半导体物理学课后习题第五章第六章答案_第1页
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/第五章习题1.在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm2.用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程；（2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。3.有一块n型硅样品，寿命是1us，无光照时电阻率是10cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm4.一块半导体材料的寿命=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？5.n型硅中，掺杂浓度ND=1016cm-3,光注入的非平衡载流子浓度n=p=106.画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。EEcEiEvEcEFEiEvEFpEFn光照前光照后7.掺施主浓度ND=1015cm-3的n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子n=p=108.在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合-产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？9.把一种复合中心杂质掺入本征硅内，如果它的能级位置在禁带中央，试证明小注入时的寿命=n+p。10.一块n型硅内掺有1016cm-3的金原子，试求它在小注入时的寿命。若一块p型硅内也掺有1011.在下述条件下，是否有载流子的净复合或者净产生：（1）在载流子完全耗尽（即n,p都大大小于ni）半导体区域。（2）在只有少数载流子别耗尽（例如，pn<<pn0，而nn=nn0）的半导体区域。（3）在n=p的半导体区域，这里n>>ni012.在掺杂浓度ND=1016cm-3，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei13.室温下，p型半导体中的电子寿命为=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(Vs)。试求电子的扩散长度。14.设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为1015cm-3,up=400cm2/(V15.在电阻率为1cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=1015cm-3,由边界稳定注入的电子浓度（n）016.一块电阻率为3cm的n型硅样品，空穴寿命p=5us,在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩浓度（p）=1013cm-317.光照1cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为1017cm-3s（1）单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。（2）单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。18.一块掺杂施主浓度为21016cm-3的硅片，在920oC下掺金到饱和浓度，然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心10=1\*GB3①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。=2\*GB3②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电

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