【MOOC】模拟电子技术基础-科技大学 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】模拟电子技术基础-科技大学中国大学慕课MOOC答案本征半导体1、【单选题】在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。本题答案：【没有】2、【单选题】在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。本题答案：【电子-空穴对】3、【单选题】半导体中的载流子为（）。本题答案：【电子和空穴】4、【单选题】半导体中的空穴是（）。本题答案：【电子脱离共价键后留下的空位】5、【判断题】本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。本题答案：【正确】6、【判断题】半导体中的空穴带正电。本题答案：【正确】01-02杂质半导体1、【单选题】N型半导体中的多子是（）。本题答案：【电子】2、【单选题】P型半导体中的多子是（）。本题答案：【空穴】3、【单选题】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。本题答案：【杂质浓度】4、【单选题】在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。本题答案：【温度】5、【单选题】在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。本题答案：【五价】6、【单选题】在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。本题答案：【三价】7、【判断题】P型半导体带正电，N型半导体带负电。本题答案：【错误】8、【判断题】在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。本题答案：【正确】01-03PN结1、【单选题】在下列说法中只有（）说法是正确的。本题答案：【在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体】2、【单选题】在下列说法中只有（）说法是正确的。本题答案：【漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的】3、【单选题】当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。本题答案：【大于】4、【单选题】当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。本题答案：【小于】5、【单选题】下列说法正确的是（）。本题答案：【PN结正偏导通，反偏截止】6、【单选题】当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？本题答案：【突变层】7、【单选题】一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。本题答案：【无电流】8、【判断题】PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。本题答案：【正确】02-01二极管的组成1、【单选题】半导体二极管的重要特性之一是（）。本题答案：【单向导电性】2、【判断题】整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。本题答案：【错误】3、【判断题】在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。本题答案：【正确】02-02二极管的伏安特性1、【单选题】在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。本题答案：【I2mA】2、【单选题】二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。本题答案：【死区】3、【单选题】在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。本题答案：【增大】4、【单选题】用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。本题答案：【静态，不同，不同】5、【单选题】设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。当二极管的结温升高10℃，若要UD保持不变，则ID的值为（）。本题答案：【大于10mA】6、【单选题】设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。本题答案：【】7、【单选题】在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35oC时，下列哪组数据可能正确。本题答案：【Uth≈0.475V，IS≈0.2pA】8、【单选题】设某二极管反向电压为10V时，反向电流为0.1μA。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（）。本题答案：【0.2μA】02-03二极管的主要参数1、【单选题】关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。本题答案：【反向电流越大二极管的温度稳定性越不好】2、【单选题】若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。本题答案：【反向电阻远大于正向电阻】3、【单选题】当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。本题答案：【少数载流子浓度增大】4、【判断题】二极管只要反偏，必然截至。本题答案：【错误】5、【判断题】二极管的单向导电性与信号频率无关。本题答案：【错误】03-01二极管电路分析思路1、【判断题】电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。本题答案：【错误】2、【判断题】在电子电路分析过程中，应先动态后静态。本题答案：【错误】3、【填空题】将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为。本题答案：【静态】4、【填空题】将放大电路有交流信号输入的状态称为。本题答案：【动态】03-02二极管电路图解分析方法1、【单选题】下图所示二极管电路及负载线，当增大VDD时，静态工作点将（）移动。本题答案：【向上】2、【单选题】下图所示二极管电路及负载线，当增大R时，静态工作点将（）移动。本题答案：【向下】3、【判断题】图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系。本题答案：【正确】4、【判断题】只要静态工作点位置合适，交流信号就一定不会进入非线性区。本题答案：【错误】03-03二极管等效模型1、【单选题】二极管折线模型可等效为下列（）线性网络。本题答案：【】2、【单选题】在下图所示电路中的电阻R保持不变，ui=0.2sinωt(V)。当直流电源V增大时，二极管D的动态电阻rd将（）。本题答案：【减小】3、【单选题】下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻（）。本题答案：【】4、【多选题】二极管等效模型在以下哪些情况不能使用（）。（注：多选）本题答案：【静态工作点位于非线性区#交流大信号】5、【判断题】二极管恒压降模型中的电源意味着二极管是一个供能元件。本题答案：【错误】03-04二极管等效模型分析法1、【单选题】电路如图所示。试估算A点的电位为（）。（设二极管的正向导通压降为0.7V。）本题答案：【6.7V】2、【单选题】二极管电路如图所示，其中二极管为理想二极管，则电路的输出电压Vo为（）。本题答案：【-5V】3、【单选题】在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。本题答案：【2.75mA】4、【单选题】电路如图所示，D1，D2均为理想二极，设U1=10V，ui=40sinωt，则输出电压uO应为（）。本题答案：【最大值为10V，最小值为0V】5、【单选题】估算如图所示电路中，流过二极管的电流ID为（）。（设二极管D正向导通压降UD=0.7V）本题答案：【约1.3mA】03-05常见二极管应用电路1、【单选题】电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。本题答案：【－2V】2、【单选题】图中二极管可视为理想二极管，A、B、C三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（）。