【MOOC】材料科学基础（上）-西北工业大学 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】材料科学基础（上）-西北工业大学中国大学慕课MOOC答案第一章原子结构及键合作业第一章原子结构及键合测验1、【单选题】离子键通过（）成键本题答案：【价电子转移?】2、【单选题】共价键通过（）成键本题答案：【共用电子对】3、【单选题】金属键通过（）成键本题答案：【自由电子与阳离子】4、【多选题】共价键为主的晶体：本题答案：【熔点高#塑性差】5、【多选题】金属键为主的晶体：本题答案：【硬度有高有低#固态导电#液态导电】6、【多选题】分子键为主的晶体：本题答案：【硬度低#熔点低】7、【多选题】离子键为主的晶体：本题答案：【熔点高#塑性差】8、【判断题】分子键有方向性本题答案：【错误】9、【判断题】氢键有方向性本题答案：【正确】10、【判断题】一般地离子键比共价键的键合强度大。本题答案：【正确】11、【判断题】共价键有方向性本题答案：【正确】12、【判断题】金属键键合强度相差很大。本题答案：【正确】13、【判断题】金属键有方向性本题答案：【错误】第二章晶体的结构（一）：作业第二章晶体的结构（一）：测验1、【多选题】立方晶系包括：本题答案：【简单立方#面心立方#体心立方】2、【多选题】正交晶系包括：本题答案：【简单正交#底心正交#面心正交#体心正交】3、【判断题】晶体结构有无数多种。本题答案：【正确】4、【判断题】晶体结构和空间点阵中的点都表示原子。本题答案：【错误】5、【判断题】相似的晶体结构可属于不同点阵。本题答案：【正确】6、【判断题】差别很大的晶体结构可以属于同一点阵。本题答案：【正确】7、【判断题】空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型。本题答案：【正确】8、【判断题】按照不同法则，点阵中可以选取多种不同的基本单元体。本题答案：【正确】9、【判断题】晶胞就是点阵中最小的单元体。本题答案：【错误】第二章晶体的结构（二）：作业第二章晶体的结构（二）：测验1、【单选题】在简单立方晶胞中画出晶面本题答案：【】2、【单选题】点阵常数为a的体心立方晶体中，（110）晶面间距为本题答案：【】3、【单选题】在简单立方晶胞中画出晶面本题答案：【】4、【单选题】点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为本题答案：【】5、【单选题】点阵常数为a的简单立方晶体中，（100）晶面间距为本题答案：【a】6、【单选题】点阵常数为a的面心立方晶体中，（111）晶面间距为本题答案：【】7、【单选题】立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面本题答案：【相互垂直】8、【单选题】非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面本题答案：【有可能相互垂直】9、【单选题】点阵常数为a的面心立方晶体中，（110）晶面间距为本题答案：【】10、【多选题】晶向指数表示本题答案：【晶体中任意两点的连线#晶体中平行、同向的晶体学方向】11、【多选题】晶面指数表示本题答案：【晶体中一个晶面#晶体中所有平行的晶面】第二章晶体的结构（三）：作业第二章晶体的结构（三）：测验1、【单选题】面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为本题答案：【74％、68％、74％】2、【单选题】体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为本题答案：【0.15、0.29】3、【单选题】面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA本题答案：【面心立方与密排六方相同】4、【单选题】体心立方密排面、密排方向分别为本题答案：【{110},111】5、【单选题】面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为本题答案：【4、2、6】6、【单选题】面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为本题答案：【0.414、0.225】7、【单选题】面心立方密排面、密排方向分别为本题答案：【{111},110】8、【单选题】面心立方密排面的堆垛方向和次序为本题答案：【111,ABC】9、【单选题】体心立方密排面的堆垛方向和次序为本题答案：【110,AB】第三章晶体缺陷（一）：作业第三章晶体缺陷（一）：测验1、【多选题】点缺陷种类包括本题答案：【空位#间隙原子#溶质原子#杂质原子】2、【多选题】点缺陷使晶体的本题答案：【电阻升高#电子状态改变#发生点阵畸变#强度升高】3、【多选题】点缺陷是本题答案：【零维缺陷#三个方向上尺寸都很小】4、【多选题】点缺陷种类包括本题答案：【弗兰克缺陷#肖脱基缺陷#反位原子】5、【判断题】完整晶体中是不含空位的。本题答案：【错误】6、【判断题】常温下，空位可以被完全消除。本题答案：【错误】7、【判断题】点缺陷尺度太小，所有主要影响晶体的物理性质，对力学性质基本没有影响。本题答案：【错误】8、【判断题】点缺陷是热力学平衡缺陷。