V*[40/(40+60)]=2V>0.5V，因此MOS管已经开启。97.设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R=1kΩ。当VDD=10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为

和

；当VDD=1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为

和

。A、10mA，0.93mA；1mA，0.03mAB、

1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mAC、

10mA，1mA；9.3mA，3mAD、

10mA，9.3mA；1mA，0.3mA【正确答案】：D解析：

当VDD等于10V时，应用理想模型可得，ID=10V/1kΩ=10mA，应用恒压降模型可得，ID=(10-0.7)V/1kΩ=9.3mA，相差不大；

当VDD等于1V时，应用理想模型可得，ID=1V/1kΩ=1mA，应用恒压降模型可得，ID=(1-0.7)V/1kΩ=0.3mA。此时两个值相差很大。98.共基极电路如图所示。设β＝100，Rs＝0，RL＝∞，则电路的电压增益约为_______，输入电阻约为________，输出电阻约为_______A、288，5.5kΩ，7.5kΩB、

268，5.5kΩ，20ΩC、

288，5.5kΩ，28ΩD、268，28Ω，7.5kΩ【正确答案】：D解析：图示电路，可以得到恒流源的电流就是发射极的直流偏置电流，因此

rbe

=

200+（1+β）*26/1.01=

2.8kΩ,

Av=

β*(Rc//RL)/rbe=268

Ri=rbe/(1+β)=28Ω;

Ro=Rc=7.5kΩ。99.设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为

A、CB、BC、AD、D【正确答案】：B解析：将电路中电容置为短路，直流电压源置为接地，可知电路为共发射极电路，再将管子替换成小信号模型，可以得到小信号模型等效电路为图（b）。100.图示一阶RC电路，其电压传递函数为_________。

A、B、C、D、

RC【正确答案】：B解析：

由电压增益的传递函数的定义，V(s)=Vo(s)/Vi(s)=(1/CS)/(R+1/CS)=1/(1+sRC)。1.

图示电路级间引入了__________反馈，该反馈属于__________反馈。A、

交流B、

直交流C、

负D、

正E、

直流【正确答案】：BC解析：：图中，级间反馈由电阻R1和R2引入，由瞬时极性法可知，当输入电压瞬时为正时，运算放大器的输出也为正，经过三极管T跟随后，输出也为正，再经过电阻R2和R1反馈到运算放大器的反相输入端，也为正，净输入为同相输入端的电压和反馈的反相输入端的电压差值，因此，净输入电压减小，因此为负反馈。反馈回来的信号既有直流，又有交流，因此为交直流反馈。2.图示电路中级间的交流反馈属于_________。A、

电流反馈B、

串联反馈C、

电压反馈D、

并联反馈E、

正反馈F、

负反馈【正确答案】：ABF解析：

由于未接负载，所以将输出端接地，由T3的小信号等效电路可以看出，ie3不为零，所以T2栅极的反馈信号也不为零，因此为电流反馈。电路的级间交流反馈由电阻Rf和Rg2实现，由瞬时极性法可知，当输入信号的瞬时极性为正时，差分放大器T2的漏极输出也为正，再送入T3的栅极，从T3的发射极跟随出来的极性也为正，再反馈到T2的栅极，极性仍为正，因此净输入信号（T1栅极与T2栅极间压差）减小，为级间负反馈。输入信号在差分对管T1的栅极，反馈在差分对管T2的栅极，因此输入端为串联反馈，输入信号和反馈信号均为电压。3.为降低图示电路的下限截止频率但又不改变通带增益，可采取的措施是________。A、

增大Cb1,Cb2B、

增大CeC、

增大RCD、

增大RL【正确答案】：AB解析：

A、降低下限截止频率，但又不改变通带增益，可以通过增大耦合和旁路电容的值。B、增大Rc会影响通带增益C、增大负载电阻，也会改变通带增益。D、降低下限截止频率，但又不改变通带增益，可以通过增大耦合和旁路电容的值。4.图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。A、

稳定输出电流B、

增大输入电阻C、

减小输入电阻D、

减小输出电阻【正确答案】：BD解析：

串联负反馈，增大输入电阻电压负反馈，降低输出电阻5.图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。A、

