场效应管基础知识单选题100道及答案解析

场效应管基础知识单选题100道及答案解析1.场效应管是一种（）控制器件。A.电流B.电压C.电阻D.电容答案：B解析：场效应管是电压控制型器件，通过栅源电压来控制漏极电流。2.场效应管的输入电阻（）。A.很小B.较大C.中等D.很大答案：D解析：场效应管的输入电阻通常可达10^7-10^15欧姆，输入电阻很大。3.结型场效应管的栅源电压不能（）。A.为正B.为负C.为零D.不确定答案：A解析：结型场效应管的栅源电压必须为负，才能形成导电沟道。4.增强型MOS场效应管的开启电压（）。A.大于零B.小于零C.等于零D.不确定答案：A解析：增强型MOS场效应管的开启电压大于零。5.耗尽型MOS场效应管在栅源电压为零时（）。A.没有导电沟道B.有导电沟道C.导电沟道不确定D.以上都不对答案：B解析：耗尽型MOS场效应管在栅源电压为零时就有导电沟道。6.场效应管的跨导反映了（）。A.输入电压对输出电流的控制能力B.输入电流对输出电压的控制能力C.输出电压对输入电流的控制能力D.输出电流对输入电压的控制能力答案：D解析：场效应管的跨导表示输出电流对输入电压的控制能力。7.场效应管工作在恒流区时，其漏极电流主要取决于（）。A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电阻D.漏极电阻答案：A解析：在恒流区，漏极电流主要由栅源电压决定。8.场效应管的夹断电压是指（）。A.使导电沟道完全夹断时的栅源电压B.使导电沟道开始夹断时的栅源电压C.使漏极电流为零时的栅源电压D.以上都不对答案：A解析：夹断电压是使导电沟道完全夹断时的栅源电压。9.场效应管的输出特性曲线可分为（）个区域。A.2B.3C.4D.5答案：B解析：输出特性曲线分为可变电阻区、恒流区和截止区三个区域。10.以下哪种场效应管的输入电容最小（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的输入电容相对较小。11.场效应管的漏极特性曲线中，当漏源电压较小时，曲线呈现（）。A.直线B.抛物线C.双曲线D.不规则曲线答案：A解析：漏源电压较小时，漏极特性曲线近似为直线，处于可变电阻区。12.对于N沟道场效应管，栅源电压为负时，沟道（）。A.变宽B.变窄C.不变D.消失答案：B解析：栅源电压为负时，沟道变窄。13.场效应管的噪声（）双极型晶体管。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：B解析：场效应管的噪声通常小于双极型晶体管。14.场效应管的温度稳定性（）双极型晶体管。A.优于B.劣于C.等于D.不确定答案：A解析：场效应管的温度稳定性优于双极型晶体管。15.场效应管的放大作用主要是依靠（）。A.多数载流子的漂移运动B.多数载流子的扩散运动C.少数载流子的漂移运动D.少数载流子的扩散运动答案：A解析：场效应管的放大作用主要依靠多数载流子的漂移运动。16.场效应管的开启电压与（）有关。A.沟道的宽度B.沟道的长度C.半导体材料D.以上都是答案：D解析：开启电压与沟道的宽度、长度以及半导体材料等因素都有关系。17.当栅源电压等于零时，增强型MOS场效应管处于（）。A.导通状态B.截止状态C.放大状态D.饱和状态答案：B解析：栅源电压等于零时，增强型MOS场效应管处于截止状态。18.场效应管的输出电阻（）。A.很小B.较大C.中等D.不确定答案：B解析：场效应管的输出电阻较大。19.以下哪种场效应管的制造工艺最简单（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法比较答案：A解析：结型场效应管的制造工艺相对简单。20.场效应管的栅极电流（）。A.较大B.较小C.为零D.不确定答案：C解析：场效应管的栅极电流几乎为零。21.场效应管的转移特性曲线描述的是（）之间的关系。A.漏极电流和栅源电压B.漏极电流和漏源电压C.栅极电流和栅源电压D.栅极电流和漏源电压答案：A解析：转移特性曲线描述的是漏极电流和栅源电压之间的关系。22.耗尽型MOS场效应管的栅源电压可以（）。A.为正B.为负C.为零D.以上均可答案：D解析：耗尽型MOS场效应管的栅源电压可以为正、为负或为零。