电子芯片行业2024年春季策略报告：AI拉动算力需求先进封装乘势而起

证券研究报告2024/04/15/行业评级:增持xuqiaowei0239700880521020003()liqiwen0278580880123020064投资建议要点:AI,HPC也将推动先进封装加速渗透,封测设备厂商有望充分受益封测设备的投资可分为以传统封装为代表科装备,盛美上海(电镀),测试分选环节的长川科技、华峰测控、金海通。2)增量:推荐标的为华海清科(CMP),量测环节的中科飞测、精测先进封装乘势而起。前道制程微缩抑或是先进封装均为在单位面积内堆叠更多芯片来获得更强的性能。先进封装内涵丰富,包括倒装焊、扇入/封装、晶圆级封装、2.5D/3D封装、Chiplet,本质均为提升I/O密度。根据Yole数据,2023年全球封测市场规模857亿美元其中先进封装占比48.8%通用大模型、AIPC、高阶自动驾驶的发展均要求高性能算力先进封装作为提升芯片性能的有效手段有望加新技术带动新工艺落地,先进封装为封装产业注入新活力要点:为提升I/O密度,Bump(凸块)、RDL(再布线)、WLP(晶圆级封装)、TSV(硅通孔)及混合键合等新技术相继引入封装领域新技术的引入带动光刻涂胶显影薄膜沉积刻蚀、清洗、CMP等前道工艺在封装领域落地这也使得晶圆厂在先进封装领域逐渐占据主导地位据我们测算,预计21-25年中国先进封装设备市场规模CAGR为24.1%,2025年有望达到285.4亿元。要点:通用大模型落地超预期、AI手机或AIPC出现爆款销售产品、高阶自动要点:宏观经济和半导体行业周期波动、先进封装渗透不及预期、国产设备替代进度不及预期、行业竞争加剧。请参阅附注免责声明1重点公司盈利预测表公司代码公司名称工序环节市值(亿元）收盘价(元）EPS（元）PE评级2024/4/112023E2024E2025E2023E2024E2025E688120.SH华海清科减薄、CMP263.6165.84.576.348.1236.2826.1520.42增持002903.SZ002943.SZ宇环数控宇晶股份减薄30.838.119.724.30.260.720.491.530.642.0575.7733.7540.215.8830.7811.85--300480.SZ002008.SZ688170.SH光力科技大族激光德龙激光切片56.7193.826.716.118.425.80.20.880.380.341.310.530.451.680.9180.520.9167.8947.3514.0548.6835.7810.9528.35---603203.SH688383.SH301338.SZ快克智能新益昌凯格精机49.164.229.719.662.8280.770.592.571.122.593.321.483.37-25.45106.4410.8917.524.258.4313.2418.64-增持-688516.SH奥特维键合248.2110.75.598.2110.7719.813.4810.28-600520.SH688419.SH文一科技耐科装备塑封/切筋29.420.218.624.60.210.651.291.282.041.5888.5737.8514.4219.229.1215.57--688082.SH盛美上海电镀、清洗35280.82.092.623.3538.6630.8424.12-300604.SZ688200.SH603061.SH长川科技华峰测控金海通测试分选183.643.229.3102.7720.081.841.670.882.652.731.363.383.46366.2555.8243.1133.338.7526.3721.5430.3820.81---688630.SH芯碁微装光刻78.559.71.382.193.0443.2627.2619.64-688037.SH芯源微涂胶显影、清洗134.644.1246.5233.2323.71-002371.SZ北方华创刻蚀、薄膜沉积1544.62813.0940.429.1922.25-688012.SH中微公司刻蚀、量检测886.62.883.294.2249.6543.4733.89-688072.SH688147.SH拓荆科技微导纳米薄膜沉积328.8148.9174.732.83.020.554.421.176.051.6757.8559.6439.5228.0328.8819.64--603690.SH至纯科技清洗98.325.41.031.311.7424.6619.3914.6-688361.SH300567.SZ603283.SH中科飞测-U精测电子赛腾股份量检测170.8166.9135.653.46067.70.440.63.140.681.113.811.021.554.35121.3621.5678.5354.0517.7752.3538.7115.56增持增持-数据来源:Wind,国泰君安证券研究注:华海清科、快克智能、中科飞测、精测电子EPS来自国泰君安证券研究,其余公司EPS均来自Wind一致预期。其中2023年EPS,请参阅附注免责声明2目录CONTENTS03先进封装应用广泛,AI发展带动需求高增06风险提示请参阅附注免责声明3 摩尔定律实现受阻，先进请参阅附注免责声明4摩尔定律经济效益遇到瓶颈,芯片制造进入后摩尔时代摩尔定律指的是随着技术的升级,芯片承载的晶体管数量每隔18-24个月观层面物理极限的限制单位晶体管成本下降的速度不断放缓。根据IBS的统计和预测数据显示芯片制程从16nm到10nm,每10亿颗晶体管成本减少了23.5%但是从5nm到3nm成本仅减少了4%若芯片制程微缩至近1nm就将进入量子物理领域产生短道16nm10nm7nm5nm3nm芯片面积(mm^2)87.6683.2785810.514.1每10亿个晶体管成本($)4.983.812.652.252.16数据来源:InternationalBusinessStrategies芯智讯,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明5(MoreMoore),使芯片进一步小型化缩小晶体管特征尺寸来增加芯片上的晶体管数量进而提升芯片性能,但正如前文所述制程微缩带来的经济能效持续下降。另一个是超越摩尔定律(MoreThanMoore),采用先进封装技术将不同功能的芯片集成在一请参阅附注免责声明6封装技术发展至今共经历四个阶段封装技术发展至今共经历四个阶段当前已进入先进封装时代。第一阶段:通孔插装时代(20世纪70年代前)。以双列第二阶段:表面贴装时代(20世纪80年代后)。该阶段典型封装方式为扁平方形封装(QuadFlatPackage,小外形封装(SmallOutlineP阵列(PinGridArray,PGA)技术,用引线替代第一阶段为传统封装。第三阶段:面积阵列时代(20世纪90年代后)。