高级半导体分立器件和集成电路装调工技能鉴定考试题库（含答案）

PAGEPAGE1高级半导体分立器件和集成电路装调工技能鉴定考试题库（含答案）一、单选题1.需长时间操作大功率的电烙铁，一般采用（）握持方法较好。A、都可以B、正握法C、反握法D、握笔法答案：C2.BaTiO3具有的晶系包括()。A、四方晶系B、三方晶系C、立方晶系D、六方晶系答案：A3.假设一反相器和两输入与非门中的器件PMOS与NMOS的尺寸比为2，最小尺寸的对称反相器的输入电容等于最小尺寸NMOS管栅电容的3倍。若该NAND门的等效电阻等于该反相器的电阻，那么它的逻辑努力（logicaleffort）为（）。A、4/3B、2/3C、5/3D、1答案：A4.下面关于导线模型的说法错误的是：()。A、若一个分布模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.38RC。B、若一个集总模型导线的总电阻为R，总电容为C，则该电路的传播延时（电压从0变化到50%）等于0.69RC。C、对于短互连线的寄生效应来说，使用集总模型不再精确，因此比较合适的方法是用分布rc模型来代替。D、当分析导线的寄生效应时，先把每段导线的总导线电阻集总成一个电阻R，然后把总的电容合并成一个电容C，把这样的简单模型称为集总RC模型。答案：C5.固相合成法过程中，经过高温反应后通常还需进行()的工艺处理。A、反应B、溶解C、提纯D、球磨答案：A6.MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素，其中，MOS管处于截止区时，CGC主要来自()；MOS处于饱和区时，CGC主要来自()。A、CGCB;CGCDB、CGCS;CGCBC、GCB;CGCSD、CGCS;CGCD答案：C7.短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压()，使PMOS器件的阈值电压()。A、升高；升高B、降低；降低C、升高；降低D、降低；升高答案：C8.食用油分为植物油和动物油两大类，油的主要成分是（）。A、脂肪B、碳水化合物C、蛋白质D、膳食纤维答案：A9.某三极管各电极对地电位的方位有所变动，如何判断该三极管()。A、处于放大区域B、处于饱和区域C、处于截止区域D、已损坏答案：D10.一般湿敏电阻的相应时间是()量级的。A、毫秒B、分C、微秒D、秒答案：D11.敏感陶瓷的通常是由()制成。A、陶瓷片B、隔膜材料C、电感元器件D、半导体答案：D12.用灭火器灭火时，灭火器的喷射口应该对准火焰的（）。A、上部B、中部C、根部D、顶部答案：C13.关于CMOS反相器的开关阈值VM，下列说法错误的是（）。A、提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GND。B、开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比。C、一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点。D、增加PMOS或NMOS的宽度使VM分别向GND或VDD移动。答案：D14.警告标志的含义是提醒人们对周围环境引起注意，以避免可能发生危险的图形标志。通常的外型是（）。A、带斜杠的圆形框B、圆形边框C、正三角形边框D、五角型答案：C15.某电阻的色环排列是“灰红黑红棕”，此电阻的实际阻值和误差是（）。A、82KΩ±1%B、92KΩ±1%C、822KΩ±5%D、92KΩ±1%答案：A16.氧化锌压敏电阻的压敏特性主要来源于其结构中的()。A、主晶相B、晶界C、气孔D、第二相答案：B17.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的()。A、iEB、iCC、iBD、uCE答案：C18.假设CMOS反相器的等效负载电容CL对于由高至低以及由低至高的翻转是完全一样的，Reqp和Reqn分别是PMOS管和NMOS管在所关注时间内的等效导通电阻，则反相器的传播延时定义为（）。A、tp=0.69ReqnCitpB、tp=0.69ReqpCitpC、tp=0.69(Reqn+Reqp)Ci/2tpD、tp=0.69(Reqn+Reqp)CL答案：C19.