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文档简介
【MOOC】集成电路版图设计-江苏信息职业技术学院中国大学慕课MOOC答案第一章单元测验1、【单选题】晶圆尺寸通常用英寸表示,十二英寸晶圆是指本题答案:【晶圆直径300mm】2、【单选题】芯片制造步骤的产品为本题答案:【晶圆】3、【单选题】集成电路版图设计属于集成电路设计的本题答案:【后端】4、【单选题】chiplogic系列软件中主要用于数据保存的是本题答案:【chipdatacenter】5、【单选题】LVS验证其主要功能是本题答案:【验证版图和电路是否一致】6、【多选题】集成电路设计阶段通常分为两大步骤,它们是本题答案:【电路设计#版图设计】7、【多选题】同种工艺下,不同MOS管版图形状区别也很大,其主要的原因是因为本题答案:【MOS管宽度参数不同#MOS管长度参数不同】8、【多选题】集成电路版图正向设计主要用到的工具软件有本题答案:【cadencevirtuoso工具#spectre仿真工具#calibre验证工具】9、【多选题】下列运行在unix平台下的设计工具软件有本题答案:【cadencevirtuoso#华大九天empyrean】10、【判断题】数字集成电路由CMOS器件构成,模拟集成电路由双极型器件构成。本题答案:【错误】11、【判断题】数模混合集成电路产品以Bi-CMOS产品居多。本题答案:【正确】12、【判断题】设计相同电路的版图,全定制设计通常比半定制设计占用更多面积。本题答案:【错误】13、【判断题】标准单元版图其主要是用于大规模数字集成电路版图的自动布局布线。本题答案:【正确】14、【判断题】CadenceSE主要用于集成电路版图自动布局布线。本题答案:【正确】15、【填空题】集成电路版图是一组的图形,各层版图对应不同工艺步骤。本题答案:【相互套合##%_YZPRLFH_%##相互嵌套】16、【填空题】全定制设计和半定制设计相比,设计的自动化程度更高。本题答案:【半定制】17、【填空题】DRC中文含义是。本题答案:【设计规则检查##%_YZPRLFH_%##设计规则验证】18、【填空题】EDA的含义是:。本题答案:【电子设计自动化】第二章单元测试1、【单选题】能够运行在个人电脑上的操作系统有本题答案:【windows】2、【单选题】能够运行集成电路设计软件cadence的操作系统有本题答案:【Linux】3、【单选题】linux中用于改变路径的命令是本题答案:【cd】4、【单选题】linux中用于复制文件的命令是本题答案:【cp】5、【单选题】vi编辑器中保存退出的命令是本题答案:【:wq】6、【判断题】版图设计所用的图形工作站的硬件架构和普通电脑基本一样。本题答案:【错误】7、【判断题】通常公司工作站服务器用于存放cadence软件,PC服务器用于存放chiplogic软件。本题答案:【正确】8、【判断题】xmanager软件是用于PC访问unix服务器操作的。本题答案:【正确】9、【判断题】关闭linux系统可以直接点击右上方的叉来关闭。本题答案:【错误】10、【判断题】虚拟机中的文件若转存到本地windows下需要转换格式。本题答案:【错误】11、【判断题】linux系统中terminal中所输入的命令都是小写。本题答案:【正确】12、【判断题】vi编辑器进去编辑模式可以用insert进行插入编辑本题答案:【正确】第三章单元测验1、【判断题】当cadence启动完成后,terminal不再使用,可以直接关闭。本题答案:【错误】2、【判断题】cadence的主界面不仅用来选取操作菜单,也是主要信息显示界面。本题答案:【正确】3、【判断题】名为schematic的视图代表的是该单元的版图本题答案:【错误】4、【判断题】添加已有库的界面需要先进入librarypatheditor后才能进入。本题答案:【正确】5、【判断题】删除库中单元需要先进入librarypatheditor后才能进行删除操作。本题答案:【错误】6、【判断题】CIW中的warning字体以黄色表示,存在warning设计操作仍可进行。本题答案:【正确】第四章单元测验1、【单选题】金属、多晶、N+掺杂层、N阱四种材料制备的电阻中方块电阻最小的是本题答案:【金属】2、【单选题】MOS做电容使用时比较适合的工作状态是本题答案:【积累】3、【单选题】二极管版图外围环状开缺口的原因是本题答案:【方便走线】4、【单选题】三极管结构中埋层的作用是本题答案:【减小体电阻】5、【单选题】之所以同工艺中相同类型MOS管版图图形还有很大差异主要是因为本题答案:【器件的参数不同】6、【单选题】为减少失配,版图上电阻条的宽度应该本题答案:【采用较宽尺寸】7、【判断题】方块电阻越大的材料制备的电阻阻值越大。