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文档简介

三极管的三种状态讲义三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态+-bceRL1k

共射极放大电路

图共射极放大电路VBBVCCVBEIBIEIC+-

vI+vBE

vO+-+iC+iE+iB

vI=20mV设若则电压放大倍数

iB=20uA

vO=-iC•

RL=-0.98V，

=0.98使

iB=f(uBE)

UCE=const(2)当UCE>

0V时，uCB=uCE

-uBE>0，部分非平衡少子形成集电极电流基区复合减少，同样的uBE下IB减小，特性曲线右移。(1)当UCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。一.输入特性曲线1.3.3BJT的特性曲线（以共射极放大电路为例）当UCE≥1V时，

IC/IB

增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时，曲线右移很不明显。非平衡少子大多数到达集电极，集电极电流随集射极电压无明显变化，此时三极管内部反馈很小（见输出特性）。图共射接法输入特性曲线

饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。iC=f(uCE)

IB=const二.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:1.3.3BJT的特性曲线截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，uBE小于开启电压，发射结、集电结均反偏。放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。

输出特性曲线是以IB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当uCE=0V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如：

uCE<1V

UBE=0.7V则：uCB=uCE-uBE

=0.3V<0.7V

集电区收集电子的能力很弱，iC主要由uCE决定。

1.3.3BJT的特性曲线

当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如

uCE≥1

V

UBE≥0.7

V

运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后uCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与uCE轴基本平行的区域(这与输入特性曲线随uCE增大而右移的原因是一致的)。

输出特性曲线三个区域的特点:饱和区——iC随uCE增大而增大，此时发射结正偏，集电结正偏。临界饱和状态：uCE=uBE

或uCB=0

判断：uBE增大，IB增大，iC基本不变。截止区——iC<ICEO，iB=0。此时，发射结反偏，集电结反偏。判断：近似认为iC=0放大区——iC仅

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