芯片封装工（中级）理论考试题及答案

芯片封装工（中级）理论考试题及答案单选题1.在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。A、锗B、磷C、硼D、锡参考答案：B2.（）是一种性能优良的热沉材料。A、陶瓷B、晶体硅C、碳化硅铝D、水银参考答案：C3.倒装焊产品还具有优越的电学和（）性能。A、热学B、能量学C、光学D、镶嵌学参考答案：A4.氮气是一种（）气体。A、还原性B、氧化性C、惰性D、可燃参考答案：C5.三极管的ICEO大，说明其（）。A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差参考答案：D6.半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为（）。A、P型半导体B、N型半导体C、本征半导体D、P型和N型掺杂浓度相等的半导体参考答案：C7.碳化硅铝有（）不易变形和质量轻的优点。A、密度大B、密度小C、坚硬D、柔软参考答案：B8.稳压管（）。A、是二极管B、不是二极管C、是特殊二极管参考答案：C9.大部分环氧塑封料需要在170～175℃之间进行（）的后固化工艺以实现完全固化。A、4～8hB、8～12hC、1～4hD、12～24h参考答案：C10.（）结构是目前国内外光电外壳最通用的封装结构形式。A、陶瓷熔封B、塑封C、陶瓷平封D、陶瓷扁平封装参考答案：A11.金属陶瓷封装一般采用（）制造，用90%~95%氧化铝陶瓷作绝缘，氧化铍陶瓷做导热，金属作底盘和引线。A、多层共烧陶瓷工艺、氧化铍金属化工艺和钎焊工艺B、多层共烧陶瓷工艺C、钎焊工艺参考答案：A12.产品质量（）。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种质量因素的综合反应参考答案：D13.常用的电阻焊有电焊、突缘电阻焊和（）。A、平行缝焊B、四边焊C、平行焊D、焊料焊参考答案：A14.热压焊只能用（）。A、金丝B、铝丝C、硅铝丝D、铜丝参考答案：A15.塑封料与芯片间的应力随芯片面积的增大而（）。A、增大B、减小C、不变D、变化但是不定性参考答案：A16.网印刮板材料，目前最常用的刮板材料是（）。D、A.B和CA、不锈钢B、尼龙C、聚氨基甲酸脂参考答案：C17.将铁的化合物溶于盐酸，滴加KSCN溶液不发生颜色变化，再加入适量氯水，溶液立即呈红色的是（）。A、Fe203B、FeCI3C、Fe2（S04）3D、Fe0参考答案：D18.底部填充胶可以有效缓解芯片和基板的（）。A、结合力大小B、热膨胀系数C、热失配D、热疲劳寿命参考答案：C19.产品质量的好坏包含（）。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标参考答案：D20.平行封焊的圆锥形电极最好使用（）。A、钨铜B、黄铜C、紫铜D、合金钢参考答案：A21.MOS场效应器件是利用半导体表面的（）来工作的。A、积累层B、耗尽层C、反型层参考答案：C22.封帽完成的电路在（）设备下检测空洞是否合格。A、金相显微镜B、扫描电镜C、X射线D、体视显微镜参考答案：C23.胶封工艺流程如下：器具、工件清洗→称量配胶→搅拌→排气→（）→（）→（）→检验。A、涂胶固化胶粘B、涂胶粘合固化C、粘合涂胶固化D、涂胶固化粘合参考答案：B24.如在半导体中以长声学波为主要散射机构是，电子的迁移率n与温度的（）。A、平方成正比B、2/3次方成反比C、平方成反比D、2/3次方成正比参考答案：B25.锡膏的保质期为6个月，必须存储存温度（）无霜的情况下。A、0-5℃B、≤5℃C、≤10℃D、0-10℃参考答案：D26.贮能焊封装底座为铜材料，壳帽为4J29不能直接封焊，应采取的措施是（C）。A、铜镀镍B、铜底座加4J29封装环C、先镀镍而后镀金D、帽镀镍层加厚参考答案：C27.芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为（）。A、280℃B、220℃C、320℃D、350℃参考答案：A28.生产、经营、储存、运输、使用危险化学品和处置废弃危险化学品单位的（）对本单位危险化学品的安全负责。A、保卫部门负责人B、安全部门负责人C、主要负责人D、生产部门负责人参考答案：C29.由于平行缝焊的焊缝在外壳边缘，被熔焊的区域很小，属局部加热，因此对芯片的（）小。A、热冲击B、机械冲击C、影响参考答案：A30.经过室温静置的湿膜，即可进行干燥。干燥的目的是（）。A、使浆料中易挥发的有机溶剂蒸发掉B、使印刷好的浆料膜硬化C、使图形固定D、便于移动参考答案：A31.如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。A、施主B、复合中心C、陷阱D、两性杂质参考答案：D32.使用显微镜时，（）。A、应用小倍数镜头开始调整，然后换成大倍数镜头B、直接用大倍数镜头观察C、应用大倍数镜头开始调整，然后换成小倍数镜头D、无所谓大小倍数镜头的调整参考答案：A33.某电路的内腔高度0.91mm,按照GJB548B2020.1条件APIND条件是（）。A、加速度20g,频率130HZB、加速度10g,频率130HZC、加速度20g,频率120HZD、加速度10g,频率120HZ参考答案：A34.在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）。A、焊接电流、焊接电压和电极压力B、焊接电流、焊接时间和电极压力C、焊接电流、焊接电压和焊接时间D、焊接电流、焊接温度和焊接时间参考答案：B35.任何单位或个人对事故隐患或者安全生产违法行为，（）。A、均有权向负有安全生产监督管理职责的部门报告或举报；B、只能向其所在单位的安全管理部门报告；C、不能匿名举报。参考答案：A36.一个阻值为25Q的电阻，允许加的最高电压为5V,则其额定功率为（B）。A、10WB、2.0WC、1.0WD、0.5W参考答案：B37.陶瓷封装一般采用（）工艺制造，用90%~95%氧化铝陶瓷做绝缘，有黑色和白色陶瓷之分。A、共烧多层陶瓷B、陶瓷C、金属化参考答案：A38.《中华人民共和国安全生产法》自（）起施行。A、2002年9月1日B、2002年10月1日C、2002年11月1日D、2002年12月1日参考答案：C39.封装管壳的任意两引线间的绝缘电阻应（）。A、大于1×109QB、小于1×109QC、大于1×1010QD、小于1×1010Q参考答案：C40.防静电手镯和地线之间应该（）。A、导通B、有一个10Q左右的电阻C、有一个1MQ电阻D、有一个10MQ左右的电阻参考答案：C41.集成电路的丝网印刷中图像是微型的，要求印刷精度高，所以印刷机、印版、承印物（基板）、浆料等都需要高精度的，印刷场所也一定要保持恒温，并清除（）。A、闲杂人员B、尘埃C、不用的设备参考答案：B42.细检漏使用（）气体施加压力。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气参考答案：B43.重空穴是指（）。