tft三次作业及施展同学笔记二次宜

TFT-LCDPROCESS微电子钟映宜12341084概述1、TFTprocessGate电极形成沟道形成SD电极形成Contacthole像素电极形成1溅射/PECVD2光刻3刻蚀部分涉及到的技术（1）PVD薄膜制备技术：溅射溅射（sputtering）是pvd（PhysicalVaporDeposition）薄膜制备技术的一种用带电粒子轰击靶材，加速的离子轰击固体表面时，发生表面原子碰撞并发生动量和能量的转移。使靶材原子从表面逸出并淀积在衬底材料上的过程。溅射出的粒子是有方向性的。采用溅射工艺具有基体温度低，薄膜质纯，组织均匀密实，牢固性和重现性好等优点。(glowdischarge)ground-V(DC)VacuumCathodeshieldPECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).（2）光刻光刻过程去除沾污去除微粒减少针孔和其他缺陷提高光刻胶黏附性前烘去水烘干去除硅片表面的水份提高光刻胶与表面的黏附性通常在100°C与前处理同时进行前处理防止显影时光刻胶脱离硅片表面通常和前烘一起进行匀胶前硅片要冷却匀胶前硅片需冷却硅片在冷却平板上冷却温度会影响光刻胶的黏度

–影响光刻胶的厚度匀胶硅片吸附在真空卡盘上液态的光刻胶滴在硅片的中心卡盘旋转，离心力的作用下光刻胶扩散开高速旋转，光刻胶均匀地覆盖硅片表面先低速旋转~500rpm再上升到~3000-7000rpm匀胶后烘使光刻胶中的大部分溶剂蒸发。溶剂帮助得到薄的光刻胶膜但是吸收光且影响黏附性曝光后烘时间和温度取决于工艺条件过烘:聚合,光敏性降低后烘不足:影响黏附性和曝光硅片冷却对准和曝光曝光后烘玻璃转化温度Tg烘烤温度大于Tg光刻胶分子热迁移过曝光和曝光不足的光刻胶分子重排平衡驻波效应,平滑光刻胶侧壁提高分辨率硅片冷却显影显影液溶解部分光刻胶正胶显影液通常使用弱碱性的溶剂最常用的是四甲基氢铵将掩膜上的图形转移到光刻胶上三个基本步骤:显影－清洗－干燥显影后烘使光刻胶中的溶剂蒸发提高抗刻蚀和抗离子注入性提高光刻胶和硅片表面的黏附性聚合化并稳定光刻胶光刻胶流动填平针孔（3）刻蚀从晶圆表面去除一定材料化学、物理过程或两者结合选择性或覆盖刻蚀选择性刻蚀转移光刻胶上的IC设计图形到晶圆表面其它应用:制造掩膜,印制电路板,艺术品,等等栅掩膜对准

GateMaskAlignment栅掩膜曝光

GateMaskExposureDevelopment/Hard

Bake/Inspection刻蚀多晶硅EtchPolysiliconEtchPolysilicon继续光刻胶剥离StripPhotoresist离子注入IonImplantation快速热退火RapidThermalAnnealing刻蚀过程湿法刻蚀纯化学腐蚀过程特点：各向同性剖面优点：工艺简单，腐蚀选择性好；缺点：钻蚀严重（各向异性差），难于获得精细图形在尺寸大于3um的IC制造中广泛使用在现代IC制造仍然使用

–硅片清洗

–薄膜覆盖剥离

–测试晶圆薄膜剥离和清洗湿法刻蚀剖面WetEtchProfiles不能用于特征尺寸小于3mm，由等离子体刻蚀替代危险性HFH3PO3HNO4腐蚀性Corrosive氧化剂Oxidizer特殊危险Specialhazard优点高选择性设备成本较低批处理,高产量缺点各向同性不能刻蚀3mm以下图形化学品使用量高化学品危险

–液体腐蚀

–烟熏

–爆炸危险优点：各向异性腐蚀强；分辨率高；刻蚀3μm以下线条。类型：①等离子体刻蚀：化学性刻蚀；②溅射刻蚀：纯物理刻蚀；③反应离子刻蚀（RIE）：结合①、②；PlasmaEtch等离子体刻蚀干法刻蚀干法刻蚀和湿法刻蚀的比较2、CFprocessBMpatterningprocess（1）BMpatterningprocess（2）RGBprocessMulti-domainVerticalprocessFinalinspectionPI前清洗CFTFTPI涂布预烤固烤配向PILineRubbingLineRubbing后清洗UV照射框胶点胶SealOven液晶滴下CFTFTODFLine衬垫料贴合一次切割（自动）二次切割（手动）CleanerPOLAttachCELLCFTFTTrimmer3、Cellproce