半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第六篇：微处理器空白详细规范 征求意见稿

半导体器件集成电路第2-6部分：数字集成电路微处理器空白详细规范IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。本部分是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用。GB/T4589.1半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范GB/T12750半导体器件集成电路第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)要求的资料本页和后面括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填入本规范相应的栏中。详细规范的识别[1]授权发布详细规范的国家标准机构名称。[2]详细规范的IECQ编号。[3]总规范和分规范的编号及版本号。[4]详细规范的国家编号、发布日期及国家标准体系要求的其他资料。器件的识别[5]主要功能和型号。如微处理器集成电路68000等等。[6]典型结构和应用资料。如果器件设计是多用途的，应在详细规范中说明。这些用途对器件所要求的特性、极限值和检验都应得到满足。详细规范应给出包括以下内容的简短描述：——寄存器的数量、类型的长度；——总线的数量、类型和宽度；——字长；——可设定地址的存储器；——引出端数量；——电源电压；——其它特点。[7]外形图、引出端识别、标志和/或有关外形的参考文件。[8]按总规范2.6的质量评定类别。[9]参考数据。[本规范下页方括号给出的条款构成了详细规范的首页，这些条款仅供指导详细规范的编写，而不应纳入详细规范2按本规范鉴定合格的器件，其有关承制方的资料，可在现行1标志和订货资料1.1标志见GB/T4589.1-2006中2.5。1.1.1器件标志1.1.2装运标志1.2订货资料[除另有规定外，订购器件至少需要下列资料：——准确的型号(标明器件不可编程或可编程)；——适用时，详细规范的IECQ编号、版本号和/或日期；——GB/T12750-2006第9章规定的质量评定类别，以及需要时，GB/T12750-2006第8章规定的筛选程序；——任何其他特殊的资料。]2应用说明[如果格[6]的说明不充分，应给出下列特性。]GB/T7509-20××/IEC60748-2-6:19912.1内部结构[带有说明的简单框图。]2.2硬件描述[在这里简要说明系统工作的主要特点。][时钟要求。]2.3存储器结构的要求[每种存储器中地址的总字节数和总位数。][可以用图（存储器图）的形式给出。]2.4软件主要特点2.4.1寻址方式[列出寻址方式。]2.4.2算术和逻辑在寄存器上的运行[与运行有关的位数。]2.5外部元器件[应规定微处理器正确运行所必须的外部元器件的特性(例如时钟电路)。]3功能说明3.1详细的结构图[应给出微处理器的结构图。对微处理器内部的受执行指令影响的各功能单元要给出详细的说明，包括用户可编程序的任何功能块。并要给出各功能单元间的主要数据通路以及它们外部连接的标识。[应给出表示功能的图形符号。它可以从图形符号的标准中获得，或按GB/T4728.12的规定编制。]3.2引出端的标识和功能3.2.1引出端的命名[在下表中给出引出端的命名：]*如果第二个表是必须的，这一列可以删除。]引出端名称：电源－输入－输出－I/O－空位－不可用功能：三态，集电极开路，推拉输出……适用时可增加第二个表：]4[不同类型的引出端包括如下：——电源端；——输入端/输出端；——输入/输出端(双向端)；——三态输出端。]3.2.2输入和输出详细功能和信号[应说明每个输入和输出信号的功能。][信号可以表示为以下种类：——数据信号；——地址信号；——控制信号(包括状态)。][必要时，给出说明图。]