射频器件用低损耗陶瓷基板试验方法 标准文本

ICSXX.XXX.XX

CCSXXXX

团体标准

T/CSTMXXXXX—2022

射频器件用低损耗陶瓷基板试验方法

TestMethodsofLow-lossCeramicSubstrateforRadioFrequencyDevice

2022-XX-XX发布2022-XX-XX实施

中关村材料试验技术联盟发布

T/CSTMXXXXX—2022

前言

本部分参照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》，GB/T20001.4—

2015《标准编写规则第4部分：试验方法标准》给出的规则起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本标准由中国材料与试验团体标准委员会XXXX领域委员会（CSTM/FCXX）提出。

本标准由中国材料与试验团体标准委员会XXXX领域委员会（CSTM/FCXX）或技术委员会

（CSTM/FCXX/TCXX）归口。

本文件为首次发布。

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T/CSTMXXXXX—2022

引言

在5G通信领域迅速发展的驱使下，微波陶瓷材料凭借其系列化的介电常数（小型化、集成化）、

低损耗、温度系数小等特性，在射频电路中广泛应用。微波陶瓷材料性能参数对射频器件的功能表

现有着直接的影响，迫切需要更为系统完善的测试与验证方法来支撑当前5G高可靠性的发展。目

前国内外针对陶瓷材料较为齐全的测试方法标准有GB/T5593-2015和GB/T14620-2013,但是GB/T

5593-2015主要针对电子元器件用结构陶瓷，GB/T14620-2013更多关注薄膜集成电路用陶瓷基板材

料的常规性能要求，一方面缺乏高频信号下的介电常数、损耗因子、温度系数、特性阻抗、插入损

耗等微波特性方面的试验描述，另一方面缺少陶瓷基印制电路板相关试验方法，如焊盘粘合强度、

方阻测量和温度冲击等可靠性试验项目。本标准在吸收相关标准优点的基础上，建立一套完整的射

频器件用低损耗陶瓷材料测试及验证方法，填补该领域的空白。本标准改进优化的地方：

0.1本标准包含陶瓷基板材料的测试和验证两个环节，验证是通过生瓷材料经层压、切割、低

温共烧等一系列工序按照规定的烧结温度加工成元件级陶瓷基印制电路板，放在一起综合评价更加

系统化；

0.2本标准在陶瓷基板试样级增加了电性能1GHz~40GHz频率范围的介电常数、损耗因子与

温度系数带状线试验方法，生瓷材料厚度测量和工艺适应性X/Y/Z向收缩率等测试项目；陶瓷基印

制电路板元件级新增电性能特性阻抗、插入损耗和方阻测量，机械性能焊盘粘合强度和环境可靠性

温度冲击等测试项目，补充相关标准的欠缺。

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射频器件用低损耗陶瓷材料试验方法

重要提示（危险或警告或注意）：使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未

指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的

条件。

1范围

本文件规定了射频器件用低损耗陶瓷材料的机械性能、电性能、热性能、物理性能、工艺适应性及

环境可靠性的试验方法。

本文适用于生瓷材料测试及由生瓷材料烧结成陶瓷基板后的性能测试和验证。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1408.1-2016固体绝缘材料电气强度试验方法

GB/T5593-2015电子元器件结构陶瓷材料

GB/T5594.2-1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法杨氏弹性模量泊松比测试方法

GB/T5594.3-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第3部分：平均线膨胀系数测试方法

GB/T5598-2015氧化铍瓷导热系数测定方法

GB/T6569-2006精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T16534-2009精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T17473.3-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定

GB/T25995-2010精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T31838.2-2019固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性（DC方法）体积电阻和

体积电阻率

GJB360B-2009电子及电气元件试验方法

GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序

3术语和定义

GB/T9530-1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1抗折强度TransverseStrength

陶瓷材料受到弯曲负荷作用而破坏时的极限应力值。用弯曲破坏力矩与折断处的横截面积的比值来

表示，单位为兆帕MPa（N/mm2）。

[来源：GB/T5593-2015,3.12，有修改]

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3.2体积电阻率VolumeResistivity

又称比体积电阻。是表征电介质材料体积绝缘性能的重要指标。在数值上等于边长为1cm的立

方体电介质所具有的电阻。单位为欧姆厘米（Ω·cm）。

[来源：GB/T5593-2015,3.14]

