标准解读

《GB/T 44766-2024 微波电路 限幅器测试方法》是针对微波电路中限幅器性能评估与验证的一套国家标准。该标准旨在提供一套系统化的方法来测试和分析微波限幅器的关键参数,包括但不限于输入输出特性、动态范围以及频率响应等。通过这套测试流程,可以确保微波限幅器在不同应用场景下能够稳定可靠地工作。

标准首先定义了微波限幅器的基本概念及其分类方式,明确了不同类型限幅器适用的具体测试条件。接着,详细介绍了测试所需仪器设备的选择原则及配置要求,强调了环境因素如温度、湿度对测试结果可能造成的影响,并提出了相应的控制措施以保证测试准确性。

对于具体的测试项目,《GB/T 44766-2024》涵盖了从基础电性能到高级功能的全面覆盖:

  • 输入/输出电压比(VSWR)测量用于评估限幅器与传输线之间的匹配程度;
  • 插入损耗测试则反映了信号经过限幅器前后功率衰减情况;
  • 饱和输出功率是指限幅器所能承受的最大连续波或脉冲波功率水平而不发生损坏;
  • 开关时间特性描述了限幅器从关闭状态切换至开启状态所需的时间延迟;
  • 频率响应曲线展示了限幅器在整个工作频段内的性能一致性;
  • 温度稳定性试验用来检验限幅器在极端条件下保持正常工作的能力。

此外,标准还特别指出了数据处理与结果表示的要求,建议采用统计学方法来分析测试数据,以便更准确地反映限幅器的真实性能。同时,也提供了关于如何编写测试报告的指导性意见,包括必须包含的信息项、格式规范等内容。


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....

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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  • 2024-10-26 颁布
  • 2025-05-01 实施
©正版授权
GB/T 44766-2024微波电路限幅器测试方法_第1页
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文档简介

ICS31200

CCSL.58

中华人民共和国国家标准

GB/T44766—2024

微波电路限幅器测试方法

Microwavecircuits—Measuringmethodsforlimiter

2024-10-26发布2025-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44766—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测试条件仪器和设备

4、……………………2

测试条件

4.1……………2

测试仪器和设备

4.2……………………3

注意事项

4.3……………3

参数测试

5…………………3

插入损耗L

5.1(i)………………………3

插损平坦度L

5.2(Δi)……………………5

电压驻波比

5.3(VSWRi、VSWRo)……………………5

限幅电平P

5.4(lim)………………………6

尖峰泄漏功率P

5.5(leak(spike))……………7

平坦泄露功率P

5.6(leak(flat))……………8

尖峰能量W

5.7(l)………………………8

承受功率PP

5.8(cwm、pm)………………9

压缩输出功率P

5.91dB(o(1dB))………………………10

响应时间t

5.10(res)……………………11

恢复时间t

5.11(r)……………………12

反射功率P

5.12(r)……………………13

三阶交调IP

5.13(3)……………………14

三阶交调截点功率P

5.14(OIP3)………………………15

GB/T44766—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十五研究所中国电子技术标准化研究院南京国博

:、、

电子股份有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所

、。

本文件主要起草人都小凡周光辉汤朔向虎邓世雄吴维丽

:、、、、、。

GB/T44766—2024

微波电路限幅器测试方法

1范围

本文件描述了微波电路限幅器主要电参数的测试方法

本文件适用于微波电路限幅器包含无源限幅器半有源限幅器有源限幅器等

,、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

半导体器件第部分总则

IEC60747-11:(Semiconductordevices—Part1:General)

注半导体器件分立器件和集成电路第部分总则

:GB/T17573—19981:(IEC747-1:1983,IDT)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

31

.

插入损耗insertionloss

L

i

限幅器小信号工作时输入功率与输出功率之比

,。

32

.

插损平坦度insertionlossflatness

L

Δi

限幅器小信号工作时工作频带内插入损耗最大值与最小值之差

,。

33

.

电压驻波比voltagestandingwaveratio

VSWR

在均匀无耗传输线上电压振幅最大值与电压振

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