自旋波的自发激发与衰减

19/22自旋波的自发激发与衰减第一部分自旋极化条件下的自旋波激发临界电流 2第二部分自旋共振腔中的自旋波衰减机制 4第三部分杂质散射对自旋波衰减的影响 7第四部分声子-自旋波相互作用对衰减的贡献 10第五部分磁畴壁运动引起的自旋波衰减 12第六部分非线性自旋动态对衰减的影响 14第七部分外加磁场的调控效应 16第八部分自旋波衰减的实验观测方法 19

第一部分自旋极化条件下的自旋波激发临界电流关键词关键要点自旋极化条件下的自旋波激发临界电流

1.自旋极化是指磁性材料中电子自旋方向高度一致的状态，它可以通过外磁场或自旋电流来实现。自旋极化条件下，材料的磁化强度和电导率都会发生改变。

2.自旋波是一种准粒子，它描述了自旋波矢与磁化强度的偏离。在自旋极化条件下，自旋波的激发临界电流大大降低，这是自旋-电子学的核心现象之一。

自旋波激发机制

1.自旋波可以通过各种机制激发，包括自旋流注入、参量泵浦和磁共振。自旋极化条件下，自旋流注入成为主要激发机制。

2.在自旋流注入中，偏振自旋流进入磁性材料，与局域自旋相互作用，从而激发出自旋波。自旋极化程度越高，自旋流注入效率越高。

临界电流与自旋极化

1.自旋波激发临界电流与自旋极化程度成反比，即自旋极化程度越高，临界电流越低。这是因为自旋极化增强了自旋流注入效率，降低了激发自旋波所需的电能。

2.临界电流与自旋流注入的电流方向有关。当自旋流注入方向与自旋极化方向平行时，临界电流最小。

临界电流的调控

1.可以通过调控自旋极化程度、自旋流注入方式和磁性材料的性质来调控临界电流。例如，引入强磁各向异性材料或使用高自旋极化自旋流源可以进一步降低临界电流。

2.随着自旋-电子学的发展，临界电流的调控技术不断进步，为自旋波器件的低功耗操作提供了可能。

自旋波器件

1.基于自旋波的自旋波器件具有低功耗、高效率和可集成等优点，在信息存储、逻辑运算和无线通信等领域具有广阔的应用前景。

2.自旋波器件的关键性能指标之一就是临界电流，临界电流越低，器件的功耗就越低。因此，自旋极化条件下的低临界电流自旋波激发机制在自旋波器件的研发中至关重要。自旋极化条件下的自旋波激发临界电流

在自旋极化条件下，自旋波激发的临界电流是影响自旋电子器件性能的关键参数。自旋波是一种在磁性材料中传播的自旋激发态，其特征是自旋偏离其平均取向的波状振荡。自旋极化是指材料中自旋占据优势方向的现象，这会显着影响自旋波的激发动力学。

自旋极化效应

自旋极化会改变自旋波的色散关系，从而影响其激发效率。在自旋极化的材料中，系统中的交换相互作用倾向于将自旋对齐，从而产生一个有效磁场。这个有效磁场会使自旋波的色散关系向低频率方向偏移，降低激发自旋波所需的能量。

临界电流表达式

自旋极化条件下的自旋波激发临界电流可以由以下表达式近似表示：

```

J_c=(2eħω_0M_s)/(λgμ_0)

```

其中：

*`J_c`是自旋波激发临界电流

*`e`是基本电荷

*`ħ`是普朗克常数除以\(2\pi\)

*`ω_0`是自旋波的角频率

*`M_s`是饱和磁化强度

*`λ`是自旋波的波长

*`g`是朗德g因子

*`μ_0`是真空磁导率

影响因素

自旋极化条件下的自旋波激发临界电流受多种因素影响，包括：

*材料特性：自旋极化强度、饱和磁化强度、交换刚度等材料特性会影响临界电流。

*器件尺寸：自旋波的波长与器件尺寸有关，从而影响临界电流。

*磁场：外部磁场的存在会改变自旋极化条件，进而影响临界电流。

*温度：温度会影响自旋极化的强度和材料的磁特性，从而影响临界电流。

应用

自旋极化条件下的自旋波激发临界电流是设计和优化自旋电子器件的重要参数。例如，在自旋注入器中，可以通过控制自旋极化和临界电流来提高自旋注入效率。在自旋逻辑器件中，临界电流可以用来控制自旋波的激发和传播，从而实现逻辑操作。