3.3电击穿强度BreakdownStrength

介电强度DielectricStrength

绝缘强度InsulationStrength

处于电场中的介质，当电压增大到某一临界值时，将丧失其绝缘性的现象，相应的临界电压值为击

穿电压，相应的电场强度，称为电击穿强度。单位为千伏每毫米（kV/mm）。

[来源：GB/T5593-2015,3.16]

3.4弹性模量ElasticModulus

符合虎克定律的弹性体，在承受轴向拉力（或压力）时，在弹性限度范围内，应力（σ）与应变（ε）

的比值称为弹性模量，记为E。

[来源：GB/T5593-2015,3.18]

4要求

4.1试验条件

如果本标准没有特殊规定时，陶瓷材料的所有试验应在GB/T2421.1所规定的正常的试验大气条件

下（温度15℃~35℃，相对湿度45%~75%，气压86kPa~106kPa）进行。

4.2试验样品

4.2.1试样状态

根据测试项目的不同，试样级状态有烧结前的生瓷和由生瓷烧结后的陶瓷基板；元件级试样状态为

表面覆有金属导线或有金属化孔的接收态陶瓷基印制电路板。

4.2.2试样的制备

除非另有规定，陶瓷基板或陶瓷基印制板是由生瓷应经层压、切割、低温共烧等一系列工序按照规

定的烧结温度加工而成。

4.3试验报告

除另有规定外，试验报告应包括下列内容：

a）试样信息，如：试样牌号、生产厂家、数量等；

b）试验条件信息：环境条件、测试标准、测试条件；

c）测量结果；

d）人员与日期信息：试验日期、检测人、复核人和批准人。

5尺寸

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5.1厚度

5.1.1目的

本方法用于测量生瓷材料基板的厚度。

5.1.2设备

千分尺或等效测量器具，精度±0.001mm。

5.1.3试样

除另有规定外，样品为生瓷材料。

5.1.4步骤

试样保持垂直或水平，去除生瓷材料上的离型膜，在距离生瓷材料基板边缘10mm以上的内侧，使

用千分尺测量生瓷材料上9个点不同位置的厚度，每个点值准确至0.001mm。如图1所示。

图1厚度测试点示意图

5.1.5报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括每一个点测量厚度值及厚度平均值，单位毫米（mm）。