本题答案:【错误】8、【判断题】所有多晶电阻不管图形如何变化,其方块电阻阻值都不变。本题答案:【错误】9、【判断题】若用于信号耦合双多晶电容比MOS电容更为合适。本题答案:【正确】10、【判断题】二极管版图通常做成环状的原因是为了使电流流向比较均匀本题答案:【正确】11、【判断题】通常三极管版图图形比二极管版图图形要多一环本题答案:【正确】12、【判断题】P型增强型MOS管当栅极加上正向偏压后沟道出现,MOS管导通。本题答案:【错误】13、【判断题】版图中MOS管沟道长度等于多晶的宽度。本题答案:【错误】14、【判断题】版图中串联MOS管的连接可以采用直接合并有源区来进行连接。本题答案:【正确】15、【判断题】版图中并联MOS管的连接通常采用叉指方式进行连接。本题答案:【正确】第五章单元测验1、【单选题】创建电路图文件时,其视图类型应选择以下哪种类型本题答案:【Schematic】2、【单选题】在建立版图文件时,视图类型是什么本题答案:【layout】3、【单选题】版图进行设计规则验证(DRC)的目的是什么本题答案:【检查是否违反设计规则】4、【单选题】进行LVS时,与电路文件进行比较是是哪种视图文件本题答案:【提取文件】5、【单选题】DRC验证结果显示“Metal1toMetal1spacing0.5”,是违反了哪类设计规则本题答案:【最小间距】6、【判断题】在绘制版图时,版图的面积越小越好,所以要将NMOS管和PMOS管可以无限靠近本题答案:【错误】7、【判断题】建立版图文件的命令和新建电路图文件相同,都是File-New-Cellview本题答案:【正确】8、【判断题】版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定本题答案:【正确】9、【判断题】建立设计单元库的目的是为了避免重复绘制那些反复在电路中用到的版图单元本题答案:【正确】10、【判断题】LVS结果保存在si.out文件中,文件分别把版图和电路图的元器件、端口和连线的数目显示出来,并显示匹配情况。本题答案:【正确】第六章单元测验1、【判断题】用DIVA进行与非门LVS验证时,是用与非门的电路图直接和版图进行比较。本题答案:【错误】2、【判断题】添加Pin端口时需要在LSW中选择相应的图层,否则无法正确添加端口本题答案:【正确】3、【判断题】或非门版图中NMOS管并联,PMOS管串联本题答案:【正确】4、【判断题】CMOS电路可以直接得到与门逻辑本题答案:【错误】5、【判断题】绘制复合逻辑门电路时,通过逻辑式化简可能用一级电路就可以实现该逻辑本题答案:【正确】6、【判断题】NMOS管的衬底电位不可以直接加在圆片的P型衬底上,而是要绘制一个P型有源区,将引线孔放在P型有源区上本题答案:【正确】7、【判断题】PMOS管的衬底电位可以直接加在器件所在的N型阱区上。本题答案:【错误】8、【判断题】图层的颜色决定了图层的性质和作用本题答案:【错误】9、【判断题】版图布局布线时,可以考虑用有源区、多晶等材料完成布线本题答案:【正确】10、【判断题】Dracula的DRC验证是对版图gds文件进行验证,因此在进行Dracula验证之前先生成版图的GDS文件本题答案:【正确】11、【判断题】LVS验证完成后,需在版图设计窗口选择Launch-DraculaInteractive命令后,在新增的LVS菜单中选择Setup命令,并输入完整的LVS验证路径才能查看LVS验证的错误信息本题答案:【正确】第七章单元测验1、【判断题】电路符号可以告诉我们电路功能和特性,不能说明内部结构本题答案:【正确】2、【判断题】D触发器是双稳态电路,可以存储1位二进制数本题答案:【正确】3、【判断题】CMOS传输门是由一个NMOS管构成的本题答案:【错误】4、【判断题】功能仿真必须要在电路图模式下进行本题答案:【错误】5、【判断题】DRC是验证版图与电路图是否匹配本题答案:【错误】6、【判断题】修改LVS错误时,一般先修改port错误,再修改instance错误本题答案:【正确】第八章单元测验1、【判断题】同一种工艺中,标准单元的高度应该都相同本题答案:【正确】2、【判断题】标准单元的宽度应该是网格间距的整数倍本题答案:【错误】3、【判断题】标