GB/T 44796-2024集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求

ICS31200

CCSL.55

中华人民共和国国家标准

GB/T44796—2024

集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺

过程和评价要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-sawing

processandevaluation

2024-10-26发布2025-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44796—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

一般要求

4…………………1

设备仪器和工装夹具

4.1、………………1

材料

4.2…………………2

一般注意事项

4.3………………………2

详细要求

5…………………3

环境

5.1…………………3

典型工艺流程

5.2………………………3

工艺准备

5.3……………4

贴膜

5.4…………………4

揭保护膜

5.5……………5

烘片必要时

5.6()………………………5

激光预切必要时

5.7()…………………5

划片

5.8…………………5

清洗

5.9…………………5

紫外解胶必要时

5.10()…………………6

标识转运和贮存

5.11、…………………6

包装

5.12…………………6

记录

5.13…………………6

评价要求

6…………………6

贴保护膜的评价要求必要时

6.1()……………………6

贴划片膜的评价要求

6.2………………7

揭保护膜的评价要求

6.3………………7

激光预切的评价要求

6.4………………7

划片的评价要求

6.5……………………7

清洗的评价要求

6.6……………………8

Ⅰ

GB/T44796—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第五十八研究所神州龙芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世伟李守委吉勇印琴任云飞郑卫华

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T44796—2024

集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺

过程和评价要求

1范围

本文件规定了及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺以下简称划片工艺的一

12in()

般要求详细要求和评价要求

、。

注

:1in=2.54cm。

本文件适用于及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺

12in。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

带凸点圆片bumpwafer

芯片外引出端为凸点的圆片

。

32

.

划片wafer-sawing

通过物理方法将芯片从圆片分离的工艺

,。

4一般要求

41设备仪器和工装夹具

.、

划片工艺所需设备仪器应定期进行鉴定和校准工装夹具应完好无损洁净规格尺寸应与工艺要

。、,

求相适应常用设备仪器及工夹具应满足表的要求