LED亮度提高的方法

LED亮度提高的方法.txt爱一个人很难，恨一个人更难，又爱又恨的人最难。爱情永远不可能是天平，想在爱情里幸福就要舍得伤心！有些烦恼是我们凭空虚构的，而我们却把它当成真实去承受。2005年第46卷第3期光电技术EIECTRO—OPTICSTECHNOLOGYVo1．46No．3．2005提高LED亮度的技术途径吉群(华东电子集团公司，南京210028)摘要发光二极管成为近年来最受重视的光源之一。由于其轻、薄、短、小的特性，以及封装型式的耐冲击、耐震及特殊的发光分布，加上特别长的寿命使得发光二极管的确是一种优异的光源选择。提高发光二极管发光效率是当前的重要任务之一，本文从材料和封装工艺及结构技术等多方面因素来阐述提高LED亮度的途径。关键词LEDGaN发光效率材料和工艺1前言荧光灯具虽然有目前较高的发光效率、较低的制造成本等优点，但是因为荧光灯具的灯管中含汞，而用于封装荧光灯具的材料又以可吸收紫外线的玻璃为主，玻璃易碎的特性加上汞废料的不易回收，均会严重地造成环境的污染。因此欧盟已经明令将在2007年开始禁用这些含汞制品，也因此新型照明灯源的开发已经成为各国政府发展的目标，而LED(1ightemittingdiode)，也就是我们平常说的发光二极管，更是目前各国在照明方面发展的重点。发光二极管有一个很大的特点，就是具备低电流、低电压驱动的特性，而这样的特性在世界能源缺乏及各国针对绿色环保观念的提高同时，尤其吸引大家的注意。目前各国政府除了致力于新型能源的开发外，对现有电器设备效率的提高及环保的研究亦相当重视。而在研发如何降低工业用电量的同时．目前普及率约80％的家电用品耗电量也逐渐受到重视。在照明发光方面，如何使得发光二极管具有荧光灯那样的高发光效率(66—100lm／w)去替代荧光灯和传统使用的60W白炽灯泡具有特别重要的意义。随着近年来对发光二极管的材料、工艺和结构技术的深入研究，明确了提高LED效率的途径：发光二极管的发光效率一般称为组件的外部量子效率(externalquantumefficiency)，其为组件的内部量子效率(internalquantumefficiency)及组件的取出效率(extractionefficiency)的乘积。所谓组件的内部量子效率其实就是组件本身的电光转换效率，主要与组件本身的特性如组件材料的能带、缺陷、杂质及组件的异质外延晶体组成及结构等相关。而组件的取出效率指的则是组件内部产生的光子，在经过组件本身的吸收、折射、反射后实际上在组件外都可测量到的光子数目。因此相关于取出效率的因素包括了组件材料本身的吸收、组件的几何结构、组件及封禁材料的折射率差、组件结构的散射特性等。而上述两种效率的乘积，就是整个组件的发光效果，也就是组件的外部量子效率。早期组件发展集中在提高其内部量子效率，方法主要是利用提高异质外延晶体的品质及改变异质外延晶体的结构，使电能不易转换成热能，进而间接提高LED的发光效率，此法可获得约70％左右的理论内部量子效率。但是这样的内部量子效率几乎已经接近理论的极限，在这样的状况下，光靠提高组件的内部量子效率是不可能提高组件的总光通量，也就是外部量子效率达到目前的2—3倍，因此提高组件的取出效率便成为重要的课题。2材料技术2．1材料晶格匹配对于半导体发光二极管而言，晶格的匹配是一个重大的课题，因为对于大部分Ⅲ一V族半导体而言，并没有刚好适合的基板(substrate)可承载上方的异质外延晶体层，而成长的异质外延晶体层其晶格大小必须与基板的晶格匹配，才不至因应力的因素导致品格缺焰，使得组件发出的光子被缺陷吸收，而大幅降低组件的发光效率。最早的Ⅲ一V族半导体异构异质外延晶体(heteroepitaxy)是采用GaAs作基板，并在其上成GaA1As的异质外延晶体层，因为这两种料的晶格非常近似，所以异质外延晶体层与基片之间的应力极小，因此研发过程中并无发维普资讯16光电技术第45卷生太大的困扰。但是后来陆续发展出来的异质外延晶体如GaAshP成长在GaAs基板上，或是GaAs~P1．成长在GaP基板上都有应力存在的问题。