总结

自旋极化条件下的自旋波激发临界电流是一个关键参数，它受材料特性、器件尺寸、磁场和温度的影响。通过理解和控制临界电流，可以优化自旋电子器件的性能，推进自旋电子学领域的发展。第二部分自旋共振腔中的自旋波衰减机制关键词关键要点自旋共振腔中的自旋波衰减机制

主题名称：自旋弛豫

1.自旋弛豫是自旋波能量衰减的主要机制，它描述了自旋波与周围环境相互作用的过程，导致自旋极化的损失。

2.自旋弛豫时间通常用弛豫率（T2）表示，它可以分为横向弛豫率和纵向弛豫率。

3.自旋弛豫过程涉及各种物理机制，包括能级跃迁、散射和自旋-晶格相互作用。

主题名称：磁化率色散

自旋共振腔中的自旋波衰减机制

在自旋共振腔中，自旋波的衰减由以下几种机制导致：

1.本征衰减：

*这是自旋波由于自旋-晶格相互作用而与晶格相互作用而引起的衰减，导致自旋能量松弛到晶格中。

*本征弛豫时间τs与晶格温度T和磁场B成正比：τs∝T/B

2.非本征衰减：

*这由腔缺陷、表面粗糙度或其他结构不完美引起。

*这些缺陷会导致自旋波散射，从而降低其寿命。

*非本征弛豫时间τr与缺陷浓度和类型有关。

3.边界弹性散射：

*当自旋波遇到腔壁时，它们会弹性散射，从而改变其传播方向。

*这会导致自旋波的相干长度和寿命降低。

*边界弹性散射的弛豫时间τb与腔尺寸和边界roughness有关。

4.体散射：

*这由腔中的磁性杂质或其他结构缺陷引起。

*体散射会改变自旋波的频率和波矢，导致其衰减。

*体散射的弛豫时间τt与磁性杂质的浓度和尺寸有关。

5.自旋泵浦衰减：

*当自旋波被外加泵浦场激发时，泵浦场会将能量传递给自旋系统，导致自旋поляризация.

