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文档简介

§4.7.2晶体管的高频等效模型三极管在高频运用时的物理过程与低频运用时不同。例如，在高频时，三极管极间电容的作用及接线电容的影响不可忽略。

一、晶体管的混合模型

二、晶体管电流放大倍数的频率响应1一、晶体管的混合模型1、完整的混合模型

2、简化的混合模型

3、混合模型的主要参数2一、晶体管的混合模型1、完整的混合模型我们在计算h参数的

h11(rbe)时，曾用到了晶

体管的物理模型，当时

没有考虑极间电容，考

虑到极间电容后的物理

模型如图所示：3一、晶体管的混合模型与此相对应的混合模型如下：

图中gm为跨导：4一、晶体管的混合模型2、简化的混合模型通常，rce远大于负载电阻，而也远大于C

的容抗，认为二者开路，如图：5一、晶体管的混合模型

由于C

跨接在输入与输出回路之间，使电路分析变复杂。因此，为简单起见，将C

等效在输入回路和输出回路，称为单向化。如图所示：6一、晶体管的混合模型

等效变换过程如下，变换前，从左往右看流过C

的电流为：7一、晶体管的混合模型

为保证等效变换，要求流过C´

的电流不变，端电压为，其容抗为：8一、晶体管的混合模型近似计算时，取中频时的值，即因此：同理，从C

的右端看进去，可得出：9一、晶体管的混合模型一般情况下，的容抗远大于集电极的总负载，可以忽略，由此可得出简化的混合模型如下：10一、晶体管的混合模型3、混合模型的主要参数

简化的混合模型有四个电路参数：

⑴：半导体器件手册中给出；⑵

：

11一、晶体管的混合模型⑶gm：与h参数模型相比，受控电流源的表达方

式不同，但表述的是同一物理量，即：12一、晶体管的混合模型⑷C´

：

C

的求解过程下面分析。13二、晶体管电流放大倍数的频率响应

在高频段，由于极间电容的存在，使晶体管的电流放大倍数不再象低频时保持常数，而是频率的函数。根据定义：因此14二、晶体管电流放大倍数的频率响应

如图所示：15二、晶体管电流放大倍数的频率响应

16二、晶体管电流放大倍数的频率响应可见的频率响应与低通电路相似，令：

ƒ

称为共射截止频率。17二、晶体管电流放大倍数的频率响应其对数幅频特性与对数相频特性为：18二、晶体管电流放大倍数的频率响应由此画出波特图：

图中ƒT是使下降到1（0dB）时的频率。

19二、晶体管电流放大倍数的频率响应令对数幅频特性等于零可以求出ƒT：20二、晶体管电流放大倍数的频率响应因为ƒT>>ƒ

，所以21二、晶体管电流放大倍数的频率响应在半导体手册可以查出ƒT和C

(Cob)，这样就可以计算出C

，而：至此，我们已得到混合模型的所有四个参数。22二、晶体管电流放大倍数的频率响应利用的表达式，可以求出

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