二场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。A、饱和区B、非饱和区C、禁止区D、穿破区答案：A20.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将()。A、变小B、减少C、条件不全,无法判断D、增大答案：D21.作为新型陶瓷的粉体，要求其()。A、团聚少B、化学组成精确C、纯度高D、组成分布均匀答案：A22.差动放大电路的主要特点是()。A、有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B、既放大差模信号，又放大共模信号C、有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D、既抑制差模信号，又抑制共模信号答案：A23.电阻器在电路中用字母（）表示。A、RB、UC、LD、HE答案：A24.某三极管的额定功率是1W，使用时当该三极管的功率达到1.1W时（）。A、不会损坏B、不会损坏C、长期使用不会损坏D、长期使用会损坏答案：D25.当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。A、减少B、增变C、几乎为零D、反向答案：C26.假设VCC>>VBE,LCEO≈0，则在静态时该三极管处于()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、区域不定答案：B27.在设计大扇入电路时，可以采取多种技术来降低其电路延时，以下不是降低延时的方法是（）。A、调整晶体管尺寸B、将关键路径上的晶体管调整至靠近门的输入端C、逐级加大晶体管尺寸D、变换逻辑来减少单个门的输入信号个数答案：B28.Bi-Sr-Ca-Cu-O超导陶瓷的临界温度()。A、39KB、73.5KC、100KD、200K答案：C29.以下具有较低韧性的氧化锆陶瓷是()。A、TZPB、ZTAC、FSZD、PSZ答案：C30.氮化硅陶瓷具有()等性能特点。A、自膨胀B、自增强C、自增韧D、自润滑答案：C31.标识为2n2的电容器，其容值应该是()。A、0.22nFB、22nFC、2.2nFD、2.2pF答案：C32.绝缘材料的耐热等级为E级时,其极限工作温度为（）℃。A、90B、100C、120D、3答案：C33.为了使两输入NAND门的下拉延时tphl与最小尺寸的反相器相同，在PDN串联网络中的NMOS器件必须设计为反相器中的NMOS宽度的（），以使NAND下拉网络的等效电阻与反相器的相同。A、二分之一B、一倍C、四倍D、两倍答案：D34.压敏电阻主要的性能参数有()。A、压敏电压B、残压比C、非线性系数D、漏电流答案：A35.非自动切换电器是依靠（）直接操作来进行工作的。A、外力(如手控)B、电动C、感应D、用其它设备带动答案：A36.无铅焊接用的焊料基体是（）A、铅B、锡C、氧化银D、金答案：A37.负反馈所能抑制的干扰和噪声是()。A、输入信号所包含的干扰和噪声B、反馈环内的干扰和噪声C、反馈环外的干扰和噪声D、输出信号中的干扰和噪声答案：B38.新型陶瓷材料的主要缺点是()。A、价格高B、熔点高C、脆性大D、硬度高答案：C39.生物活性玻璃与羟基磷灰石相比，()。A、成本高B、硬度不行C、传播更快D、成本更低答案：D40.电容器在电路中用字母（）表示。A、DB、CC、LcD、B答案：B41.若一导线宽为W，高为H，则对于较大的W/H，边缘场电容模型中的总电容可以近似为()，而当W/H小于1.5时，总电容中占主要部分的是()。A、平板电容；边缘电容B、平板电容；接地电容C、接地电容；边缘电容D、边缘电容；平板电容答案：A42.电阻元件的功率越大，则体积就（）。A、越大B、关系不能确定C、无关D、越小答案：A43.关于核能概述错误的是()。A、目前核电站使用的都是核聚变技术。B、核裂变产生的放射性污染可以防护。C、核聚变的原料可取之于海水，没有放射性污染。D、核裂变的污染程度小于烧煤产生的尘埃造成的放射性污染。答案：A44.PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用D、可以调试答案：B45.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。