*这会导致自旋波衰减，因为поляризация会导致自旋-晶格相互作用增强。

*自旋泵浦衰减的弛豫时间τp与泵浦功率和自旋-晶格相互作用强度有关。

6.交换散射：

*在铁磁材料中，自旋波可以与其他自旋波交换动量和能量。

*这会导致自旋波的衰减，因为交换散射会破坏自旋波的相干性。

*交换散射的弛豫时间τx与自旋波的频率、波矢和温度有关。

自旋波衰减的测量：

自旋波衰减可以通过各种技术进行测量，包括：

*自旋共振法：

*这种方法利用自旋波在共振频率下的强吸收来测量自旋波的衰减。

*自旋波谱法：

*这种方法测量自旋波在一定频率范围内的功率谱。

*衰减率可以通过拟合谱线形状来提取。

*自旋波寿命测量法：

*这种方法测量自旋波的瞬态响应以确定其弛豫时间。

*自旋波散射测量法：

*这种方法测量自旋波散射角和强度以确定散射机制。

自旋波衰减的应用：

自旋波衰减在以下应用中至关重要：

*自旋电子器件：

*在自旋电子器件中，自旋波的衰减会影响设备的性能。

*磁存储：

*在磁存储设备中，自旋波的衰减决定了数据的存储时间。

*自旋波成像：

*在自旋波成像中，自旋波的衰减用于表征材料的磁性特性。

*自旋波计算：

*在自旋波计算中，自旋波的衰减用于模拟自旋动力学和自旋电子器件的性能。第三部分杂质散射对自旋波衰减的影响关键词关键要点【杂质散射对自旋波衰减的影响】：

1.杂质的存在会产生局部磁场的不均匀性，导致自旋波的相位和振幅调制，从而增加自旋波的散射，加剧衰减。

2.杂质的类型和分布会影响自旋波衰减的强度，不同类型的杂质具有不同的散射截面，导致不同波长的自旋波衰减速率不同。

3.当杂质浓度较高时，杂质之间的相互作用会增强自旋波的散射，进一步加剧衰减。

【自旋波传输中的多重散射】：

杂质散射对自旋波衰减的影响

在自旋波的传播过程中，杂质的存在会导致自旋波的散射，从而导致衰减。杂质散射对自旋波衰减的影响主要取决于杂质的类型、浓度和分布。

杂质类型的影响

杂质类型对自旋波衰减的影响主要体现在杂质的磁矩和形状上。

*杂质磁矩的影响：杂质的磁矩与自旋波的波矢具有相互作用，会产生磁性阻尼，导致自旋波衰减。磁矩越大的杂质，对自旋波衰减的影响越大。

*杂质形状的影响：杂质的形状会影响杂质与自旋波的相互作用。例如，点缺陷杂质引起的自旋波散射较弱，而线缺陷和面缺陷杂质引起的自旋波散射较强。

杂质浓度的影响

杂质浓度的增加会增加杂质与自旋波的相互作用概率，从而导致自旋波衰减的增强。杂质浓度与自旋波衰减率呈线性关系，即衰减率随杂质浓度的增加而线性增加。

杂质分布的影响

杂质的分布对自旋波衰减的影响主要表现在杂质的尺寸、形状和空间分布上。

*杂质尺寸的影响：杂质尺寸越大，与自旋波的相互作用面积越大，导致自旋波衰减越大。

*杂质形状的影响：杂质形状也会影响自旋波的散射强度。例如，棒形杂质比球形杂质引起的自旋波衰减更强。

*杂质空间分布的影响：杂质在磁性材料中的分布会影响自旋波的传播路径和散射概率。均匀分布的杂质比团簇分布的杂质引起的自旋波衰减更强。

杂质散射的理论模型

描述杂质散射对自旋波衰减影响的理论模型包括：

*费米黄金法则：该法则描述了杂质散射导致自旋波从初始态跃迁到最终态的概率，用于计算自旋波的散射率。

*兰道-李夫希茨-吉尔伯特方程：该方程描述了杂质散射引起的磁矩进动，并用于计算自旋波的衰减率。

*蒙特卡罗模拟：该方法通过模拟杂质分布和自旋波的传播，获得自旋波衰减的统计分布。

实验测量方法

测量杂质散射对自旋波衰减的影响的实验方法包括：

*自旋波共振法：将磁性材料置于微波场中，激发自旋波并测量其衰减率。

*自旋波布里渊显微镜：利用聚焦的激光束激发自旋波并测量其传播距离，计算自旋波的衰减率。

*自旋波全息术：利用相干光源产生自旋波全息图，并分析全息图中的自旋波衰减信息。

应用实例

杂质散射对自旋波衰减的影响在自旋电子学和磁性存储器件中具有重要意义：

*自旋电子学：杂质散射会影响自旋电流的传输和注入效率，从而影响自旋电子器件的性能。

*磁性存储器件：杂质散射会影响磁性存储器件的写入和读取速度，从而影响存储器件的性能。

结论

杂质散射对自旋波衰减的影响受到杂质类型、浓度和分布等多种因素的影响。杂质散射会降低自旋波的传播距离和衰减其能量，从而影响自旋电子学和磁性存储器件的性能。通过理解和控制杂质散射，可以优化自旋波器件的性能。第四部分声子-自旋波相互作用对衰减的贡献关键词关键要点声子-自旋波相互作用对衰减的贡献

主题名称：自旋波激发的非线性耦合

1.自旋波的激发过程涉及自旋波与声子的非线性相互作用。

2.当自旋波的振幅较大时，这种相互作用会增强，导致自旋波的激发率显著增加。

3.非线性耦合还导致自旋波的谱线宽展宽。

主题名称：自旋波的非弹性散射

声子-自旋波相互作用对自旋波衰减的贡献

在铁磁体中，自旋波是一种由自旋集体激发产生的准粒子激发模式。当自旋波传播时，它可以与声子相互作用，这会导致自旋波衰减。声子-自旋波相互作用对衰减的贡献可以通过以下机制来理解：

1.能量耗散：声子-自旋波相互作用过程

自旋波和声子具有不同的能量和动量。当它们相互作用时，能量可能会从自旋波转移到声子，导致自旋波能量耗散和衰减。

2.动量散射：声子对自旋波的反作用

声子-自旋波相互作用也会导致自旋波动量散射。当自旋波与声子碰撞时，它的动量将发生改变，导致自旋波传播方向发生偏移。这种动量散射会破坏自旋波的相干性，从而导致衰减。

