电子科技大学硕士考试大纲

812笔试（闭卷180150（一）12（二）2（三）1（四）1（五）134（六）123（七）2、DEM的主要表示方法3、DEM1、3SWebGIS的实现技术3、GIS813笔试（闭卷180150《电磁场与电磁波》(第四版)谢处方高等教育出版社2006Laplace、PoissonHelmholtz方程，掌握一维问题微分方程的求解方法；（自感、外感波动方程、横纵关系、TEM波、TE波、TM波；均匀（非均匀）平面波、球面波、导行电磁波；无耗媒质、损耗媒质、理想导体、复介电常数；Poynting矢量、Poynting定理；波矢量、传播透射、全反射、全透射；反射系数、驻波系数、透射系数、波阻抗、临界角、Brewster角等。TMmn814笔试（闭卷180150《电力电子技术》(第四版)王兆安机械工业出版社2004MOSFET、IGBT等电力电子器件的结构、原理、特性和使用方法；PWM技术的工作原理和控制特性，了解软开关技术的基本原理；（一）：～20%30分。电力电子技术的基本概念。各种二极管；半控型器件：晶闸管；典型全控型器件：GTOMOSFET、IGBT、BJT；IGCT、MCT、SIT、STIH等其他电力电子器件；功率集成电路和智能功率模块；电力电子器件的串并联；电力电子器件的保护；（二）：～44%60分。单相可控整流电路；三相可控整流电路；变压器漏抗对整流流电路的有源逆变工作状态；相位控制电路。（三）：～12%20分。降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路；复合斩波电（四）：～6%10分。单相相控式交流调压电路；三相相控式交流调压电路；交流调功（五）：～12%20路和多电平逆变电路。PWMPWMPWM波形的生成方法；PWMPWM逆变电路；PWM整流电路。（六）：～6%10分。软开关技术的分类与基本概念。间接交流变流电路；交—直—交变频电路（VVVF（CVCF。1、选择题：302、填空题：503、简答题：254、推论题：155、计算题：30815笔试（闭卷180150《电路分析》胡翔骏高等教育出版社2001电路的基础知识：电阻电路分析：动态电路的时域分析：了解二阶电路，RLC正弦稳态分析：RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带，带通滤波特性，817笔试（闭卷180150《电子测量》(2版)《数字电子技术基础》(5版)《数字设计——原理与实践》(3版)JohnF.Wackerly机械工业出版社2003（75分11测量和计量的基本概念（1）测量的定义，测量的组成（2）测量的量值比较原理，间接比电子测量的基本内容和主要特点（1）电子测量在测量科学技术中的地位（2）电子测量所电子测量的基本实现技术（1）变换技术（2）比较技术（3）处理技术（4）电子测量方法的分类（1）直接测量与间接测量（2）有源量测量与无源量测量（3）频域、测量仪器和测量系统的基本特性（1）静态特性及基本参数（2）动态特性的频域和时域的2测量误差的基本概 （1）定义（2）来源（3）分类（4）表示方随机误差的统计特性与统计处理方 系统误差的判断及消除方法（1）定义、特征、分类（2）发现方法、判据（3）削弱或消粗大误差的判断及剔除方 （1）判别准则（2）剔除方等精度测量和不等精度测 （1）等精度测量结果的数据处理（2）不等精度测量的加权测量不确定度（1）基本概念（2）分类（3）评定方法（4）3时间与频率的测量原 （1）模拟测量技术（2）数字测量技电子计数器的组成原理和主要测量功 （1）测频（2）测周（3）测频比（4）测时间间 （1）测频误差（2）测周误差（3）测频和测周±1误差的比较，高分辨率时间和频率测量技 （1）多周期同步测量技术（2）模拟内插法（3）游标微波频率测量技 （1）变频法（2）置换 调制域测量技 （1）调制域测量的基本概念（2）无间歇计数器的实4交流电压的测量（1）AC/DC转换的原理（2）峰值电压表、均值直流电压的数字测量技术（1）DVM的组成及主要性能指标（2）逐次逼近式、单斜式、A/D转换原理 DVM的误差分析及自动化技术（1）DVM的固有误差（2）DVM附加误差（3）DVM的主要部件的误差（4）DVM的自动校正技术（5）DVM的自动量程技术 5、信号波形测量（信号时域测量CRT结构及波形显示原理（1）CRT的组成及基本性能参数（2）光点扫描波形模拟显示技术和通用示波器（1）通用示波器的组成（2）Y（垂直）通道及其主要性波形取样技术及取样示波器（1）波形取样与显示原理（2）取样示波器的组成原理与主要波形存储技术及数字存储示波器（1）波形的模拟存储（记忆示波器）和数字存储（2）数示波器的基本测量技术（1）示波器的主要性能、选用原则及使用要点（2）压的方法（3）示波器测量时间，频率和相位的方法(4)时域测试技术的基本概 （1）信号的时域测量（2）时域测试系统的基本组成原6正弦发生器及函数发生器（1）正弦信号发生器的原理、组成及主要性能指标（2）多波形锁相频率合成信号的产生（1）频率合成的基本概念（2）锁相环（PLL）的原理及基本形式(3)提高频率分辨力的多环合成技术（4）(5)扩展频率上限的多模分频直接数字合成（DDS）技术（1）DDS的组成及相位累加器原理（2）DDS频率合成信号合成信号源简介（1）任意波形发生器的原理、组成（2）7信号频谱分析及线性系统频率特性测试的基本概念（1）信号频谱分析的内容、方法及仪外差式频谱议（1）组成原理及框图（2）主要性能指标（3）8、数字系统（数域）数据域测试的基本概 （1）数字系统测试的特点（2）数据域测试系统的组9自动测试系统（1）自动测试系统（CCAT平台）的组成和发展（2）基于可程控仪器的组成的自动测试系统；GPIB总线的定义、主要接口功能、系统的组建（3）基于模块式仪器组成的自基于网络化仪器组成的自动测试系统：分布式测系统与网络通信技术的基本概念 1、标 者为重点内容232：3：3：2主要题型有单项选择题、填空题、判断题、名词解释、简答题、应用题等。其分数比例为（75分1号位扩展；BCD码、GREY码间的转换。2、组合逻辑设计原理（重点内容3、组合逻辑设计实 （重点内容4、时序逻辑设计原 （重点内容重点掌握:S型D型K型（重点内容,T型锁存器、触发器的电路结构，工作原理，时序特性,状态机类型及基本分析方法；使用状态图表示状态机状态转换关系；钟控同步状态机的设计：状态转换过程的建立，状态的化简与编码赋值、未用状态的处理-最小风险方案和最小成本方案、使用状态转换表的设计方法、使用状态图的设计方法。5、时序逻辑设计实 （重点内容818笔试（闭卷1801502晶体结构、倒易点阵与晶体衍射约20%；晶体结合 约20%； 约20%；自由电子费米气体 约20%； 约20%1布里渊区；X射线衍射的劳厄条件，及布喇格方程；结构因子与原子形状因子。2德隆常数、离子半径；分子晶体内能，Lenard-Jeans势；内聚能与平衡点阵常数；晶体缺陷：线缺345819笔试（闭卷180150《新概念物理教程(光学)》赵凯华高等教育出版社2006；第一 光和光的传 第五章变换光学与全息照相 光与物质的相互作用光的量子性计算题822笔试（闭卷180150《控制工程基础》沈艳清华大学出版社2009（一）：第一章绪论12（二）：第二章控制系统数学模型12（三）：25%2（四）：第四章控制系统的根轨迹分析1、绘制负反馈闭环控制系统根轨迹图（注意分离角2（五）：第五章控制系统的频域分析12、绘制开环系统的奈魁斯特图和波德图(注意绘制波德图时所用的化简方法)3456（六）：30%23（七）：第七章采样控制系统12计算题:150823笔试（闭卷180150《控制工程基础》沈艳清华大学出版社2009《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.Oppenheim（一）：第一章绪论12（二）：第二章控制系统数学模型12（三）：15%2（四）：第四章控制系统的根轨迹分析1、绘制负反馈闭环控制系统根轨迹图（注意分离角2（五）：第五章控制系统的频域分析12、绘制开环系统的奈魁斯特图和波德图(注意绘制波德图时所用的化简方法)3456:75分824笔试（闭卷180150《理论力学》(第六版)（一）：12、平衡方程的建立与求解，摩擦（滑动摩擦和滚动摩擦）3括桁架）的平衡问题；掌握摩擦、摩擦角的概念，能求解考虑滑动摩擦时简单的物体系统平衡问（二）：1234（三）：动力学12345基本要求：能够熟练建立并求解质点的运动微分方程；掌握并熟练计算动力学中各基本物理量(动量、动量矩、动能、冲量、功、势能等)；熟练掌握动力学普遍定理(对固定点的和对质心的动量矩定理、动能定理)及相应的守恒定理，能够建立刚体定轴转动和平面1、基础题（包括填空、判断题、选择题和分析题）：602、计算题（包括综合题）：90825笔试（闭卷180150WadeTrappe人民邮电出版社2004《密码编码学与网络安全——原理与实践》(第四版)Stallings电子工业出版社2006 密码学的发展概况（了解 古典密码中的基本加密运算（了解几种典型的古典密码体制（了解 Shannon理论密码体制的数学模型（掌握熵及其性质（了解伪密钥和惟一解距离（了解密码体制的完善保密性（了解 分组密码的基本原理（理解DES的工作模式（掌握 公钥密码的理论基础（理解RSA公钥密码（掌握大素数的生成及素性检测（理解EIGamal公钥密码（了解 序列密码的基本原理（理解移位寄存器与移位寄存器序列（理解线性移位寄存器的表示（理解线性移位寄存器序列的周期性（了解线性移位寄存器的序列空间（了解线性移位寄存器序列的极小多项式（理解m序列的伪随机性（了解B-M算法与序列的线性复杂度（了解 基于公钥密码的数字签名（掌握EIGamal签名方案（理解 Hash函数Hash函数的性质（掌握Hash函数（理解MD5Hash函数算法（掌握1（ 密钥建立协议（掌握秘密共享技术（理解身份识别技术（了解零知识证明技术（了解1章网络与信息安全基础23PGP、S/MIMESSHSSLWEBIPSecKerberosX.509协议4章系统安全技术UNIXWindowsUNIXWindows5第6章案例分析828笔试（闭卷180150《数字电子技术基础》(5版)《数字设计——原理与实践》(第四版)JohnF.Wackerly机械工业出版社2007溢出判别，符号位扩展；BCD码、GREY码间的转换。