6电性能

6.1介电常数、损耗角正切值及温度系数

6.1.1目的

本方法用于测试频率在1GHz~40GHz范围内（陶瓷基板）的介电常数、损耗角正切值以及介电常数

温度系数和损耗角正切值温度系数。

6.1.2测试条件

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环境温度应为（23±2）℃，湿度：50%±5%。

6.1.3测试原理

两端开路的带状传输线具有谐振电路特性，它的谐振频率f与被测介质基板的介电常数相关，其

固有的品质因数Q值与被测介质基板的介电损耗角正切相关。因此，通过测量带状线谐振器的谐

振频率以及固有的品质因数的数值得到介质基板的介电常数和损耗角正切。

6.1.4设备

a）网络分析仪（支持频率1GHz-40GHz）或等效测试仪器；

b）变温带状线测试系统(支持频率1GHz-40GHz)或等效测试系统；

c）数显千分尺：分辨率0.001mm；

d）游标卡尺：分辨率0.01mm；

e）空气循环烘箱，温度能保持在℃。

6.1.5试样

试样要求如下：

a）距板边大于20mm区域取样，样品尺寸为（50±0.1）mm×（30±0.1）mm，单个试样厚度（0.5~2）

mm，数量是3组，测试时以2块试样为一组，每组试样中两块试样的长度、宽度和厚度的一致性应小于

±0.02mm；

b）试样为由（4~15）张生瓷材料材料烧结成陶瓷基板且表面未覆金属和未经钻孔处理；

c）样品应为均匀介质，表面应无不正常斑点，内部无不正常的杂质和气孔，在测试前应严格清洁

和干燥处理。

6.1.6测试步骤

6.1.6.1预处理

试样应在（23±2）℃和（50±5）%RH下处理至少24小时。如果试样在潮湿空气中暴露时间长，应

先在在℃的空气循环烘箱中干燥2小时，然后在上述的温湿度条件下进行预处理。

6.1.6.2准备

主机至少提前开机预热30min，使其达到稳定。

6.1.6.3测量

测量样品的长度、宽度以及2块样品叠加之后的总厚度，并记录。

6.1.6.4样品安装

把试样装入测试夹具中，并将安装有被测样品的测试夹具放置在带状线谐振器测试系统的测试加压

块上，测试夹具放置的方向为样品中所夹金属导带纵向与耦合探针平行的方向。

6.1.6.5常温测试

a）对样品施加适当的压力，设置仪器扫描频率，观察所要测试频率范围内的谐振峰值；

b）调节探针位置，使两边探针距离样品位置保持一致，同时谐振峰值调节到预置的某一位置，记

录谐振峰值所在频率；

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c）输入样品长度、宽度和样品总厚度，开始测试，并记录测试频段范围内谐振频点、介电常数和

介质损耗角正切；

d）测试不同频段的介电常数和介质损耗角正切值，重复6.1.6.5步骤（1）~（3）。

6.1.6.6高温测试

a）将样品按照6.1.6.4的要求进行试样安装；

b）对样品施加适当的压力，设置温漂(温度系数)所要测试的频段（频段覆盖所要测试的频点，且

频段不可太宽），观察所要测试频率范围内的谐振峰值；

c）同6.1.6.5步骤b）；

d）密封测试系统；

e）释放施加在样品上的压力，使其压力值归为零；

f）设置温度控制仪上所需测试温度，开始升温，当温度达到设定温度值后，温度稳定至少20分钟；

g）对样品施加适当的压力；

h）输入样品长度、宽度和样品总厚度，开始测试，并记录测试频段范围内谐振频点、介电常数和

介质损耗角正切；

i）测试不同温度的介电常数和介质损耗角正切值，重复6.1.6.6步骤a）~h）。

6.1.6.7低温测试

a）打开低温恒温反应浴，调成制冷模式，设置所需达到的温度，对反应浴进行降温处理；

b）按照6.1.6.4进行试样安装；

c）对样品施加适当的压力；

d）按6.1.6.6步骤b）~e）调节测试夹具；

e）设置温度控制仪上所需测试温度，连接低温反应浴与测试系统，开始降温。当温度达到设定温

度值后，温度稳定至少20分钟；

注：低温测试时，需要同时向测试系统注入保护气体（氮气），保证测试空间内不存在结霜或者结

冰现象。

f）按6.1.6.6步骤g）~i）测试样品介电常数和介质损耗角正切值。

6.1.6.8温度系数计算

……………………式（1）

……………式（2）

式（1）和式（2）中：

TCDk—介电常数的温度系数，10-6/℃；

TCDf—介电损耗角正切值的温度系数，单位10-6/℃；

T1—测试温度，℃；

T2—测试温度，℃；

Dk(T1)—T1温度下的介电常数；

Dk(T2)—T2温度下的介电常数；

Df(T1)—T1温度下的介电损耗角正切值；

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Df(T2)—T2温度下的介电损耗角正切值。

6.1.7报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：

a）平均介电常数；

b）平均损耗角正切值；

c）试样预处理条件；

d）测试的环境条件；

e）试样是否叠加与叠加情况；

f）测试中任何异常现象或规定程序的差异和偏差。

6.2体积电阻率

测量陶瓷基板体积电阻率时，应按GB/T31838.2-2019规定的方法进行。

6.3击穿强度

测量陶瓷基板击穿强度时，应按GB/T1408.1-2016规定的方法进行。

6.4特性阻抗（陶瓷基印制电路板）

6.4.1目的

本方法适用于验证将生瓷材料加工成陶瓷基印制电路板后的特性阻抗。

6.4.2设备

时域反射法（TDR）阻抗分析仪或者同等功能带TDR模块的网络分析仪。

6.4.3试样

试样应设计有50Ω单端传输线或100Ω差分阻抗线测试图形的陶瓷印制板，并且该阻抗线应为传输线

结构，阻抗传输线的典型测试图形如图2所示。其中差分阻抗线的线间距为7mil，线宽可根据具体基材

Dk/Df以及导线厚度进行调整，阻抗线长度应大于TDR的分辨率，阻抗线长度一般为100mm~150mm，

具体长度应由印制板客户或供应商规定。

图2阻抗线示意图

6.4.4试验步骤

6.4.4.1预热

开启仪器预热30min，使其达到稳定。

6.4.4.2系统校准

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a）连接测试电缆与网络分析仪，并使用制造供应商提供的的力矩扳手旋紧；