本题答案：【B】3、【单选题】二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。(设二极管的导通压降为0.7V。)本题答案：【-0.7V】4、【单选题】在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔（正电）接A点，红表笔（负电）接B点，则万用表的指示值为（）。本题答案：【18Ω】5、【填空题】图中各二极管的导通压降均为0.7V，UO=V。本题答案：【7.3】04-01稳压二极管基础1、【单选题】以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。本题答案：【】2、【单选题】稳压管的稳压区是其工作在（）区。本题答案：【反向击穿】3、【单选题】某只硅稳压管的稳定电压Uz=4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。本题答案：【+0.7V和-4V】4、【单选题】稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。本题答案：【限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联】5、【判断题】稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。本题答案：【正确】04-02稳压二极管的应用1、【单选题】设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。本题答案：【13V】2、【单选题】设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。本题答案：【5V】3、【单选题】设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。本题答案：【0.7V】4、【单选题】在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。本题答案：【1V】5、【单选题】在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。本题答案：【5V】6、【单选题】下图所示电路中，稳压管DZ的稳定电压VZ=6V，最小稳定电流Izmin=5mA，输入电压VI=12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下IL的数值最大不应超过（）。本题答案：【55mA】04-03其他类型的二极管1、【单选题】能够进行光电转换的二极管是（）。本题答案：【光电二极管】2、【单选题】发光二极管的符号是（）。本题答案：【】3、【判断题】变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。本题答案：【正确】4、【判断题】普通二极管也可以稳压（）。本题答案：【正确】5、【判断题】所有的二极管都工作在正偏状态（）。本题答案：【错误】05-01晶体管的结构和工作原理1、【单选题】NPN型晶体管的符号是（）。本题答案：【】2、【单选题】PNP型晶体管的符号是（）。本题答案：【】3、【单选题】晶体管有（）个PN结。本题答案：【2】4、【多选题】晶体管的三个极为（）。（注：多选）本题答案：【基极#发射极#集电极】5、【判断题】晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。本题答案：【正确】05-02晶体管的放大原理1、【单选题】工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。本题答案：【VCVBVE】2、【单选题】晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。本题答案：【集电结反向偏置、发射结正向偏置】3、【单选题】双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。本题答案：【多子和少子两种载流子】4、【单选题】在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。本题答案：【NPN型硅管】5、【单选题】NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则A、B、C对应的电极是（）。本题答案：【E，B，C】6、【单选题】下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。本题答案：【IC=βIB】7、【判断题】双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。本题答案：【错误】8、【判断题】晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。本题答案：【错误】05-03晶体管的伏安特性1、【单选题】晶体管是（）器件。本题答案：【电流控制电流】2、【单选题】管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。本题答案：【右移】3、【单选题】晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。本题答案：【IbIcUce】4、【单选题】某晶体三极管的IB从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。本题答案：【150】5、【判断题】对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。本题答案：【正确】05-04晶体管的工作区1、【单选题】已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。本题答案：【放大】2、【单选题】在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。本题答案：【UCE】3、【单选题】当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。本题答案：【前者反偏，后者也反偏】4、【单选题】PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。本题答案：【UBE0，UCB0】5、【单选题】晶体管的开关作用是（）。本题答案：【饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开】6、【单选题】某放大电路如图所示。设VCCUBE，ICEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。本题答案：【饱和区】7、【单选题】如图所示的电路中的三极管β=50，通过估算，可判断电路工作在（）区。本题答案：【截止区】8、【单选题】在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，UBE＝－0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于（）状态。本题答案：【饱和】05-05晶体管的主要参数1、【单选题】温度上升时，半导体三级管的（）。本题答案：【β和ICBO增大，UBE下降】2、【单选题】某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。本题答案：【15mA，100mA】3、【单选题】3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。本题答案：【管子过热甚至烧坏】4、【单选题】测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，晶体管的共射电流放大系数β（）。本题答案：【60】5、【单选题】晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。本题答案：【下降】6、【单选题】三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。本题答案：【少数载流子】7、【单选题】温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。本题答案：【上移并间距增大】8、【单选题】某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。本题答案：【已损坏】Test1二极管和晶体管1、【单选题】N型半导体中的多数载流子是（）。本题答案：【自由电子】2、【单选题】P型半导体中的多数载流子是（）。本题答案：【空穴】3、【单选题】P型半导体（）。本题答案：【呈中性】4、【单选题】PN结中扩散电流的方向是（）。