衰减率的表达式

声子-自旋波相互作用对自旋波衰减率的贡献可以用以下公式表示：

```

Γ<sub>s-ph</sub>=A(k<sub>s</sub>)k<sub>s</sub><sup>2</sup>T<sup>3</sup>/ρv<sub>s</sub><sup>3</sup>

```

其中：

*Γ_s-ph是由声子-自旋波相互作用引起的衰减率

*A(k_s)是一个与自旋波波矢量k_s相关的无量纲因子

*k_s是自旋波波矢量

*T是温度

*ρ是材料密度

*v_s是自旋波速度

相互作用强度对衰减的影响

声子-自旋波相互作用的强度与以下因素有关：

*材料特性：不同的材料具有不同的声子-自旋波耦合常数，从而导致不同的衰减率。

*温度：温度升高会增加声子数量，从而增强声子-自旋波相互作用并提高衰减率。

*自旋波频率：自旋波频率与声子频率匹配时，相互作用最强，从而导致最大的衰减。

实验观察和应用

声子-自旋波相互作用对自旋波衰减的贡献已通过各种实验方法得到了观察。这些实验表明，衰减率与温度、自旋波频率和材料特性的一致性很好。

理解声子-自旋波相互作用对自旋波衰减的贡献对于设计和优化铁磁体中的自旋波器件至关重要。例如，在自旋波逻辑和存储应用中，通过控制声子-自旋波相互作用可以实现自旋波的低衰减和长距离传输。第五部分磁畴壁运动引起的自旋波衰减磁畴壁运动引起的自旋波衰减

在磁性材料中，自旋波是一种自发激发的准粒子，其表现为磁化强度的扰动。磁畴壁运动可以引起自旋波的衰减，这一过程被称为壁阻尼。

磁畴壁是磁性材料中不同磁化方向区域之间的边界。当磁畴壁移动时，它会扭曲相邻自旋的排列，从而产生自旋波。自旋波的频率取决于磁畴壁的移动速度，而衰减率则取决于磁畴壁的阻尼系数。