重点掌握作为电子开关运用的二极管、双极型晶体管、MOS场效应管的工作方式；以CMOS倒相器电路的构成及工作状态分析；逻辑门电路的静态特性：传输特性、输入、输出特性、直流噪声容限；特殊的输入输出电路结构：CMOS传输门、施密特触发器输入结构、组合逻辑设计原理（重点内容组合逻辑设计实 （重点内容时序逻辑设计原 （重点内容重点掌握:S型D型K（重点内容,T机的模型图，状态机类型及基本分析方法；使用状态图表示状态机状态转换关系；钟控同步状态机的设计：状态转换过程的建立，状态的化简与编码赋值、未用状态的处理-最小风险方时序逻辑设计实 （重点内容重点掌握：运用基本的逻辑门、触发器作为设计的基本元素完成计数器、移位寄存器、（计数器、位移寄存器等时序功能器件作为设计的基本元素完成更为复杂的时序逻辑电路设计的方法。了解模拟-数字转换器、数字-模拟转换器、555时基电路的基本电路结构和工作原理；模运用；了解555时基电路构成单稳态电路、施密特触发器、多谐振荡器的原理。829笔试（闭卷180150《数字设计--原理与实践》(第三版)JohnF.Wackerly机械工业出版社2003掌握逻辑关系式的标准表达式（最小项和式简单组合电路的设计要求掌握下列设计实例：数据判断电路（4输入、二进制译码器、数据选择器、全加器JKD能够通过对设计要求的分析建立状态转换图或状态/利用状态/与或式3-83-84144第一 晶体二极管及应用电1、半导体基础知识（了解本征半导体与杂质半导体（PN型，本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子PN结。2、二极管特性（了解3、二极管应用（掌握二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。第二 双极型晶体管1、BJT原理（了解NPNPNP（一般了解vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应，BJT的截止2、BJT静态伏安特性曲线（掌握共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）3、BJT参数（掌握 ,α,βICBO,ICEOICMPCM,BVCEOfTBJTBJT的放大、截止与饱和状态判别。4、BJT模型（掌握）BJT的小信号等效模型：简化模型（gm参数和β参数模型）BJTπ等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。第三章晶体管放大器基础1、放大器的一些基本概念（正确理解2、BJT偏置电路（掌握Q原理和稳定条件。3、BJT三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（CE放大器。4、多级放大器（掌握 1、FET原理（了解FETNJFETNMOSFET的工作原理，放大区vGSvOSiD的影响2、FET特性曲线（掌握NJFETFET3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置（掌握）PFETNFET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型（掌握）5、FETCSCD组态放大器（掌握）1、恒流源(理解电路原理和特点2、差动放大器（重点掌握基本概念和分析方法Avc，KCMR，Rid，Ric,Ro）及用单边等放电路法求指标，差放抑制零漂的原因，差放的小信号范围3、OCLOTL功率输出电路（掌握OCLOTL电路原理及满激励指标（掌握，功率管极限参数（ICMPCM,BVCEO）OCL第六章放大器的频率响应1、放大器频率响应的概念及描述（了解产生频率响应的原因，放大器频率特性函数，fL、fH、BW的定义，幅频特性和相频特性函2、放大器的低、高频截止频率的估算（掌握第七章负反馈技术1、单环理想模型（了解2、实际反馈放大器类型及极性的判断（掌握3、负反馈对放大电路的影响（定性了解5、负反馈放大器的稳定性（掌握第八章集成运算放大器及应用1、集成运放电路组成及特点（定性了解2、了解集成运放的主要参数：Avd，KCMR，RidRo，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，d3、理想运放分析法（重点掌握4、运放的线性应用电路（重点掌握830笔试（闭卷180150《数字图像处理（第二版》(阮秋琦等译 