A、可获得较高增益B、可使温漂变小C、在集成工艺中难于制造大电容D、可以增大输入电阻答案：C46.某贴片电容的实际容量是0.022?F，换成数字标识是（）。A、221B、223C、222D、224答案：B47.集成电路制造中的光刻工艺主要目的是什么？A、去除晶圆表面的污染物B、在晶圆上形成电路图形C、增加晶圆表面的粗糙度D、制备金属互联层E、提高晶圆的机械强度答案：B48.传统陶瓷与新型陶瓷的区别是()。A、性能不同B、结构不同C、材料不同D、以上说法都错答案：C49.二极管在正向偏置条件下，势垒()，耗尽区的宽度()。A、降低；变窄。B、升高；变窄。C、升高；变宽。D、降低；变宽。答案：A50.新型陶瓷的粉体要求具有以下()性质。A、韧性B、团聚性C、流动性D、可烧结性答案：C51.相比较生物活性玻璃，生物活性玻璃陶瓷()。A、强度更大B、毒性更小C、成本更低D、活性更好答案：A52.低压电容器的放电负载通常（）。A、灯泡B、线圈C、互感器D、转子答案：A53.对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在()。A、饱和区间B、截止区C、击穿区D、放大区答案：D54.电感器在电路中用字母（）表示。A、LB、gC、RD、H答案：A55.对于可降解生物陶瓷，其降解速度最好()骨生长速度。A、等于B、约于C、大于D、无所谓答案：A56.对于陶瓷而言，以下()温度点的温度最低。A、熔点B、液相线温度C、烧结温度D、沸点答案：C57.稳压管的稳压区是其工作在()状态。A、正向导通B、反向截止C、饱和D、饱和答案：D58.预防宿舍火灾，应注意以下哪几条()。A、不在宿舍使用“热得快”等违章电器B、不在宿舍使用酒精炉C、不躺卧吸烟和乱扔烟头，最好不在宿舍抽烟D、离开宿舍时拔下电源插头答案：C59.放大电路的三种组态()。A、都有功率放大作用B、都有电压放大作用C、都有电流放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用答案：A60.用万用表测量1.9k的电阻，档位应该选择（）。A、2kB、15kC、5kD、1k答案：A61.人体消化道不包括：（）。A、口腔B、咽C、气管D、食管答案：C62.在Si-Na2O-V2O5系湿敏电阻中，Si的作用是()。A、吸附水分B、烧结助剂C、提高寿命D、产生半导体效应答案：D63.以下()可以作为永久磁体材料。A、尖晶石型B、磁铅石型C、石榴石型D、钙钛矿型答案：B64.具有商业价值的生物陶瓷应具有()特点。A、价格低B、无毒性C、优异的生物学性能D、能被生命体吸收答案：C65.陶瓷的抗压强度()抗拉强度。A、小于B、大于C、等于D、不确定答案：B66.单极型半导体器件是（）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、半导体二极管答案：C67.二极管主要是利用其（）特性，可以在电路中充当电子开关。A、反向击穿特性B、单向导电性C、恒流特性D、非线性答案：B68.在选择人工齿材料时，应注意其()等方面的性能指标。A、强度B、色泽C、粘度度D、韧性答案：A69.互补输出级采用射极输出方式是为了使()。A、电压放大倍数高B、输出电流小C、输出电阻增大D、带负载能力强答案：D70.某电阻的阻值是3300欧姆，误差范围是±1%，使用五色环标识时应是（）。A、橙黑黑黑棕B、橙黑黑黑棕C、红红黑黑金D、橙橙黑黑金答案：B71.关于生产经营单位对从业人员进行安全生产教育和培训的说法，正确的是()。A、对所有从业人员都应当进行安全生产教育和培训B、对有过相似工作经验的从业人员可以不进行安全生产教育和培训C、从业人员培训不合格的应予以辞退D、可以根据情况决定是否建立安全生产教育和培训档案答案：A72.铁电体在居里温度以上的相属于()。A、顺电相B、逆电相C、无电相D、铁电相答案：A73.常用的焊料的主要成分是（）。A、金B、镍C、锡D、锂答案：C74.从制造角度考虑,低压电器是指在交流50HZ、额定电压（）V或直流额定电压1500V及以下电气设备。A、400B、800C、1000D、600答案：C75.功耗越大，则门越快。对于给定的工艺和门的拓扑结构，()和()的乘积一般为一常数，这一乘积称为PDP。A、功率；速度。B、能量；延时。C、面积；速度。D、功耗；延时。