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文档简介
PAGE共5页第2页学号姓名学号姓名密封线一、名词解释：体效应MCM(10分)二、说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。(10分)三、证明下图中NMOS放大器电压增益表达式为：，其中（W/L）1和（W/L）2分别表示M1和M2的宽长比。（10分）四、对于下述的CMOS运放电路按照图中所给的尺寸和数值，编写完整的SPICE输入文件,执行交流小信号分析。假定在C盘上有库文件ami06.lib，其内容简略如下所示（Cc可用理想电容代替）（15分）.LIBami06.MODELami06NNMOS(LEVEL=11VERSION=3.1TNOM=27TOX=1.4E-8XJ=1.5E-7NCH=1.7E17VTH0=0.6586834K1=0.9091227……………..).MODELami06PPMOS(LEVEL=11VERSION=3.1TNOM=27TOX=1.4E-8XJ=1.5E-7NCH=1.7E17VTH0=-0.9728505K1=0.5231383……………..).ENDLami06五、作图说明Latch-up效应产生的原因，并简述防止Latch-up效应的方法。（15分）六、用Verilog语言编写比较器和选择器的程序。（15分）七、如下图所示为一电阻的示意图。已知该电阻的方块电阻值为150Ω/Square，每个接触孔电阻45Ω，L=20u，W=5u。请估算该
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