因此在光电材料中，往往通过调整二元、三元甚至四元材料的比率，这样一来除了可以借不同大小的多元原子的比例来匹配基片的晶格结构，也可因为调整半导体的能隙大小，而调整发光组件发光的波长，唯这样的方法在异质外延晶体参数的调整上也复杂许多，也因此可以看出，异质外延晶体技术可以称为半导体发光组件技术中的核心。而在异质外延晶体方法提高的同时，异质外延晶体的结构也持续地在改良。最早的结构当然是传统p-n接面的发光二极管，但是其发光效率并无法得到明显地改良，因此利用单一异质接面(SingleHeterojunction，SH)结构的方法开始被使用在异质外延晶体的工艺流程上，可以提高二极管中少数载子注入(minoritycarrierinjection)效率，因此发光效率获得明显地提高。之后更发展出双异质接面(DoubleHeterojunction，DH)结构，这种结构两边的材料能隙高于中间者，因而可以非常有效地将双边之载子注入到中间层且将这些载子完全困在这一范围内，而产生非常高的光电转换效能。最新的方法当然是在异质外延晶体层当中采用量子结构，当双异质接面结构的中间层厚度逐渐缩小到数10埃(A)时，电子或电洞即产生量子效应，而可大幅提高光电转换之效果。异质外延晶体技术主要是针对Ⅲ一V族材料中发光波长集中在红、黄光波段材料的GaAs系列。这系列的发光二极管发展较早，也较早获得较佳的结果。但是若希望获得全彩的半导体光源，无论如何必须发展出蓝、绿光波段的半导体发光二极管，而GaN系列的发光二极管也在这样的需求下，在近年来有了明显的进步。2．2GaN材料难题的克服应用于蓝、绿光发光二极管的材料，早期主要是ZnSe及GaN。因为ZnSe脊可靠度的问题，因此才让GaN有更大的发展空间。只是早期GaN的研究迟迟未能获得明显的进展。主要是因为一直无法找到与GaN晶格常数相匹配的基板，造成异质外延晶体中缺陷密度过高，也因此发光效率始终无法提高。另一个造成GaN无法获得突被的原因，在于组件的P．GaN部分成长不易，不但P．GaN的掺杂(doping)过低，且其电洞之移动率(mobility)也较低。一直到1983年日本的田贞史(S．Yoshida)等人在蓝宝石(Sapphire)基板上先用高温成长氮化铝(AlN)当作缓冲层，然后成长出的GaN才获得较佳的结晶。之后名古屋大学的赤崎勇教授(I．Akasaki)等人利用MOCVD在低温下(600℃)先成长AIN缓冲层。而得到其上方在高温成长后如镜面般的GaN。1991年日亚公司(NichiaCo．)的研究员中村修二(S．Nakamura)利用低温成长GaN之非结晶缓冲层，再以高温成长得到同为镜面般的GaN，此时异质外延晶体部分的问题已经获得重大的突破。另一方面。1989年赤崎勇教授利用电子束照射镁(Mg)掺杂之P．GaN，可得到明显之P型GaN，之后日亚公司的中村修二更直接利用700℃的热退火完成P型GaN的制作，至此困扰GaN发展的两个重大问题终获得突破。1993年，日亚公司利用上面的两项研究。成功开发出可发出一烛光(Candela)的GaN蓝光发光二极管，其寿命达数万小时。而后绿光发光二极管、蓝、绿光二极管雷射陆续被开发出来。2．3提高白光LED光效在各色LED发光效率开始大幅提高的同时。将高亮度LED应用于照明的可能性也越来越高。而这样应用的参量在于如何开发出白光发光二极管。目前利用发光二极管配成白光的方法主要为3种，分别说明如下：A．单晶蓝光LED与黄光荧光粉日亚公司在蓝光发光半导体成功被开发出来之后，随着开发出来的产品便是白光发光二极管。其实日亚公司的白光发光二极管并不是半导体材料本身直接发出白光，而是借助蓝光发光二极管激发涂布在其上方的黄光YAG荧光粉，荧光粉被激发后产生的黄光与原先用于激发的蓝光互补而产生白光。目前日亚公司市售商品乃是利用460nm的In．GaN蓝光半导体激发YAG荧光粉，而产生出555nm的黄光，且已经完全商品化，与其它几家同样在发展高亮度LED的大厂LumiledsLighting、Cree、丰田合成(ToyodaGosei)在LED市场上不断在竞合。而随着蓝光晶粒发光效率的不断提高及YAG荧光粉合成技术的逐渐成熟，蓝光晶粒与黄光维普资讯第3期吉群：提高LED亮度的技术途径17荧光粉封装的白光发光二极管为目前较成熟的白光发光二极管技术。