23.场效应管的低频跨导（）高频跨导。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：A解析：场效应管的低频跨导大于高频跨导。24.场效应管的阈值电压是指（）。A.开启电压B.夹断电压C.饱和电压D.截止电压答案：A解析：阈值电压通常指开启电压。25.场效应管的漏极饱和电流与（）有关。A.栅源电压B.漏源电压C.沟道电阻D.以上都是答案：D解析：漏极饱和电流与栅源电压、漏源电压和沟道电阻等都有关系。26.场效应管的导通电阻（）。A.很小B.较大C.中等D.不确定答案：B解析：场效应管的导通电阻较大。27.以下哪种场效应管的工作频率较高（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的工作频率通常较高。28.场效应管的热稳定性（）。A.好B.差C.中等D.不确定答案：A解析：场效应管的热稳定性好。29.场效应管的漏极电流随栅源电压的增大而（）。A.增大B.减小C.不变D.不确定答案：A解析：通常情况下，漏极电流随栅源电压的增大而增大。30.场效应管的栅极和源极之间的等效电容主要取决于（）。A.栅极面积B.源极面积C.沟道面积D.栅氧化层厚度答案：D解析：栅极和源极之间的等效电容主要取决于栅氧化层厚度。31.场效应管在放大区工作时，其漏极电流与漏源电压（）。A.成正比B.成反比C.无关D.不确定答案：C解析：在放大区，漏极电流主要由栅源电压控制，与漏源电压无关。32.场效应管的放大倍数通常用（）表示。A.电流放大倍数B.电压放大倍数C.功率放大倍数D.以上都不对答案：B解析：场效应管的放大倍数通常用电压放大倍数表示。33.对于P沟道场效应管，栅源电压为正时，沟道（）。A.变宽B.变窄C.不变D.消失答案：B解析：对于P沟道场效应管，栅源电压为正时，沟道变窄。34.场效应管的截止区对应输出特性曲线中的（）。A.漏极电流接近零的区域B.漏源电压较小的区域C.漏源电压较大的区域D.以上都不对答案：A解析：截止区对应漏极电流接近零的区域。35.场效应管的栅极电压控制（）。A.多数载流子的浓度B.少数载流子的浓度C.多数载流子的运动D.少数载流子的运动答案：A解析：栅极电压控制多数载流子的浓度。36.场效应管的输入阻抗主要由（）决定。A.栅极电阻B.栅源电容C.沟道电阻D.栅氧化层电容答案：D解析：输入阻抗主要由栅氧化层电容决定。37.场效应管的输出特性曲线中，恒流区的特点是（）。A.漏极电流随漏源电压线性变化B.漏极电流几乎不随漏源电压变化C.漏极电流随栅源电压线性变化D.漏极电流几乎不随栅源电压变化答案：B解析：在恒流区，漏极电流几乎不随漏源电压变化。38.以下哪种场效应管的导通压降较小（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的导通压降通常较小。39.场效应管的跨导与（）成正比。A.沟道宽度B.沟道长度C.栅氧化层厚度D.以上都不对答案：A解析：场效应管的跨导与沟道宽度成正比。40.场效应管的夹断区对应输出特性曲线中的（）。A.漏极电流接近零的区域B.漏源电压较小的区域C.漏源电压较大的区域D.以上都不对答案：A解析：夹断区对应漏极电流接近零的区域。41.场效应管的栅极和漏极之间的等效电容主要取决于（）。A.栅极面积B.漏极面积C.沟道面积D.栅氧化层厚度答案：D解析：栅极和漏极之间的等效电容主要取决于栅氧化层厚度。42.场效应管在可变电阻区工作时，其等效电阻随（）变化。A.栅源电压B.漏源电压C.漏极电流D.以上都是答案：A解析：在可变电阻区，等效电阻随栅源电压变化。43.场效应管的功率损耗主要发生在（）。A.栅极B.源极C.漏极D.以上都有可能答案：C解析：功率损耗主要发生在漏极。44.以下哪种场效应管的输入电容较大（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的输入电容较大。45.场效应管的漏极电流与温度的关系（）。A.随温度升高而增大B.随温度升高而减小C.几乎不受温度影响D.不确定答案：A解析：漏极电流通常随温度升高而增大。46.场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力称为（）。