减小输入电阻B、

增大输入电阻C、

稳定输出电流D、

减小输出电阻【正确答案】：BD解析：串联负反馈，增大输入电阻

电压负反馈，降低输出电阻6.图示电路中级间的交流反馈属于_________。A、

正反馈B、

电压反馈C、

负反馈D、

串联反馈E、

并联反馈F、

电流反馈【正确答案】：BCE解析：

电路的级间反馈由电阻Rb实现，由瞬时极性法可知，当输入信号的瞬时极性为正时，三极管T1的集电极输出为负，送到三极管T2的基极，从T2的发射极输出为负，再经过电阻反馈到T1的基极，反馈信号的极性为负，净输入信号（vbe1或ib1）减小，因此为级间负反馈。输入信号在T1的基极，反馈信号也在T1的基极，因此输入端为并联反馈，输入信号和反馈信号均为电流。将负载电阻短路，输出电压Vo为零，Rb右侧接地，反馈信号也为零，因此为电压反馈7.

图示电路级间引入了__________反馈，该反馈属于__________反馈。A、

正B、

直流C、

负D、

直交流E、

交流【正确答案】：CD解析：图中，级间反馈由电阻R2引起，由瞬时极性法可知，当输入信号的瞬时极性为正时，运算放大器A1的输出为正，经过电阻R3加到运算放大器A2的反相输入端，输出为负，再经过电阻R2反馈回来，反馈信号的瞬时极性为负，因此净输入信号减小，为级间负反馈。反馈回来的信号既有直流，又有交流，因此为交直流反馈。8.

图示电路级间引入了__________反馈，该反馈属于__________反馈。A、

正B、

交流C、

直交流D、

直流E、

负【正确答案】：CE解析：图中，级间反馈由电阻Rf引起，由瞬时极性法可知，当输入信号瞬时极性为正时，三极管T1的集电极输出为负，送入三极管T2的基极，到T2的发射极为负，反馈到T1的基极为负，因此净输入信号（vbe1或ib1）减小，为负反馈。反馈回来的信号既有直流，又有交流，因此为交直流反馈。1.

放大电路的静态是指输入端短路时的状态。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

放大电路的静态指的是输入信号为零时的状态。准确地说，当信号源是电压源时，是将电压信号源短路，但保留其内阻；如果信号源是电流源，则是将电流信号源开路，同样也要保留其内阻。2.

在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

由于运算放大器的开环电压增益近似无穷大，而输出是有限值，导致输入线性区很窄，无法满足输入信号幅值范围要求，通过引入负反馈来解决这个问题。3.

‏对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：对于实际的二极管，一般门槛电压都不是零，因此必须满足正偏电压大于这个门槛电压，二极管才会导通。4.

作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负，也可以为零，都能保证器件工作于放大区。5.增强型MOS管工作在恒流区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：N沟道增强型MOS管工作于恒流区时，其栅源电压必须为正值，而P沟道增强型MOS管工作于恒流区时，其栅源电压必须为负值。6.

‏在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：在同相放大电路中，运放的反相输入端不是虚地。7.

负反馈只能改善环路内的放大电路性能，对反馈环外的电路无效。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：负反馈对放大电路的影响仅限于环内，环外的噪声和失真无法通过负反馈消除。8.信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。A、正确B、错误【正确答案】：A9.在分析放大电路频率响应时，通过等效RC高通电路分析高频响应，而通过等效RC低通电路分析低频响应。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

在分析放大电路的频率响应时，通过等效RC的低通电路，求解出该放大电路的上限频率，也就是分析其高频响应，反之，通过分析RC高通电路，求解该放大电路的下限频率，也就是分析其低频响应。10.设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

由题目给定条件，VTP=-1V和漏源电压为负值，可知该管子为P沟道增强型管子，VGS<VTP<0时，才会形成导电沟道，而题目为VGS=-2V<VTP=-1V，因此管子已经开启。VGS-VTP=-2V-（-1V）=-1V，而VDS<VGS-VTP，因此管子工作在恒流区。11.

MOSFET的低频跨导gm是一个常数。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：MOSFET的低频跨导gm是表征MOS管的栅源电压对漏源电流的控制能力，是MOSFET的动态参数，但是受到直流工作点的影响，直流工作点不同时，低频跨导的值就不同。12.