本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（二）：作业第三章晶体缺陷（二）：测验1、【单选题】螺位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线不平行，也不垂直】2、【单选题】刃位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线垂直】3、【单选题】螺位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线平行】4、【多选题】位错是本题答案：【一维缺陷#线性缺陷#二个方向上尺寸很小】5、【多选题】位错的基本类型包括本题答案：【螺位错#刃位错#混合位错】6、【多选题】柏氏矢量本题答案：【反映畸变的大小#反映畸变的方向#与标定用的柏氏回路大小、形状无关#与位错线方向有关】7、【判断题】随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。本题答案：【错误】8、【判断题】一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。本题答案：【正确】9、【判断题】位错的密度可以分为体密度和面密度。本题答案：【正确】10、【判断题】混合位错就是既有螺型位错分量，又有刃型位错分量的位错。本题答案：【正确】11、【判断题】一根位错先不能终止与晶体内部。本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（三）：作业第三章晶体缺陷（三）：测验1、【多选题】刃位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量】2、【多选题】螺位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位错线或具有平行的分量】3、【多选题】混合位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#位错线沿法线方向运动#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量】4、【多选题】刃位错的滑移是本题答案：【依次逐排的运动#正、负刃位错运动方向相反】5、【多选题】螺位错的滑移是本题答案：【依次逐排的运动#左螺、右螺位错运动方向相反】6、【判断题】半原子面缩短是正攀移本题答案：【正确】7、【判断题】只有刃位错才能发生交滑移本题答案：【错误】8、【判断题】只有螺位错才能发生攀移本题答案：【错误】9、【判断题】攀移对塑性变形没有直接作用，但可以使滑移继续本题答案：【正确】10、【判断题】刃位错的攀移和交滑移都是守恒运动本题答案：【错误】11、【判断题】攀移对塑性变形没有意义本题答案：【错误】12、【判断题】交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形本题答案：【正确】13、【判断题】只有刃位错才能攀移本题答案：【正确】14、【判断题】螺位错的交滑移和滑移都是守恒运动本题答案：【正确】15、【判断题】攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（四）：作业第三章晶体缺陷（四）：测验1、【多选题】螺位错的应力场本题答案：【是纯剪切应力场#沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#与θ角无关】2、【多选题】研究位错应力场的基本假设包括本题答案：【完全弹性体，服从胡可定律#各向同性#连续介质，可以用连续函数表达】3、【多选题】混合位错的应力场本题答案：【可分解为刃型位错分量和螺型位错分量#既有正应力，也有切应力#远离位错线时，应力场逐渐减弱】4、【多选题】刃位错的应力场本题答案：【既有正应力，也有切应力#沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区】5、【判断题】位错线附近区域畸变严重，因而不符合连续介质模型的相关假设本题答案：【正确】6、【判断题】位错的应变能越高，位错稳定性越好本题答案：【错误】7、【判断题】柏氏矢量的模越小，位错的应变能越高本题答案：【错误】8、【判断题】具有同样柏氏矢量的刃位错与螺位错，刃位错的应变能较高本题答案：【正确】9、【判断题】位错引起点阵畸变，因而必然具有应变能本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（五）：作业第三章晶体缺陷（五）：测验1、【多选题】位错线张力本题答案：【使位错自发收缩#与位错柏氏矢量大小有关】2、【多选题】作用在刃位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】3、【多选题】作用在螺位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】4、【多选题】作用在混合位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】5、【判断题】位错线张力类似与液体表明张力本题答案：【正确】6、【判断题】位错线引起的畸变越大，线张力越强本题答案：【正确】7、【判断题】作用在位错线上的力与柏氏矢量大小有关本题答案：【正确】8、【判断题】位错线张力的作用是降低体系能量本题答案：【正确】9、【判断题】作用在位错线上的力与外力大小有关本题答案：【正确】10、【判断题】作用在位错线上的力是实际推动位错运动的力本题答案：【错误】第三章晶体缺陷（六）：作业第三章晶体缺陷（六）：测验1、【单选题】异号、平行位错之间相互本题答案：【