答案：D76.直流负反馈是指()。A、存在于RC耦合电路中的负反馈B、放大直流信号时才有的负反馈C、直流通路中的负反馈D、只存在于直接耦合电路中的负反馈答案：C77.以下哪个不是降低开关活动性的设计技术：()。A、分时复用资源B、提前输入具有较高翻转率的信号C、改变逻辑电路的拓扑结构D、通过均衡信号路径来减少毛刺答案：B78.关于煤炭液化表述错误的是()。A、是将固体状态的煤炭经过化学加工转化为液体产品。B、可以将硫等有害元素及灰分脱除，得到洁净的二次能源。C、能够优化能源结构、解决石油短缺、减少环境污染。D、可以得到更多的能量。答案：D79.稳压管DZ正向压降视为零，它的稳定电压为7V，则回路中的电流等于（）。A、0B、10mAC、25mAD、5.75mA答案：A80.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是()。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可答案：C81.Na-β-A12O3可以用于制作成钠硫电池的()。A、导线B、电芯C、包裹材料D、隔膜材料答案：D82.标识为473的贴片电容，其容值应该是()。A、47∗102pFB、47∗103pFC、47.3pFD、473pF答案：B83.以下不符合助焊剂要求的是（）。A、熔点应低于焊料B、不产生害气体C、表面张力小D、具有强腐蚀性答案：D84.陶瓷的有（）的性能特点。A、熔点高B、硬度大C、耐磨损D、价格昂贵答案：A85.作为过压保护的压敏电阻，在性能上要求其()。A、耐磨性强B、非线性系数高C、反应速度快D、漏电流低答案：D86.用CMOS管组合的两输入NAND门，若其中NMOS管的等效电阻为RN，PMOS管的等效电阻为RP，电容负载为CL，则当两输入都为高电平时其下拉传播延时可以近似为（）。A、0.69RNCLB、1.38RNCLC、0.69RPCLD、0.345RNCL答案：B87.溶胶-凝胶法可以制备()等形态的产品。A、薄膜B、块体C、厚膜D、粉体答案：C88.一个稳定电压UZ=3V的稳压管，随温度的升高，稳定电压UZ将（）。A、升高B、不变C、降低D、为零答案：C89.下列关于静态CMOS的特性，错误的是（）。A、逻辑电平与器件的相对尺寸无关。B、CMOS反相器具有高输出阻抗，这使它对噪声和干扰不敏感。C、输出电压摆幅等于电源电压。D、由于反相器的输入节点只连到晶体管的栅上，所以稳态输入电流几乎为零。答案：B90.下面关于优化功耗规则的说法错误的是：()。A、短路电流功耗可以通过使输入和输出信号的上升/下降时间匹配来达到最小。B、对于一个给定的反相器尺寸，当负载电容太小时，功耗主要来自短路电流。C、对于非常大的负载电容值，所有的功耗都用来充电和放电负载电容。D、使一个门的输入和输出上升时间相等可以得到最优的结果。答案：D91.电压继电器使用时其吸引线圈直接或通过电压互感器（）在被控电路中。A、并联B、串联C、串联或并联D、灯泡不亮答案：A92.漏电保护断路器在设备正常工作时,电路电流的相量和（）,开关保持闭合状态。A、为正B、为负C、为零D、电流过大答案：C93.PN结加正向电压时，空间电荷区将()。A、变窄B、基本不变C、变宽D、条件不全，无法判断答案：A94.极化的形式有()。A、离子位移极化B、偶极子趋向极化C、空间电荷极化D、电子位移极化答案：D95.以下()的粉体适合于新型陶瓷的生产。A、球形B、原型C、方形D、Y型答案：A96.生物活性陶瓷是指()。A、能诱导骨骼生长B、生物相容性好C、本身具有生命D、以生命体作为原料的陶瓷答案：B97.BaTiO3陶瓷半导体化的方法有()。A、在缺氧气氛下烧结B、进行施主离子掺杂C、在富氧气氛下烧结D、进行受主离子掺杂答案：B98.晶体管能够实现放大的外部条件是()。A、放射结正偏，集电极正偏B、放射结正偏，集电极反偏C、放射结反偏，集电极正偏D、放射结反偏，集电极反偏答案：B99.职业道德建设的核心是()A、服务群众B、爱岗敬业C、办事公道D、奉献社会答案：A100.地震时经常会遇到燃气泄露的情况，请问这种情况下正确的处理方法是()。A、用湿毛巾捂住口、鼻，不使用明火，震后设法转移B、原地等待救援C、用湿毛巾捂住口、鼻，使用蜡烛照明D、为了保持呼吸畅通，不捂口鼻答案：A101.