该阶段兴起了球栅阵列(BallGridArrayBGA)、单芯片封装(ChipScalePackageCSP)等先进封装技术第四阶段:先进封装时代(21世纪后)。封装技术不断发展出现了倒装焊(FlipChip)、晶圆级封装(WaferLevelPackageWLP))、2.5D/3D封装等多种先进封装技术从二维向三维、从封装元件向封装系统发展。请参阅附注免责声明7先进封装本质是提升I/O密度,核心衡量指标为凸块间距与凸块密度。封装主要起到保护和电路连接的作用,分为传统封装和先进封装。传统封装的电路连接主要依赖引线框架,先进封装的电路连接则主要通过凸块(bump)完成。先进封装内涵丰富但本质为提升I/O密度,进而提升芯片性能。衡量I/O密度最核心的指标为凸块间距(BumpPitch)和凸块密度(BumpDensity)。根据DTechEx定义,只有凸块间距小于100μm的封装才属于先进封装,本文将延用这一定义先进封装,更确切来说可以被称为异构集成,整个体系包含倒装焊(FlipChip)、晶圆级封装(WLP)、扇入/扇出、2.5D封装(Interposer)、3D封装(TSV)、混合键合Chiplet等一系列技术与理念。在台积电的发展路线中,倒装>2.5D/3D>SoIC等技术路线的凸块间距不断缩小,凸块密度持续提升。请参阅附注免责声明81)提高功能密度:在功能相同的情况下先进封装可以减少芯片的功能密度。数十毫米甚至更长导致延时和功耗问题先进封装将互联3)增加I/O数量:先进封装制造多层RDL、倒装芯片与晶片级封装相结合、添加硅通孔、优化引脚布局以及使用高密度连接器等方式可以在有限的封装空间内增加I/O数量。4)提高散热性能:先进封装通过优化封装结构增加芯片与临的散热问题。行,通过在封装内部实现系统级封装,可以更好地实现系统重构。6)提高加工效率和设计效率:先进封装技术可以利用现有的晶圆制造设备使封装设计与芯片设计同时进行,缩短设计 晶圆级封装(扇出型)2.5D/3D封装 低中高低高高高低中中低高低中高低中高请参阅附注免责声明9先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代先进封装内涵丰富,Bump、RDLWafer、TSV四要素组合形成不同工艺先进封装内涵丰富相对传统封装新增的底层工艺包括Bump(凸块),RDL(再布线层),Wafer(晶圆),TSV(硅通孔)四要素Bump用来取代传统封装中的引线键合,主要起界面电气互联和应力缓冲的作用,当前先进封装无一例外均使用了Bump工艺。RDL起着XY平面电气延伸的作用,Interposer (中介层以硅为主)也发挥相似作用,主要应用于晶圆级封装和2.5D/3D封装等技术OWaf的介质和载体,在2.5D封装中用于制作硅基板、在WLP晶圆级封装中用于承载晶圆TSV起着Z轴电气延伸的作用,是2.5D/3D封装技术实现的主要途径从技术推出时间前后及先进性程度来看排序为Bump、RDLWafer、TSV请参阅附注免责声明10先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代先进封装四要素:Bump、RDL、Wafer和TSV1)Bump(凸块)线进行连接缩短了路径,反映了以以点代线"的发展趋势同时,凸块在往小型化发展,尺寸从最初应用在标准倒装的100um发展到现在最小尺寸为5um凸块的使用可以缩小芯片体积提升热传导效率增加接口数量进而提高I/O密请参阅附注免责声明11先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代先进封装四要素:Bump、RDL、Wafer和TSV2)RDL(再布线层)芯片初始设计的I/O焊盘位置和排列调整为新的互连结构。在传统芯片设计和制造时芯片管脚处理模块(I/O端口)一般分布在芯片边缘或四周通过芯片管脚可以实现对信号的处理和输入输出随着芯片不断微缩,更高的芯片性能要求更多的更加密集,传统的引线键合无法满足I/O需求,还会产生散热问题RDL再布线技术可以通过在晶圆表面沉积金属层和相应的介质层,形成新的金属布线,重新布局I/O端口到占位更宽松的区域,从而解决传统封装面临的问题RDL请参阅附注免责声明12先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代先进封装四要素:Bump、RDL、Wafer和TSV3)Wafer(晶圆)晶圆是芯片工艺实现的载体,用途广泛逐渐向更大尺寸发展。晶圆是集成电路的载体在晶圆上可以进行光刻、刻蚀、气相沉积、离子注入、研磨等多种处理工序最终制成集成电路芯片早先晶圆尺寸为6英寸到8英寸现在普遍应用为12英寸未来将广泛应用18英在晶圆上制作硅基板实现2.5D封装,还可以在晶圆级封装中承载晶圆与传统封装是先切割晶圆再各自封装不同的是,晶圆级封装是先对整片晶圆进行封装再切割成小的芯片颗粒封装面积与裸片一致可以提高封装效率并降低封装成本。同时晶圆级封装没有引线、键合和塑胶工艺连接线路较短可运用数组式连接具有封装尺寸小、高传输速度、高密度连接、生产周期短等优点数据来源:SiP与先进封装技术公众号请参阅附注免责声明13先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代先进封装四要素:Bump、RDL、Wafer和TSV4)TSV(硅通孔)技术TSV主要用于立体封装满足高密度多功能的封装需求。硅通孔技术TSV(Through-SiliconVia)是一种利用垂直硅通孔实现芯片Z轴直接进行堆叠芯片TSV可以实现更薄的封装和更短的互连距离;同时TSV可以通过通孔实现在三维方向堆叠增加堆叠的芯片数量,子元器件。TSV请参阅附注免责声明14先进封装内涵丰富,先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代基于X/Y轴延伸的先进封装技术未使用TSV是先进封装基于X/Y平面延伸的主要标志先进封装的四要素中Bump(凸块)、RDL(再布线层)技术主要应用在Wafer (晶圆)平面或芯片平面,即X/Y平面这三要素的使用被视为基于X/Y平面延伸的技术。而TSV硅通孔是基于Z轴进行信号延伸和互联没有TSV硅通孔则成为了基于X/Y平面延伸先进封装的显著特点。基于X/Y平面先进封装种类多样主要包括了扇入型封装和扇出型封装,同时发展出了InFO、EMB等不同产品技术。扇入型封装的封装大小和芯片大小相同引脚数目有限;扇出型封装装大小一般大于芯片尺寸可容纳更多引脚。晶圆级封装(WLP)有两种主要类型:扇入型(Fan-in)和扇出型(Fan-out)。