吸引】2、【单选题】同号、平行位错之间相互本题答案：【排斥】3、【判断题】异号、平行位错相互靠近可降低体系能量本题答案：【正确】4、【判断题】同号、平行位错相互靠近可降低体系能量本题答案：【错误】5、【判断题】位错交割产生的位错线拐弯必然对位错的后续运动产生影响本题答案：【错误】6、【判断题】位错塞积引起的集中应力大小与外应力大小相同本题答案：【错误】7、【判断题】位错塞积必然阻碍位错运动本题答案：【正确】8、【判断题】位错可能通过攀移或交滑移绕过障碍物，减轻位错塞积本题答案：【正确】9、【判断题】位错交割后，必然在位错线上形成拐弯本题答案：【错误】10、【判断题】位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（七）：作业第三章晶体缺陷（七）：测验1、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，回缩力最小本题答案：【错误】2、【判断题】F-R源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）本题答案：【正确】3、【判断题】F-R源开动临界切应力值与固定点间距大小有关本题答案：【正确】4、【判断题】位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级本题答案：【正确】5、【判断题】位错源只有Frank-Read这一种类型本题答案：【错误】6、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小本题答案：【错误】7、【判断题】F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力本题答案：【正确】8、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错本题答案：【正确】9、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错运动方向必定同向本题答案：【错误】第三章晶体缺陷（八）：作业第三章晶体缺陷（八）：测验1、【单选题】单位位错是本题答案：【柏氏矢量等于点阵矢量】2、【单选题】部分位错是本题答案：【柏氏矢量小于点阵矢量】3、【单选题】堆垛层错本题答案：【是面缺陷】4、【单选题】全位错是本题答案：【柏氏矢量等于点阵矢量整数倍】5、【判断题】Fcc晶体中，单位位错的模可以不同本题答案：【正确】6、【判断题】模越小的单位位错，稳定性越高本题答案：【正确】7、【判断题】弗兰克不全位错是螺位错本题答案：【错误】8、【判断题】肖克莱不全位错线一定是平面曲线本题答案：【正确】9、【判断题】位错反应肯定是合并，这样才能降低体系自由能本题答案：【错误】10、【判断题】Fcc晶体中，最短单位位错是本题答案：【正确】11、【判断题】若位错反应能够自发进行，必然使体系自由能降低本题答案：【正确】12、【判断题】位错反应实质上是应变场的拆分和合并本题答案：【正确】13、【判断题】扩展位错越宽，畸变能越低本题答案：【错误】14、【判断题】只有密排面才能产生层错本题答案：【错误】15、【判断题】以AB为堆垛周期的原子面也可以产生层错本题答案：【错误】16、【判断题】不全位错是局部层错的边界本题答案：【正确】17、【判断题】弗兰克不全位错线可以是平面曲线，也可以是空间曲线本题答案：【正确】18、【判断题】若位错反应能够自发进行，不一定需要使反应前后的柏氏矢量和相等本题答案：【错误】19、【判断题】Bcc晶体中，最短单位位错是本题答案：【正确】20、【判断题】肖克莱不全位错可以是刃位错、螺位错，也可以是混合位错本题答案：【正确】第三章晶体缺陷（九）：作业第三章晶体缺陷（九）：测验1、【判断题】小角度晶界是位向差小于10°的晶界本题答案：【正确】2、【判断题】相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）本题答案：【正确】3、【判断题】表面指是不同态（固态与气态、液态）物质之间的分界面本题答案：【正确】4、【判断题】层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面本题答案：【正确】5、【判断题】孪晶面是孪晶的对称面，属于孪晶界的一部分本题答案：【正确】6、【判断题】亚晶界是亚晶粒之间的分界面本题答案：【正确】7、【判断题】按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界本题答案：【正确】8、【判断题】小角度晶界可以理解为位错墙本题答案：【正确】9、【判断题】孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有本题答案：【正确】10、【判断题】按界面两侧原子匹配程度分，可分为共格、半共格和非共格界面本题答案：【正确】11、【判断题】按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界本题答案：【正确】12、【判断题】孪晶界是孪晶之间的分界面本题答案：【正确】13、【判断题】与孪晶面不重合的孪晶界是非共格界面本题答案：【正确】14、【判断题】小角晶界中位错密度越大，位向差越大本题答案：【正确】15、【判断题】小角晶界中位错密度越大，晶界能越大本题答案：【正确】16、【判断题】大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高