本题答案：【从P区到N区】5、【单选题】PN结中漂移电流的方向是（）。本题答案：【从N区到P区】6、【单选题】当PN结外加反向电压时，耗尽层（）。本题答案：【变宽】7、【单选题】当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。本题答案：【少数载流子浓度增大】8、【单选题】万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。本题答案：【增加】9、【单选题】用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。本题答案：【CBE】10、【单选题】用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。本题答案：【BEC】11、【单选题】在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，这三极管的类型是（）。本题答案：【PNP型Si管】12、【单选题】在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（）。本题答案：【NPN型Ge管】13、【单选题】一个NPN管在电路中正常工作，现测得：UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作区为（）。本题答案：【饱和区】14、【单选题】电路图如图所示，设二极管的导通电压均为0.7V，则D1，D2，D3三个二极管的状态分别为（）。本题答案：【导通截止导通】15、【单选题】如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在（）区。本题答案：【饱和区】16、【单选题】二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下（ui波形如图b所示），其输出波形为（）。本题答案：【】17、【单选题】判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出VAO值为（）。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）本题答案：【-5.3V】18、【单选题】在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。本题答案：【0mA】19、【单选题】一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作区为（）。本题答案：【放大区】20、【单选题】晶体管的控制方式为（）。本题答案：【电流控制电流】21、【单选题】在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。则当U降低到50V时，则I约为（）。本题答案：【1μA】22、【单选题】在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。当U保持100V不变，温度降低到10°C时，则I约为（）。本题答案：【0.5μA】23、【单选题】如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。本题答案：【截止】24、【单选题】如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。本题答案：【放大】25、【填空题】已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO1为（）V。本题答案：【6】26、【填空题】已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO2为（）V。本题答案：【5】27、【填空题】二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）本题答案：【0】28、【填空题】二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）本题答案：【3】29、【填空题】二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）本题答案：【0】30、【填空题】二极管电路如图所示。其中I2=（）mA。（二极管理想）本题答案：【15】31、【填空题】二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）本题答案：【-15】32、【填空题】二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）本题答案：【0】33、【填空题】在如图所示电路中，已知稳压管D1、D2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）V。本题答案：【4】34、【填空题】某电路中，三极管静态时各极对地的电位如图所示，则其工作于（）状态。（放大、饱和、截止）（设三极管和二极管均为硅管）本题答案：【截止】35、【填空题】二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）本题答案：【10】36、【填空题】电路中二极管理想，其工作状态是（）。（导通，截止）本题答案：【导通】37、【填空题】图中稳压管VD1、VD2的稳定电压分别是5V和9V，则输出电压Uo为（）V。本题答案：【5】38、【填空题】已知某晶体管的PCM＝800mW，ICM＝500mA，U(BR)CEO＝30V。若该管子在电路中工作电压UCE＝10V，则工作电流IC不应超过_______________mA。本题答案：【80】06-01放大的概念与放大电路的性能指标1、【单选题】某放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为8V；输入电压为0.2V时，输出电压为4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。本题答案：【－40】2、【单选题】电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。本题答案：【强】3、【单选题】放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明电路A的（）。本题答案：【输入电阻小】4、【单选题】对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。本题答案：【越大】5、【判断题】只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。本题答案：【错误】6、【判断题】放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。本题答案：【错误】7、【判断题】可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。本题答案：【错误】8、【填空题】已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到（）V。本题答案：【3.5】9、【填空题】放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4V，在信号源内阻增大到1kΩ，其它条件不变时，测得输出电压为3V，该放大电路的输入电阻为（）kΩ。本题答案：【3】06-02放大电路的偏置和组态1、【单选题】共发射极放大电路信号从（）。本题答案：【基极输入，集电极输出】2、【单选题】共基极放大电路信号从（）。本题答案：【发射极输入，集电极输出】3、【单选题】共集电极放大电路信号从（）。本题答案：【基极输入，发射极输出】4、【单选题】下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。本题答案：【共射共基】5、【单选题】下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。本题答案：【共射共射】6、【单选题】阻容耦合放大电路不能放大（）。本题答案：【直流信号】7、【判断题】直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成。本题答案：【正确】06-03共射放大电路的工作原理1、【单选题】基本共射放大电路中，基极电阻Rb的主要作用是（）。本题答案：【限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路】2、【单选题】电路中的晶体管原处于放大状态，若将Rb调至零，则晶体管（）。本题答案：【过热烧毁】3、【单选题】基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。