A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D、自旋一轨道耦合分裂出来的能带上的空穴参考答案：C44.粗检漏使用（）气体施加压力。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气参考答案：D45.表面粗糙度中，Ra的单位为（）A、米B、毫米C、微米D、厘米参考答案：C46.下列关于Na和Na+的叙述中，错误的是（）。A、具有相同的质子数B、它们的化学性质相似C、钠离子是钠原子的氧化产物A、100%D、灼烧时火焰都呈黄色参考答案：B47.全密封金属外壳封装时，（）封装形式对外壳的表面条件要求最高。A、激光焊B、钎焊C、玻璃熔封D、贮能焊参考答案：A48.X射线照相时，应采用（）放大倍数观察X射线照片。A、2-8倍B、4-20倍C、6-25倍D、8-30倍参考答案：C49.密封外壳腔体内部水分是引起器件腐蚀失效的（）。A、一个原因B、主要原因C、次要原因D、必然原因参考答案：B50.共晶粘片时，焊料尺寸应该是芯片尺寸的（）左右。B、80%C、60%D、50%参考答案：B51.滴定管正确的读数方法是从水平方向读取弯月面的（）数值。A、最高点B、最低点C、平均D、加权参考答案：B52.我司SMT工序的的温湿度要求分别是（）。A、22±3℃.30-65%B、25±3℃.45-65%C、25±3℃.40-60%D、26±3℃.40-70%参考答案：C53.模塑料预热，一般采用高频加热方式，预热温度为（）,预热后的模塑料应迅速放入模具中。A、60~65℃B、70~75℃C、90~105℃参考答案：B54.（）是会破坏部分或全部封装的密封微电子封装的缺陷和失效分析方法。A、破坏性评价B、两者均可C、非破坏性评价D、两者都不是参考答案：C55.超声键合对键合表面清洁度要求（）。A、较高B、较低C、不要求D、目检合格参考答案：A56.功率电路散热底座上的螺孔是为了（）。A、以便外接散热器B、节省材料C、美观D、加强机械强度参考答案：A57.军用混合微电路生产线产品质量要具有可追溯性，必须（）。A、填写流程卡B、填写工序原始记录表C、填写工作日记D、A和B参考答案：D58.集成电路组装工序大体是（）。A、中测—划片—键合一封装一成品测试B、划片一中测—键合一封装—成品测试C、划片—键合一封装—中测一成品测试D、中测—划片一粘片—键合一封装—成品测试参考答案：D59.决定原子轨道的形状，并在多电子原子中与主量子数n共同决定轨道能级的量子数为：（）。A、B、mC、sD、I和m参考答案：A60.平行缝焊盖板的基材通常是（）。A、铜合金B、铝合金C、金D、可伐合金参考答案：D61.用滴管把液体树脂滴涂到键合后的芯片上，经加热固化成型，此方法称（）。A、浇铸法B、递模成型法C、填充法D、滴涂法参考答案：D62.半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是良好的电性能，外壳应有小的（A）,使器件的电特性得到有效发挥。A、寄生参数B、电参数C、结构参数参考答案：A63.芯片共晶焊接工艺中所用的金-硅合金的熔点是（）。A、183℃B、221℃C、370℃D、397℃参考答案：C64.超声键合的尾丝不能超过铝丝直径的（）。A、一倍B、两倍C、三倍D、三倍半参考答案：B65.锡膏搅拌的目的是（）。A、使金属颗粒与助焊剂充分混合B、使气泡挥发C、提高黏稠性D、将金属颗粒磨细参考答案：A66.电对人体的伤害种类是（）。A、电击B、电弧灼伤C、电伤D、A+C参考答案：D67.粗检漏压完后将电路放进（）中进行检漏。A、丙酮B、氟油C、酒精D、去离子水参考答案：B68.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。A、ECB、EvC、EgD、EF参考答案：D69.影响平行封焊质量的主要因素是（）。A、焊接电流、焊接速度、电极锥度和直径B、焊接电流与环境条件C、个人因素与管壳材料D、机器性能参考答案：A70.按照焊膏的合金成分分类，焊膏材料主要分为有铅焊膏和（）两种A、无铅焊膏B、有锡焊膏C、无锡焊膏D、有铜焊膏参考答案：A71.在空气不流通的狭小地方使用二氧化碳灭火器可能造成的危险是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、火灾参考答案：B72.倒装焊球的直径大致在（）范围内。A、100~150μmB、50~300μmC、80~300μmD、80~150μm参考答案：C73.环焊时提高充电电压可以（）。A、增强焊接强度B、防止金属飞溅C、防止表面污点D、防止触头沾熔参考答案：A74.环焊前应用（）打磨电极。A、水砂纸B、粗砂纸C、锉刀D、纱布参考答案：A75.硅导带结构为（）。A、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面B、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面C、一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面D、位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面参考答案：D76.混合集成电路金属封装有（）、浅腔型、扁平型和圆型A、平板型B、平面型C、底盘型参考答案：A77.在阻值调整后，还应进行直流负荷试验。即在电阻上加相当于（）额定功率的直流电压，负荷时间为5s。但对阻值低于200Q的电阻，不进行此项试验。A、1倍以下B、2～5倍C、10～100倍D、1000倍左右参考答案：B78.为了将物体的外部形状表达清楚，一般采用（）个视图来表达。A、二B、三C、四D、五参考答案：A79.CCGA主要焊柱90Pb10Sn材质主要特点是（）。A、较硬B、较软C、较长D、较短参考答案：B80.以下哪种不是气密性封装的主要材料?（）。A、金属B、陶瓷C、玻璃D、碳化硅参考答案：D81.环焊电极度提升时打火，应（）。A、提高电压B、降低电压C、改进电极度形状D、调整放电时间参考答案：D82.氦质谱检漏工艺步骤如下：（1）将器件置于压力箱中并抽低真空；（2）给压力箱充（）并保持一段时间；（3）取出器件将表面吸附的氦气体吹掉。A、氦气B、氩气C、氮气D、氢气参考答案：A83.外部互联主要由最早的（）方式发展到目前的表面粘装方式。A、镶嵌B、粘接C、插装D、封装参考答案：D84.热压键合法的机理是（）。A、低温扩散B、塑性流动C、低温扩散和塑性流动结合D、机械压力参考答案：C85.关键过程是（）。A、形成关键特性的主要过程B、指对形成产品质量起决定性作用的过程C、指关键工序的所有过程D、指生产过程中的衔接环节参考答案：B86.金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的参杂浓度大于（）。A、1015cm3B、1017cm3C、1019cm3D、1021cm3参考答案：C87.一块半导体寿命t=15μs,光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。