设MOS管的VTN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

由给定参数VTN=-2V和漏源电压为正值，可知管子为N沟道耗尽型管子，VGS=-1V>VTN=-2V，管子已开启，而漏源电压VDS＝3V>VGS-VTN＝-1+2=1V，因此管子工作于恒流区。13.

设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：MOSFET的VTN=1V，且漏源电压为正值，所以管子为N沟道增强型，VGS=2V>VTN=1V，因此管子已经开启，VGS-VTN=2V-1V=1V，而VDS>VGS-VTN，因此管子工作于恒流区。14.

用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：当运算放大器用于比较器时，必须是开环或者引入正反馈15.通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。16.可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

三极管的极间电容影响的是上限频率。17.BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

BJT的小信号模型反映的是电压电流变化量之间的关系，因此只适用于交流分析，不能用于直流分析。18.

放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

放大电路只有在通带之内，增益才基本和频率无关，超过通带的频率范围，放大电路的增益就会下降19.

低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：低通滤波器的通带上限频率和高通滤波器的通带下限频率之间没有必然的联系。20.只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

传输特性曲线无法反映不同频率信号输入和输出的关系，也就是说，传输特性曲线是线性的，也可能会有线性失真（频率失真）。21.同一只BJT，无论在什么情况下，它的β值始终不变。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

BJT的β值只有在一定的温度、一定的电流范围和一定的频率范围内才维持常数，温度升高时，BJT的β值会有所增加，频率增加到一定值时，BJT的β值会会有所下降。22.

场效应管仅靠一种载流子导电。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

N沟道场效应管沟道中只有自由电子，P沟道场效应管沟道中只有空穴，因此场效应管也称为单极性器件。23.通常共栅极和共基极放大电路的通频带要宽于共源极和共射极放大电路A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

由于共射级和共源极电路有严重的密勒电容效应，而共栅极和共基极电路没有，因此共栅极和共基极放大电路的通频带一般要大于共源极和共射极放大电路。24.有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

有源滤波就是在无源滤波的基础上加入了有源器件，这个有源器件可以是运算放大器，BJT或者MOSFET。25.

为了改善反馈放大电路的性能，引入的负反馈深度越深越好A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

为了改善放大电路的性能，可以引入负反馈，但是当反馈深度过深时，电路容易自激振荡而不稳定，因此反馈深度不是越深越好。26.

在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：使用齐纳二极管稳压时，输入电压一般大于齐纳二极管的稳定电压，必须串接限流电阻，以便控制二极管中的电流不超过最大允许电流。27.无论在什么情况下，分析运算放大器组成的电路时，都可以运用虚短和虚断的概念。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：

必须在深度负反馈条件下且工作在线性区，才可以运用虚短和虚断进行分析。28.

共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：共模抑制比是衡量放大电路放大差模信号与放大共模信号之间差异的综合指标。29.集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：由于集成运算放大器的开环增益近似为无穷大，因此开环情况下，线性区很窄，一般的输入信号都会使运放的输出进入饱和区。30.在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

组合放大电路的输入电阻就由第一级放大电路的输入电阻决定，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。31.非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：非正弦波产生电路和正弦波产生电路的原理不同，振荡条件也就不同。32.

图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：图示电路为移相式振荡器，选频网络由三级RC低通滤波电路构成，每一级RC电路的移相最大为90度，三级RC移相电路移相最大可达270度，而基本放大电路为反相放大电路，相移为180度，因而在某个频率下，RC移相网络的相移达到180度时，与反相放大电路的相移一起就构成360度的相移，可以满足相位平衡条件。33.

在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：在阻容耦合放大电路中，因为有隔直电容存在，所以信号源和负载的接入不会影响电路的静态工作点。34.

只要满足相位平衡条件，且，就能产生自激振荡。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

幅值条件和相位条件都满足了，所以会振荡。35.用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。A、正确B、错误【正确答案】：A解析：

只有复合频率的信号通过放大电路时才会出现频率失真，正弦信号是单频率信号，所以不会出现频率失真，但会出现由于放大电路非线性关系导致的非线性失真。36.

‌因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。A、正确B、错误【正确答案】：B解析：集成运放内部