原著（美）Gonzalez和Woods电工业出版社2005掌握图像空间域/频域处理(增强)11.11.4数字图像处理的基本步骤2章数字图像处理基础3章空间域图像增强44.24.655.25.35.119章形态学处理9.29.39.5（9.5.1（9.5.210章图像分割10.111章表示与描述（11.1.1（11.2.3831笔试（闭卷180150《信号与系统》(第二版A.V.Oppenheim2000《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.OppenheimLeonW.Couch,II《DigitalandAnalogCommunicationSystems》(第六版LeonW.Couch,II科学出版30%第三 基带脉冲与数字信 采样定 自然采 瞬时采 PCM的构成与基本原理PCM的参数选择与计算PCM的性能指标 第五 AM、FM及数字调制系 幅度调制 抑制载波双边带调制（DSB- 非对称边带信号 MSK第六 随机过程与谱分 第七 噪声环境下通信系统的性 PCM LTILTILTILTILTI连续时间傅立叶变换性质傅立叶变换性质和基本傅立叶变换队列表5.65.8由线性常系数差分方程表征的系统LTI7.6AM8.9第十章：ZZZZZ832笔试（闭卷180150《晶体管原理与设计》(第二版)突变结与线性缓变结的定义，PN结空间电荷区的形成，耗尽近似与中性近似，耗尽区宽度、大注入效应，PN结的交流小信号参数与等效电路，势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点，PN结的开关特性与少子存储效应，PN结雪崩击穿的机理，雪崩击穿电压的计算及影响因素，齐纳击算与测量，影响阈电压的各种因素，阈电压的衬底偏置效应、MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程，MOSFET饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算，MOSFET的直流输出特性曲线图，MOSFETMOSFET的直流参数及其温度特性，MOSFET的各种击穿电压，MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性，MOSFET跨导的定义与计算以及影响跨导的各种因素，MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。833笔试（闭卷180150 第二章物质的状态了解化学键的基本含义、特征等；了解离子键、离子的形成过程、掌握离子键理论、离子，离必须掌握同核双原子分子（N2、2、2、2）的分子轨道能级图、异核双原子分子（F、、O等U、W、H、S、G等；掌握热力学第一定律及计算，盖斯定律及热化学有关的计算；必第七章化学反应速率（选讲第九章溶液（选讲内容的标准；掌握水的离子积、pH值的含义和相关计算；了解酸碱指示剂；必须掌握弱酸和弱碱的电1、Sp了解ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA元素在自然界中的存在，掌握它们的基本性质，及用。2、ds了解ⅠB、ⅠB族元素在自然界中的存在，掌握的基本性质，及其重要化合物的制备、重要反应和应用；掌握常见化合物的鉴定、Hg22+Hg2+Hg的安全使用。3要价态化合物。重点掌握，Ti、Cr、V、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pt的基本性质，及其重要化合物4、镧系元素及阿系元素简介（选讲了解配位化合物的基本特征；掌握配位化合物的基本概念：定义、组成、命名；理解配位数、了解配位化合物的基本特征；掌握配位化合物的基本概念：定义、组成、命名；理解配位数、了解配位化合物的化学键理论的基本内容（价键理论、晶体场理论、分子轨道理论；必须掌握配合物形成内外轨化合物的条件、方式和特征等；理解配合物的价键理论对配合物性质的解释；必d（稳定常数等有关的计算。了解配位化合物的实际应用与配位化合物的发展前景。836笔试（闭卷180150《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.Oppenheim（第二版）“信号与系统”部分主要包括信号与系统的基本概念；系统的二大类分析方法和四大数学工具LTIS域分析方法。准确理解双边拉普拉斯变换的定义、收敛域的反变换）LTIH(s)对系统基本特性的表征；能熟练地运用双边或单边拉普拉斯变换求解系统（包括具体电路）LTI系统的LTIZZ变换的定义、收敛域的概念以ZZ变换的收敛域；ZZ变换（包括反变换）的方法；深LTIH(z)Z变LTI系统的方框图表达、系统函数和线性常系数差分方程““数字电路”部分1、数字电路基础知识、概念与定理体系2、组合电路、时序电路分析与设计3、综合分析与应用计算题837笔试（闭卷1801502010年全国硕士研（一）1234（二）（三）（四）12（五）12（六）123839笔试（闭卷180150微分方程式；传递函数；脉冲响应；框图；状态方程式；及其相互转换。