北京联合大学《信号与系统》2021-2022学年第一学期期末试卷_第1页
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学校________________班级____________姓名____________考场____________准考证号学校________________班级____________姓名____________考场____________准考证号…………密…………封…………线…………内…………不…………要…………答…………题…………第1页,共3页北京联合大学

《信号与系统》2021-2022学年第一学期期末试卷题号一二三总分得分一、单选题(本大题共20个小题,每小题2分,共40分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的.)1、在电子电路中,反馈放大器的类型有电压反馈和电流反馈,以下哪种说法是正确的?A.电压反馈能稳定输出电压,电流反馈能稳定输出电流B.电压反馈能稳定输出电流,电流反馈能稳定输出电压C.电压反馈和电流反馈都能稳定输出电压D.电压反馈和电流反馈都能稳定输出电流2、在光通信系统中,光纤的损耗是一个重要的参数。以下哪种因素不是造成光纤损耗的主要原因:A.吸收损耗B.散射损耗C.弯曲损耗D.电磁干扰3、在半导体存储器中,以下哪种存储器具有读写速度快但断电后数据丢失的特点?A.静态随机存储器(SRAM)B.动态随机存储器(DRAM)C.只读存储器(ROM)D.闪存(FlashMemory)4、在数字逻辑设计中,卡诺图是化简逻辑函数的常用工具。使用卡诺图化简逻辑函数时,相邻的最小项可以合并,其合并的原则是:A.逻辑相邻且取值相同B.逻辑相邻且取值相反C.逻辑不相邻但取值相同D.逻辑不相邻且取值相反5、在射频通信系统中,以下哪种技术可以提高频谱利用率?A.正交频分复用(OFDM)B.码分多址(CDMA)C.时分多址(TDMA)D.频分多址(FDMA)6、在模拟通信系统中,单边带(SSB)调制的优点是?A.节省带宽B.抗干扰能力强C.实现简单D.功率利用率高7、在微处理器系统中,以下关于中断和异常的描述,哪一项是正确的?A.中断是由外部事件引起的,异常是由内部错误引起的B.中断和异常都是由外部事件引起的C.中断是由内部错误引起的,异常是由外部事件引起的D.中断和异常没有区别8、在数字通信系统中,差错控制编码可以提高数据传输的可靠性。卷积码是一种常用的差错控制编码方式,以下关于卷积码的特点,哪一项是错误的?A.编码效率较高B.译码复杂度较低C.具有记忆性D.适用于连续的数据流9、在集成电路制造工艺中,光刻技术用于?A.形成电路图案B.掺杂C.氧化D.扩散10、对于一个放大器,若要增大其输出功率,以下哪种方法可能有效?A.提高电源电压B.增加负载电阻C.提高输入信号幅度D.以上都是11、关于模拟集成电路中的运算放大器,以下哪种说法是不正确的?A.运算放大器是一种高增益的直流放大器,具有差分输入和单端输出。B.理想运算放大器的输入电阻无穷大,输出电阻为零,开环增益无穷大。C.运算放大器可以构成各种功能的电路,如加法器、减法器、积分器和微分器等。D.运算放大器的性能只取决于其内部电路结构,与外部电路的连接方式无关。12、对于一个数字锁相环,以下哪个部分决定了环路的捕捉带宽:A.鉴相器B.环路滤波器C.数控振荡器D.分频器13、在电子电路中,二极管是一种常用的半导体元件。二极管具有单向导电性。以下关于二极管的说法中,错误的是?A.二极管可以用于整流。B.二极管可以用于稳压。C.二极管在正向偏置时导通,反向偏置时截止。D.二极管的导通电阻为零。14、在射频电路设计中,以下哪种器件常用于实现信号的功率放大?A.场效应管B.双极型晶体管C.射频二极管D.功率放大器模块15、对于一个数字系统,若要提高其工作速度,以下哪种方法可能会被采用?A.增加流水线级数B.减少逻辑门的数量C.降低时钟频率D.增加存储单元的容量16、在集成电路设计中,CMOS工艺具有诸多优点。以下关于CMOS工艺的描述,哪一项是错误的?A.功耗低B.集成度高C.速度快D.噪声容限小17、在电子电路中,以下哪种电路用于产生矩形脉冲信号?A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.以上都是18、在模拟通信系统中,调幅(AM)信号的解调方法包括?A.相干解调B.包络检波C.同步检波D.以上都是19、在模拟电子电路中,功率放大器的效率是一个重要的指标。甲类功率放大器的效率通常:A.低于50%B.在50%-78.5%之间C.高于78.5%D.接近100%20、对于数字信号处理中的滤波器设计,以下哪种说法是错误的?A.低通滤波器允许低频信号通过,抑制高频信号;高通滤波器则相反。B.带通滤波器允许特定频段的信号通过,带阻滤波器则抑制该频段的信号。C.数字滤波器可以通过模拟滤波器的数字化得到,也可以直接在数字域进行设计。D.滤波器的性能只取决于其截止频率,与滤波器的阶数和类型无关。二、简答题(本大题共4个小题,共40分)1、(本题10分)在集成电路制造中,外延生长技术的原理和应用是什么?分析外延层的质量对集成电路性能的影响。2、(本题10分)在程控交换系统中,简述呼叫处理的基本流程,以及其中涉及的关键技术和控制机制。3、(本题10分)在集成电路制造工艺中,光刻是关键步骤之一。请详细说明光刻的工艺流程,包括光刻胶涂覆、曝光、显影等环节,以及光刻工艺中的关键技术和挑战。4、(本题10分)论述在数字电路中,同步时序电路和异步时序电路的区别和优缺点。三、设计题

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