本题答案：【正确】17、【判断题】晶界两侧是同质的（相同的固体相之间的分界面）本题答案：【正确】18、【判断题】层错不产生晶格畸变本题答案：【错误】19、【判断题】孪晶面是共格界面本题答案：【正确】20、【判断题】亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界本题答案：【正确】21、【判断题】小角晶界中位向差越大，晶界能越大本题答案：【正确】第四章固体中的相：作业第四章固体中的相：测验1、【多选题】非晶相的形成条件包括本题答案：【熔融态的粘度#冷却速度】2、【多选题】影响间隙固溶体的固溶度的因素有本题答案：【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】3、【多选题】固体中的相是指本题答案：【结构相同#性质相同#聚集状态相同#均匀体】4、【多选题】影响置换固溶体的固溶度的因素有本题答案：【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】5、【多选题】晶态的陶瓷材料的特点包括本题答案：【以离子键为主#原子比例比较严格，可以用分子式表示#典型的非金属性质】6、【多选题】硅酸盐结构包括本题答案：【岛状硅酸盐#链状硅酸盐#层状硅酸盐#网状硅酸盐】7、【判断题】影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响本题答案：【正确】8、【判断题】对某一个具体的固溶体而言，并非所有影响固溶度的因素都起作用本题答案：【正确】9、【判断题】影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差本题答案：【错误】10、【判断题】固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物本题答案：【正确】11、【判断题】电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物本题答案：【正确】12、【判断题】相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌本题答案：【正确】13、【判断题】化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的本题答案：【正确】14、【判断题】固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度（有序的范围和有序程度）越大本题答案：【正确】15、【判断题】化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示本题答案：【错误】16、【判断题】固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体本题答案：【错误】第五章固体中的扩散：作业第五章固体中的扩散：测验1、【多选题】非稳态扩散指的是本题答案：【与时间t有关#浓度梯度随时间变化】2、【多选题】典型的上坡扩散诱发原因有本题答案：【弹性应力场作用#电磁场作用#晶界内吸附#调幅分解】3、【多选题】稳态扩散指的是本题答案：【与时间t无关#浓度梯度不随时间变化】4、【多选题】原子扩散激活能来自本题答案：【能量起伏#外界能量输入】5、【多选题】反应扩散本题答案：【形成新相层，并有明确界面#反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响#不可能出现两相共存区#扩散引起反应的扩散过程】6、【多选题】科肯道尔效应本题答案：【揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系#扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数#扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等】7、【多选题】影响扩散的因素包括本题答案：【温度#晶体结构与固溶体类型#晶体缺陷#化学成分】8、【多选题】扩散的路径包括本题答案：【体扩散#外表面扩散#界面扩散#位错扩散】9、【判断题】扩散的实际驱动力由浓度梯度提供本题答案：【错误】10、【判断题】扩散通量为零时，扩散系数也必然为零本题答案：【错误】11、【判断题】对扩散常数的影响因素主要是温度和扩散激活能本题答案：【错误】12、【判断题】晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制本题答案：【错误】13、【判断题】溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快本题答案：【错误】14、【判断题】若溶质原子提高基体的熔点，将是扩散系数升高本题答案：【错误】15、【判断题】扩散通量是指扩散物质的流量本题答案：【错误】16、【判断题】扩散第一定律只适用于稳态扩散本题答案：【错误】17、【判断题】扩散激活能是原子跳动时需要越过的势垒本题答案：【错误】18、【判断题】纯物质中不存在浓度梯度，因此不存在扩散本题答案：【错误】19、【判断题】晶界处原子排列混乱，因此扩散激活能高本题答案：【错误】20、【判断题】温度越高，扩散激活能越小，扩散越快本题答案：【错误】21、【判断题】间隙固溶体中，溶质原子越多，则占据间隙越多，剩余间隙越少，因此使得扩散系数下降本题答案：【错误】22、【判断题】若没有