A、1/4B、1/eC、1/e2D、1/2参考答案：C88.陶瓷扁平封装代号是（）。A、WB、PC、FD、K参考答案：C89.对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。A、平衡载流子浓度成正比B、非平衡载流子浓度成正比C、平衡载流子浓度成反比D、非平衡载流子浓度成反比参考答案：D90.一般来说，集成电路的散热方式以（）为主。A、辐射B、对流C、传导D、对流和辐射参考答案：A91.实验室用氯化钠固体配制100g溶质质量分数为8%的氯化钠溶液，下列说法错误的是（）。A、实验的步骤为计算、称量、量取、溶解B、量取水时，用规格为100mL的量筒C、若用量筒量取水时俯视凹液面的最低处，则配制溶液的质量分数小于8%D、溶解过程中玻璃棒搅拌的作用是加快氯化钠的溶解参考答案：C92.铝丝超声焊的尾丝不能超过铝丝直径的（）。A、一倍B、两倍C、三倍D、四倍参考答案：B93.CMOS电路组装中禁止的是（）。A、穿防静电工作服B、带防静电手镯C、用防静电周转箱D、用塑料板铺设工作台参考答案：D94.环焊时压力与被焊部位电阻的关系是（）。A、压力大、电阻大B、压力大、电阻小C、压力大、电阻不变D、压力小、电阻小参考答案：B95.一个阻值为100Q的电阻，允许加最高电压为10V,则其额定功率为（）。A、10WB、1WC、0.1WD、2W参考答案：B96.在塑封工艺中，为完全固化大部分环氧模塑料，需要在（）的后固化。A、170~175℃、进行4小时B、175~180℃、进行2小时C、160~170℃、进行6小时参考答案：A97.《安全生产法》规定，生产经营单位不得使用国家明令淘汰、什么?（）。A、工艺，设备B、工具C、原材料D、设备参考答案：A98.扁平封装结构的最大厚度为（）。A、2.0mmB、2.1mmC、4mmD、4.2mm参考答案：B99.HIC电路老炼是指（）。A、按HIC产品技术要求在额定温度和时间内对电路通电工作的方式B、将HIC产品在高温条件下放置数小时C、将HIC产品在高温条件下加电测试D、将HIC产品在高温下工作数小时后，再放在低温下工作数小时参考答案：A100.厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（）,从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A、降低B、升高C、保持不变参考答案：A101.因生产安全事故受到损害的从业人员除依法享有工伤社会保险外，（）。A、有权向本单位提出赔偿要求；B、可以解除劳动合同；C、提出对责任人的处理要求。参考答案：A102.《安全生产法》规定生产经营单位的从业人员应当严格遵守本单位的（）。A、安全生产规章制度和操作规程B、劳动纪律C、技术标准参考答案：A103.SMT印刷完锡膏的产品必须在几小时内完成贴装及焊接（）。A、30minB、2hC、1hD、1.5h参考答案：B104.有效复合中心的能级必靠近（）。A、禁带中部B、导带C、价带D、费米能级参考答案：A105.气密密封方法常用（）和玻璃熔封工艺方法。非气密密封方法通常用胶粘法和塑封法。A、钎焊、熔焊、平行缝焊B、钎焊、激光焊、超声焊C、平行缝焊、点焊、激光焊D、平行缝焊、点焊、超声焊参考答案：A106.从业人员在作业过程中不应当（）。A、遵守安全生产规章制度和操作规程；B、服从管理；C、不怕困难，勇于牺牲；D、正确佩戴和使用劳动防护用品。参考答案：C107.柯伐合金用于各类管壳材料，合金由下列组成（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-W-CuD、Fe-W-Sn参考答案：B108.国内外常用的焊球材料主要分为（）和（）两类。A、有铅和无铅B、有铅和有锡C、有铅和无锡D、无铅和有锡参考答案：A109.从金属利用的历史来看，先是青铜器时代，而后是铁器时代，铝的利用是近百年的事。这个先后顺序跟下列有关的是（）。①地壳中的金属元素的含量；②金属活动性；③金属的导电性；④金属冶炼的难易程度；⑤金属的延展性；A、①③B、②⑤C、③⑤D、②④参考答案：D110.一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（）,而能量小于费米能级的量子态基本上为（）,而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（）,所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。A、没有被电子占据，电子所占据，1/2B、电子所占据，没有被电子占据，1/2C、没有被电子占据，电子所占据，1/3D、电子所占据，没有被电子占据，1/3参考答案：A111.钎焊密封工艺温度控制包括（）。A、钎焊温度、保温时间和升降温速度B、升温速度、保温时间和降温速度C、钎焊温度、升温速度和降温速度D、预热温度、升温速度和降温速度参考答案：A112.实验室用氧化钠配制50g质量分数为6%的氯化钠溶液。下列说法中不正确的是（）。A、所需氯化钠的质量为3gB、氯化钠放在托盘天平的左盘称量C、俯视量筒读数会使所配溶液偏稀D、所需玻璃仪器有烧杯、玻璃棒、量筒等参考答案：C113.塑封内部互连用金丝是因为（）。A、金延展性好B、金耐腐蚀C、金丝的耐磨性好D、水汽首先腐蚀芯片表面的铝层参考答案：D114.柯伐合金用于各类管壳材料，合金由下列组成（）。A、Fe-Co-SnB、Fe-Co-NiC、Fe-Co-CuD、Fe-PB-Sn参考答案：B115.铝具有较强的抗腐蚀性能，主要是因为（）。A、与氧气在常温下不反应B、铝性质不活泼C、铝表面能形成了一层致密的氧化膜D、铝耐酸耐碱参考答案：C116.芯片共晶焊接工艺中所用的金-锗合金熔点为（）。A、320℃B、356℃C、380℃D、280℃参考答案：B117.金锡共晶焊料的熔点为（）。A、150℃B、280℃C、350℃D、400℃参考答案：B118.下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。A、含硼1×1015cm-3的硅B、含磷1×1016cm-3的硅C、含硼1×1015cm-3,磷1×1016cm-3的硅D、纯净的硅参考答案：A119.半导体温差致冷器的作用是（）。A、整流B、致冷C、抽真空D、分压参考答案：B120.（）封装不需由外壳厂进行配套，因而工作量大为降低。A、熔封B、平行封焊C、焊料焊D、塑料参考答案：D121.球栅阵列封装英文简称是（）。A、QFPB、0IPC、DIPD、BGA参考答案：D122.目前航天用陶瓷封装工艺线的净化等级为（）级。A、千级B、万级C、十万D、百万参考答案：B123.焊料焊的（）性能比熔焊差。A、机械冲击B、耐腐蚀性C、耐盐雾D、耐老化参考答案：A124.低熔玻璃属于（）。A、冷焊B、有机树脂封装C、熔焊D、焊料焊参考答案：D125.引出端识别标志很少采用（）。A、凹口B、凸点C、缺角D、文字参考答案：D126.CCGA主要焊柱80Pb20Sn材质主要特点是（）。A、较硬B、较软C、较长D、较短参考答案：A127.