b）设置频率扫描范围；

c）连接网络分析仪和校准件进行电缆校准。

6.4.4.3测试步骤

a）连接单端/差分测试探头，将探头置于空气中测量测试探头的TDR波形，建立测试区域起点；

b）将探头连接到被测样品，测量被测样品的TDR波形，将终点光标放置于被测样品波形的末端作

为测试区域的终点；

c）数据处理，对测试区域内所得曲线设置取值范围（50%~70%或供需双方协商确定），读取该范

围内的平均值，该值为传输线的阻抗值，记录传输线阻抗值；

d）选取3条阻抗线进行测试，重复6.4.4.3步骤b）~c）。

6.4.5报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：

a）测试位置；

b）阻抗测量结果平均值。

6.5插入损耗（陶瓷基印制电路板）

6.5.1目的

本方法采用AFR（AutomaticFixtureRemoval，自动夹具去除）法验证将生瓷材料加工成陶瓷基印

制电路板后的插入损耗。

6.5.2设备

a）网络分析仪；

b）校准件；

c）标准SMA（Sub-Miniature-A，超小型A）连接器。

6.5.3试样

试样应设计有两种长度的单端传输线或差分传输线测试图形的陶瓷印制板，并且该传输线应为带状

线结构，传输线的典型测试图形如图3所示。传输线两端应设计有信号发射连接器焊盘，该焊盘用于与

SMA连接器连接。建议长线和短线各自线间距均为7mil，线宽可根据具体基材Dk/Df以及导线厚度进行

调整，传输线长线线长在5inch~10inch之间，短线线长在2inch~5inch之间，长线与短线的长度差值建议

大于2inch，具体长度应由印制板客户或供应商规定。

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图3AFR插入损耗测试传输线示意图

6.5.4试验步骤

6.5.4.1预热

网络分析仪设备应在制造商推荐的校准周期内进行校准，测试前主机至少开机预热30min，使仪器

达到稳定。

6.5.4.2系统校准

a）连接测试电缆与网络分析仪，并使用制造供应商提供的的力矩扳手旋紧；

b）设置频率扫描范围；

c）连接网络分析仪和校准件进行电缆校准。

6.5.4.3测试步骤

a）将标准SMA连接器安装在陶瓷测试板，并使用螺丝拧紧；

b）连接电缆和标准SMA连接器，并使用制造供应商提供的的力矩扳手旋紧；

c）设置测试频率范围；

d）测试长线损耗；

e）测试短线损耗；

f）依据设备制造商提供的软件算法进行去嵌处理；

g）根据要求标定相应测试频点的插入损耗。

6.5.5报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：

a）测试频率；

b）插入损耗曲线图。

6.6方阻测量（陶瓷基印制电路板）

测量陶瓷基印制电路板的方阻时，应按GB/T17473.3-2008规定的方法进行。

7热性能

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7.1线膨胀系数

测量陶瓷基板的线膨胀系数时，应按GB/T5594.3-2015规定的方法进行。

7.2导热系数

测量陶瓷基板的导热系数时，应按GB/T5598-2015规定的方法进行。

7.3热稳定性

测量陶瓷基板的热稳定性，应按GB/T5593-20155.8规定的方法进行。

8机械性能

8.1抗折强度

测量陶瓷基板的抗折强度时，应按GB/T6569-2006规定的方法进行。

8.2杨氏模量

测量陶瓷基板的杨氏模量时，应按GB/T5594.2-1985规定的方法进行。

8.3焊盘粘合强度（陶瓷基印制电路板）

8.3.1目的

本方法用于验证将生瓷材料加工成陶瓷基印制电路板表面焊盘的粘合强度。

8.3.2设备

a）微机控万能拉力试验机，能准确测量至0.05N；

b）焊烙铁，温度误差±3℃；

c）光学显微镜，可放大10X~30X倍数；

d）测试引线。

8.3.3试样

试样为陶瓷印制板上尺寸为（0.2~2.5）mm×（0.1~1.25）mm的表面安装盘。

8.3.4试验步骤