本题答案：【将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量】4、【单选题】在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则uo和ui的相位（）。本题答案：【反相】5、【单选题】在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则ui和ic的相位（）。本题答案：【同相】6、【单选题】在图示基本共射放大电路中，放大电路中的直流分量来源于（）。本题答案：【直流电源】7、【判断题】在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同。本题答案：【正确】8、【判断题】对放大电路进行分析，采取先动态后静态的分析方法。本题答案：【错误】07-01直流通路和交流通路1、【单选题】理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是（）。本题答案：【电容】2、【单选题】如图所示电路的直流通路为（）。本题答案：【（c）】3、【单选题】可画出如图所示放大电路的交流通路为图（）。本题答案：【(b)】4、【单选题】根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图（）具备放大条件。本题答案：【（d）】5、【多选题】理想情况下，下列器件中对交流信号相当于短路的是（）。（注：多选）本题答案：【电容#理想直流电压源】07-02静态分析估算法1、【单选题】本题答案：【IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4V】2、【单选题】本题答案：【IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4V】3、【单选题】电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3kΩ，β＝40且忽略UBE，若要使静态时UCE＝9V，则RB应取（）。本题答案：【480kΩ】4、【单选题】对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为（）。本题答案：【Rb开路】5、【单选题】对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为（）。本题答案：【Rb过小】6、【单选题】对于如图所示放大电路，若VCC≈12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE＝8V，这说明（）。本题答案：【电容C2短路】07-03静态分析图解法1、【单选题】直流负载线的斜率是（）。本题答案：【-1/Rc】2、【单选题】如图所示，某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于Q2，若将直流电源UCC适当增大，则静态工作点将移至（）。本题答案：【Q4】3、【单选题】下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q1点移动到Q2点可能的原因是（）。本题答案：【集电极负载电阻RC变小】4、【单选题】下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是（）。本题答案：【基极回路电阻RB变小】5、【单选题】图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电源电压VCC为（）。本题答案：【6V】6、【单选题】图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rb的值约为（）。本题答案：【265kΩ】7、【单选题】图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性，其中①为直流负载线，可求得电阻Rc的值约为（）。本题答案：【3kΩ】08-01BJT基本放大电路交流分析思路1、【单选题】下列（）情况下，可以用微变等效模型分析放大电路。本题答案：【中低频小信号】2、【判断题】等效电路分析方法可以不必关心静态工作点，因此不需要进行静态分析。本题答案：【错误】3、【判断题】对于大信号作用下的放大电路分析，可以采用图解法分析。本题答案：【正确】4、【判断题】对三极管电路进行静态分析时，可将三极管用微变等效模型替代。本题答案：【错误】08-02BJT混合参数模型的建立1、【单选题】在BJT混合参数模型中，下列参数的量纲为欧姆的是（）。本题答案：【hie】2、【单选题】在BJT混合参数模型中，下列参数的量纲为西门子的是（）。本题答案：【hoe】3、【单选题】在BJT混合参数模型中，输入端口等效为（）。本题答案：【输入电阻和受控电压源的串联】4、【单选题】在BJT混合参数模型中，输出端口等效为（）。本题答案：【输出电阻和受控电流源的并联】5、【判断题】BJT混合参数模型的建立与静态工作点无关。本题答案：【错误】08-03BJT混合参数模型的简化1、【单选题】BJT混合参数模型中，代表晶体管的电流放大能力的参数是（）。本题答案：【hfe】2、【单选题】下图（）为简化后的NPN型晶体管h参数等效模型。本题答案：【】3、【判断题】BJT混合参数模型中，rbe表明了输入电压ube对输入电流ib的控制能力，其值不可以忽略。本题答案：【正确】4、【判断题】BJT混合参数模型中，hre表明了输出回路uCE对输入回路uBE影响的程度，大多数情况下，其值不可以忽略。本题答案：【错误】5、【判断题】在所有等效模型分析方法的应用中，晶体管输出电阻rce都可以忽略不计。本题答案：【错误】08-04BJT混合参数的确定1、【单选题】PNP管的简化h参数等效模型为（）。本题答案：【】2、【单选题】在共发射极交流放大电路中，（）是正确的。本题答案：【】3、【单选题】本题答案：【1.6】4、【多选题】有关rbe，下列说法中正确的是（）。（注：多选）本题答案：【rbe是晶体管的动态等效输入电阻#只有经过静态分析才能确定rbe的值】5、【多选题】有关BJT混合参数模型，即h模型，下列说法不正确的是（）。（注：多选）本题答案：【只要静态工作点在线性区，h模型就成立#该模型对信号的频率没有要求】6、【判断题】BJT混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。本题答案：【正确】08-05微变等效电路法1、【单选题】如图所示放大电路的h参数小信号等效电路为（）。本题答案：【】2、【单选题】本题答案：【】3、【单选题】下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得电压放大倍数表达式为（）。本题答案：【】4、【单选题】下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输入电阻表达式为（）。本题答案：【】5、【单选题】下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输出电阻表达式为（）。本题答案：【】6、【单选题】在如下基本共射放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数|Au|将（）。本题答案：【增大】09-01交流负载线分析1、【单选题】共射放大电路如图所示，图解分析法中，交流负载线的斜率是（）。本题答案：【-1/RL’(RL’=RL//RC)】2、【判断题】通常情况下，交流负载线比直流负载线要陡些。本题答案：【正确】3、【判断题】交流负载线和静态工作点无关。本题答案：【错误】4、【判断题】共射放大电路输出与输入相比，幅度被放大了，频率不变，相位相同。本题答案：【错误】5、【判断题】在放大电路的交流负载线分析中，需将动态信号叠加在静态工作点上。本题答案：【正确】09-02非线性失真分析1、【单选题】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真。本题答案：【饱和失真】2、【单选题】由NPN型三极管组成的单管共射放大电路，如下图（左）所示，已知输入正弦信号、输出信号波形（右图），则它属于（）。本题答案：【截止失真】3、【单选题】在下图所示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现底部削平失真，如果这时保持输入不变，减小RL，将会出现（）现象。本题答案：【底部失真减轻或消失】4、【单选题】在下图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（）。本题答案：【饱和失真】5、【单选题】图示电路VCC=12V，RC=3kΩ，静态管压降UCEQ=6V，并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ，该电路的最大不失真输出电压有效值为（）。