改进环焊电极度平行可以防止（）。A、熔化金属飞溅B、电极触头沾熔C、产生焊料缝空隙D、提升打火参考答案：C128.基片应具有良好的绝缘性能，即要有高的（）。A、强度B、导电性C、密度D、绝缘电阻率参考答案：A129.平行缝焊的焊轮椎顶角可影响（）的大小。A、焊接压力和焊点B、焊接速度C、焊接电流D、焊接温度参考答案：A130.化学反应速率等于逆反应速率，意味着（）。A、化学反应达到平衡B、反应进行完全C、正、逆反应的焓变相等D、反应物浓度等于生成物浓度参考答案：A131.我司的产品主要由（）组成。A、控制板和外壳B、主板和显示板C、变压器和继电器D、主板和变压器参考答案：B132.军用电路生产线产品质量要具有可追溯性，必须（）。A、填写流程卡，工序原始记录B、填写工作日记C、记重要事件D、所做工作全部记录参考答案：A133.焊料焊时施加的压力应根锯（）而定。A、焊接面积B、焊料熔化温度C、金属厚度D、管壳种类参考答案：A134.以下哪种不是芯片键合技术?（）A、WBB、TABC、ILBD、FCB参考答案：C135.平行缝焊的焊接速度与焊点直径成正比，而焊点直径又与焊接电流大小有关，因此焊接速度可随（）的不同加以选择。A、盖板材料B、盖板尺寸C、焊接电流D、盖板硬度参考答案：C136.共晶粘片时，通常采用的保护气体是（）。A、N2B、氩气C、H2D、96%N2+4%H2参考答案：A137.与平行封焊的焊接速度无关的是（）。A、电极直径B、电流大小C、脉冲宽度D、脉冲频率参考答案：A138.封电路盖板焊料环使用材料通常是（）。A、锡铋合金B、锡银铜合金C、金锡合金D、铁镍合金参考答案：C139.链式熔封炉通常是在气氛下进行封帽（）。A、氧气B、氦气C、氩气D、氮气参考答案：D140.三氧化二铬是一种（）。A、脱模剂B、着色剂C、固化剂D、填充剂参考答案：B141.用纸盒包装电路必须使用（）纸。A、酸性B、中性C、碱性D、非中性参考答案：B142.目前使用的锡膏每瓶重量（）。A、500gB、250gC、800gD、1000g参考答案：A143.氦气是一种（）气体。A、还原性B、氧化性C、惰性D、可燃参考答案：C144.塑封料中包含离子污染物，包括来自用于树脂环氧化过程中的环氧氯丙烷中的（）.作为阻燃剂添加入树脂的（）。A、氯离子，溴离子B、碘离子，氯离子C、溴离子，氯离子D、铁离子，碘离子参考答案：A145.要改变可逆反应A+B=C+D的标准平衡常数，可以采取的措施是（）。A、改变系统的总压力B、加入催化剂C、改变A/B/C/D的浓度D、升高或降低温度参考答案：D146.在突缘电阻焊中，模具结构设计应遵循原则之一是保证外壳管帽与底座（）。A、连接B、紧密接触C、同心参考答案：C147.产品质量是（）。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种因素的综合反应参考答案：D148.及时将芯片工作所产生的热量散发出去，可以保证电路的性能和（）。A、可靠性B、作用C、安全性D、连通参考答案：A149.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。A、大电阻B、接通的开关C、断开的开关参考答案：B150.圆片减薄是对圆片进行（）减薄。A、正面B、背面C、侧面D、边缘参考答案：B判断题1.印制电路或印制线路成品板统称为印制板。（）A、正确B、错误参考答案：A2.根据《安全生产法》规定从业人员在作业过程中，应当服从管理，所以对违章指挥仍要服从。（）A、正确B、错误参考答案：B3.接地线：每个接点应牢固焊接，可与电源的地线共用。（）A、正确B、错误参考答案：B4.检漏技术分细检漏和粗检漏。（）A、正确B、错误参考答案：A5.氧化铝可以作为陶瓷外壳的材料。（）A、正确B、错误参考答案：A6.银浆烧结是一种流传较广的方法，它适用于大功率晶体管。（）A、正确B、错误参考答案：B7.平行缝焊包括直焊和圆焊两种焊法。（）A、正确B、错误参考答案：A8.PN结具有单向导电性。（）A、正确B、错误参考答案：A9.厚膜介质材料主要是以简单的交叠结构或以复杂的多层结构用作导体间的绝缘体。（）A、正确B、错误参考答案：A10.内部目检和封装之前的时间间隔里，器件应贮存在受控的环境内，对H级受控环境，相对湿度应小于等于65%,洁净度为1000级。检验和准备环境，相对湿度小于等于65%,洁净度10万级。（）A、正确B、错误参考答案：A11.可伐合金材料的线膨胀系数与陶瓷、玻璃的较接近。（）A、正确B、错误参考答案：A12.当一块半导体中的一部分是P型，P型区与N型区界面附近的区域叫做PN结。（）A、正确B、错误参考答案：A13.触电分为电伤和电击两大类。（）A、正确B、错误参考答案：A14.超声波清洗，通过超声波的空化作用，对物体表面上的污物进行撞击剥离，以达到清洗的目的。（）A、正确B、错误参考答案：A15.厚膜和薄膜的混合集成电路的组装顺序有所差异。（）A、正确B、错误参考答案：A16.内部水汽含量试验目的是测定金属或陶瓷器件内部气体中的水汽含量。（）A、正确B、错误参考答案：A17.为了使军用产品在批生产过程中质量稳定、处于高可靠性、高成品率受控状态，维持良好的生产过程，必须加强混合集成电路工艺环境清洁度、环境控制、贮存环境和暴露时间的控制。（）A、正确B、错误参考答案：A18.电源电动势的方向是由电源的正极到电源负极。（）A、正确B、错误参考答案：B19.产品质量是多种质量因素的综合反应。（）A、正确B、错误参考答案：B20.施主杂质电离后向半导体提供空穴。（）A、正确B、错误参考答案：B21.平行封焊的每个焊点间重叠量为三分之一到二分之一为佳。（）A、正确B、错误参考答案：A22.超声键合可以焊接粗细不等的铝丝铝带和金丝金带。而热压焊接只能键合细金丝。（）A、正确B、错误参考答案：A23.化镀镍比电镀镍的熔点低。（）A、正确B、错误参考答案：A24.半水清洗是利用全自动清洗机先进行溶剂清洗，然后不使用去离子水进行漂洗的过程。（）A、正确B、错误参考答案：B25.气体平均自由程与气体的压强成正比关系。（）A、正确B、错误参考答案：B26.晶体三极管具有两个PN结，二极管具有一个PN结，因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只晶体三极管使用。（）A、正确B、错误参考答案：B27.可用万用表测试场效应管的管脚。（）A、正确B、错误参考答案：B28.做PIND时，以腔体体积作为实验条件的选取依据。（）A、正确B、错误参考答案：B29.在混合集成电路终极版起着承载厚膜元件互联以及外贴元件等作用，在大功率电路中，还有散热的作用。（）A、正确B、错误参考答案：A30.多余物是指生产过程中或生产完成后，由外部进入或内部产生的与产品设计图样，技术条件无关的物质。（）A、正确B、错误参考答案：A31.扫频振动的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。（）A、正确B、错误参考答案：A32.平行缝焊盖板的基材为金锡合金。（）A、正确B、错误参考答案：B33.电子是带负电的粒子。（）A、正确B、错误参考答案：A34.