3.3微处理器功能描述3.3.1寄存器描述[应详细说明内部程序寻址寄存器或直接影响微处理器操作的其它寄存器的3.3.2寻址方式和数据类型[应详细说明各种有效的寻址方式(如：立即、直接、相对、变址、间接、自动递增/递减)，包括寻址方式的构成图表。应给出有效数据类型表。对较复杂的方式必需用图表表示。]GB/T7509-20××/IEC60748-2-6:19913.3.3指令系统[应给出指令格式，如：操作码字段、寻址方式字段、寄存器定义字段、运算字段等。][以表格的形式给出微处理器可执行的全部指令一览，即指令码、指令助记符、从受执行指令影响的寄存器中所产生的操作结果、所要求的时钟周期数和机器周期数，适用时，给出构成指令的字数、寄存器的状态以及与每条指令相关的寻址方式。[每一种指令类型应给出单独的表格，这些指令类型包括：——传送指令；——算术指令；——逻辑指令；——移位和循环指令；——转移指令；——字操作指令；——控制指令。[应按照指令的格式给出每条指令的位表示法。]3.3.4微程序(适用时)[应说明微程序指令系统和改变微程序的方法。]3.3.5外部事件处理3.3.5.1中断处理[应给出中断类型、数目，中断处理的优先顺序。]3.3.5.2输人/输出处理[应规定数据输人和输出、地址输出的处理方法,如：串行、并行或多路组合。]3.3.5.3定时器/计数器(适用时)3.3.6电源和初始顺序[——电源顺序；——微处理器初始化程序。]4极限值（绝对最大额定值体系）见IEC60134（不用于检验目的，只用于器件的适当使用。）。除另有规定外，极限值适用于整个工作温度范围。[除另有规定外，应给出下列极限值：应包括每个集成电路特有的警示状态，如：电源电压的施加顺序。应规定极限值的任何相互关联。应注明极限值适用的所有条件。][若允许瞬时过载，应规定其幅值和持续时间。对于可编程器件（如包含EPROM应规定编程方式特有的极限值。]6所有电压以一个确定参考端为基准。最小值bVCC,VDD,VBB,VEE××VVI××VVO××VVOZ××VIO ×II-×PTOT-×××℃××℃b编程期间这些值可能不一致时，应予以说明。5工作条件（在规定的工作温度范围内）这些条件不考核但可用于质量评定程序。VCCa,VDDa,VBBa,VEEa××VVIH×-VVIL-×V××℃a适用时，在备用条件下，这些值也可以引用。6电特性除另有规定外，特性应适用于全工作温度范围。电路规定的性能在工作温度范围内变化的，应给出25℃和工作温度范围极限值下的输入、输出电压值和对应的电流值。应给出每个不同功能类型的输入和/或输出的电流和电压值。[应规定特殊的特性和时序要求。]7GB/T7509-20××/IEC60748-2-6:19916.1静态特性所有电压以一个确定参考端为基准。VmaxICC,IDD,IBB,IEE-×VminVIK-×VVmin,IVOH×-VVmin,IVOL-×VVmax,VIIH(1)-×Vmax,VIIH(2)-×Vmax,VIIL(1)-×Vmax,VIIL(2)-×Vmin,VIOH×-Vmax,V×-Vmax,VIOHX-×Vmax,VIOLX-×三态输出的输出高电平(漏)电流Vmax,VIOHZ-×三态输出的输出低电平(漏)电流Vmax,VIOLZ-×Vmax,V=0V××a适用时，VDD,VBB,VEE可以代替VCC。d适用时，在备用条件下，这些值也可以引用。eIOHX和IOLX仅适用于具有集电极开路(或源极/漏极开路)输[适用时，下列内容也应予以规定：—有些引出端既可做输入也可做输出时，应规定相应的条件。—电流值可以是正值或负值，这依赖于所用电路的类型。—适用时，时钟输入作为脉冲电源时，应给出ICC、ISS等信息。6.2动态特性××8[应规定输出负载。][在规定的条件下，每一个输入或每一组输入的建立时间和保持时间的最小值与规定的时钟脉冲或规定的输出脉冲的恰当转换有关。应规定由用户确定的每项与微处理器无关的功能有可能成为临界状态的时序条件。——微处理器时钟周期和依赖时钟周期的最大值和最小值。