早期WLP主要采用扇入型封装(FIWLP),布线均在芯片尺寸内完成,封装大小和芯片大小相同,I/O接口均位于晶粒(Die)下方,主要应用于面积较小、引脚数量少的芯片随着IC工艺的发展芯片微缩FIWLP有限的芯片面积内无法容纳足够的引脚从而逐渐衍生出了扇出型封装(FOWLP),该技术使用再布线(RDL)技术和模塑化合物提供额外芯片面积I/O接口分布在晶粒之外通过先将切割后芯片放置于人工基板后再进行封装和切割因此封装大小一般大于请参阅附注免责声明15SiP先进封装内涵丰富,先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代InFO(IntegratedFan-out):InFO是台积电(TSMC)2017年推出的FOWLP先进封装技术,是FOWLP工艺的集成可视为多先进的逻辑小芯片,可用于5G网络应用数据来源:Intel官网数据来源:SiP与先进封装技术公众号请参阅附注免责声明16先进封装内涵丰富,先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代基于X/Y轴延伸的先进封装技术EMIB(EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge):EMIB是英特尔2018年推出的技术该技术没有使用TSV硅通孔技术,因此可以被划分为基于XY平面延伸的先进封装技术。该技术使用传统覆晶芯片方式连接晶粒和基板,通过一个很小的硅片实现晶粒直接的桥接并将这部分嵌入载板内EMB的硅片面积更小、成本更低提供的带宽更高产生的功耗更低封装良率更高。EMIB数据来源:Intel官网EMIB请参阅附注免责声明17先进封装内涵丰富,先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代基于Z轴延伸的先进封装技术TSV技术是基于Z轴延伸先进封装的关键技术包括2.5DTSV和3DTSV基于Z轴延伸的先进封装技术主要通过了TSV进行多个芯片的垂直堆叠实现信号延伸和互连TSV可分为2.5DTSV和3DTSV分别对应2.5D封装和3D封装是垂直方向先进封装的主要类别。2.5D封装特指采用了中介层(Interposer)进行高密度I/O互连的封装,和3D封装主要区别在芯片与芯片是否在垂直方向上连接2.5D封装芯片在水平方向排列硅通孔形成在中介层上芯片与基板通过硅中介层相连3D封装芯片在垂直方向上排列直接在芯片上制作硅通孔形成互连2.5D封装和3D封装因为具有连接距离短、密度更高尺寸和重量小且性能更好的优点是各大厂商所采用的主流方法基于2.5D封装和3D封装技术各家厂商相继推出了CoWoSFoveros、Co-EMB-SoIC、X-Cube等各类技术。2.5D数据来源:SiP与先进封装技术公众号数据来源：SiP与先进封装技术公众号请参阅附注免责声明18CoWoS先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代CoWoS基于Z轴延伸的先进封装技术CoWoS(ChiponWaferonSubstrate):台积电2011年推出了CoWoS技术,该技术是典型的2.5D封装技术,在硅中介层上制作TSV硅通孔再通过硅中介层实现芯片和基板的连接主要包含了CoWoS-SCoWoS-R、CoWoS-L三种,S表示硅中介层、R表示RDL(再布线)、L表示LSI(嵌入式)。CoWoS-S首先通过CoW(ChiponWafer)工艺连接芯片和硅晶圆再连接CoW芯片和基板过程中运用了微凸块和TSV工艺,能够较好提升系统性能并降低功耗OCoWoS-R和CoWoS-L中介层均使用了RDL技术。CoWoS-R通过InFO技术使用RDL中介层实现小芯片的互连,常应用于HBM(高带宽存储器)和SoC异构集成中可以扩大封装尺寸以满足更复杂的功能需求CoWoS-L结合了CoWoS-S和InFO技术的优点通过中介层与LSI(局部硅互连)芯片实现晶粒间的互连,RDL层进行电源和信号传输拥有最灵活的集成功能。请参阅附注免责声明19先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代基于Z轴延伸的先进封装技术SoIC(SystemofIntegratedChips):SOIC技术是台积电在2019年推出的是全球领先的超高密度3D堆叠技术最突出的特点是没有凸点的键合结构,可分为CoW(ChiponWafer)和WoW(WaferonWafer)两种方案CoW技术为单芯片层面的互连,进行异质集合WoW技术是使用整块晶圆进行互连进行同质异构集合OSoIC是在前道晶圆制造环节将芯片进行堆叠台积电推出的CoWoS和InFO技术则是在后道封装环节进行进行晶圆级封装堆叠即先通过SoIC技术将芯片进行3D堆叠形成多颗SoC,再使用CoWoS、InFO工序进行整合,使封装密度更高、键合间隔更小SoICCoWoS/InFO请参阅附注免责声明20先进封装内涵丰富,先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代Foveros基于Z轴延伸的先进封装技术Foveros&Co-EMIB:英特尔2018年推出了Foveros技术,该技术属于3D堆叠封装技术顶层的芯片通过微凸块与底层芯片连接,底层芯片通过TSV硅通孔和下方的凸块连接基板oFoveros具有较强的灵活性、体积小、功耗低,适用于尺寸要求较小的产品和内存带宽要求较高的产品。英特尔2019年推出了Co-EMIB技术该技术将EMB和Foveros相结合,EMIB主要是负责横向连接将不同功能的芯片拼接起来,而Foveros则是纵向堆栈,两种技术的结合是2D+3D"的封装方式可以兼具EMIB和Foveros的优点。Co-EMIB请参阅附注免责声明21先进封装内涵丰富,与先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代基于Z轴延伸的先进封装技术X-Cube/I-Cube:三星于2021年发布2.5D封装技术Interposer-Cube4(I-Cube4)I-CubeTM是一种异构集成技术在一个硅中介层置一个或多个逻辑裸片(CPUGPU等)和多个高带宽存储器(HBM)大型数据中心应用,I-Cube4都可通过异构集成在逻辑和存储器之间实现更高的通信速度和能效。三星在2020年推出了X-Cube技术,计划于力、节约封装面积X-Cube分为微凸块(u-bump)和铜混合键合(HybridCopperBonding)两种芯片互联方式铜混合键合可以提高芯片灵活性和密度。数据来源:三星官网I-Cube数据来源：三星官网X-Cube()请参阅附注免责声明22先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代Sip和先进封装重合度高但并不完inpackage)是将多种功能的芯片在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能系统Sip和先进封装重合度高但并不完全相同Sip更关注点在于封装技术和工艺的先进性。