B．单晶型UVLED+RGB荧光粉虽然说利用篮光晶粒配合黄光YAG荧光粉的白光发光二极管封装技术是目前较成熟的技术，但是利用这样方法封装出来的白光发光二极管有几个严重的问题迟迟无法解决。首先是均匀度的问题，因为激发黄光荧光粉的蓝光颗粒实际上参与白光的配色，因此蓝光晶粒发光波长的偏移、强度的变化及荧光粉涂布厚度的改变均会影响白光的均匀度。最常看见的便子便是利用这种方式封成的白先发光二极管，中央的部分看起来较蓝(或较白)，而旁边的区域看起来较黄(荧光粉涂布较厚)，每一颗白光发光二极管的颜色更不尽相同。UVLED配三色(R．G．B)荧光粉提供了另一个方向研发方向。其方法主要是利用实际上不参与发出白光的UVLED激发红、绿、蓝三色荧光粉，借助三色荧光粉发出的三色光配成白光。这样的方法因为UvLED不实际参与白光的配色，因此UvLED波长与强度的波动对于配出的白光而言不会特别的敏感。并可借助各色荧光粉的选择及配比，调制出可接受色温及演色性的白光。而在专利方面。利用UVLED+RGB荧光粉相关的研发仍有相当的发挥空间。但是这样的技术虽然有种种的优点，但是仍有相当的技术难度，这些困难包括了配合荧光粉紫外光波长之选择(荧光粉最佳转换效率之激发波长)、UVLED制作的难度及抗UV封装材料的开发等等，均待各研发单位一一去解决。C．多得型RGBLED将发出红、蓝、绿三种颜色的晶粒，直接封装在一起，借助红、绿、蓝三色直接配成白光的方式。可制成白光发光二极管。利用三色晶粒直接封装成白光二极管这种方法是最早用于制成白光的方式，其优点是不需经过荧光粉的转换，借助三色晶粒直接配成白光，除了可避免因为荧光粉转换的损失而得到较佳的发光效率外，更可以借助分开控制三色发光二极管的光强度，达成全彩的变色效果(可变色温)，并可借助晶粒波长及强度的选择得到较佳的演色性。但其缺点为混光困难，使用者在此光源前方各处可轻易观察到多种不同的颜色，并在各遮蔽物后方看到彩色的影子。另外，因为所使用的三个晶粒都是热源，散热问题更是其它种封装型式的3倍，而增加其使用上的困难。3封装工艺和结构3．1提高白光LED组件取出效率的方法主要可以分为下列几个方向：A．晶粒外型的改变一TIP结构传统发光二极管晶粒的制作为标准的矩型外观。因为一般半导体材料折射系数与封装环氧树脂的差异大，而使交界面全反射临界角小，而矩形的四个截面互相平行，光子在交界面离开半导体的机率变小，让光子只能在内部全反射直到被吸收殆尽，使光转成热的形式，造成发光效果更不佳。因此，改变LED形状是一个有效提高发光效率的方法。HP公司所发展的TIP(TruncatedInvertedPyramid)型晶粒结构，4个截面将不再是互相平行，而光就可很有效地被引出来，外部量子效率则大幅提高至55％，发光效率高达100流明／瓦，是第一个达到此目标的发光二极管。然而HP的TIPLED只适用在易于加工的四元红光发光二极管上，对于使用硬度极高的蓝宝石(Sapphire)基板之GaN系列发光二极管而言有相当的困难。2001年初，Cree公司用同样的结构概念，挟着其基板是SiC的优势，也成功将GaN／SiC发光二极管同样作成具有斜面之LED，并将外部量子效率大幅提高至32％；然而SiC基板比Sapphire贵很多，因此目前在这一技术上，尚无进一步的进展。B．表面粗化surfaceroughness)技术借助将组件的内部及外部的几何形状粗化，破坏光线在组件内部的全反射，提高组件的使出效率。这样的方法最早是由日亚化学所提出，其粗化方法基本上是在组件的几何形状上形成规则的凹凸形状，而这种规则分布的结构也依所在位置的不同分为两种形式，一种是在组件内设置凹凸形状，另一种方式是在组件上方制作规则的凹凸形状，并在组件背面设置反射层。由于使用传统工艺流程即可在GaN系化合物半导体层的界面设置凹凸形状，因此上述第一种方式具有较高的实用性。目前若使用波长为405nm的紫外组件，可获得43％外部量子效率，取出效率为60％，为目前全球最高的外部量子效率与取出效率。维普资讯18光电技术第45卷C．芯片粘贴技术(waferbonding)因为发光二极管所产生的光线在经过多次全反射后，大部份都被半导体材料本身与封装材料所吸收。