A.电流控制能力B.电压控制能力C.跨导D.增益答案：C解析：栅源电压对漏极电流的控制能力称为跨导。47.场效应管的输出特性曲线中，截止区的漏极电流（）。A.很大B.很小C.为零D.不确定答案：B解析：截止区的漏极电流很小。48.以下哪种场效应管的开关速度较快（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的开关速度通常较快。49.场效应管的栅极绝缘电阻（）。A.很小B.较大C.中等D.不确定答案：B解析：栅极绝缘电阻较大。50.场效应管的导通和截止由（）控制。A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流答案：A解析：场效应管的导通和截止由栅源电压控制。51.场效应管的转移特性曲线中，当栅源电压大于开启电压时，漏极电流（）。A.随栅源电压线性增大B.随栅源电压非线性增大C.几乎不变D.不确定答案：B解析：当栅源电压大于开启电压时，漏极电流随栅源电压非线性增大。52.场效应管的输出特性曲线中，可变电阻区的特点是（）。A.漏极电流随漏源电压线性变化B.漏极电流几乎不随漏源电压变化C.漏极电流随栅源电压线性变化D.漏极电流几乎不随栅源电压变化答案：A解析：可变电阻区的特点是漏极电流随漏源电压线性变化。53.以下哪种场效应管的噪声系数较小（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的噪声系数通常较小。54.场效应管的输入偏置电流（）。A.很大B.很小C.为零D.不确定答案：C解析：场效应管的输入偏置电流为零。55.场效应管的栅源电容与（）有关。A.栅极面积B.栅氧化层厚度C.沟道长度D.以上都是答案：D解析：栅源电容与栅极面积、栅氧化层厚度和沟道长度等都有关。56.场效应管的漏极电流在恒流区随栅源电压的变化（）。A.较大B.较小C.几乎不变D.不确定答案：B解析：在恒流区，漏极电流随栅源电压的变化较小。57.以下哪种场效应管的集成度较高（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的集成度通常较高。58.场效应管的热噪声主要来源于（）。A.沟道电阻B.栅极电阻C.漏极电阻D.源极电阻答案：A解析：场效应管的热噪声主要来源于沟道电阻。59.场效应管的栅极电压变化时，其（）变化较慢。A.漏极电流B.栅极电流C.源极电流D.以上都不对答案：A解析：由于场效应管是电压控制型器件，栅极电压变化时，漏极电流变化相对较慢。60.场效应管的输出特性曲线中，当漏源电压增加到一定值时，漏极电流（）。A.继续增加B.保持不变C.开始减小D.不确定答案：B解析：当漏源电压增加到一定值时，进入恒流区，漏极电流保持不变。61.以下哪种场效应管的抗辐射能力较强（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的抗辐射能力相对较强。62.场效应管的跨导与漏极电流的关系是（）。A.成正比B.成反比C.平方成正比D.平方成反比答案：A解析：场效应管的跨导与漏极电流成正比。63.场效应管的截止电压是指（）。A.开启电压B.夹断电压C.饱和电压D.击穿电压答案：B解析：截止电压通常指夹断电压。64.场效应管的输出特性曲线中，在截止区，其（）。A.输出电阻很大B.输出电阻很小C.输入电阻很大D.输入电阻很小答案：A解析：在截止区，场效应管的输出电阻很大。65.以下哪种场效应管的功耗较低（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的功耗通常较低。66.场效应管的栅极电压对漏极电流的控制作用可以用（）来描述。A.转移特性B.输出特性C.伏安特性D.以上都不是答案：A解析：栅极电压对漏极电流的控制作用用转移特性来描述。67.场效应管的阈值电压受（）影响。A.温度B.沟道长度C.栅极电压D.以上都是答案：D解析：阈值电压受温度、沟道长度、栅极电压等多种因素影响。68.场效应管的输出特性曲线中，可变电阻区的斜率表示（）。A.跨导B.输出电阻C.输入电阻D.增益答案：B解析：可变电阻区的斜率表示输出电阻。69.