本题答案：【2V】6、【多选题】放大电路如下图（左）所示，输入电压Ui与输出电压Uo的波形如下图（右）所示，为使输出电压波形不失真则应（）。（注意：多选）本题答案：【增加RB#减小RC】7、【判断题】只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。本题答案：【错误】8、【判断题】非线性失真都是静态工作点不合适造成的。本题答案：【错误】10-01静态工作点稳定需求分析1、【单选题】对于固定偏置放大电路，随着温度升高，容易使放大电路出现（）。本题答案：【饱和失真】2、【单选题】对于固定偏置放大电路，当室温升高时，其三极管ICQ（）。本题答案：【增大】3、【单选题】对于固定偏置放大电路，当室温升高时，静态工作点将（）。本题答案：【升高】4、【单选题】在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，其中影响最大的是（）。本题答案：【温度变化】5、【判断题】IB不变的情况下，当温度升高，UBE将增大。本题答案：【错误】6、【判断题】随着温度升高，ICBO增大。本题答案：【正确】10-02稳定静态工作点的典型电路及其原理1、【单选题】对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，三极管的UCEQ（）。本题答案：【不变（或基本不变）】2、【多选题】对分压偏置共射放大电路而言，需要满足（）条件，静态工作点才能得以基本稳定。（注：多选）本题答案：【#】3、【多选题】分压偏置共射放大电路稳定静态工作点的关键要素包括（）。（注：多选）本题答案：【基极电位基本恒定，不随温度变化#Re引入直流电流负反馈】4、【判断题】之所以射极偏置电路可以稳定静态工作点，其本质是Re引入了直流负反馈。本题答案：【正确】5、【判断题】分压偏置共射放大电路能够稳定静态工作点，即UBEQ、IBQ、UCEQ、ICQ均保持基本不变。本题答案：【错误】10-03分压偏置共射放大电路的静态分析1、【单选题】在下图所示放大电路中，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，UBE=0.7V，现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2约为（）。本题答案：【12kΩ】2、【单选题】在图示电路中，已知3DG4的β=30，则有关静态时的IBQ、ICQ、UCEQ的估算值正确的是（）。本题答案：【IBQ=220μA,ICQ=6.6mA,UCEQ=6.8V】3、【单选题】图示电路中，欲增大UCEQ，可以（）。本题答案：【增大Rb1】4、【单选题】分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是（）。本题答案：【10μA，1mA】5、【单选题】当用直流电压表测出UCE≈VCC，可能是因为（）。本题答案：【Rb1开路】6、【判断题】在分压偏置共射放大电路中，Re取值越大越好。本题答案：【错误】10-04分压偏置共射放大电路的动态分析1、【单选题】本题答案：【-7.8】2、【单选题】本题答案：【3.7kΩ】3、【单选题】本题答案：【5kΩ】4、【单选题】分压式偏置单管共射放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的输入电阻将（）。本题答案：【增大】5、【单选题】如下所示电路中，欲提高放大电路的电压放大倍数，可以（）。本题答案：【增大RB2】6、【多选题】如下所示电路中，若将发射极旁路电容Ce去掉，则哪些参数发生变化？（）（注：多选）本题答案：【电压放大倍数#输入电阻】11-01基本共集放大电路1、【单选题】下列哪个电路中含有共集放大电路？（）。本题答案：【】2、【单选题】在单极射极输出器电路中，输出电压uo与输入电压ui之间的关系是（）。本题答案：【两者同相，输出电压近似等于输入电压】3、【单选题】如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，电压放大倍数为（）。本题答案：【0.992】4、【单选题】如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，输入电阻约为（）。本题答案：【76kΩ】5、【单选题】如下图所示电路，β＝80，rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时，输出电阻约为（）。本题答案：【37Ω】6、【多选题】射极跟随器具有（）特点。（注：多选）本题答案：【电流放大倍数高#电压放大倍数近似于１且小于１#输入电阻高，输出电阻低】7、【多选题】下列场合适用射极输出器的包括（）。（注：多选）本题答案：【作为多级放大电路的输入级#作为多级放大电路的缓冲级#作为多级放大电路的输出级】11-02基本共基放大电路1、【单选题】分析下图所示共基放大电路，RC减小时，静态电压UCEQ将（）。本题答案：【增大】2、【单选题】下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的电压放大倍数为（）。本题答案：【51】3、【单选题】下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输入电阻Ri为约（）。本题答案：【13Ω】4、【单选题】下图所示共基放大电路的三极管为硅管，UBE=0.7V，rbb’=200Ω，β=100，可求得该电路的输出电阻Ro为（）。本题答案：【2.1kΩ】5、【多选题】对于基本共基放大电路，下列说法正确的是（）。（注：多选）本题答案：【具有电压放大作用，同相放大#不能放大电流】6、【判断题】共基放大电路较强的电压放大能力，因此可以单独作为电压放大器使用。本题答案：【错误】11-03三种组态放大电路的对比1、【单选题】在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。本题答案：【共集电极电路的电压增益最小、输入电阻最大、输出电阻最小】2、【单选题】为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（）。本题答案：【共集电路】3、【单选题】为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（）。本题答案：【共基电路】4、【单选题】放大电路的三种组态（）。本题答案：【都有功率放大作用】5、【单选题】可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。本题答案：【共集】6、【单选题】在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。本题答案：【共基】7、【单选题】既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。本题答案：【共射】11-04复合管放大电路1、【单选题】下图电路中可以构成复合管的是（）。本题答案：【】2、【单选题】下图电路中构成的是（）类型的复合管。本题答案：【NPN】3、【单选题】对于复合管共射放大电路，下列说法正确的是（）。本题答案：【输入电阻明显增大】4、【单选题】如图所示复合管，已知T1的β1=30，T2的β2=50，则复合后的β约为（）。本题答案：【1500】5、【单选题】如图所示复合管，T1和T2管的放大系数分别为β1和β2，输入电阻分别为rbe1和rbe2，则复合管的输入电阻为（）。本题答案：【rbe1+（1+β1）rbe2】6、【判断题】任意两个三极管组成的复合管，其输入电阻都比单管的输入电阻大。本题答案：【错误】Test2基本放大电路1、【单选题】下图所示电路中，若将RB减小，则IC将（）。本题答案：【增大】2、【单选题】下图所示电路中，若将RB减小，则集电极电位VC将（）。本题答案：【减小】3、【单选题】下图所示晶体管原处于放大状态，若将RB调到零，则晶体管（）。本题答案：【烧毁】4、【单选题】图示放大电路中，若将RB阻值调小，而晶体管仍工作于放大区，则电压放大倍数|Au|将（）。本题答案：【增大】5、【单选题】在图示分压偏置放大电路中，通常偏置电阻Rb1（）Rb2。本题答案：【小于】6、【单选题】射极输出器（）。本题答案：【有电流放大作用，没有电压放大作用】7、【单选题】下图两级放大电路中的T1和T2管分别构成哪种组态的放大电路（）。本题答案：【共基-共集】8、【单选题】电路如图所示，晶体管β=50，UBE＝0.6V，RB＝72kW，RC＝1.5kW，UCC＝9V，当RW＝0时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电极电流ICQ应等于3mA，此时应把RW调整为（）。本题答案：【68kΩ】9、【单选题】下图所示复合管的等效管类型为（）。