wt2000+中文说明完整

μ- 两台工控电脑,DOS操作系统，主要负责测量数据的处理，机器动作的控制WINDOWS操作系统，wintau32操作软件被二．微波光电导衰退法(Microwavephotoconductivitydecay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。904nm的激光注入（对于硅，注入30um）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电μ-PCD测试的是少子有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。1

dd

diff

dππn,

τsurf=试寿命；dDn，Dp分别为电子和空穴的扩散系数；S1S1cm/s10cm/s1000μs数量级的体寿命，10cm/s或更小的情况下，对1000μs数量级高体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。LBICWT-2000LBIC4100um的LaserLaserBeamScatteredlightDirectreflectionLasercontrollerandlock-inSolarContact2：IQEQE LBIC

Ielectron/Iphoton其中RRecorderCalibrate/Flux菜单。LBIC头将移直反射（directreflectance）统底端指定的位置，点击Calibrate/directreflection并且依次输入四种激光器常数(constantamplitude)34，输入四种激光的偏差（offset）0。之后，直反射将自动校正。漫反射(scatteredrelectance)被定义,Calibrate/scatteredreflectionOK即可自动校正。SHRSHR探头在中心有一个激光源，紧跟着有两个同心圆环形电容电极，激光的频率能被SHR信号并且它能向横向扩散，内外探头获取表面势。材料的方块电阻通过在两 SHR

SHRSHRfunction\compensateSHR的真实值。functions\save,取文件名，保存较正文件。在晶体生长，加工或运输过程中，Fe是一种很容易沾污的金属，－PCD能够对Fe的沾4所示。4FeBFeiSPVPCD这种大注入设备，FeBFei，在分解过程中，少子寿命升高，停止光照，FeiFeB，导致少子寿命降低并达到饱B浓度。这个过程5所示。5FeBFeB对分解前后的少子寿命，可通过式(3)Fe

=Cμ−PCD⎜

1− 其中：Cμ−PCD

⎝

aftermeasureinitializemeasure\options\loading下选择样品的形状（wafershape）.参考面(orientedby)，找边capacitanceconsolemeasure/loadsample上料。LBIC,要连接好金属探针，（optical，微波（capacitance2.1)已Measure\waferfinderupcdLBIC,5．6．filesaveasfileexporthtml格式。windowspdf打印机，打印时点击点击Print/pdf即可。6：BoatFeBoatFe图9：980nm405nm

10：IQE不要用手移动每天测量前，请用吸尘器清理设备中的赃物并用无尘布擦洗将机器为避免电脑中毒，最好不要用优盘拷贝数据对于抛光过或表面特别均匀的腐蚀过，而且是表面没有氧化层的样片,5%HF