传感器与传感电路技术项目1习题及答案

项目练习一、单项选择题1.某色环电阻器的色环标志为黄、紫、红、金，其标称阻值和允许偏差分别为（）。A4.7KΩ，±1%B4.7Ω，±5%C4.7KΩ，±5%D47Ω，±5%2.某色环电阻器的色环标志为红、红、黑、银、棕，其标称阻值和允许偏差分别为（）。A2.2Ω，±1%B220Ω，±1%C22Ω，±2%D220Ω，±2%3.某电阻器标志为5Ω1J，其标称阻值和允许偏差分别为（）。A5Ω，±1%B5.1Ω，±10%C5Ω，±5%D5.1Ω，±5%4.某电阻器标志为6R2K，其标称阻值和允许偏差分别为（）。A2KΩ，±6%B6.2Ω，±10%C62Ω，±10%D6Ω，±2%5.某贴片电阻器标志为104，其标称阻值为（）。A104ΩB100KΩC10KΩD104KΩ6.用指针式万用表测量电阻值，若量程为“×10”挡，指针指示5.1，则电阻值为（）。A5.1ΩB51ΩC510ΩD0.51Ω7.硅和锗二极管的导通压降分别为（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V8.硅和锗二极管的阈值电压分别为（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V9.利用二极管的（），可使二极管起整流作用。A反向击穿特性B放大特性C单向导电性D光敏性10.利用二极管的反向击穿特性，可使二极管起（）。A整流作用B稳压作用C开关作用D放大作用11.图1-43所示电路中，UF=（）。A0VB3VC0.7VD3.7V图1-图1-441.12题图图1-431.11题图12.图1-44所示电路中，UF=（）。A0VB3VC0.7VD3.7V13.识别塑料封装晶体管的极性时，可面向文字标识面（平面），从左至右分别是（）。AC-B-EBE-B-CCB-C-EDC-E-B14.硅晶体管饱和导通时，UBE和UCE分别为（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V15.锗晶体管饱和导通时，UBE和UCE分别为（）。A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V16.测量晶体管型号时，若黑表笔接基极测得的极间电阻值小于红表笔接基极测得的极间电阻值，则为（）。APNP型BNPN型CN沟道DP沟道17.图1-45所示硅晶体管反相器电路中，UI=3V时，输出UO不超过图图1-45晶体管反相器18.集成运算放大器的“虚短”特性是指（）。A同相输入端电位与反相输入端电位近似相等B同相输入端电位与反相输入端电位近似等于0C同相输入端电流与反相输入端电流近似相等D同相输入端电流与反相输入端电流近似为0二、判断题（正确：T，错误：F）1.串联的电阻器能够分压，每个电阻器所分得的电压与其阻值成反比。（）2.光敏电阻的电极常采用梳状图案，是为了获得更高的灵敏度。（）3.发光二极管的电极有长短之分，其中长的电极为阴极。（）4.硅晶体管饱和导通时，其集-射极电压不超过0.7V。（）5.集成运算放大器的“虚断”特性是指在电路参数选择合适时，同相输入端的电流与反相输入端的电流近似为0。（）6.当电压比较器的同相输入端电位高于反相输入端时，输出为高电平。（）7.光敏电阻在光照强度大于100LX时的电阻值称为亮阻。（）8.当晶体管的发射结和集电结都正向偏置时，晶体管饱和导通。（）9.电磁继电器的常开触点是指在线圈得电时才闭合的触点。（）10.续流二极管使用时需与电磁性器件反向并联。（）三、填空题1.用数字式万用表20Ω挡测量色环标识为橙、橙、黑、金、棕的电阻时，显示值可能为。2.二极管的核心结构是，二个电极分别为极和极。3.二极管具有性。4.二极管正向偏置时,反向偏置时。5．图1-46所示电路中，X1、X2、X3、X4存储的信息分别是、、、。6.晶体管的三个电极分别是极、极和极。图1-图1-46二极管只读存储电路图1-47晶体管只读存储电路7．图1-47所示电路中，X1、X2、X3、X4存储的信息内容分别是、、、。8.影响电容充放电快慢的是。9.图1-36所示电路，当光线变暗时，光敏电阻的阻值变，其所分得的电压uR1变，当达到晶体管VT的电压时，VT，VL10.图1-37所示电路，当光线变亮时，光敏电阻的阻值变，电压比较器A的同相输入端（INA+）电压变，当时，电压比较器输出低电平