磁畴壁的阻尼系数由多种因素决定，包括：

*自旋翻转的阻尼：当自旋在磁畴壁移动时，它们需要克服自旋-轨道耦合和杂质散射等力。这些力会阻碍自旋翻转，导致磁畴壁运动阻尼。

*极化电流的阻尼：磁畴壁移动时，会产生极化电流，该电流会与自旋波相互作用，导致能量损失。

*磁畴壁厚度：磁畴壁越薄，自旋翻转和极化电流阻尼越大。

*材料缺陷：材料中的缺陷，如杂质、空位和表面粗糙度，会增加自旋翻转和极化电流阻尼。

磁畴壁运动引起的自旋波衰减对自旋波器件的性能有重要影响。例如，在自旋波逻辑器件中，磁畴壁的阻尼会降低自旋波的信号对噪声比，从而限制器件的性能。

衰减率的测量

磁畴壁运动引起的自旋波衰减率可以通过多种技术测量，包括：

*自旋波光谱：该技术使用微波或太赫兹辐射来激发并检测自旋波。自旋波的衰减率可以通过测量自旋波谱的线宽来确定。

*自旋泵浦：该技术使用纳米级自旋阀来注入自旋电流并激发自旋波。自旋波的衰减率可以通过测量自旋阀中的电压响应来确定。

*磁共振成像（MRI）：该技术使用射频脉冲来激发并检测自旋波。自旋波的衰减率可以通过测量MRI图像的对比度来确定。

减少壁阻尼的策略

为了减少磁畴壁运动引起的自旋波衰减，可以采取多种策略，包括：

*使用低阻尼材料：选择具有较低自旋翻转和极化电流阻尼的材料。

*优化磁畴壁厚度：设计磁畴壁结构以最大限度地减少其厚度。

*减小材料缺陷：通过优化材料生长和加工条件来减少材料中的缺陷。

*使用阻尼补偿技术：引入额外的自旋极化机制来补偿由于磁畴壁运动引起的阻尼。

通过采用这些策略，可以显着减少磁畴壁运动引起的自旋波衰减，从而提高自旋波器件的性能。第六部分非线性自旋动态对衰减的影响关键词关键要点主题名称：磁畴壁的自旋激发

1.磁畴壁是磁性材料中不同磁畴之间的边界，它们可以承载自旋波并具有独特的动态特性。

2.非线性自旋动态会影响畴壁的自旋激发过程，导致畴壁运动的阻尼和反激发。

3.磁畴壁的自旋激发和衰减对自旋电子学和磁存储器件的性能有重要影响。

主题名称：各向异性力对衰减的影响

非线性自旋动态对衰减的影响

自旋波的非线性自旋动态对其衰减行为具有显著影响。当自旋波幅度较大时，非线性效应会变得显著，从而导致衰减率的改变。

自旋波的三波相互作用

非线性自旋动态的主要机制之一是自旋波的三波相互作用。这种相互作用涉及三个自旋波的耦合，其中两个波交换能量，导致第三个波的增长或衰减。

三波相互作用的类型

自旋波的三波相互作用有两种主要类型：

*正向散射：两个波相互作用产生一个频率更高的波。

*负向散射：一个频率更高的波衰减，产生两个频率更低的波。

饱和效应

当自旋波幅度较大时，三波相互作用会变得饱和。此时，衰减率不再随自旋波幅度呈线性增加，而是达到一个恒定值。

自旋波衰减的非线性方程

非线性自旋动态对自旋波衰减的影响可以用以下非线性方程来描述：

```

dM/dt=-γM(H+αM^2)

```

其中：

*M是自旋波的磁化强度

*γ是陀螺磁比

*H是有效磁场

*α是非线性自旋动态的系数

该方程表明，衰减率与自旋波幅度的平方成正比，这反映了三波相互作用的饱和效应。

非线性衰减的实验观测

非线性自旋动态对自旋波衰减的影响已在各种实验中得到证实，包括：

*共振光泵浦：通过饱和泵浦技术，可以激发高幅度自旋波，并观察到非线性衰减。

*自旋波非线性共振：利用自旋波的非线性特性，可以实现自旋波的非线性共振，从而研究非线性衰减。

非线性衰减在自旋电子学中的应用

自旋波的非线性衰减在自旋电子学中具有潜在应用，例如：

*自旋波限幅器：利用非线性衰减可以实现自旋波的限幅，防止自旋波幅度过大。

*自旋波逻辑门：通过利用非线性衰减，可以实现自旋波逻辑门，用于执行布尔运算。

*自旋波放大器：非线性衰减可以用于放大自旋波信号，提高自旋电子器件的灵敏度。

结论

非线性自旋动态对自旋波的衰减行为具有显著影响。三波相互作用是导致非线性衰减的主要机制，其饱和效应可以通过非线性方程来描述。非线性衰减在自旋电子学中具有潜在应用，例如自旋波限幅器、逻辑门和放大器。第七部分外加磁场的调控效应关键词关键要点【外加磁场对自旋波激发的调控效应】：

1.磁场强度调控自旋波激发阈值：

-随着外加磁场强度的增加，自旋波的自发激发阈值降低；

-这是由于磁场调制自旋扭矩，从而降低自旋波激发的能垒。

2.磁场方向调控自旋波传播方向：

-外加磁场提供一个磁场偏置，可以调控自旋波的传播方向；

-这为自旋波器件的可控操作和集成提供了可能性。

3.磁场调控自旋波衰减：

-外加磁场通过调制自旋波的色散关系和损耗机制，可以影响自旋波的衰减；

-优化磁场参数有助于降低自旋波的损耗，提高器件的性能。

【外加磁场对自旋波衰减的调控效应】：

外加磁场的调控效应

外加磁场能够显著影响自旋波的自发激发和衰减特性。

1.磁场强度对激发阈值的调控

外加磁场强度会影响自旋波激发的阈值。在低场强下，磁场可以降低自旋波的激发阈值。这是因为磁场能够对自旋进行预极化，从而减小激发自旋波所需的能量。

然而，随着磁场强度的增加，激发阈值会开始升高。这是因为强磁场会抑制自旋弛豫，从而降低自旋波的衰减速率。因此，需要更高的激发功率才能克服自旋弛豫的阻尼效应。

2.磁场方向对激发模式的影响

外加磁场的方向也会影响自旋波的激发模式。在平行于自旋化方向的外加磁场中，自旋波具有较低的激发阈值，并且传播速度较快。这是因为磁场可以增强自旋之间的耦合，从而促进自旋波的激发和传播。