准单元中端口的引出只可以用通孔引出本题答案:【错误】4、【判断题】若要统一网格尺寸,一般采用芯片上尺寸要求最小的那个工艺层上的尺寸本题答案:【错误】5、【判断题】标准单元的高度应该由一铝的Pitch来决定本题答案:【正确】6、【判断题】标准单元内部常用金属2来做互连本题答案:【错误】7、【判断题】每个标准单元内都必须设置衬底接触孔本题答案:【正确】第九章单元测验1、【判断题】晶闸管整流器ESD保护结构中,PNPN结构内有NPN和PNP之间的负反馈,提供了良好ESD泄流通路,具有明显的ESD保护性能本题答案:【错误】2、【判断题】场管做ESD保护的最大优点是可以节省芯片面积本题答案:【正确】3、【判断题】场管的ESD能力跟其漏端面积有主要的关系,漏端面积越大其ESD能力越小本题答案:【错误】4、【判断题】全芯片ESD保护结构和其他几种保护相比,ESD保护能力较弱,但是面积较小。本题答案:【错误】5、【判断题】单元宽度超过整数个pitch单元(比如N个)一点,但又不到N+1个,那么还是要调用N+1个pitch单元本题答案:【正确】6、【判断题】反相器单元的P管的宽长比一般为N管的两倍。本题答案:【正确】7、【判断题】与非门中,P管是并联连接的,N管是串联连接的本题答案:【正确】8、【判断题】为了布局布线更加方便,通常我们将与非门的各端口放在一直线上本题答案:【错误】9、【判断题】或非门中,P管是并联连接的,N管是串联连接的本题答案:【错误】10、【判断题】在设计与或非门标准单元时,输出走线可能需要作一些改动本题答案:【正确】11、【判断题】在设计与或非门标准单元时,为满足DRC要求,通孔与多晶孔的摆放可能需要进行修改本题答案:【正确】12、【判断题】或与非门通常和与或非门具有相同的pitch个数本题答案:【正确】13、【判断题】或与非的逻辑和与或非门类似,因此版图设计时通常可以参考本题答案:【正确】14、【判断题】锁存器是一种对脉冲边沿敏感的存储单元电路,它们可以在特定输入脉冲边沿作用下改变状态。本题答案:【错误】15、【判断题】对于触发器等比较大的数字单元,为了节省面积,版图设计可以将同类型的串联或并联的MOS管进行源/漏共享接法本题答案:【正确】16、【判断题】触发器器是一种对脉冲边沿敏感的存储单元电路,它们可以在特定输入脉冲边沿作用下改变状态。本题答案:【正确】17、【判断题】DRC的作用是与原理图进行对比,以检查在版图中实际形成的电路的与原理图中的电路是否一致。本题答案:【错误】18、【判断题】分频器版图设计时,所有触发器最好就近布局本题答案:【正确】19、【判断题】移位寄存器版图设计时,所有触发器最好就近布局本题答案:【正确】20、【判断题】移位寄存器中的触发器大小对整个移位寄存器的版图没有什么影响本题答案:【错误】21、【判断题】三八译码器版图设计时通常进行单元的布局,然后根据线路连接关系进行连线本题答案:【正确】期末试卷1、【单选题】P衬底接触的英文缩写为Ptap,该图形应画在P衬底上,其掺杂类型为什么类型。本题答案:【P+型】2、【单选题】反相器版图中,NMOS管和PMOS管的栅极多晶层通常连接在一起,对应反相器电路的什么端口?本题答案:【输入】3、【单选题】当绘制某个完整的模拟单元版图时,通常要求最终的完成的整体版图接近呈现什么形状?本题答案:【矩形】4、【单选题】不用做标准单元版图内部的器件间主要互连线的图层是:本题答案:【金属2】5、【单选题】模拟版图中,即使DRC、LVS完全通过,也不代表版图就一定能付诸实际生产,还需要考虑版图哪些问题?本题答案:【以上都是】6、【单选题】物理验证时,错误条目显示为金属间距不满足最小尺寸,则该错误属于哪种错误范畴。本题答案:【DRC】7、【单选题】LVS错误类型中显示MOS管“propertyerrors”与版图中MOS管的哪个参数无关。本题答案:【沟道类型】8、【单选题】常用的版图验证工具主要有DIVA、DRACULA、calibre以及ASSURA等,其中mentor公司的验证工具是:本题答案:【caliber】9、【单选题】下列哪个图层不属于组成N保护环所用到的图层?本题答案:【多晶】10、【单选题】集成电路设计按分一般可分为双极集成电路设计、MOS集成电路设计。本题答案:【器件类型】11、【单选题】下列可以运行cadence设计软件运行的操作系统是:本题答案:【solaris】12、【单选题】cadence中显示标尺的快捷键是:本题答案:【k】13、【单选题】下列哪个命令是用来对调用的symbol视图进行的下级电路查看和修改的?