宏观扩散流，则说明没有发生扩散本题答案：【错误】23、【判断题】非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高本题答案：【错误】24、【判断题】置换型扩散机制中，换位机制不依赖空位就能实现扩散，因此是主要的置换型扩散机制本题答案：【错误】材料科学基础（上）期末考试1、【单选题】影响间隙固溶体的固溶度最主要的因素有本题答案：【原子半径差】2、【单选题】面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为本题答案：【4、2、6】3、【单选题】混合位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线不平行，也不垂直】4、【单选题】面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为本题答案：【12、8、12】5、【单选题】体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为本题答案：【0.15、0.29】6、【单选题】面心立方密排面、密排方向分别为本题答案：【{111},110】7、【单选题】同号、平行位错之间相互本题答案：【排斥】8、【单选题】立方晶系包括________种点本题答案：【3种】9、【单选题】全位错是本题答案：【柏氏矢量等于点阵矢量整数倍】10、【单选题】部分位错是本题答案：【柏氏矢量小于点阵矢量】11、【单选题】立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面本题答案：【相互垂直】12、【单选题】堆垛层错本题答案：【是面缺陷】13、【单选题】非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面本题答案：【有可能相互垂直】14、【单选题】面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为本题答案：【74％、68％、74％】15、【单选题】面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为本题答案：【0.414、0.225】16、【单选题】面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA本题答案：【面心立方与密排六方相同】17、【单选题】刃位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线垂直】18、【单选题】螺位错的柏氏矢量本题答案：【与位错线平行】19、【单选题】异号、平行位错之间相互本题答案：【吸引】20、【单选题】单位位错是本题答案：【柏氏矢量等于点阵矢量】21、【单选题】六方晶系包括________点阵本题答案：【简单六方】22、【单选题】点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为本题答案：【】23、【单选题】体心立方密排面、密排方向分别为本题答案：【{110},111】24、【单选题】面心立方密排面的堆垛方向和次序为本题答案：【111,ABC】25、【单选题】体心立方密排面的堆垛方向和次序为本题答案：【110,AB】26、【多选题】科肯道尔效应本题答案：【揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系#扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数#扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等】27、【多选题】典型的上坡扩散诱发原因有本题答案：【弹性应力场作用#电磁场作用#晶界内吸附#调幅分解】28、【多选题】位错是本题答案：【一维缺陷#线形缺陷#二个方向上尺寸很小】29、【多选题】柏氏矢量本题答案：【反映畸变的大小#反映畸变的方向#与标定用的柏氏回路大小、形状无关#与位错线方向有关】30、【多选题】刃位错的滑移是本题答案：【依次逐排的运动#正、负刃位错运动方向相反】31、【多选题】混合位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#位错线沿法线方向运动#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分】32、【多选题】混合位错的应力场本题答案：【可分解为刃型位错分量和螺型位错分量#既有正应力，也有切应力#远离位错线时，应力场逐渐减弱】33、【多选题】作用在螺位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】34、【多选题】作用在混合位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】35、【多选题】正交晶系包括本题答案：【简单正交#底心正交#面心正交#体心正交】36、【多选题】刃位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量】37、【多选题】螺位错滑移本题答案：【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位错线或具有平行的分量】38、【多选题】稳态扩散指的是本题答案：【与时间t无关#浓度梯度不随时间变化】39、【多