倒装焊集成扇出型封装、2.5D/3D封于Sip但是先进封装工艺中单芯片的扇入/扇出型晶圆封装不属于Sip请参阅附注免责声明23先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代ChipletChiplet指的是小芯片在芯片制造过程中首先分解复杂的功能再开发不同的具有特定功能、可以进行模块化组装的小芯片"。要实现Chiplet离不开先进封装的技术支持例如通过2.5D封装或3D封装将拆解的芯粒拼装堆叠起来,才能真正实现Chiplet模式2.5D封装目前是应用于Chiplet的主流方案整体技术相对成熟主要包括台积电的Cowos技术和英特尔的EMIB技术。3D封装技术比较完善的是应用在DRAM领域,目前主要有台积电的SoIC、英特尔的Foveros、三星的X-CubeoChiplet可集成功能不同的计算核心提高芯片性能。在Chiplet的组合过程中不仅可以实现异构集成化还可以实现集成异质化。异构(HeteroStructure)集成化指的是将不同工艺制造的芯片封装到一个大芯片中,例如将不同制程的Chiplet组合在一起。集成异质化(HeteroMaterial指的是将不同材料的Chiplet封装在一起以生产尺寸更小、设计更灵活、系统性能更优的产品。请参阅附注免责声明24先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代ChipletChiplet可实现IP的内部复用设计弹性的提升和良率的提升,从而降低成本。1)IP的部分支出在传统设计模式中属于一次性投入而通过Chiplet技术的拆分可以实现IP复用,减少成本的叠加。2)设计弹性的提升:在为1600平方毫米时芯片的良率可能仅有35.7%;当芯片尺寸为100平方毫米时芯片的良率可以提升至94.2%o采用Chiplet模式yield请参阅附注免责声明25先进封装内涵丰富,与Chiplet协同迎接算力时代ChipletChiplet可应用于HBM解决高算力需求。高算力时代AI导致数据计算量迅速增长。为了提高处理速度突破内存容量和带宽的瓶颈,为GPU提供了更快的并行数据处理速度OHBM制作离不开先进封装的技术可通过Chiplet结合3D封装技术在高算力产品的应用中Chiplet具有更大的成本优势。随着AI、人工智能的高速发展产品对芯片性能、算力的要求也在提升。在AI器、AI芯片的面积往往大于800mm2,o芯片面积在200毫米以下Chiplet没有明显的成本优势当面积超过800毫米,Chiplet相比传统的SoC有较大的成本优势可见Chiplet更适合应用于高算力产品的芯片。Chiplet数据来源:DAC2022请参阅附注免责声明26 封装市场持续扩张，先进请参阅附注免责声明27封装市场持续扩张，先进封装成新增长点封装是为了保护芯片以及确保电路性能新兴应用发展为封装注入新动力封装产业链上游为封装材料和封装设备封装材料主要有封装基板、键合丝、芯片粘结材料、引线框架和切割材料等相关主要企业有康强电子、兴森科技、岱勒新材和三环集团等。封装设备主要为减薄机、划片机、引线键合机和塑封机等,目前封装设备厂商主要有海外的ASMPacific、K&S、Disco和国内的新益AMD和英特尔为IDM厂商,台积电、日月光安靠和长电科技等为OSTA厂商。下游终端应用广泛,涵盖电子制造通信设备航空航天和军事等众多领域近年来随着物联网、人工智能、云计算、大数据5G、机器人等新兴应用领域的蓬勃发展各类封装产品的使用场景和用量不断增长为封装产业注入了新的增长动力请参阅附注免责声明封装市场持续扩张，先进封装成新增长点全球集成电路行业进入新一轮的上升周期全球封测市场规模稳步上升根据Yole和集微咨询统计2022年全球封测市场规模达到815亿美元,未来仍然保持稳步上升趋势,预计2026年达到961亿美元规模同时,随着近年来我国半导体产业的快速发展,为我国封装测试行业的发展提供了强劲动力。预计2023年中国封测市场规模达到2807亿元,未来保持上涨趋势,预计2026年市场规模增长全球封装测试业规模（亿美元）增长率400200089925%20%2017201820192020202120222023E2024E2025E2026E2017201820192020202120222023E2024E2025E2026E数据来源:Yole,集微咨询,国泰君安证券研究中国封装测试业规模（亿元）增长率250020000201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2026E3248201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2026E3248303629952763280728913036299525102350219425%20%15%10%请参阅附注免责声明29封装市场持续扩张，先进封装成新增长点传统封装基本由OSTA厂家完成先进封装Fab厂商深度参与。传统封装IDM厂商较少涉足大部分进行外包。先进封装因引入bump、TSV、RDL、混合键合等工艺需要光刻、刻蚀、薄膜沉积、CMP等前道工艺完成,故Fab厂商开始介入封装领域。此外,Fab厂商与芯片设计厂家的联系也更加紧密。当前台积电(Fab)、英特尔(IDM)、AMD(芯片设计)、三星(IDM)等开始主导先进封装产业的发展。台积电是先进封装架构提出的先驱与主力AMD为Chiplet先驱,传统封测厂与IDM厂商均有参与先进封装构架提出。先进封装芯片设计研发厂商中逻辑芯片厂商主要为英伟达、AMD和高通等。存储芯片厂商主要为海力士、三星和美光。先进封装芯片代工厂商主要为Fab厂商台积电、海力士、美光,OSTA厂商日月光、安靠、长电先进以及IDM厂商Intelo如传统封装广泛应用于各大电子领域一般Fab请参阅附注免责声明封装市场持续扩张，先进封装成新增长点先进封装市场占比快速提升未来有望超越传统封装。传统封装具有性价比高、产品通用性强、使用成本低、应用领域广的优点。高端消费电子、人工智能、数据中心等快速发展的应用领域大量依赖先进封装先进封装的成长性要显著好于传统封装。根据Yole和集微咨询数据,预计2023年全球先进封装市场占比为48.8%,2026年达到50.2%o中国先进封装市场占比较低,但仍有较大发展潜力,预计2023年中国先进封装市场占比将达到39%o90%80%70%60%50%40%30%20%10%先进封装传统封装2014201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2026E2014201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2026E70%28%28%数据来源:Yole,集微咨询,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明31先进封装中倒装占比最大2.5D/3D堆叠封装增长强劲。