平行缝焊过程中发生“打火”会严重影响密封质量。（）A、正确B、错误参考答案：A35.国家标准规定的安全色有红、蓝、黄、绿四种颜色。（）A、正确B、错误参考答案：A36.集成电路封装使用的塑粉从冷库取出后直接可以使用。（）A、正确B、错误参考答案：B37.若上工序流到外检产品数量与流程卡上的数量不附，可以自己重新核对，填上实际数量检验后入库。（）A、正确B、错误参考答案：B38.非晶玻璃系较少应用于实际工程中。（）A、正确B、错误参考答案：A39.高温共烧陶瓷基板具有结构高强度热导效率高，化学稳定等优点。（）A、正确B、错误参考答案：A40.场效应晶体管是电压控制器件。（）A、正确B、错误参考答案：A41.基板贴装工艺分为合金焊料焊接和胶粘工艺两种。（）A、正确B、错误参考答案：A42.晶体二极管因所加反向电压大而击穿烧毁的现象称为热击穿。（）A、正确B、错误参考答案：A43.防静电接地和电源保护接地是一回事。（）A、正确B、错误参考答案：B44.生产经营单位的主要负责人对本单位的安全生产工作负领导责任。（）A、正确B、错误参考答案：B45.化学试剂用做清洗时，对纯度没有什么要求。（）A、正确B、错误参考答案：B46.场效应管的放大能力不能像晶体管一样，用电流放大系数表示，而是用动态跨导gm表示的。（）A、正确B、错误参考答案：A47.若某些原件是用焊料焊接，而其他元件使用胶粘工艺时，温度较高的焊料贴装应该先进行加工。（）A、正确B、错误参考答案：A48.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（）A、正确B、错误参考答案：A49.普通的LED所能承受的静电电压是500-1000V。（）A、正确B、错误参考答案：A50.高温贮存和功率老化都是环境应力筛选。（）A、正确B、错误参考答案：B51.凡是普通三极管可以使用的场合，原则上也可使用场效应器件。（）A、正确B、错误参考答案：A52.可靠性是产品在规定的条件下和规定时间内，完成规定功能的能力，器件失去规定的功能叫失效。（）A、正确B、错误参考答案：A53.航天用集成电路通常采用平行缝焊的储能焊。（）A、正确B、错误参考答案：A54.PN结具有单向导电性。（）A、正确B、错误参考答案：A55.在smt生产中，焊膏印刷质量是体现焊接质量的一项重要指标。（）A、正确B、错误参考答案：A56.氧化铝多层陶瓷基板，该羁绊技术工艺成熟，介质材料成本高，热导效率和抗弯强度较高。（）A、正确B、错误参考答案：B57.铁一镍合金可替代可伐合金做为外壳材料。（）A、正确B、错误参考答案：A58.激光划片是利用高能量的激光束，束斑直径若干微米，其能量大于105～106W/cm2,使硅片熔化并挥发穿孔，留下一排整齐的小孔。（）A、正确B、错误参考答案：A59.安全生产管理，坚持“安全第一、预防为主、综合治理”的方针。（）A、正确B、错误参考答案：A60.人工目检不是焊点检查的，最基本的检测手段。（）A、正确B、错误参考答案：B61.有机树脂封装的最大优点是绝缘性好。（）A、正确B、错误参考答案：A62.硅二极管的正向压降为1V。（）A、正确B、错误参考答案：B63.金属-低掺杂半导体接触产生整流接触；金属-高掺杂半导体接触产生欧姆接触。（）A、正确B、错误参考答案：A64.要使三极管工作于放大状态，其发射结、集电结分别处于正向、反向偏执状态。（）A、正确B、错误参考答案：A65.发生危险化学品事故，有关地方公安消防部门应当做好指挥、领导工作。（）A、正确B、错误参考答案：B66.封装时，材料的机械特性、热膨胀系数尤其重要。（）A、正确B、错误参考答案：A67.BGA是四方扁平引线封装封装的简称。（）A、正确B、错误参考答案：B68.非离子性污染物是不会被电离为离子的一类物质。（）A、正确B、错误参考答案：A69.因生产安全事故受到损害的从业人员，向本单位提出赔偿要求，可以在依法享有工伤社会保险或者依照有关民事法律获得赔偿两者之间任选一种。（）A、正确B、错误参考答案：B70.光学显微镜可以检测封帽空洞。（）A、正确B、错误参考答案：B71.在Si中掺入P,则引入的杂质能级靠近导带底。（）A、正确B、错误参考答案：A72.最终密封前检验应保证在前面各次检验后的后续处理中产生的缺陷，能在封装前检验中被发现和拒收。（）A、正确B、错误参考答案：A73.印制板的质量对电子产品的性能和可靠性有重要影响。（）A、正确B、错误参考答案：A74.环氧树脂的缺点是：（1）不适合高温下工作；（2）高频性能和耐湿性差。（）A、正确B、错误参考答案：A75.生产经营单位发生生产安全事故造成人员伤亡、他人财产损失的，应当依法承担赔偿责任；拒不承担或者其负责人逃匿的，由公安部门依法强制执行。（）A、正确B、错误参考答案：B76.平行封焊的电流大小仅与封接温度有关。（）A、正确B、错误参考答案：B77.通常认为。1μm以下厚度的膜为薄膜，以上者为厚膜。（）A、正确B、错误参考答案：B78.封装时材料的机械特性与膨胀系数尤其重要。（）A、正确B、错误参考答案：A79.细检漏技术通常采用示踪气体检漏法。（）A、正确B、错误参考答案：A80.封盖后的产品外观不须再检验。（）A、正确B、错误参考答案：B81.塑封材料的发展方向是高纯度、低应力、低α射线。（）A、正确B、错误参考答案：A82.固化性能，即获得固化所需温度和时间，还包括固化后需有一定粘接强度和尽可能小的收缩率，以减少应力产生。另外固化时不应有气体放出，避免产生针孔。（）A、正确B、错误参考答案：A83.特大安全事故发生后，对调查组提出的调查报告，省、自治区、直辖市人民政府应当自调查之日起30日内，对有关责任人员作出处理决定。。（）A、正确B、错误参考答案：A84.银浆烧结是一种流传较广的方法，它适用于大功率晶体管。（）A、正确B、错误参考答案：B85.静电中和：用离子风吹向带静电表面，达到静电荷中和的目的。（）A、正确B、错误参考答案：A86.设备清洗，根据不同的清洗机里又分为汽相清洗，水清洗等离子清洗超声波清洗等方法。（）A、正确B、错误参考答案：A87.密封外壳腔体内部水分是引起器件腐蚀失效的主要原因。（）A、正确B、错误参考答案：A88.在数字电路中，高、低电平是指一定的电压范围，而不是一个不变的数值。（）A、正确B、错误参考答案：A89.键合引线所用的金丝，化学稳定性不好，易腐蚀。（）A、正确B、错误参考答案：B90.职业健康检查应当由县级以上人民政府卫生行政部门批准的医疗卫生机构承担。（）A、正确B、错误参考答案：B91.在组装压焊过程中，防静电措施有设备接地，操作人员要穿防静电工作服，要戴防静电手镯。（）A、正确B、错误参考答案：A92.在三相电路中，Y形连接负载的相电流等于线电流。（）A、正确B、错误参考答案：B93.按封装材料的不同，集成电路封装可以分为玻璃封装、金属封装、陶瓷封装、塑料封装。（）A、正确B、错误参考答案：A94.芯片粘接强度的大小与芯片粘接面积有关。（）A、正确B、错误参考答案：A95.颗粒状污染物一般采用机械方法，如强力喷射，洗刷等方法即可清除。（）A、正确B、错误参考答案：A96.低熔玻璃的封接温度仅由玻璃的组成决定。（）A、正确B、错误参考答案：B97.