选题】研究位错应力场的基本假设包括本题答案：【完全弹性体，服从胡可定律#各向同性#连续介质，可以用连续函数表达】40、【多选题】螺位错的应力场本题答案：【是纯剪切应力场#沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#与θ角无关】41、【多选题】点缺陷种类包括本题答案：【弗兰克缺陷#肖脱基缺陷#反位原子】42、【多选题】影响化合物类型的因素有本题答案：【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】43、【多选题】螺位错的滑移是本题答案：【依次逐排的运动#左螺、右螺位错运动方向相反#能在任意经过位错线的原子面上运动】44、【多选题】晶态的陶瓷材料的特点包括本题答案：【以离子键为主#原子比例比较严格，可以用分子式表示#典型的非金属性质】45、【多选题】硅酸盐结构包括本题答案：【岛状硅酸盐#链状硅酸盐#层状硅酸盐#网状硅酸盐】46、【多选题】刃位错的应力场本题答案：【既有正应力，也有切应力#沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区】47、【多选题】反应扩散本题答案：【形成新相层，并有明确界面#反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响#不可能出现两相共存区#扩散引起反应的扩散过程】48、【多选题】作用在刃位错线上的力本题答案：【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】49、【多选题】影响扩散的因素包括本题答案：【温度#晶体结构与固溶体类型#晶体缺陷#化学成分】50、【多选题】位错线张力本题答案：【使位错自发收缩#与位错柏氏矢量大小有关】51、【多选题】小角度晶界包括本题答案：【对称倾侧#不对称倾侧#扭转晶界】52、【多选题】影响置换固溶体的固溶度的因素有本题答案：【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】53、【多选题】非晶相的形成条件包括本题答案：【熔融态的粘度#冷却速度】54、【多选题】非稳态扩散指的是本题答案：【与时间t有关#浓度梯度随时间变化】55、【多选题】扩散的路径包括本题答案：【体扩散#外表面扩散#界面扩散#位错扩散】56、【多选题】点缺陷种类包括本题答案：【空位#间隙原子#溶质原子#杂质原子】57、【多选题】点缺陷使晶体的本题答案：【电阻升高#改变电子状态#引起点阵畸变#强度升高】58、【多选题】位错类型包括本题答案：【螺位错#刃位错#混合位错】59、【多选题】固体中的相是指本题答案：【结构相同#性质相同#聚集状态相同#均匀体】60、【判断题】影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差本题答案：【错误】61、【判断题】差别很大的晶体结构可以属于同一点阵本题答案：【正确】62、【判断题】扩散激活能是原子跳动时需要越过的势垒本题答案：【错误】63、【判断题】晶界处原子排列混乱，因此扩散激活能高本题答案：【错误】64、【判断题】点缺陷是热力学平衡缺陷本题答案：【正确】65、【判断题】若没有宏观扩散流，则说明没有发生扩散本题答案：【错误】66、【判断题】空位可以被完全消除。本题答案：【错误】67、【判断题】置换型扩散机制中，换位机制不依赖空位就能实现扩散，因此是主要的置换型扩散机制本题答案：【错误】68、【判断题】一根位错先不能终止与晶体内部。本题答案：【正确】69、【判断题】半原子面缩短是正攀移本题答案：【正确】70、【判断题】攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式本题答案：【正确】71、【判断题】具有同样柏氏矢量的刃位错与螺位错，刃位错的应变能较高本题答案：【正确】72、【判断题】作用在位错线上的力是实际推动位错运动的力本题答案：【错误】73、【判断题】位错可能通过攀移或交滑移绕过障碍物，减轻位错塞积本题答案：【正确】74、【判断题】F-R源开动临界切应力值与固定点间距大小有关本题答案：【正确】75、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小本题答案：【错误】76、【判断题】晶体结构有无数多种本题答案：【正确】77、【判断题】肖克莱不全位错线一定是平面曲线本题答案：【正确】78、【判断题】点阵中，按照不同法则，可以选取多种不同的基本单元体本题答案：【正确】79、【判断题】小角度晶界可以理解为位错墙本题答案：【正确】80、【判断题】晶体结构和空间点阵中的点都表示原子本题答案：【错误】81、【判断题】层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面本题答案：【正确】82、【判断题】孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有本题答案：【正确】83、【判断题】亚晶界是亚晶粒之间的分界面本题答案：【正确】84、【判断题】亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界本题答案：【正确】85、【判断题】小角晶界中位错密度越大，位向差越大本题答案：【正确】86、【判断题】相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌本题答案：【正确】87、【判断题】固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物本题答案：【正确】88、【判断题】随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。