z二阶系统的时域分析；稳定性；Routh判据；稳态误差；根轨迹法；Bode图；Nyquist图；Nyquist稳定判据；相对稳定性；PID控制规律；超前补偿；滞后补偿；反馈补偿状态方程及其解；状态空间表达式；可控性可观测性；Lyapunov稳定性；状态反馈、输出反馈与841笔试（闭卷180150《模拟电路分析与设计基础》吴援明科学出版社2006第一章半导体材料及二极管本征半导体与杂质半导体（PN型；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子；PNPN结。 一、理解BJT工作原理NPNPNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（直流传输方程，αβ，ICBO，ICEO的概念vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应；BJT的截止与饱和状态及特点。二、BJT三、BJT参数理解α、β、a、b、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEOfT的含义p模型熟练掌握两种简化模型（gm参数和b参数模型）及其模型参数的计算方法。 BJT放大电路BJTQ原理和稳定条件。三、BJT三种基本组态放大器（中频段）CE、CC、CB放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。CE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 MOSFET及其放大电路一、FET原理FETNMOSFETNJFET；放大区vGSvDSiD的影响。二、FETNMOSFETFET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的三、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置PFETNFET偏置极性的差别。四、FET的小信号模型gmrds含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。五、FETCSCD组态放大器 fL、fH、BW的定义；理解幅频特 差放的信号分解（vic、vid与任模信号关系（ICM，PCM，BVCEO xsxixf；A放大器、BA与闭环第八、九 集成运算放大器及其应用电路与设842笔试（闭卷180150掌握用“逐段线性化”掌握低功率线性变压器（宽带变压器）明确插入损耗,EMI器件(如π型,T型,τ型或吸收型)的插损计算。AP笔试（闭卷180200（100分（一）：绪论12(二)一阶微分方程的初等解法1234512123笔试（闭卷180200（100分数学准备知识（矢量分析和场论开；重点掌握处理静电问题的方法：（1）分离变量法（定解问题、Laplace方程的求解（2）镜；（3）掌握用矢势和标势描述电磁场；理解规范变换与规范不变性、Lorentz规范、推迟势（重点理解了解相对论的实验基础；重点掌握狭义相对论的基本原理以及Lorentz（同时的相对性、Einstein时钟延缓、Lorentz收缩、因果律；掌握相对论的四维协变形式，电动1、选择题：××2、填空题：××3、简答题：××笔试（闭卷180200（100分《电路分析》胡翔骏高等教育出版社2001电路的基础知识：电阻电路分析：动态电路的时域分析：了解二阶电路，RLC正弦稳态分析：RLC串联谐振电路分析，谐振角频率，品质因素，通频带，带通滤波特性，1、选择题：××2、填空题：××3、简答题：××笔试（闭卷180200（100分过程及重要概念。掌握标准溶液的浓度（物质的量的浓度的滴定度）的有关计算，及待测成份结果计算及表示方法。TF分布。掌握少量实验数据的数理统计处理，包括平均值的精密度、平均值的量倍区方法。掌握络合滴定法的基本原理、络合滴定曲线的计算、终点误差的林邦计算公式,络合滴能性及酸度的选择（与PH的关系，KMYPH的关系、分步滴定的判别式，最佳酸度，掌握氧化还原反应的基本概念及能斯方程，氧化还原反应平衡常数，等当点位的计算方掌握氧化还原反应的基本概念及能斯方程，氧化还原反应平衡常数，等当点位的计算方指示剂作用原理及常见氧化还原滴定方法（高锰酸钾法、重铬酸钾法，碘量法等。教材：武汉大学《分析化学》第四版，高教出版社，2000笔试（闭卷180200（100分12Cauchy-Riemann方程；掌握初等解析函数的性质及其单叶性区域的确定；3Cauchy积分定理、复合闭路定理；Cauchy积分公式的意义、证明方法和应用，掌握与其相关的一些重要推论；能够Rouche定理的意义和应用；掌握最大模原理的意义。