——对于多相位时钟输入，二个连续相位指定沿的延迟时间的最小值和最大值(适用时)。——时钟脉冲和在每一个输入块持续时间的最小值和/或最大值。——上述特性的详细时序图。——适用时，带输出负载时传输时间或其它临界时间的变化。]6.3用于控制序列的时序图对于微处理器和相关的器件来说，必须以时序图和/或表的形式给出所有时序。6.4电容 CI×-CO×CI/O×7编程[仅适用于现场可编程器件(在考虑中)。]8机械和气候的额定值、特性和数据见GB/T12750-2006中12.2。9附加资料(不用于检验)[作为最少设计数据可选下列附加资料：——热阻热阻应基于在规定的功耗下，以最严酷的推荐工作条件工作时，允许在器件表面参考点产生的最高温度。——抗干扰度(输入，电源电压等)——适用时，带输出负载时传输时间或其它临界时间的变化。]——推荐的硬件装置(如电源的隔离)。——推荐的相关外围器件(目录、名称和功能)：·其它外围器件(直接或间接相关)。GB/T7509-20××/IEC60748-2-6:1991——表明对特性有影响的外接元件作用的曲线和数据。——应标明该集成电路是否同其他专用电路或集成电路族(例如TTL-LS)电气兼容，或是否需特殊接——详细使出输出电路的类型(例如三态、集电极开路)。——多于一个典型负载时，应给出由输出驱动的规定负载的最大量。——适用时，应给出第6章特性随电源电压、负载阻抗或其它量值的变化。——更多资料(适用时)：详细说明3.3.3条补充给出的每个结构的作用。——其它。][应说明集成电路是否包含抑制高静电电压和高电场的内部保护。]10筛选（如要求）见GB/T12750-2006第8章。[老炼条件(若必须)：应规定下列条件：——环境温度：最高工作温度，除另有规定外；——电源电压：额定值，除另有规定外；——频率；——电路图和条件。]11质量评定程序11.1鉴定批准程序[见GB/T4589.1-2006第3章和GB/T12750-2006中5.1。]11.2能力批准程序考虑中。12结构相似性程序[见GB/T12750-2006第6章。]13试验条件和检验要求13.1通则13.1.1通用条件[见GB/T4589.1-2006第4章。]13.1.2外观和尺寸检验[见GB/T4589.1-2006中4.3.1。]13.1.3电气和功能测试的通用条件[见GB/T4589.1-2006中4.4.1。]测试程序是产品规范的一部分。[承制方应向NSI(国家标准机构)证明功能测试程序是充分的，参照承制方给出的定义(功能、试验范围等)。]该资料应由承制方和NSI保密，没有承制方允许不得公开。13.1.4功能验证13.1.4.1通用条件见GB/T4589.1-2006。13.1.4.2功能定义和验证[在第3章中应尽可能详细地描述集成电路实现的功能。][应使用承制方的测试程序进行功能验证，这个测试程序是产品规范的一部分。][承制方应向NSI保证测试程序对于功能验证是充分的，另外，还应向其保证通过测试程序的功能验证在整个电源电压和工件温度范围内是有效的。][NSI可以要求承制方说明测试程序及其任何变化，但该资料是保密的。][NSI有权向被承制方认可的专家咨询。][测试程序中的功能验证不在详细规范中说明。]13.1.5气候试验见GB/T4589.1-2006中4.4和见GB/T12750-2006中12.2。13.1.6机械试验见GB/T4589.1-2006中4.4和见GB/T12750-2006中12.2。13.1.7耐久性试验见GB/T4589.1-2006中3.8或3.9和GB/T12750-2006中12.3。[详细规范应规定进行耐久性试验所有必须的资料。]13.2抽样要求和检验批构成——抽样要求见GB/T12750-2006第9章。——对于A组试验，可选择AQL体系或LTPD体系，在详细规范中规定。——对于检验批的构成，见GB/T12750-2006中5.1.1和程序规则12.2（IEC发布QC001002）。——对于结构相似性，见GB/T12750-2006第6章和程序规则8.5.3（IEC发布QC00