本题答案：【错误】89、【判断题】影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响本题答案：【正确】90、【判断题】化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示本题答案：【错误】91、【判断题】只有螺位错才能发生攀移本题答案：【错误】92、【判断题】扩散通量是指扩散物质的流量本题答案：【错误】93、【判断题】温度越高，扩散激活能越小，扩散越快本题答案：【错误】94、【判断题】纯物质中不存在浓度梯度，因此不存在扩散本题答案：【错误】95、【判断题】位错的应变能越高，位错稳定性越好本题答案：【错误】96、【判断题】间隙固溶体中，溶质原子越多，则占据间隙越多，剩余间隙越少，因此使得扩散系数下降本题答案：【错误】97、【判断题】对扩散常数D0的影响因素主要是温度和扩散激活能本题答案：【错误】98、【判断题】同号、平行位错相互靠近可降低体系能量本题答案：【错误】99、【判断题】非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高本题答案：【错误】100、【判断题】位错塞积必然阻碍位错运动本题答案：【正确】101、【判断题】溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快本题答案：【错误】102、【判断题】F-R源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）本题答案：【正确】103、【判断题】F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力本题答案：【错误】104、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错本题答案：【正确】105、【判断题】相似的晶体结构可属于不同点阵本题答案：【正确】106、【判断题】空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型本题答案：【正确】107、【判断题】Fcc晶体中，单位位错的模可以不同本题答案：【正确】108、【判断题】不全位错是局部层错的边界本题答案：【正确】109、【判断题】位错反应肯定是合并，这样才能降低体系自由能本题答案：【错误】110、【判断题】位错反应实质上是应变场的拆分和合并本题答案：【正确】111、【判断题】扩展位错越宽，畸变能越低本题答案：【错误】112、【判断题】小角晶界中位错密度越大，晶界能越大本题答案：【正确】113、【判断题】小角晶界中位向差越大，晶界能越大本题答案：【正确】114、【判断题】一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。本题答案：【正确】115、【判断题】大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高本题答案：【正确】116、【判断题】位错的密度可以分为体密度和面密度。本题答案：【正确】117、【判断题】按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界本题答案：【正确】118、【判断题】混合位错就是既有螺型位错分量，又有刃型位错分量的位错。本题答案：【正确】119、【判断题】只有刃位错才能攀移本题答案：【正确】120、【判断题】刃位错的攀移和交滑移都是守恒运动本题答案：【错误】121、【判断题】电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物本题答案：【正确】122、【判断题】攀移对塑性变形没有意义本题答案：【错误】123、【判断题】化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的本题答案：【错误】124、【判断题】交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形本题答案：【正确】125、【判断题】固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体本题答案：【错误】126、【判断题】固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度（有序的范围和有序程度）越大本题答案：【正确】127、【判断题】柏氏矢量的模越小，位错的应变能越高本题答案：【错误】128、【判断题】扩散通量为零时，扩散系数也必然为零本题答案：【错误】129、【判断题】作用在位错线上的力与位错宽度有关本题答案：【正确】130、【判断题】若溶质原子提高基体的熔点，将是扩散系数升高本题答案：【错误】131、【判断题】位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用本题答案：【正确】132、【判断题】位错源只有Frank-Read这一种类型本题答案：【错误】133、【判断题】F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，回缩力最小本题