6计算题笔试（闭卷180200（100分（一）2345、概率的三个重要公式——6（二）1234567891011（三）123456（四）123456、分布函数弱收敛及连续性（列维－克拉美）78、强（弱）9101、选择题：××2、填空题：××3、简答题：××笔试（闭卷180200（100分（一）误差与算法基本概念（二）解线性方程组的直接方法（三）插值方法（四）数据拟合方法Bezier（五）数值积分方法（六）常微分方程数值解欧拉公式与龙格—（七）非线性方程求根方法（八）解线性方程组的迭代法笔试（闭卷180200（100分《计算机组成原理》罗克露电子工业出版社20042010年全国硕士研(一计算机工作原理的几个重要概念，如信息数字化、存储程序式计算机体系结构、构成计算机(二)数值型数据的表示方法：数制、码制、定点数和浮点数的表示；字符表示；指令信息的表I/O指令的设置方式以及相应的访问工作过程。(三)UPU的逻辑组成(内部数据通路结构)，U的工作机制()(组合逻辑控制与微程序控制、同步控制与异步控制、各种周期和不同周期之间的时间关系等)，几种四则运算方法(补码加减法、原码乘法、补码乘法、原码除法和补码除法，以及浮点四则运算)，组合逻辑控制器与微程序控制器设计的基本方法。(四熟练掌握半导体存储器的逻辑设计方法，包括在给定芯片的情况下，进行芯片地址空间分配(五)了解主机与外部设备的连接模式，总线类型与总线标准，接口功能与接口分类。掌握三种基I/O传送方式：直接程序传送方式及接口；中断方式及接口：中断的基本概念，中断的产生、扩展方法；DMA方式及接口：DMA的基本概念，DMA控制器的组成，DMA接口的组成，DMA(六)I/OCRT60综合设计题 包括指令流程及操作时间表、存储器、中断接口以及CRT显示笔试（闭卷180200（100分《量子力学》(上册)进行基本的量子力学计算（如德布洛意波长、非简并微扰、算符平均值和矩阵法求解本征值问题等。（一）德布洛意波，波动方程及求 （二）力学量算符及基本对易关系，厄密算符及性质，矩阵力学，对称性和守恒定 （三）中心力场问题（氢原子和无限深球方势阱 （四）近似方法（非简并微扰法；变分法的基本步骤 （五）一般角动量与电子自 （六）电磁场中的原子（塞曼效应和斯塔克斯效应 14分，52025分，4203、计算题（I）：量子力学基本计算（德布洛意波长，力学量平均值等；154、计算题（II）：矩阵力学计算 155、证明题：量子力学常用关系的证明或应用；156、计算题（III）：非简并微扰计算 15笔试（闭卷180200（100分极管（FET）BJT和FET基本放大器的小信号等效电路分析方法，并应用于实用电路的工程估算；理解放大器的频IC中重要单元电路，如第一 半导体材料及二极1本征半导体与杂质半导体（PN型；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多；PNPN结。23第二 双极型晶体三极管1BJTNPNPNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输；放大偏置时外电流关系（握直流传输方程，αβ，ICBO，ICEO的概念vBE、vCE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应；BJT的截止与饱和状态及特点。2、BJT理解共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）3、BJT理解4、混合Ⅰ熟练掌握两种简化模型（gm参数和◻参数模型）第三 BJT放大电12BJTQ原理和稳定条件3、BJT三种基本组态放大器（中频段）CE、CC、CBCE放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。第四 MOSFET及其放大电1、FETFETNJFETNMOSFET的工作原理；放vGSvDSiD的影响。2、FETNFET（JFETMOSFET）FET的结构特性曲线和输出特性曲3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置PFETNFET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型五、FETCSCD组态放大器第五 模拟集成单元电123掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）（ICM，PCM，BVCEO第六 放大器的频率响12fLfH第七第七 负反馈技理解产生自激振荡的原因和自激条件；了解用已知的T(jⅠ)和A(jⅠ)的波特图判断稳定性的第八 集成运算放大器及其应用电路与设计算题复 日语写作与翻笔试（闭卷120200（100分1、日译汉裁多样，可以包括散文、叙事、小说、议论、新闻、说明等