在垂直于自旋化方向的外加磁场中，自旋波的激发阈值较高，传播速度较慢。这是因为磁场会产生一个反铁磁耦合效应，从而抑制自旋波的激发和传播。

3.磁场梯度对自旋波衰减的影响

外加磁场梯度会对自旋波的衰减率产生显著影响。在磁场梯度存在的区域，自旋波会发生散射，从而导致衰减速率的增加。这是因为自旋波的波矢矢量会在磁场梯度处发生变化，从而导致自旋波向不同的方向传播。

磁场梯度可以用来抑制或增强自旋波的衰减。例如，在自旋电子器件中，可以通过引入磁场梯度来减少自旋波的衰减，从而提高器件的性能。

4.磁场脉冲对自旋波的自发激发

当外加磁场以脉冲形式施加时，可以诱发自旋波的自发激发。这种现象被称为自旋波的自旋-转移共振（STT-MR）。当磁场脉冲的频率与自旋波的固有频率相匹配时，磁场脉冲会与自旋波产生共振，从而导致自旋波的激发。

STT-MR效应在自旋电子器件中具有重要的应用，例如自旋波振荡器和自旋波逻辑器件。

5.磁场调控中的非线性效应

外加磁场对自旋波的自发激发和衰减的影响可以表现出非线性效应。例如，在某些材料中，自旋波的激发阈值与磁场强度的关系是非线性的。这种非线性效应可以用来实现自旋波的非线性调控。

结论

外加磁场可以通过调控自旋波的自发激发和衰减特性来实现自旋波的调控。这些调控效应在自旋电子器件中具有重要的应用，例如自旋波振荡器、自旋波逻辑器件和自旋波存储器件。第八部分自旋波衰减的实验观测方法关键词关键要点【自旋波衰减的铁磁共振测量】：

1.通过施加交变磁场来测量材料中的自旋波弛豫时间，从而间接表征自旋波的衰减。

2.铁磁共振是一种磁共振技术，利用材料的磁化率对交变磁场的响应来测量材料的磁性性质。

3.弛豫时间与自旋波的衰减相关，可以通过测量共振峰的宽度来确定。

【自旋波衰减的布里渊光散射】：

自旋波衰减的实验观测方法

1.测量共振线宽

共振线宽是表征磁共振信号频率范围的物理量。当自旋波在介质中传播时，由于自旋-晶格相互作用和自旋-自旋相互作用等因素，自旋波的相干性将随着传播距离的增加而衰减，从而导致共振线宽的加宽。通过测量自旋波激发共振的线宽，可以间接推算自旋波的衰减长度。

2.布里渊散射光谱

布里渊散射是一种光散射技术，可以测量固态材料中的声子或自旋波等准粒子激发。当自旋波在介质中传播时，会与入射光相互作用，产生布里渊散射光。布里渊散射光谱的强度和线宽与自旋波的衰减密切相关。通过分析布里渊散射光谱，可以获得自旋波的衰减信息。

3.自旋泵浦法

自旋泵浦法是一种利用自旋极化电子的注入和提取来检测自旋波衰减的方法。在自旋泵浦实验中，通过注入自旋极化的电子，在介质中激发出自旋波。然后，通过提取自旋极化的电子，测量自旋波衰减引起的电势差变化。自旋波的衰减长度可以通过电势差的变化率来计算。

4.自旋波测量法

自旋波测量法直接测量自旋波在介质中的传播距离。在自旋波测量实验中，使用微纳米器件激发出自旋波，并通过磁电传感器检测自旋波的信号。通过改变自旋波的传播距离，可以测量自旋波衰减的长度。

5.时间分辨测量法

时间分辨测量法利用超快光学技术，测量自旋波在介质中传播的瞬态动力学。在时间分辨测量实验中，使用超快激光脉冲激发出自旋波，然后使用光学探测技术测量自旋波信号随时间变化的情况。通过分析自旋波信号的衰减曲线，可以获得自旋波的衰减率和衰减长度。

6.霍尔效应测量法

霍尔效应测量法利用霍尔效应来测量自旋电流的衰减。在霍尔效应测量实验中，将自旋极化的电子注入介质中，产生自旋电流。通过测量霍尔电压，可以获得自旋电流密度。自旋电流密度的衰减与自旋波的衰减密切相关，因此可以通过霍尔效应测量法来推算自旋波的衰减长度。

7.自旋电子共振法

自旋电子共振法是一种利用自旋电子共振现象来测量自旋极化的电子的衰减的方法。