a）使用光学显微镜放大测量所测表面安装盘的尺寸大小；

b）将测试引线焊接到所测表面安装盘上，焊接完成后，将试样置于测试机的固定架上。除非有测

试温度要求，否则测试应在室温（18℃～30℃）下进行；

c）将未焊接的引线头固定在测试机的夹具上，并保持垂直状态；

d）用50mm/min的速度垂直拉引线，直到发生失效或超过规定值；

e）引线断裂或引线拉脱，不应认为是失效，应将新的引线焊接到新的表面安装盘上；

f）计算表面安装盘的粘结强度。

8.3.5结果计算

a）表面安装盘的粘结强度计算公式：粘结强度=拉脱力值/表面安装盘的面积；

b）测量5个表面安装盘的粘结强度。

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8.3.6报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：

a）被测表面安装盘的面积，mm2；

b）表面安装盘的拉脱力值，N；

c）拉力机速率，mm/min；

d）粘结强度，N/mm2。

9物理性能

9.1体积密度

测量陶瓷基板的体积密度时，应按GB/T25995-2010规定的方法进行。

9.2硬度（维氏）

测量陶瓷基板硬度时，应按GB/T16534-2009规定的方法进行。

10可加工性

10.1显微剖切

10.1.1目的

本方法适用于测量将生瓷材料加工成陶瓷基印制电路板后的孔径大小。

10.1.2设备

a）研磨机，（0~800）rpm无级调节；

b）金相显微镜，可放大50X~200X。

10.1.3试样

接收态陶瓷基印制电路板上带有镀覆孔的试样。

10.1.4试验步骤

将试样用环氧树脂镶嵌后进行平磨抛光，直到划痕和污斑消失，漂洗干净后，在金相显微镜下对样

品镀覆孔孔径进行测量，测量至少3个孔的孔径。

10.1.5报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：孔径大小。

11工艺适应性

11.1XY向收缩率

11.1.1目的

本方法用于评定陶瓷基板烧结前后的XY方向的尺寸变化率。

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11.1.2设备和材料

本试验所需适用于规定程序的仪器和材料如下：

a）CNC视像测量系统，最大示值误差：±3.2µm，测试精度：0.1µm；

b）4.2.2试样制备所需的设备和材料。

11.1.3试样

本试验生瓷试样尺寸为100mm×100mm±0.75mm，烘干后的生瓷片应钻有孔径至少0.2mm的四个

孔；陶瓷基板是由8张生瓷片叠加烧结而成。试样形状及尺寸见图4。

图4XY收缩率测试试样示意图

11.1.4试验步骤

a）随机取8片生瓷片，将生瓷表面的离型膜去除；

b）在十万级的净化间和（22±2）℃的条件下，将生瓷片进行烘干预处理，烘干条件为：100℃烘

20min；

c）经过预处理后，采用冲孔机进行标记冲孔，按照4.2.2试样制备要求，将8张生瓷片叠加层压，层

压温度80℃，将层压后的基板使用11.1.2a）规定的设备测量生瓷XY方向尺寸并记录；

d）按照4.2.2试样制备要求，将层压后的生瓷基板烧结成陶瓷基板，峰值烧结温度为（850~900）℃；

e）使用11.1.2a）规定的设备测量烧结后的陶瓷基板XY方向尺寸，并记录。

11.1.5结果计算

按式（3）计算X方向的收缩率，按式（4）计算Y方向的收缩率。

………………式（3）

………………式（4）

式中：为X方向的收缩率，%；

为Y方向的收缩率，%；

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为层压后烧结前的尺寸，单位：mm；

为烧结后尺寸，单位：mm；

A-B表示试样上A点至B点的距离；

A-C表示试样上A点至C点的距离；

B-C表示试样上B点至C点的距离；

B-D表示试样上B点至D点的距离。

11.1.6报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：试样烧结前的尺寸值、烧结后的尺寸值、各方向的尺寸收缩