本题答案：【PNP】10、【单选题】在图示电路中，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真，这种失真是（）。本题答案：【截止失真】11、【单选题】在图示电路中，如果出现截止失真，为了消除失真，应（）。本题答案：【减小Rb】12、【单选题】有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A的输出电压比B的大。这说明A的（）比B的（）。本题答案：【输出电阻小】13、【单选题】某直接耦合放大电路在输入电压为0.3V时，输出电压为2V；输入电压为0.1V时，输出电压为9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数（）。本题答案：【－35】14、【单选题】图示共基放大电路中，β增大时，UCEQ将（）。本题答案：【变化不大】15、【单选题】已知图示电路中晶体管的β=100，rbe=1kΩ，在输入电压为有效值等于10mV的1kHz正弦信号时，估计输出电压有效值为（）。本题答案：【1V】16、【单选题】在共发射极放大器中，在发射极加入电阻Re，则电压增益|Au|（）。本题答案：【变小】17、【单选题】在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ，Rb2=6KΩ，Rc=2KΩ，Re=3.3KΩ，RL=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100（假设ｒbb'约为0），则此放大电路的电压放大倍数（）。本题答案：【基本不变】18、【单选题】射极输出电路如图所示，保持Ui不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。本题答案：【变化不大】19、【单选题】某放大电路在输入电压不变的条件下，当接入负载电阻RL1＝3kΩ时，测得输出电压Uo1＝3V；当接入负载电阻RL2＝500Ω时，测得输出电压Uo2＝1V。试求该放大电路的输出电阻Ro为（）kΩ。本题答案：【2】20、【单选题】在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其组态分别为：Au1是（）放大器，Au2是（）放大器，Au3是（）放大器。本题答案：【共基、共射、共集】21、【单选题】射极输出电路如图所示，保持Us不变，将RL减小一半，这时Uo将（）。本题答案：【明显减小】22、【单选题】图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则IBQ的表达式为（）。本题答案：【】23、【单选题】图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则电压增益的表达式为（）。本题答案：【】24、【单选题】图示共射放大电路，其中β和UBE为已知，电容理想。则输入电阻的表达式为（）。本题答案：【】12-01频率响应问题的提出1、【单选题】本题答案：【产生了幅度失真】2、【单选题】本题答案：【产生了相位失真】3、【单选题】放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。本题答案：【半导体管极间电容和分布电容的存在】4、【单选题】放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。本题答案：【耦合电容和旁路电容的存在】5、【单选题】当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了（）。本题答案：【频率失真】6、【多选题】下列失真中属于线性失真的是（）。（注：多选）本题答案：【相位失真#幅度失真】12-02频率响应基本概念1、【单选题】测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（）。本题答案：【输入电压幅值不变，改变频率】2、【单选题】当信号频率等于放大电路的截止频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。本题答案：【0.7倍】3、【单选题】某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的上限截止频率为（）。本题答案：【Hz】4、【单选题】某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率为（）。本题答案：【100Hz】5、【填空题】某放大电路电的折线近似波特图如图所示，则该电路的下限截止频率处的增益为（）dB。本题答案：【37】12-03单时间常数RC电路的频率响应1、【单选题】单时间常数RC电路如图所示，其为（）电路。本题答案：【高通】2、【单选题】单时间常数RC电路如图所示，其电压增益表达式为（）。本题答案：【】3、【单选题】如下图所示的电路，其电压增益表达式为（）。本题答案：【】4、【单选题】对于单时间常数的RC电路来说，其截止频率的形式为（）。本题答案：【】5、【单选题】某电路的频率特性如图所示，已知转折点频率为2MHz，此电路的频率特性表达式为（）。本题答案：【】6、【单选题】单时间常数RC电路如图所示，在截止频率处，将产生（）。本题答案：【45°的滞后相移】13-01晶体管高频等效模型1、【单选题】晶体管的混合π等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?（）。本题答案：【小信号，管子处在放大区】2、【单选题】某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则gm约为（）ms。本题答案：【153.8】3、【单选题】某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rbe=1kΩ，fT=350MHz，Cb’c=4pF，则Cb’e约为（）pF。本题答案：【70】4、【单选题】混合π模型和h参数等效模型之间的关系为（）。本题答案：【在中低频可以等效】5、【多选题】共发射极晶体管放大器的高频等小电路中，跨导参数gm与（）有关。（注：多选）本题答案：【温度#静态工作点】6、【判断题】本题答案：【错误】13-02晶体管频率特性分析1、【单选题】晶体管的电流放大系数具有（）。本题答案：【低通特性】2、【单选题】关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（）。本题答案：【】3、【单选题】某晶体管在IEQ=4mA，UCEQ=6V时的参数为β=150，rb’e=975Ω，Cb’c=4pF，Cb’e=66pF，则fβ约为（）MHz。本题答案：【2.33】4、【单选题】本题答案：【45°滞后】5、【单选题】已知一个三极管在低频时的共射电流放大系数β0=100，特征频率fT=80MHz，当频率为（）时，三极管的|β|≈70？本题答案：【0.8MHz】6、【判断题】本题答案：【正确】13-03晶体管高频等效模型的单向化1、【单选题】如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输入回路中的电容C1，其大小为（）。本题答案：【408pF】2、【单选题】如下电路中，利用密勒定理，可以将电容等效到输出回路中的电容C2，其大小为（）。本题答案：【8.16pF】3、【单选题】密勒效应是指经输入回路的密勒等效电容将比原电容增大了（）倍。（K为增益）本题答案：【1+|K|】4、【单选题】在共射晶体管放大器模型的单向化后，输入端的总等效电容通常（）输出端的总等效电容。本题答案：【大于】5、【单选题】下图中（）为单向化后的共射晶体管π等效模型。本题答案：【】14-01单管共射放大电路中低频响应分析1、【单选题】在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在低频区的斜率为（），相频特性在低频区的斜率为（）。本题答案：【20dB/十倍频-45°/十倍频】2、【单选题】对于单管共射放大电路，当f＝fL时，输出和输入信号的相位关系是（）。本题答案：【－135°】3、【单选题】在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值（）。本题答案：【增大】4、【单选题】在图示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（）。本题答案：【增大C，增大Ri】5、【单选题】共射单级放大电路如图所示，已知图中Rb=470kΩ，Rs=500Ω，晶体管的β=50，rbe=2kΩ，通频带范围为10Hz~100kHz，可计算C1的容量为（）。本题答案：【6.4μF】6、【单选题】共射放大电路如图所示，若将一个6800pF的电容错接在晶体管b、c极之间，则fL将（）。本题答案：【不变】14-02单管共射放大电路高频响应分析1、【单选题】在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频特性曲线在高频区的斜率为（），相频特性在高频区的斜率为（）。