根据产品工艺复杂程度、封装形式、封装技术、封装产品所用材料是否处于行业前沿,先进封装又细分为倒装芯片封装(Flip-Chip)、晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)、2.5D/3D堆叠封装(2.5D/3Dstacking)、扇出型封装(Fan-out)和嵌入式基板封装(ED)技术。根据Yole和集微咨询数据,各细分工艺中倒装芯片封装占比最大,2022年占比为76.7%O先进封装市场规模总体呈现上升趋势倒装芯片封装2020-2026年CAGR为6%嵌入式基板封装占比较小,但CAGR最高,为2.5D/3D堆叠封装嵌入式基板封装倒装芯片封装 20192020202120222023E2024E2025E2026E数据来源:Yole,集微咨询,请参阅附注免责声明32请参阅附注免责声明33先进封装应用广泛，目前各种不同类型先进封装技术已广泛应用于人工智能(AI、高性能运算(HPC)、5G、AR/VR等领域占整体封测市场的比重也在不断提升。CPU/GPUDPUMCUFPGAFC、2.5D/3D、FOSiPFC、FO、EDFCWBQFN、WLCSPFCFOFC、2.5D/3D、FOFC、3D、WB、QFN、WLCSP、SiP智能驾驶FC、FO、WB、QFN、WLCSP、SiPFCFO、WB、QFN、ED、SiPAR/VRHPCFC、FO、EDFC、2.5D/3D、FOFC、2.5D/3D、WB、SiPIoTFC、WB、QFN、WLCSPFC、FO、WB、QFN、WLCSP、SiPFC、FO、WB、QFN、ED、SiP5GFC、2.5D/3D、FOSiPFC、FO、EDFC、2.5D/3D、WB、SiPFC、FO、WB、QFN、WLCSP、SiPFC、2.5D/3D、FOFC、2.5D/3D、FO数据来源:JWInsights,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明34先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增HPC、高端手机、高阶自动驾驶有望成为先进封装主要增长驱动。芯片下游应用广泛先进封装由于其技术先进性与高昂的成本目前优先应用于对性能要求高或对价格不敏感的高端领域。台积电是半导体芯片代工龙头芯片制程行业领先,此外也是推动先进封装的先驱。台积电当前收入结构的拆分一定程度上可以表征先进封装的主要应用下游2023年,台积电营收拆分来看以HPC(占比43%)、SmartPhone(占比38%)、loT(占比8%)、Automotive(占比6%)贡献为主oHPC受大模型训练的驱动对于HBM续水涨船高自动驾驶未来将向L4L5等高阶方向发展对于算力的需求会持续提升有望为先进封装提供新增量。综合来看HPC、Smartphone38%DCE2%Smartphone38%DCE2%OthersHPC43%请参阅附注免责声明35先进封装应用广泛，溯到1950年图灵提出的图灵测试",在OpenAI众推出ChatGPT之前,AI如谷歌的Deepmind)、toB等方向发展o2022年1130OpenAIChatGPT可实现翻译、文本问答任务其中问答体验远超搜索引擎这导致不到2个月ChatGPT线上活跃用户规模就达1亿人。ChatGPT的一炮而红将AIAI亚马逊阿里百度腾讯等开始加大对大模型领域的发展型138个,国内共发布大模型130个。在数量增加的同时,大模型的能力也在飞速提升。以GPT为例:2020年6月发布的GPT-3仅可执行翻译、文本问答任务2023年发布的GPT-4已经可以实现语音、图片、代码问答任务,且可以输出文本、语音、图片。预计于2024年发布的GPT-5可能实现视频传输将重点提升推理能力往多模态方向发展(2024年216日OpenAISora可根据文本生成长达1分钟的视频)。OpenAI创始人Altman在2024年达沃斯经济论坛上表示,如果说GPT-4可以实现人类10%的任务,那么GPT-5将达到15%-20%O数据来源:《ASurveyofLargeLanguageModels》请参阅附注免责声明36先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增2022年,全球生成式AI107.9亿美元。根据PrecedenceResearch2022-2032年全球生成式AICAGR预计达AI106040200118.0692.9473.1657.645.3435.6928.122.1220222023E2024E2025E2026E2027E2028E2029E2030E2031E2032E数据来源:PrecedenceResearch,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明37先进封装应用广泛，模型优化升级带动AI服务器出货量增加。根据OpenAI提出的缩放法则大模型表现与其规模强相关。因此,更大的参数量和训练文本依然是通用大模型的发展路径。模型算力需求与参数量和数据集正相关。伴随着模型结构逐步优化模型的参数量、预训练数据量进一步提升训练所消耗的资源和对超算算力需求也呈现指数级别增长未来三年,超算算力需求将提升超过10倍,而AI服务器是算力的核心TrendForce预计2023年AI38.4%达到近120万台,2026年AI服务器出货量将达到近240万台,预计2022~2026年AIGPT5GB8个GB,训练耗时1个月40GB256个TPUv3上训练一周45TB(0.3兆tokens)13兆tokens25000个A100GPU上训练约100天AIAI数据来源:TrendForce,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明38先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增英伟达高端GPU均使用HBM方案,采用CoWoS封装为主。英伟达2016年发布的NVIDIATeslaP搭载80GB的HBM3O2023年11英伟达发布了最新一代GH200GraceHopper,搭载了全球第一款HBM3e,内存达到141GB,带宽可达4.8TB/s(比H100的3.35TB/s提升43%),将大幅提高大模型训练效果是高性能计算(HPC)和人工智能等领域的理想选择该产品预计于2024Q2推出。公司2024年预计还将推出B100,2025年将推出X100O这一系列产品主要采用台积GPUP100V100H100H200B100X10020162017202020232024E2024E2025EHBM类型HBM2HBM2HBM2eHBM3HBM3e--HBM容量(GB)4080--720GB/s900GB/s2TB/s3.35TB/s4.8TB/s--数据来源:英伟达官网,TrendForce,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明39先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增InstinctMI300A是全球首款数据中心APUAMD看好数据中心加速器未来市场。