以下哪种场效应管的可靠性较高（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的可靠性相对较高。70.场效应管的跨导与（）有关。A.栅源电压B.漏源电压C.沟道长度D.沟道宽度答案：D解析：场效应管的跨导与沟道宽度有关。71.场效应管的输出特性曲线中，恒流区的漏极电流受（）控制。A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电阻D.漏极电阻答案：A解析：恒流区的漏极电流受栅源电压控制。72.以下哪种场效应管的价格较低（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：通常情况下，结型场效应管的价格较低。73.场效应管的开启电压与（）成正比。A.沟道掺杂浓度B.栅氧化层厚度C.沟道长度D.沟道宽度答案：B解析：场效应管的开启电压与栅氧化层厚度成正比。74.场效应管的输出特性曲线中，截止区的漏源电阻（）。A.很小B.很大C.中等D.不确定答案：B解析：截止区的漏源电阻很大。75.以下哪种场效应管的工艺复杂度较低（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的工艺复杂度相对较低。76.场效应管的跨导与（）成反比。A.沟道长度B.沟道宽度C.栅氧化层电容D.栅源电压答案：A解析：场效应管的跨导与沟道长度成反比。77.场效应管的输出特性曲线中，可变电阻区的漏极电流与（）成正比。A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电阻D.漏极电阻答案：B解析：可变电阻区的漏极电流与漏源电压成正比。78.以下哪种场效应管的稳定性较好（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的稳定性较好。79.场效应管的夹断电压随（）增大而减小。A.沟道长度B.沟道宽度C.栅氧化层厚度D.栅源电压答案：B解析：场效应管的夹断电压随沟道宽度增大而减小。80.场效应管的输出特性曲线中，恒流区的斜率表示（）。A.跨导B.输出电阻C.输入电阻D.增益答案：B解析：恒流区的斜率表示输出电阻。81.以下哪种场效应管的频率特性较好（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的频率特性通常较好。82.场效应管的跨导与（）成正比。A.栅氧化层电容B.沟道长度C.沟道掺杂浓度D.以上都不是答案：A解析：场效应管的跨导与栅氧化层电容成正比。83.场效应管的输出特性曲线中，截止区的栅源电压（）开启电压。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：B解析：截止区的栅源电压小于开启电压。84.以下哪种场效应管的线性度较好（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：A解析：结型场效应管的线性度较好。85.场效应管的开启电压受（）影响。A.温度B.栅极材料C.漏极材料D.源极材料答案：A解析：场效应管的开启电压受温度影响。86.场效应管的输出特性曲线中，可变电阻区的栅源电压（）开启电压。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：B解析：可变电阻区的栅源电压小于开启电压。87.以下哪种场效应管的输入电阻稳定性较好（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的输入电阻稳定性较好。88.场效应管的夹断电压与（）有关。A.栅极电压B.漏极电压C.沟道掺杂浓度D.源极电压答案：C解析：夹断电压与沟道掺杂浓度有关。89.场效应管的输出特性曲线中，恒流区的栅源电压（）开启电压。A.大于B.小于C.等于D.不确定答案：A解析：恒流区的栅源电压大于开启电压。90.以下哪种场效应管的开关特性较好（）。A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定答案：B解析：增强型MOS场效应管的开关特性较好。91.场效应管的