本题答案:【descendedit】14、【单选题】下列版图中显示的图层不会被制成掩膜版的是:本题答案:【电阻标识层】15、【单选题】版图设计中下述那个不是金属2和金属3之间的通孔所用到的图层主要是:本题答案:【孔3】16、【判断题】电路原理错误能被cadence中文件菜单栏的“checksave”命令所检查出来。本题答案:【错误】17、【判断题】版图设计中用于绘制端口的图层类型应使用的图层类型是text类型。本题答案:【正确】18、【判断题】某硅栅工艺设计中,与孔1(接触孔)没有连接关系的图层是多晶层。本题答案:【错误】19、【判断题】库的名称不是建库要素之一。本题答案:【错误】20、【判断题】多晶电阻是模拟版图设计中使用的常用电阻。本题答案:【正确】21、【判断题】同种工艺下,不同MOS管版图形状区别也很大,其主要的原因是MOS管类型和参数各不相同。本题答案:【正确】22、【判断题】大规模集成电路一般都采用CMOS电路的原因是因为这种电路的理论静态功耗为0。本题答案:【正确】23、【判断题】在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形,并可以和多晶层交叠,而不是分别在源、漏各绘制一个掺杂层,其主要原因是因为在工艺中采用自对准工艺。本题答案:【正确】24、【判断题】在MOS管的版图绘制中,若有两个MOS管有源区共用,则可以判定这2个MOS管是串联关系。本题答案:【错误】25、【判断题】版图中有源区和场区的关系是互补关系。本题答案:【正确】26、【判断题】一个MOS管其参数中fingerwidth为3.3um,finger为4,则其width为13.2um。本题答案:【正确】27、【判断题】版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。本题答案:【正确】28、【判断题】在标准单元版图自动布线时,一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同,相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。本题答案:【正确】29、【判断题】模拟版图绘制中为了增加匹配程度,通常会增加一些电路中不存在的器件,这些器件在版图上也不做任何连接,仅仅放置在实际器件附近,这些额外的器件称dummy。本题答案:【错误】30、【判断题】电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。本题答案:【错误】31、【判断题】在calibre做LVS验证时,RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。本题答案:【正确】32、【判断题】使用calibre工具做LVS验证时,需要用到设计规则文件。本题答案:【错误】33、【判断题】N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。本题答案:【正确】34、【判断题】全定制设计和半定制设计相比,半定制设计的设计要求更高。本题答案:【错误】35、【判断题】linux中命令输完以空格结尾。本题答案:【正确】36、【填空题】载流子在电场的作用下,产生的定向运动称为本题答案:【漂移】37、【填空题】1.解决铝互连中肖特基接触的方法是在电极引出部分进行掺杂。本题答案:【重##%_YZPRLFH_%##高】38、【填空题】降低半导体材料中的少子寿命τ,可以PN结二极管的开关速度。本题答案:【提高##%_YZPRLFH_%##增加##%_YZPRLFH_%##提升##%_YZPRLFH_%##增大##%_YZPRLFH_%##加快】39、【填空题】目前常用的栅材料是本题答案:【多晶硅##%_YZPRLFH_%##金属铝##%_YZPRLFH_%##铝】40、【填空题】1.在集成电路中,将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的图形化工艺是。本题答案:【光刻】41、【填空题】集成电路设计按电路类型分可分为数字集成电路设计、模拟集成电路设计和本题答案:【数模混合集成电路设计##%_YZPRLFH_%##数模混合集成电路##%_YZPRLFH
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