本题答案：【-20dB/十倍频-45°/十倍频】2、【单选题】共射放大电路如图所示，若将一个6800pF的电容错接在b、c极之间，则fH将（）。本题答案：【减少】3、【单选题】图示共射放大电路中，若空载情况下，晶体管b-e间等效电容为C’，则频率fH的表达式为（）。本题答案：【】4、【单选题】图示共射放大电路中，若Rb减小，则晶体管be间的等效电容将（），fH将（）。本题答案：【增大减小】5、【判断题】由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。本题答案：【错误】6、【判断题】当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。本题答案：【正确】14-03三种组态放大电路频率响应性能对比分析1、【单选题】在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是（）。本题答案：【共基接法】2、【单选题】在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最差的是（）。本题答案：【共射接法】3、【单选题】为了得到放大器的带宽和电流与电压增益，通常使用两种不同组态的基本放大器组合实现，较合理的放大器组合是（）放大器电路。本题答案：【共射-共基】4、【单选题】共射－共基组合电路中，此组合电路的上限频率主要取决于（）电路。本题答案：【共射接法】15-01场效应管概述1、【单选题】工作在放大状态的场效应管是（）。本题答案：【电压控制元件】2、【多选题】和双极型晶体管相比，下列属于场效应管的优势有（）。（注：多选）本题答案：【集成度高#输入电阻大#温度稳定性好】3、【判断题】场效应管是单极型晶体管。本题答案：【正确】15-02结型场效应管1、【单选题】结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。本题答案：【反偏电压】2、【单选题】P沟道结型场效应管的夹断电压Up为（）。本题答案：【正值】3、【单选题】P沟道JFET管的电路符号为（）。本题答案：【】4、【单选题】本题答案：【夹断区】5、【单选题】本题答案：【放大区】6、【单选题】本题答案：【可变电阻区】7、【单选题】当场效应管工作在可变电阻区时，可作为阻值受（）控制的线性电阻器。本题答案：【UGS】8、【单选题】结型场效应管中，外加电压UGS和UDS的极性（）。本题答案：【必须相反】9、【判断题】结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。本题答案：【正确】15-03绝缘栅型场效应管1、【单选题】下图中的三种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（）。本题答案：【P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道】2、【单选题】P沟道增强型MOS管的电路符号为（）。本题答案：【】3、【单选题】某场效应管的转移特性如图所示，该管为（）。本题答案：【P沟道耗尽型MOS管】4、【单选题】本题答案：【2】5、【单选题】P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UGS的极性为（）。本题答案：【可正可负】6、【单选题】P沟道耗尽型MOS管中，外加电压UDS的极性为（）。本题答案：【负】7、【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。本题答案：【错误】15-04场效应管的主要参数和选用1、【单选题】下列参数中，增强型场效应管具有的参数是（）。本题答案：【开启电压】2、【单选题】当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。本题答案：【增大】3、【单选题】场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。本题答案：【电场】4、【单选题】场效应管漏极电流由（）的运动形成。本题答案：【多子】5、【单选题】各种场效应管对电压UDS极性的要求由（）决定。本题答案：【沟道的类型】6、【单选题】场效应管本质上是一个（）器件。本题答案：【电压控制电流源】7、【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。（注：多选）本题答案：【结型管#耗尽型MOS管】16-01场效应管放大电路的偏置和静态分析1、【单选题】电路如图所示，已知场效应管的IDSS=4mA，夹断电压UP=–4V，VDD=20V，静态电压UGS=–2V，该电路的静态电流ID为（）。本题答案：【1mA】2、【单选题】为使下图所示电路具有放大作用，必须（）。本题答案：【在源极加一电阻R】3、【单选题】如下场效应管放大电路中，在线性放大条件下，当增大RG时，静态电流|IDQ|将（）。本题答案：【基本不变】4、【单选题】在线性放大条件下，当增大RS时，|IDQ|将（）。本题答案：【减小】5、【判断题】结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。本题答案：【正确】6、【判断题】增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。本题答案：【错误】16-02场效应管微变等效模型1、【单选题】下图中为场效应管小信号模型的为（）。本题答案：【】2、【单选题】下列公式中反映gm和β关系的是（）。本题答案：【】3、【单选题】如下场效应管放大电路中，在线性放大条件下，当增大RS时，gm将（）。本题答案：【减小】4、【判断题】场效应管的参数gm与静态工作点无关。本题答案：【错误】5、【判断题】场效应管不存在电容效应。本题答案：【错误】16-03场效应管放大电路的动态分析1、【单选题】场效应管放大电路如图所示，假设各电容对交流呈短路，则输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式分别为（）。本题答案：【】2、【单选题】在下图所示放大电路中，耗尽型MOS管的gm=1ms，各电容对交流信号可视为短路。该电路的Au为（）。本题答案：【-3】3、【单选题】电路如图所示。其中RG=1.1MΩ，RS=10kΩ，场效应管的gm=0.9mS，各电容器的电容量均足够大，电源电压VDD的大小已足以保证管子能工作于恒流区。则电路的Au、Ri和Ro分别约为（）。本题答案：【0.9；1.1MΩ；1kΩ】4、【单选题】本题答案：【减小】5、【单选题】本题答案：【基本不变】6、【判断题】由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以图示电路中Rg的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响。本题答案：【正确】16-04场效应管与晶体管放大电路的比较1、【单选题】在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。本题答案：【场效应管】2、【单选题】在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。本题答案：【双极型晶体管】3、【单选题】如图所示的四种电路中，具有电压放大作用的是（）。本题答案：【（d）】4、【多选题】下列各种组态的放大电路中，具有输入电阻大、输出电阻低特点的有（）。（注：多选）本题答案：【共集放大电路#共漏放大电路】5、【多选题】下列各种组态的放大电路中，放大能力强，适于作为多级放大电路的中间级的有（）。（注：多选）本题答案：【共射放大电路#共源放大电路】6、【判断题】场效应管栅极几乎不取电；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。本题答案：【正确】7、【判断题】场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。本题答案：【错误】17-01多级放大电路的耦合方式1、【单选题】为了放大变化缓慢的微弱信号，多级放大电路应采用（）耦合方式。本题答案：【直接】2、【单选题】为了实现阻抗变换，则应采用（）耦合方式。本题答案：【变压器】3、【单选题】阻容耦合多级放大电路（）。本题答案：【只能放大交流信号】4、【单选题】直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。本题答案：【晶体管参数受温度影响】5、【单选题】一个带宽是0.1Hz~10MHz的宽频带多级放大电路，应采用（）耦合方式。本题答案：【直接】6、【单选题】要求组成的多级放大电路体积最小，应选（）耦合方式。本题答案：【直接】7、【多选题】下列属于直接耦合特点的是（）。