数据中心核心算力正从CPU向GPU等加速计算芯片切换AMD发布的InstinctMI300A是全球首款数据中心APU它将CPU和GPU结合在同一个封装中将直接与英伟达的GraceHopper表示全球数据中心加速器市场规模将从2023年的450亿美元增长至2027年的4000亿美金CAGR可达70%OHBM是GPU的最强"辅辅助",在满足高带宽要求的同时可以突破内存墙"直堆叠多个DRAM将原本在PCB板上的DDR内存颗粒和GPU芯片同时集成到SiP封装中使内存更加靠近GPU既可以节约芯片面积、降低功耗,还可以突破I/O管脚的数量限制进而突破内存带宽的限制是新一代内存解决方案。目前,HBM市场以HBM2e为主流,最先进HBMHBMHBM1HBM2HBM2EHBM3HBM3EHBM4带宽(GB/s)307460819235544/84/88/128/1212/16容量(GB)14/88/1616/2424/3636/64I/O速率(Gbps)8请参阅附注免责声明40先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增训练型AIHBM需求增长OAI服务器搭载GPU数量由普通服务器的2个提升至8个;每个GPU搭载HBMStack数量由搭载4个HBM1提升至6个HBM2E或HBM3;每个HBM堆叠的DRAMDie密度从2Gb增加至16Gb堆叠高度从4Hi增加至12Hi叠层容量从1GB增加至24GBo根据Trendforce的预测2025年全球服务器出货量为1700万台,假设2024年AI4%每个服务器搭载8个GPU、每个GPU搭载6个共80GB至100GB及以上的HBMStack2024年AIHBM增量空间预计超百亿美元。同时,Gartner预测,2022-2027年,全球HBM市场规模将从11亿美元增至52亿美元CAGR达到36.3%O同期HBM容量需求将从1.23亿GB增加到9.72亿GBCAGR达到51.3%OHBM20222023E2024E2025E1.0%1.5%4.0%6.0%14.320.858.993.78888每个GPU搭载HBM容量(GB)AI服务器HBM总容量(亿GB)HBM单GB价格(美元)20222013.730.0194.8请参阅附注免责声明41数据来源:TrendForce,英伟达官网,SK海力士官网,国泰君请参阅附注免责声明41先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增HBM4HBM4SK海力士、三星、美光为HBM三大供应厂商SK海力士为先行者"。TrendForce数据显示三大原厂SK海力士、三星、美光2022年HBM市占率分别为50%、40%、10%2023年预计分别为53%、38%、9%O2014年"先行者"SK海力士首先与AMD合作开发了全球首款HBM产品,2023年推出了面向AI的超高性能HBM3E预计在2024年开始量产并定下2026年为HBM4的生产目标时间持续创新突破,巩固市场领先地位2016年,三星开始量产HBM2是英伟达首款采用HBM的GPU的供应商;美光较为落后2018年才从HMC转向HBM路线,HBM数据来源:TrendForce,国泰君安证券研究数据来源:TrendForce,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明42先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增采用3DTSV工艺,HBM芯片和下方的金属凸块之间的连接采用2.5DTSV工艺。HBM和GPU采用CoWoS技术进行整体封装能够减少封装体积和功耗等首先将芯片通过CoW(ChiponWafer)工艺连接至硅中介层(Interposer),再通过OS(OnSubtrate)工艺将CoW芯片和基板连接整合成CoWoS台积电目前产能紧张,有望在2024年实现产能翻倍。台积电在CoWoS工艺处于领先地位。据台积电估计目前其CoWoS产能供应紧张,2024-2025年将进行扩产2024年其CoWoS产能将实现倍增。自2022以来CoWoS需求几乎翻倍增长由于目前市场需求大于产能台积电表示当前首要任务是增加CoWoS产能,必要情况下可能会通过转厂方式生产HBM请参阅附注免责声明43先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持下游应用领域的86%Yole预测2028占比仍将超过一半。手机市场的发展情况将会影响到先进封装未来的应用。根据IDC的数据23Q3全球智能手机的出货量环比增加了13.4%这也是自2021Q3以来首次实现同比增长增幅为0.3%随着人工智能的升级更新2024年全球5G智能手机的普及将进一步加速AI对硬件性能需求的提mm全球智能手机出货量（百万部）——YOY40035030%40035030%25%20%15%10%5%34633131325%30331431325%3033023002862692653002692652502502000.3%50500-6%-6%-7%-9%-9%-9%-14%-17%-5%-10%-6%-6%-7%-9%-9%-9%-14%-17%21Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q3数据来源:IDC,东方财富网,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明44先进封装应用广泛，应用。从初代iPhone开始,苹果就将应用。从初代iPhone开始,苹果就将POP(叠层式)封在2014年苹果发布了AppleWatch真正将先进封装应用于产品中AppleWatchS1芯片使用SiP封装,在主板集成了多达14颗左右的核心芯片产品,以及上百个电阻电容等元器件整个封装的厚度仅为1.16mmo2016年苹果发布了iPhone7系列,其中的A10处理器运用了台积电的Info_PoP先进封装技术该技术是FOWLP与PoP封装的结合体与传统POP技术不同的是,InFO_PoP不需要硅中介层允许多个倒装芯片组件被放置在封装基板上。这项技术也让苹果将芯片代工厂商由三星换成了台积电o2021年苹果推出20核的M1Ultra处理器它的UltraFusion2.5TB/s处理器封装使用Info_PoP的迭代版本—Info_LSI技术。此种封装使用硅桥以及RDL层代替整块硅,通过硅桥将两块M1Max处理器连接在一起实现了低电阻、低延迟和高带宽。苹果正在小规模试产其最新的3D小芯片堆叠技术SoIC,将SoIC与InFO封装方案结合应用于M3Ultra处理器计划最快在2025-2026年推出应用于MacBook的产品。