金—铝键合系统的缺点是在高温下容易形成金—铝间的化合物，使键合强度不高，造成键合质量下降，长时间以后易脱焊失效。（）A、正确B、错误参考答案：A98.场效应晶体管是靠少数载流子来工作的。（）A、正确B、错误参考答案：B99.为评价分析产品的可靠性而进行的试验，叫做可靠性试验。（）A、正确B、错误参考答案：A100.在三相电路中，△形连接负载的相电流等于线电流。（）A、正确B、错误参考答案：A101.在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）A、正确B、错误参考答案：B102.平行封焊封装的电路滚轮压过的边部不易锈蚀。（）A、正确B、错误参考答案：B103.塑料封装被称为非气密封装。（）A、正确B、错误参考答案：A104.表面涂敷工艺是指在芯片压焊内引线之后，在其表面涂敷一层黏度适中的保护胶，并牢固地紧贴在芯片表面上的工艺。（）A、正确B、错误参考答案：A105.航天电子产品的清洗方法可以分为手工清洗和设备清洗两大类。（）A、正确B、错误参考答案：A106.粗检漏压完后将电路放进酒精中进行检漏。（）A、正确B、错误参考答案：B107.用电器铭牌上的标称的电压，电流值是指交流电的峰值。（）A、正确B、错误参考答案：B108.若用环氧贴装方法，将全部芯片先贴装在基板上，然后将基板安装在外壳上。（）A、正确B、错误参考答案：A109.DIP塑料封装引线节距为2.54mm。（）A、正确B、错误参考答案：A110.电子是带正电的粒子。（）A、正确B、错误参考答案：B111.小于二千伏的静电人体是有感觉的。（）A、正确B、错误参考答案：B112.塑封树脂料保管的技术条件是干燥、无污染、低温1～5℃。（）A、正确B、错误参考答案：A113.用乙醇或丙酮清洗用具时，可以在电炉上直接加热。（）A、正确B、错误参考答案：B114.在动力电源线中，中线可以作为地线。（）A、正确B、错误参考答案：B115.塑封是典型的气密性封装。（）A、正确B、错误参考答案：B116.场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）A、正确B、错误参考答案：A117.生产、经营、储存、使用危险物品的车间、仓库不得与员工宿舍在同一座建筑物内，并应当与员工宿舍保持安全距离。（）A、正确B、错误参考答案：A118.平行封焊产品的质量只与工艺参数有关。（）A、正确B、错误参考答案：B119.剪切强度属于非破坏性试验。（）A、正确B、错误参考答案：B120.静电手腕带的测试：被测人双脚踏地，双手离开操作台，身体不能与操作台相接触。（）A、正确B、错误参考答案：A填空题1.塑料封装基本流程：裸芯片制作→芯片贴装→打线键合→()→烘烤成型→引脚镀锡→引脚切割成型。答：铸模成型2.催化剂对反应速率的影响是()。答：同等程度地加快正向反应和逆向反应38.3.载流子在电场作用下的运动为()运动。答：漂移4.半导体载流子在输运过程中|会受到各种散射机构的散射|主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。答：电离杂质的散射|晶格振动的散射5.将芯片及其他要素在框架和基板上布置|粘贴固定以及连接|引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程是()_|在此基础上|将封装体与装配成完整的系统和设备|这个过程为()。答：狭义封装|广义封装6.插装元器件与表面贴装元器件主要区别是：()()()答：表面贴装元器件体积小|便于小型化生产|便于减小成品尺寸。7.通孔插装式安装器件又分为以下几种：塑料双列直插式封装；();塑料针栅封装答：单列直插式封装8.载带自动键合与倒装芯片键合共同的关键技术是芯片的制作工艺|这些工艺包括蒸发/溅射、电镀、置球、化学镀、激光法、()、叠层制作凸点法等。答：移植法9.氰化物和碱性的高度能够()锡须在镀锌的生长率。答：降低10.锡须不仅可能发生在纯锡表面|在一些()上也可能发生。答：锡合金11.根据所使用材料的不同|元器件封装主要分为金属封装、陶瓷封装和()三种类型答：塑料封装12.电解Ni/Au包含了一个电解Ni的内层加上一个电解Au的外层|通常表示成()。答：是EG13.在一定温度下|与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为()|高于费米能级2kT能级处的占据概率为()。答：1/2|1/1+exp(2)14.圆片的减薄厚度常取得较厚时|会使器件串联电阻()|串联电感()|热阻()为此必须把圆片厚度减薄到芯片的()厚度。答：大|大|上升|设计15.二极管的主要特性是具有()。二极管外加正向电压超过死区电压以后|正向电流会迅速增大|这时二极管处于()。答：单向导电|导通状态16.JFET按导电载流子类型不同|可分为()和()两种。答：N型沟道|P型沟道17.细检压检漏使用的气体为()。答：氦气18.先进的可靠性模型和()将带来更全面和更有效的鉴定过程。答：预计方法19.ASTMD_3123或SEMIG11_88试验是让流动的塑封料穿过横截面为半圆形的()直到停止流动。答：螺旋管20.金属封装由于在最严酷的使用条件下具有杰出的可靠性而被广泛用于军事和()。答：民用领域21.SAM技术基于超声波在各种材料中的反射和()而成像|基于SAM技术的显微镜称扫描声学显微镜。答：传输特性22.BGA根据焊料球的排列方式分为：()、()、()。答：周边型|交错型|全阵列型23.调整厚膜电阻的阻止有改变电阻膜()和改变电阻膜()两类方法。答：几何图形|结构24.半导体的晶格结构式多种多样的|常见的Ge和Si材料|其原子均通过共价键四面体相互结合|属于()结构；与Ge和Si晶格结构类似|两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成()和纤锌矿等两种晶格结构。答：金刚石|闪锌矿25.硅中天然地而易于破裂的面是()面。答：{111}26.除了铜扩散|()的增加也会导致锡须生长。答：碳含量27.当PN结正向连接时|阻挡载流子扩散的PN结空间电荷层()_|允许PN结上有()_的电流通过；当PN结反向连接时|阻挡载流子扩散的PN结空间电荷层()_|PN结上只允许()_漏电流通过。答：变窄|较大|展宽|较小28.两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带()电|达到热平衡后两者的费米能级()。答：正|相等29.BGA是指()封装。答：球栅阵列30.空间两直线的相对位置有()、()、()三种。答：平行|相交|交叉31.具有()作用和()作用的三端或四端半导体器件|称为晶体管。答：放大|开关32.平行缝焊时若盖板平整度差|容易发生()现象。答：打火33.生产经营单位应当在有较大危险因素的生产经营(场所)和有关()上|设置明显的()。答：设施、设备|安全警示标志34.生产经营单位必须执行依法制定的保障安全生产的()或者()。答：国家标准|者行业标准35.DCA技术也是一种超微细间距BGA形式|是将C4技术得到的裸芯片直接贴装在各类基板(PCB)上进行直接安装|且与SMT工艺()。