（注：多选）本题答案：【低频特性好，可以放大缓慢变化的信号#适合于集成化的要求，在集成运放的内部，级间都是直接耦合】8、【判断题】只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。本题答案：【错误】17-02多级放大电路分析1、【单选题】关于多级放大电路下列说法中错误的是（）。本题答案：【Au等于各级电压放大倍数之和】2、【单选题】两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则电压增益的表达式为（）。本题答案：【】3、【单选题】两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则输入电阻的表达式为（）。本题答案：【】4、【单选题】两级放大电路如图所示，设两级放大电路的rbe为已知，则输出电阻的表达式为（）。本题答案：【】5、【单选题】两个单级共发射级放大电路的空载电压放大倍数分别是20和30，将它们用阻容耦合在一起，不接负载，其电压放大倍数是（）。本题答案：【小于600】6、【单选题】设计一个两级放大电路，要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级和第二级应分别采用（）。本题答案：【共源电路、共集电路】7、【多选题】图示的两级直接耦合放大电路中，β1=50，β2=30，UBEQ1=UBEQ2=0.7V，则有关静态值估算正确的是（）。（注：多选）本题答案：【IBQ2=108μA,UCEQ2=6.1V#IBQ1=40μA,UCEQ1=3.2V】17-03多级放大电路频率响应1、【单选题】多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带（）。本题答案：【变窄】2、【单选题】多级放大电路放大倍数的波特图是（）。本题答案：【各级波特图的叠加】3、【单选题】在一个两级放大电路中，已知第一级的中频电压放大倍数为-100，下限频率fL1=10Hz，上限频率fH1=20kHz；第二级的中频电压放大倍数为-20，下限频率fL2=100Hz，上限频率fH2=150kHz，则该两级放大电路的下限频率为（）Hz。本题答案：【110】4、【单选题】在一个两级放大电路中，已知第一级的中频电压放大倍数为-100，下限频率fL1=10Hz，上限频率fH1=20kHz；第二级的中频电压放大倍数为-20，下限频率fL2=100Hz，上限频率fH2=150kHz，则该两级放大电路的上限频率为（）kHz。本题答案：【18】5、【单选题】已知某放大电路的幅频特性如图所示，则该电路为（）级放大电路。本题答案：【三】6、【单选题】已知某放大电路的幅频特性如图所示，则在f＝Hz时，附加相移为（）。本题答案：【-135°】7、【填空题】已知某放大电路的幅频特性如图所示，则在f＝Hz时，增益下降（）dB。本题答案：【9】17-04集成运放简介1、【单选题】集成运放电路的实质是一个（）的多级放大电路。本题答案：【直接耦合式】2、【单选题】集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。本题答案：【在集成工艺中难于制造大电容】3、【单选题】输出级采用互补对称输出方式是为了使（）。本题答案：【带负载能力强】4、【单选题】抑制零点漂移主要是（）的主要任务。本题答案：【输入级】5、【单选题】偏置电路的主要作用是（）。本题答案：【设置各级静态工作点】18-01镜像电流源1、【单选题】电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻（）。本题答案：【远远大于直流等效电阻】2、【单选题】关于镜像电流源的特点，以下说法不正确的是（）。本题答案：【输出电流与基准电流不存在误差】3、【单选题】三极管电流源电路正常工作时，三极管处于（）工作状态。本题答案：【放大】4、【单选题】电流源电路如图所示，已知其中晶体管对管特性理想对称，β=100，UBE=0.7V，则输出电流IC1=（）mA。本题答案：【3】5、【判断题】镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。本题答案：【正确】6、【判断题】基本镜像电流源电路中，输出电流和参考电流完全相同。本题答案：【错误】7、【填空题】电流源电路如图所示，已知其中晶体管对管特性理想对称，β=100，UBE=0.7V，则参考电流IR=（）mA。本题答案：【1】18-02其他类型的电流源1、【单选题】下图所示的电流源电路中，VT3和VT4组成（）。本题答案：【镜像电流源】2、【单选题】下图所示的电流源电路中，VT1和VT2组成（）。本题答案：【微电流源】3、【单选题】如图所示精密镜像电流源，下列说法错误的是（）。本题答案：【和普通镜像电流源相比，输出电阻得到较大提高。】4、【单选题】4个电流源电路如图所示。其中（）不能正常工作。本题答案：【】5、【单选题】电流源如图所示，已知Io=10μA，+VCC=5V，-VCC=-5V，IR=1mA，UBE=0.7V，则电阻Re=（）kΩ。本题答案：【11.97】6、【单选题】如图所示是比例电流源，已知VCC=12V，R=10kΩ，Re1=1.4kΩ，Re2=400Ω，晶体管UBE=0.6V，β1，则输出电流Ic2的值为（）。本题答案：【3.5mA】7、【填空题】电流源如图所示，已知Io=10μA，+VCC=5V，-VCC=-5V，IR=1mA，UBE=0.7V，则电阻R=（）kΩ。本题答案：【9.3】18-03电流源的应用1、【单选题】共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其（）的特点以获得较高增益。本题答案：【直流电阻小、交流电阻大】2、【单选题】如图所示，该三极管共射放大电路采用有源负载，与普通共射放大电路相比，以下说法正确的是（）。本题答案：【该电路的增益比同一个三极管制作的普通共射放大电路要高】3、【单选题】图示为多路电流源电路,已知所有的晶体管均有UBE=0.7V，β1，则输出电流I1约为（）mA。本题答案：【4.67】4、【单选题】图示为多路电流源电路,已知所有的晶体管均有UBE=0.7V，β1，则输出电流I3约为（）mA。本题答案：【3.5】5、【判断题】在集成电路中应用电流源作为偏置电路，可以起到稳定电路工作点的作用。本题答案：【正确】19-01差分放大电路的结构和工作原理1、【单选题】差分放大电路的主要特点是（）。本题答案：【有效放大差模信号，有力抑制共模信号】2、【单选题】差分放大电路中，当ui1=300mV，ui2=200mV时，分解为共模输入信号为（）。本题答案：【250mV】3、【单选题】差分放大电路中，当ui1=300mV，ui2=280mV，Aud=100，Auc=1时，输出电压为（）。本题答案：【2.29V】4、【单选题】共模抑制比KCMR是（）。本题答案：【差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值】5、【单选题】共摸抑制比KCMR越大，表明电路（）。本题答案：【抑制零漂能力越强】6、【单选题】设某差分放大电路对差模输入信号的电压放大倍数Aud为100，共模抑制比KCMR=60dB，该电路对共模输入信号的电压放大倍数Auc等于（）。本题答案：【0.1】7、【判断题】一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。本题答案：【正确】19-02典型差分放大电路及其分析1、【单选题】差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（），从而提高共模抑制比。本题答案：【抑制共模信号】2、【单选题】差分放大电路如图所示。在共模输入信号作用下的交流等效电路中，Re对于单边电路的效果相当于（）。本题答案：【2Re】3、【单选题】差分放大电路如图所示。在差模输入信号作用下的交流等效电路中。Re相当于（）。本题答案：【短路】4、【单选题】电路如图所示，设T1、T2两管参数对称，且UBE1=UBE2=0.7V。则静态时，UCE1的值为（）。本题答案：【4.05V】5、【单选题】长尾式差分放大电路中，射极电阻Re增大，若保证静态工作点不变，则差模放大倍数Ad（）。本题答案：【不变】6、【单选题】长尾式差分放大电路中，射极电阻Re增大，若保证静态工作点不变，则共模放大倍数Ac（）。本题答案：【减小】7、【单选题】如下双入双出长尾差分放大电路，其差模增益表达式为（）。本题答案：【】19-03差分放大电路的四种接法1、【单选题】将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成双端输入-双端输出时，其差模放大倍数将（）。本题答案：【不变】2、【单选题】将单端输入-双端输出的差分放大电路改接成单端输入-单端输出时，其差模放大倍数将（）。本题答案：【几乎减小一半】3、【单选题】差分放大电路抑制零点温漂的能力是双端输出时比单端输出时（）。本题答案：【强】4、【单选题】差分放大电路单端输出时，对共模信号的