数据来源:TechInsights请参阅附注免责声明45先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持多款手机接入AI大模型开启AI手机新纪元O2023年925日,华为发布Mate60系列手机接入自研盘古大模型开启大模型手机时代"。随后,AI小米、OPPO、三星等国内外手机厂商争先入场通过自研AIAI的方式相继推出大模型手机。手机接入大模型主要有云侧和端侧两种方式。相较于云侧大模型端侧大模型规模更小目前最大参数仅为70亿。在保持轻量化"的同时端侧大模型性能依然优秀如小米13亿参数端侧大模型在部分场景效果可媲美行业60亿参数云端大模手机芯片算力需求将随着大模型手机的发展爆发式增长。一款130亿参数的AI13GB内存才能运行而智能手机本身运行操作系统通常需占用4GB内存,再加上其他常规APP的流畅运行总的手机内存容量需求将超过20GBo目前大多数旗舰手机内存在16GB只有极少数旗舰手机内存达到24GBo因此,AI亟需先进AIAI100-1000麒麟9000s2023年925日13/602023年10月27日VivoX10010/70天现93002023年1113日OPPOFindX7天现93002024年18荣耀Magic6骁龙8Gen32024年111日三星GalaxyS24系列谷歌Gemini18-3000Exynos24002024年118日请参阅附注免责声明46先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持三星GalaxyS24实现AIExynos2400芯片采用FOWLP先进封装技术O2024年118日,三星发GPT-4的谷歌产品Gemini在进入国内市场接入百度文心一言和美图MiracleVision极大地提升手机AI本翻译、提取摘要、智能排版、生成封面一键实现高效办公;智能Bixby深度理解意图整合知识来源;超视觉影像生成慢动作特效在部分市场,该手机将搭载三星首款采用扇出式晶圆级(FOWLP)技术封装的智能手机SoC——Exynos2400芯片。FOWLP封装技术让Exynos2400拥有更多地I/O连接,进而提升电信号传输速度同时由于封装面积更小散热性能也得到显著提升。三星宣称使用FOWLP及到约1亿台移动设备。请参阅附注免责声明47先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持AIPC成为未来PC端发展趋势拉动PC换机需求。根据IDC的统计数据,从2023Q2开始全球PC出货量同比跌幅收窄环比增长2023Q3全球PC出货量为6820万台虽然同比下滑近8%但环比增长近11%oGartner预计随着行业去库存接近尾声PC市场有望在2023Q4再次出现同比增长,开启上行周期由于低延迟和隐私保护的要求,大模型的本地化需求正在增加,个人电脑(PC)目前是AI型的应用的最佳载体。根据群智咨询预测2024年全球AIPC整机出货量将达到约1300万台。2025年至2026年,AIPC整机出货量将继续保持两位数以上的年增长率。预计在2027年,AIPC将成为主流化的PC产品类型,为PC产业注入新的活力推动PC进入新一轮的增长。400004000080508%6820-22Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q3数据来源:IDC,国泰君安证券研究4020079%AIPC整机出货量（百万台）AIPC渗透率79%28%2023E2024E2025E2026E2027E80%70%60%50%40%30%20%10%0%先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持PC厂商方面联想集团展示了包括YogaPro9iA了新Inspiron灵越13Pro/14Plus/16lus三个版本;LG、华硕、微星等也同步推出了AIPC终端产品。芯片厂商方面,英伟达发布的三款GeForceRTX40SUPER系列GPU将作为AIPC的核心为其提供超强动力;AMD推出锐龙8000G系列,采用Zen4CPU内核并集成了具有16TOPS算力的NPU,加上CPU和GPU,最高算力可达39TOPS;英特尔推出酷睿i9-14900HX系列移动处理器,着重提升PC多任务ThinkPadX1CarbonAI数据来源:联想官网请参阅附注免责声明49先进封装应用广泛，AI手机与AIPC迎来增长元年,大模型接入亟需先进封装提供更强算力支持英特尔推出酷睿Ultra处理器将先进封装技术应用于产品中o2023年12英特尔在新品发布会上正式推出英特尔酷睿Ultra处理器,该系列处理器采用Intel4制程工艺并且首次采用分离式模块和先进的Foveros3D封装,是英特尔有史以来效能最高的处理器产品。此外,处理器还将核显更换成了Xe-LPG的ArcGPU,核显性能提升两倍;首次加入NPU模块,加速笔记本AI,将为AIPC提供强大助力,推动其实现全面普适化。Foveros请参阅附注免责声明50先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增汽车销量边际高增高阶自动驾驶占比有望逐渐提升。根据乘联会2023年全球汽车达8918万台。目前汽车销量仍以L2辅助驾驶为主L3及以上自动驾驶具有广阔的市场空间。自动驾驶特别是高阶自动驾驶,中美等国亦通过政策、试点等方式大力支持自动驾驶发展美国已经开展较大规模的无人驾驶试点,有超60家公司获批在加利福尼亚州进行自动驾驶测试;2024年22采埃孚中国获得L4级自动驾驶测试牌照可在特定条件下无人驾驶。2024年47,广汽埃安与滴滴成立合资公司,拟于2025年推出商业化L4的RoboTaxiICV预测,2027年L3自动驾驶市场份额占比将达25%L4/L5高阶自动驾驶亦将达3%O950090008500800075007000mm全球汽车销量（万台）——YOY89185.04%82768163-1.36%-13.65%787991242019202020212022202310%0%-5%-10%-15%L0L1L2L3L4/L580%60%40%20% 2023E2024E2025E2026E2027E数据来源:OICA,乘联会,国泰君安证券研究数据来源:ICV,国泰君安证券研究请参阅附注免责声明汽车电子化带动芯片需求量大增,汽车电子化带动芯片需求量大增,先进封装成为其优良选择。芯片是人工智能的核心,随着汽车智能化程度的提高,对芯片的需求量也相应增加。普通燃油车通常需要500-600颗芯片,而新能源汽车则需要超过1000颗。更高级的智能汽车对芯片的需求量更大,可能需要超过5000颗芯片。随着自动驾驶特别是高阶自动驾驶的发展,对汽车芯片的需求量将大幅增加,这意味着汽车芯片未来市场空间巨大。