因此若使用会吸光的GaAs作为AIGaInPLED的基板时，将使得发光二极管内部的吸收损失变更大，而大幅降低组件的取光效率。为了减少基板对LED所发出光线的吸收，HP首先提出透明基板之粘贴技术。所谓的透明基板粘贴技术主要是将发光二极管晶粒先在高温环境下施加压力，并将透明的GaN基板粘贴上去，之后再将GaAs除去，如此便可提高二倍的光线取出率。上述的芯片粘贴技术目前主要还是应用在四元LED组件上，然而近来也开始将此技术运用在GaNLED上。OsramOptoSemiconductors在2003年2月也发表了新的研究成果～ThinGaN，可将蓝光LED取光效率提高至75％，比传统提高了3倍。D．覆晶封装技术(Flipchip)对于使用蓝宝石基板(sapphiresubstrate)的GaN系列的材料而言，因为其P极及N极的电极必须做在组件的同一侧，因此若使用传统的封装方法。占组件大部分发光角度的上方发光面将会因为电极的挡光而损失相当程度的光量。所谓的FlipChip结构即是将传统的组件反置，并在p型电极土方制作反射率较高的反射层，藉以将原先从组件上方发出的光线从组件其它的发光角度导出，而由蓝宝石基板端缘取光。这样的方法因为降低了在电极侧的光损耗，可有接近于传统封装方式两倍左右的光通量输出。另一方面，囚为覆晶结构可直接借助电极或是凸块与封装结构中的散热结构直接接触，而大幅提高组件的散热效果，进一步提高组件的光通量。3．2封装形式和结构随着白光发光二极管发光效率的逐步提高，将白光发光二极管应用在照明的可能性也越来越大，但是很明显地。单颗白光发光二极管其驱动电源均偏低，因此以目前的封装形式是不太可能以单颗白光发光二极管来达到照明所需要的流明数。针对于这个问题，目前主要的解决方法大致上可分为两类，一类是较传统地将多颗发光二极管利用组成光源模块来使用，而其中每单颗发光二极管所需要的驱动电源与一般所使用的相同(约为20～30mA)；另种方法为目前几个高亮度发光二极管制造商所使用的方法，即是使用所谓的大晶粒工艺流程，此时不再使用传统晶粒的大小(0．3mm2)，而将晶粒工艺流程为更大的尺寸(0．6mm2～1mm2)，并使用高驱动电流来驱动这样的发光组件(一般为150～350mA，目前更可高至500mA以上)。但无论是使用何种方法，都会因为必须在极小的发光二极管封装中处理极高的热量，若组件无法散去这些高热，除了各种封装材料会因为彼此间膨胀系数的不同而有产品可靠度的问题，晶粒的发光效率更会随着温度的上升而有明显地下降，并造成其受明显地缩短。因此如何散去组件中的高热，成为目前发光二极管封装技术的重要课题。对于发光二极管而言。其最重要的便是输出的光通量及光分布，所以发光二极管其中一端必定不能遮光，而需使用高透明效果的环氧树脂材料包覆。然而目前的环氧树脂几乎都是不导热材料，因此对于目前的发光二极管封装技术而言，其主要的散热均是利用其发光二极管晶粒下方的金属脚座(1ead—frame)以散去组件所发出的热量。就目前的趋势看来，金属脚座材料的选择主要是以高热传导系数的材料为组成，如铝、铜甚至陶瓷材料等，但这些材料与品粒间的热膨胀系数差异甚大，若将其直接接触很可能因为在温度升高时材料间产生的应力而造成可靠度的问题，所以一般都会在材料间加上兼具传导系数及膨胀系数的中间材料作为间隔。采用上述的观念，松下电器于2003年将多颗发光二极管制成在金属材料与金属系复合材料所制成的多层基板模块上以形成光源模块，利用光源基板的高导热效果，使光源的输出在长时间使用下仍能维持稳定。同样利用高散热基板的想法，Lumileds将其应用在大面积晶粒的产品上。Lumileds基板所使用的材料为具有高传导系数的铜材，再将其连接至特制之金属电路板，兼顾电路导通及增加热传出之效果。结构见图1。而除了Lumileds外，包括OsramOptoSemicon—ductors及日亚化学皆已推出1W以上大晶粒的产品。从这些高亮度发光二极管制造商纷纷推出大晶粒、大功率的产品看来，似乎大晶粒相关的工艺流程、封装技术似乎已经渐渐成为高亮度发光二极管的主流。然而大晶粒相关的工艺流程及封装技术不只是将晶粒面积做