率。

11.2Z向收缩率

11.2.1目的

本方法用于评定陶瓷基板烧结前后的Z方向的尺寸变化率。

11.2.2设备和材料

a)千分尺或等效测量器具，精度±0.001mm；

b）4.2.2试样制备所需的设备和材料。

11.2.3试样

本试验生瓷试样尺寸为100mm×100mm±0.75mm，陶瓷基板是由生瓷片叠加烧结成8层板。

11.2.4试验步骤

a）随机选取8片生瓷片，将生瓷表面的离型膜去除；

b）在十万级的净化间和（22±2）℃的条件下，将生瓷片进行烘干预处理，烘干条件为：100℃烘

20min；

c）按照4.2.2试样制备要求，将8张生瓷片叠加层压，层压温度80℃，使用11.2.2a）规定的设备按照

5.1测量层压后生瓷基板的厚度均值，并记录为R0；

d）按照4.2.2试样制备要求，将8片生瓷烧结成陶瓷基板，峰值烧结温度为（850~900）℃；

e）按照5.1规定的方法测量烧结后的陶瓷基板的厚度值，记录均值为R1。

11.2.5结果计算

按式（5）计算Z方向的收缩率。

……………式（5）

式中：为Z方向的收缩率，%

R0为烧结前试样尺寸，单位：mm

R1为烧结后试样尺寸，单位：mm

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11.3可焊性

测量陶瓷基印制板的焊盘可焊性时，应按GJB548B-2005方法2003.1规定的方法进行。

11.4耐焊性

测量陶瓷基印制板的耐焊性时，应按GJB360B-2009方法210规定的方法进行。

12环境可靠性

12.1温度冲击（陶瓷基印制电路板）

12.1.1目的

本方法适用于验证将生瓷材料加工成陶瓷基印制电路板后抗温度冲击性能。

12.1.2设备

a）高低温冲击试验箱，温度偏差范围为±2℃，低温能维持℃，高温能维持℃；

b）微机控万能拉力试验机，能准确测量至0.05N；

c）焊烙铁，温度误差±3℃；

d）光学显微镜，可放大10X~30X倍数；

e）测试引线。

12.1.3试样

试样为陶瓷印制板上尺寸为（0.2~2.5）mm×（0.1~1.25）mm的表面安装盘。

12.1.4试验步骤

a）印制板试样应按高温℃，低温℃，高低温各保持30min条件经受50个温度循环，试样

温度从室温到达规定温度的时间不大于2min；

b）试验后观察试样表面有无镀层裂缝、变色等异常；

c）温冲完成后再按8.3规定的方法测焊盘粘合强度。

12.1.5报告

除4.3的规定外，试验报告还应包括：

a）温度冲击条件；

b）外观检查的结果；

c）焊盘的粘合强度值。

15

T/CSTMXXXXX—2022

附录A

（资料性）

起草单位和主要起草人

本文件起草单位：XXXXX

本文件主要起草人：XXXXX

_________________________________

16

T/CSTMXXXXX—2022

目次

目次...............................................................................1

前言...............................................................................1

引言...............................................................................2

1范围...............................................................................3

2规范性引用文件.....................................................................3

3术语和定义.........................................................................3

4要求...............................................................................4

5尺寸...............................................................................4

6电性能.............................................................................5

7热性能............................................................................10

8机械性能..........................................................................11

9物理性能..........................................................................12

10可加工性.........................................................................12

11工艺适应性.......................................................................12

12环境可靠性.......................................................................15

附录A（资料性）起草单位和主要起草人...............................................16

1

T/CSTMXXXXX—2022

射频器件用低损耗陶瓷材料试验方法

重要提示（危险或警告或注意）：使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未

指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的

条件。

1范围

本文件规定了射频器件用低损耗陶瓷材料的机械性能、电性能、热性能、物理性能、工艺适应性及

环境可靠性的试验方法。

本文适用于生瓷材料测试及由生瓷材料烧结成陶瓷基板后的性能测试和验证。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1408.1-2016固体绝缘材料电气强度试验方法

GB/T5593-2015电子元器件结构陶瓷材料

GB/T5594.2-1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法杨氏弹性模量泊松比测试方法

GB/T5594.3-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第3部分：平均线膨胀系数测试方法

GB/T5598-2015氧化铍瓷导热系数测定方法

GB/T6569-2006精细陶瓷弯曲强度试验方法

GB/T16534-2009精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T17473.3-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定

GB/T25995-2010精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T31838.2-2019固体绝缘材料介电和电阻特性第2部分：电阻特性（DC方法）体积电阻和

体积电阻率

GJB360B-2009电子及电气元件试验方法

GJB548