汽车的电源类器件及芯片过去通常采用传统的引线键合(wirebond)进行封装,但随着芯片需求量增大,智能汽车芯片需要使用能够缩短线路路径,增强线路导电性的方法完成封装,先进封装便成为智能汽车芯片封装的优良选择根据Yole统计和预测,汽车领域2019年占先进封装下游应用市场的3%,2028年占比将大幅增长为13%o汽车芯片功能集成化要求提升,Chiplet技术展现出独特的优势汽车芯片正在经历从通用型、分散化的单一功能芯片向集成化的多功能SoC芯片的快速转变例如,在智能座舱领域,为了提高任务处理能力,需要使用CPU算力;为了处理视频等非结构化数据,需要GPU算力;为了满足智能化交互体验的要求,提升人机交互体验,需要高效的AIO在这个过程中,Chiplet技术展现出独特的优势,Chiplet技术可以显著简化汽车芯片在设计迭代时的流程和车规流程,从而提高汽车芯片的可靠性。同时在成本方面,与直接生产SoC相比,Chiplet技术可以提高晶圆面积的利用率,Chiplet可以重复使用,从而降低了产品的总设计、验证和制造成本。此外,采用Chiplet技术后,各大厂商可以专注于自己的芯粒和IP,避免不必要的IP费用支出因此Chiplet成为了汽车芯片未来制造发展的重要方向,将推先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增请参阅附注免责声明52先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增FSD迭代升级自动驾驶水平再上新台阶oFSD(FullSelf-Driving)是特斯拉为实现完全自动驾驶于2016年10月推出的增值软件产品,具有导航辅助驾驶、自动泊车、交通信号识别等功能。推出以来该产品持续迭代升级已具有较高的自动驾驶水平目前最新版本FSD到端,传感器收集到的信息经过深度学习神经网络处理后将直接生成驾驶命令O2023年826日,马斯克在X平台上直播试驾FSDV12O在长达45分钟的试驾过程中马斯克只在经过红绿灯时进行过一次接管整体驾驶过程顺畅体现出极高的自动驾驶水平。从之后特斯拉员工放出的演示视频来看,FSDV12已能正确识别红绿灯并且还完成了无红绿灯路口起步、无保护左转、识别并避让异形且亮灯的应急车辆等操作在夜晚雨天也不会失效。根据Troyteslike北美地区特斯拉FSD渗透率已超过25%o截至2023年912日,FSD已累计行驶4.45亿英里产生超百万TB数据。这些数据以FSDV12FSDV12先进封装应用广泛，AI发展带动需求高增DojoChipletDojoChipletDojo超算提供强大算力支持自研D1芯片采用Chiplet先进封装技术。由于GPU不是专门为处理深度学习设计其在计算时效率相对较低。为满足FSD海量数据与高性能算法极强的算球超算中算力排名第六,特斯拉预计Dojo算力在2024年将突破100EFlops,相当于30万片英伟达A100的算力。为更好的提升Dojo计算能力,特斯拉为其打造了自研D1芯片。每25个D1芯片组成一个独立的训练模组模组算力可达9PFLOPSI/O带宽最高达每秒36TBo训练模组在封装时采用InFO_SoW(SilicononWafer)封装来提高封装密度,同时采用特斯拉自研机械封装结构以减少处理器模组失效。一个DojoPOD机柜有两层计算托盘共12个训练模组合计可提供Dojo2024100EFlops 封装设备需求稳步增长，请参阅附注免责声明55封装设备需求稳步增长，先进封装注入新活力传统封装涉及减薄、划片、固晶、键合、塑封等在内的多道工序。封装过程始于晶圆制造。在晶圆制造完成后通过减薄圆切割为小的晶片小晶片被贴装到引线框架基板上后,用极细的金属丝导线或导电性树脂将晶片焊接焊盘连接到基板的相应引脚,形成所需的电路。然后使用塑料外壳对独立的晶片进行封装保护。在完成封装后还需要进行入检、测试和包装等工序最后将成品入库出货。1)减薄机:使用研磨液等材料通过抛磨把晶圆厚度减薄。目前使用的减薄设备包括金刚石砂轮和激光减薄机两类以金刚石砂轮机为主。当前减薄机国外主要厂商主要有日本DISCO、日本OKAMOTO、以色列Camtek等;国内主要厂商有中电科45所、华清海科、宇环数控、宇晶股份等众多企业。2)划片机:把晶圆切割成一粒粒的芯片(Die)主要分为金刚石砂轮切割与激光切割两类。国外主要厂商有日本DISCO、东京精密、Kulicke&Soffa(美国)、ASMPT等;国内金刚石切割机厂商主要有中电科45所、光力科技(子公司ADT),激光切割机厂商主要有大族激光德龙激光等3)固晶机:通过加热和压力的作用将芯片牢固地固定在封装基板或载板上。国外主要厂商有ASMPT、荷兰Besi昌、快克智能、华封科技台湾梭特凯格精机等4)键合机:把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad用导电金属线链接起来。国外主要厂商有美国ASM、荷兰Besi科45所、大族封测奥特维等。5)塑封机:通过树脂包封使半导体与外部电绝缘的塑封工艺将流动性树脂从浇口注入半导体芯片周围并使其固化从而起到保护芯片的作用。国外主要厂商有TOWA、ASM、Besi;6)切筋机:在晶圆制造完成后需要使用半导体切筋成型设备将晶圆分割开来以得到单独的芯片。国外主要厂商有FICO、Besi、NDCInternational、Samiltech;国内主要厂商有耐科装备、广东台进半导体、深圳杰诺特等。7)电镀设备:通常用于在芯片表面或器件连接部件上进行电镀以增强连接部件的导电性、耐腐蚀性或焊接性能。电镀设备国外的主要厂请参阅附注免责声明56封装设备需求稳步增长，先进封装注入新活力传统封装涉及减薄划片固晶键合塑封等在内的多道工序。8)打标机:打标是在半导体封装表明刻印产品信求的符号图案等。打标可使用激光灼烧环氧树脂模塑料等材料来进行刻印也可使用油墨压印,目前主要使用激光打标。国外主要厂商有Trumpf和IPGPhotonics等;国内厂商有大族激光、德龙激光等。9)测试机:对封装完成后的芯片和器件进行功能测试、参数测试、可靠性测试等其中功能测试主要包括芯片逻辑功能、电气特性等功能测试参数测试包括电压、电流、频率等可靠性测试包括高温、高湿振动等测试。测试机国外的主要厂商有爱德万、泰瑞达、科休等;国内厂商主要有华峰测控、长川科技等10)分选机:对经过测试的芯片进行分类,主要包括按尺寸分选按电性能分选、按光学特性分选等。分选机国外的主要厂商包括爱德万、爱普生、科休;请参阅附注免责声明57封装设备需求稳步增长，先进封装注入新活力封装设备市场规模稳步扩大但伴随半导体行业周期性波动半导体行业短期承压,但长期来看,随着5G、物联网、人工智能等技术的发展,半导体行业将保持活力为半导体设备行业提供更多机遇。从全球来看封装设备厚积薄发行业周期性明显2021年全球提升,预计2023年全球封装设备达到77亿美元。40mm市场规模（亿美元）增长率200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023E20062007200820092010201