答：相兼容36.合金烧结法是采用()作焊料的一种钎焊方法。答：共晶合金37.陶瓷针栅阵列封装的简称是()。答：CPGA38.在给定时间内通过单位面积聚合物膜的()随时间的变化曲线称为渗透曲线。答：潮气量39.组装工艺的好坏将影响到器件和集成电路的()、()、()和()。答：直流性能|频率性能|热性能|可靠性40.塑料封装注模工艺：转移成型技术|喷射成型技术|()。答：预成型技术41.电子是带()电的粒子。答：负42.芯片封装所使用的材料有：()、()、()、()。答：金属|陶瓷|玻璃|高分子塑料43.倒装芯片有三种主要的连接形式：()、直接芯片连接和倒装芯片。答：控制塌陷芯片技术44.阿贝成像原理可以简单地描述为两次干涉作用：平行光束受到有周期性特征物体的散射作用形成衍射谱()通过干涉重新在像平面上形成反映物的特征的像。答：各级衍射波45.薄膜型CSP封装主要结构是()和焊料凸点。答：LSI芯片、模塑树脂46.集成电路的发展趋势是体积越来越()、电路工作速度越来越()、电路规模越来越()、电路功能越来越()。其目标就是要小型化、高速、低成本和高可靠性。答：小|快|大|强47.物质按导电能力的强弱可分为()、()和()三大类。答：导体|绝缘体|半导体48.常见的芯片互连技术包括载带自动键合、打线键合、()三种。答：倒装芯片键合49.PBGA采用塑料材料和塑封工艺制作|是最常用的()。答：BGA封装形式50.生产经营单位应当对从业人员进行()|保证从业人员具备必要的安全生产知识。答：安全教育和培训51.封装材料的性能可以分为4类：()、()、()_、()。答：工艺性能|湿-|热机械性能|电学性能和化学性能52.制造性能主要包括螺旋流动长度、渗透和填充、凝胶时间、()、热硬化以及后固化时间和温度。答：聚合速率53.在()设备下可以观察封帽空洞的大小。答：X射线检测54.对于Au-Au热超声引线键合|键合能力随着表面Au的硬度的增加而()。答：下降55.表面粗糙度中|Ra的单位为()。答：微米56.涂覆的Ni具有很多优势，如表面较平|高稳定|性好的货架寿命和()|并且在安装时少了桥接。答：焊接能力较强57.比例1:2是指实物尺寸是图形尺寸的()倍|属于()比例。答：2|缩小58.一般而言|Kirkendall空洞是由于()扩散进IMC层后|在IMC层上的焊料里出现的。答：Sn59.半导体中由于浓度差引起的载流子运动为()。答：扩散运动60.集成电路封装关系到电路的()和()|并对电路的电性能和热性能以及对整机的小型化和集成化均有重要作用。答：可靠性|稳定性61.平行缝焊化镀镍盖板的熔点约为()。答：880℃62.粗检压检漏完毕后|将电路置于()中|观察电路的漏气情况。答：高温氟油63.对()来讲|尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件|一个突出的问题是引脚的非共面性。答：SMT装配64.DIP是指()封装。答：双列直插式65.反向偏置pn结|当电压升高到某值时|反向电流急剧增加|这种现象称为pn结击穿|主要的击穿机理有两种：()击穿和()击穿。答：雪崩|隧道66.()分为热固性和热塑性两类。答：封装用塑料材料67.比例是指图中()与()之比。答：图形尺寸|实物尺寸68.尺寸标注中的符号：R表示()|φ表示()。答：半径|直径69.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的()|引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的()的作用。答：二阶导数|内部势场70.半导体衬底上的氧化层厚度通常小于1um(几个到几百纳米)|所以用这些分析技术能较好地探测到()。答：氧化层失效71.影响超声键合的质量主要因素有()、()、()、()()等。答：引线材料|劈刀|键压面|质量|外壳质量72.金属凸点制作工艺中|多金属分层为：()、()、()。答：黏着层|扩散阻挡层|表层金保护层73.半导体导带中的电子浓度取决于导带的()(即量子态按能量如何分布)和()(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。答：状态密度|费米分布函数74.在无电镀镍中的磷与回流焊中含()焊料之间会发生很强烈的界面反应。答：锡75.在倒装焊技术中|()凸点是另一种普遍使用的凸点金属。答：铝-镍钒-铜76.未经安全生产教育和培训合格的从业人员|不得()。答：上岗作业77.()杂质可显著改变载流子浓度；()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命|是有效的复合中心。答：浅能级|深能级78.平行缝焊的工艺参数有焊接功率、焊接压力、脉冲宽度、()和电极速度。答：脉冲周期79.在完成打码工序后|所有器件都要进行测试。这些测试包括一般的()。答：目检、老化试验和最终的产品测试80.晶圆级封装以BGA技术为基础|是一种特殊类型的()又称为圆片级芯片尺寸封装。答：CSP封装型式简答题1.简述减薄后的芯片具备的优点。答：1、薄的芯片更有利于散热；2、减小芯片封装体积；3、提高机械性能、硅片减薄、其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之间的连线也越短，元件导通电阻将越低，信号延迟时间越短，从而实现更高的性能；5、减轻划片加工量减薄以后再切割，可以减小划片加工量，降低芯片崩片的发生率。2.什么是引线材料?答：用于集成电路引线的材料，需要注意的特性为电特性、绝缘性质、击穿、表面电阻热特性，玻璃化转化温度、热导率、热膨胀系数，机械特性，扬氏模量、泊松比、刚度、强度，化学特性，吸潮、抗腐蚀，3.在60℃时，将450g某CuS04溶液恒温蒸发掉310g水后，溶液恰好饱和；此温度下另取45g该CuS04溶液，加入25g胆矾，完全溶解后溶液亦恰好饱和。60℃时CuS04的溶解度为多少克?答：设45g原溶液中有Wg溶质；(W+25g×160g/250g)/(45g+25g)=W/(45g-31g)W=4;S=4/(14-4)×100g=40g答60℃时CuS04的溶解度为40g。4.热固性粘接剂有什么性质?答：热固性粘接剂是由化学反应固化形成交联聚合物的材料，固化之后再加热也不会软化，不能重新建立粘结连接。在接近或高于热固型粘接剂的玻璃转变温度，重新加热会大大减少其粘结强度。5.助焊剂按固体含量来分类，主要可分为。答：助焊剂按固体含量来分类，主要可分为低固含量、中固含量、高固含量。6.封装的层次有哪些。答：集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件(Module)、电路卡工艺(Card)、主电路板(Board)、完整电子产品。7.什么是柯肯达尔空洞?答：是指线材、建核电金属与金属间化合物之间的两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷，产生空洞。8.简述封装技术层次。答：第一层又称芯片层次的封装，是把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的黏贴固定、电路连线与封装保护的工艺。第二层，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电路卡工艺。第三层，将数个第二层次完成的电路卡组合在一个电路板上，使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层，将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程。9.CSP的封装技术答：所谓CSP(ChipSizePackage),即芯片尺寸封装。CSP是在BGA基础上发展起来的，是接近LSI芯片尺寸的封装产品。这种产品具有以下几个特点：(1)体积小：CSP是目前体积最小的LSI芯片封装之一。(2)可容纳的引脚最多：相同尺寸的LSI芯片的各类封装中，CSP的引脚最多。(3)电性能好：CSP寄生电容很小，信号传输延迟时间短。(4)散热性能优良：大多数CSP都将芯片面向下安装，能从芯片背面散热，且效果良好10.封装中涉及到的主要材料有哪些。答：引线材料，引线框架材料，芯片粘结材料，模塑料，焊接材料，封装基板材料。11.什么是间接复合过程?有哪四个微观过程?答：间接复合：非平衡载流子通过复合中心的复合；四个微观过程：俘获电子，发射电子，俘获空穴，发射空穴；12.通过厚膜与薄膜技术的比较分析，简述它们各自的优缺点。答：薄膜技术使用光刻工艺形成的图形具有更窄、边缘更清晰的线条。这一特点促进了薄膜技术在高密度和高频率的使用。薄膜工艺比厚膜工艺成本高，多层结构的制造极为困难，受限于单一的方块电阻率。13.三极管放大电路如图2-31所示，已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240kΩ2,三极管的β=40,试求：(1)估算各静态值IB,IC,UCE;(2)在静态时，C1和C2上的电压各为多少?极性如何?答：(1)从已知电路可画出它的直流通路，接着计算出IB=(UCC-UBE)/RB=UCC/RB=0.05mAIC=βIB=2mAUCE=UCC-ICRC=6V。(2)在静态时，UC1=UBE=0.7V,UC2=UCE=6V。答IB为0.05mA,IC为2mA,UCE为6V;静态时，C1上的电压为0.7V,C2上的电压为6V。14.简述焊接过程中生成的界面金属间化合物对焊点力学性能产生的影响?答：在400-600um直径SAC/Cu焊点中，Ag3Sn化合物形态基本呈树枝网状，而在300um以下直径SAC/Cu焊点，Ag3Sn相则基本呈颗粒分布，可见随着焊点体积的减小，Ag3Sn化合物有逐渐细化的趋势。第二相质点呈树枝网状分布将使材料的脆性增强，而弥散分布的颗粒状第第二相质点不仅具有第二相强化作用，而且能使材料保持良好的塑性，材料的力学性能较好。因此，Ag3Sn化合物形态在不同体积焊点中的差异必将引起不同体积焊点力学行为的显著变化。别外，界面处的Cu6Sn5化合物层也有细微差别，小体积焊点的Cu6Sn5比大体积焊点更加细密，这将大大增加金属间化合物层与钎料基体的接触面积，也会提高焊点的剪切强度。因此，小体积焊点的剪切强度要高于大体积焊点。在焊点内部发现的六棱柱状的c化合物，也将对焊点裂纹扩展产生一定的阻碍作用。15.简述芯片减薄的常用工艺技术。答：硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等。16.倒装芯片有几种连接方式?答：控制塌陷芯片连接(C4)、直接芯片连接(DCA)和胶粘剂连接倒装芯片。17.BGA、CSP与PWB进行焊球连接的主要缺陷有哪些。答：桥连，焊料过量，邻近焊球之间形成桥连。连接不充分，焊料太少，不能在焊球和基板之间形成牢固的连接。空洞，沾污及焊膏问题造成空洞。断开，基板过分翘曲，又没有足够的焊料使断开的空隙连接起来。浸润性差，焊区或焊球的浸润性差，造成连接断开。形成焊料小球，小的焊料球由再流焊时溅出的焊料形成。误对准，焊球重心不在焊区中心。18.芯片粘接方法分为哪几类?粘接的介质有何不同?答：Au-Si合金共熔法。芯片背面淀积Au层，基板上也要有金属化层。Pb-Sn合金片焊接法。芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu。导电胶粘接法。导电胶。有机树脂基粘接法。有机树脂基。19.某材料烧结前的长度为20.2mm,烧结后长度为20mm,求材料的收缩率。答：h=(L1-L2)/L2×100%=(20.2-20)/20×100%=1%答收缩率为1%。20.什么是模塑料?答：模塑料与常见的热塑性塑料相比，模塑料具有更高的几何尺寸稳定性、更耐极端高热高湿复杂环境、耐化学品腐蚀、高机械强度等特点。其基本构成为：基体(10-30%)(高分子化合物树脂)、环氧树脂、硅酮树脂、1,2-聚丁二烯酯树脂、添加剂(60-90%)、固化剂、催化剂、填充剂(Si02)、阻燃剂、脱模剂、染色剂。21.锡膏中主要成份分为哪两大部分。答：锡膏中主要成份分为两大部分合金焊料粉末和助焊剂。22.如下图所示，将三个大小相等的电阻R连接成三角形，如果在它的两个顶点施加100V的电压，已知流出3A的电流，问电阻R的值应为多少欧?答：电路的等效电阻R'=U/I=100/3又据R’=R(R+R)/(R+(R+R))=(2/3)R故R=50Q答电阻R的值为50Q。23.真空室的真空压力为2.4E-5mbar,试将压力单位转化为Pa(1mbar=100Pa)。答：由1mbar=100Pa可得：2.4E-5mbar=2.4E-3Pa答压力单位转化后为2.4E-3Pa。24.磷元素对焊接裂纹的影响?答：磷元素极易引起结晶偏析，还能形成多种低熔化合物或共晶，在结晶期极易形成液态薄膜，对各种裂纹都敏感。25.3D封装是什么。答：是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。26.将70克由Na202和Na20组成的混合物跟98克H20充分反应后，所得NaOH溶液中溶质的质量分数为50%,试计算原混合物中Na202和Na20的质量。答：设混合物中有Na202的物质的量为xmol,Na20的物质的量为ymol由题意可得，78x+62y=70解得，x=0.5moly=0.5mol答混合物中Na202的质量为39克，Na20的质量为31克。27.焊接裂纹按形成机理可分成几类?答：热裂纹、冷裂纹、再热裂纹、层状撕裂、应力腐蚀裂纹。28.简述电子封装中强制使用无铅焊料的原因?答：环保和健康的要求国内外立法的要求全球无铅化的强制要求1)无铅钎料的熔点较高。比Sn37Pb提高34~440C。高的钎焊温度使固/液界面反应加剧。2)无铅钎料中Sn含量较高。SnAg中96.5%Sn,SnPb中63%Sn),因为Pb不参与固/液和固/固界面反应，高Sn含量使固/液、固/固界面反应均加速。3)小尺寸钎料在大电流密度的作用下会导致电迁移的问题。29.用溶质质量分数为6%的氯化钠溶液配制50g溶质质量分数为3%的氯化钠溶液，需溶质质量分数为6%的氯化钠溶液多少g？答：根据配制过程中溶质的质量不变，设需要6%的氯化钠溶液质量为x列方程：50gx