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（）。A、基本共射放大电路B、基本共集放大电路C、反相比例运算电路D、同相比例运算电路答案：D102.磷酸三钙作为生物可降解陶瓷的主要缺点是()。A、有毒副作用B、力学性能不好C、制备成本高D、降解能力不可调答案：D103.氯气泄漏时，抢修人员必须穿戴防毒面具和防护服，进入现场首先要（）。A、加强通风B、切断气源C、切断电源D、寻找人员答案：B104.用万用表测量5.1k的电阻，档位应该选择（）。A、12kB、10kC、1kD、20k答案：B105.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。A、电阻阻值有误差B、晶体管参数的分散性C、晶体管参数受温度影响D、受输入信号变化的影响答案：C106.复合管，已知V1的1=30，V2的2=50，则复合后的约为（）。A、1500B、80C、50D、30答案：A107.集成电路的导线会引起电容、电阻和电感等寄生参数效应，它们对电路的特性都会有多方面的影响，包括：()。A、影响电路的可靠性。B、引起额外的噪声来源。C、使传播延时增加。D、影响能耗和功率的分布。答案：A108.在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管答案：A109.属于配电电器的有（）。A、接触器B、熔断器C、电阻器D、定子和转子答案：B110.以下()类型的敏感陶瓷属于对物理性质敏感。A、光敏B、热敏C、湿敏D、气敏答案：A111.现需要一种能通过较大大流的电阻元件，应该选用以下的()。A、碳膜电阻B、碳膜电阻C、金属膜电阻D、线绕电阻答案：D112.在现代陶瓷材料烧结过程中如何促进烧结过程()。A、原始粉末性质B、外加剂C、成型压力D、烧结工艺答案：A113.设某晶体管三个极的电位分别为UE=13V，UB=12.3V，UC=6.5V，则该管是为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管答案：D114.以下可以作为微波器件的是()。A、软磁铁氧体B、矩磁铁氧体C、旋磁铁氧体D、硬磁铁氧体答案：C115.铁壳开关在作控制电机启动和停止时,要求额定电流要大于或等于（）倍电动机额定电流。A、两B、一C、三D、四答案：A116.以下()在新型陶瓷的应用中所占比例最高。A、硬度B、速度C、电功能D、传播答案：C117.现需要一种大容量且精度要求不高的电容器，应该选用以下的（）。A、电容B、铝电解电容C、涤纶电容D、云母电容答案：B118.陶瓷有()的性能特点。A、硬度大B、弹性好C、韧性大D、熔点高答案：D119.更换熔体时,原则上新熔体与旧熔体的规格要（）。A、不同B、相同C、更新D、电阻答案：B120.稳压二极管主要是利用其（）特性，可以在电路中稳压。A、恒流特性B、导电性C、反向击穿特性D、非一线性答案：C121.惰性生物陶瓷作为骨关节材料时，其硬度()。A、略小于骨骼硬度B、略大于骨骼硬度C、越硬越好D、必须等于骨骼硬度答案：B122.如果使增强型场效应管的源极和栅极短路，则所形成的二端网络对于负载而言将呈现（）。A、短路特性B、开路特性C、恒流特性D、恒压特性答案：B123.某色环电感的色环排列是“黄紫金银”，此电感的实际电感量和误差是（）。A、47uH±10%B、47uH±5%C、4.7uH±2%D、47uH±5%答案：B124.标识为203的贴片电阻，其阻值应该是()。A、20ΩB、2KΩC、200ΩD、20KΩ答案：D125.六方氮化硼可以作为()的应用。A、材质硬度B、高温润滑C、导电D、传播度答案：B126.软磁铁氧体主要的应用领域是()。A、电感B、变压器C、开关D、磁存储答案：A127.某三极管的额定功率是1W，使用时当该三极管的功率达到2W时（）。A、立即损坏B、长期使用会损坏C、不会损坏D、长期使用不会损坏答案：A128.当设计一个高性能处理器时，我们需要考虑的数字电路的最基本的指标是（）。A、能量B、电路面积C、开关速度D、功耗答案：C129.以下()属于电介质陶瓷。A、热释电体B、压电体C、介电体D、铁电体答案：D130.压电效应是()与()之间的相互转化。A、电能、光能B、热能、机械能C、电能、机械能D、热能、电能答案：B131.腐蚀性液体溅到皮肤上，应该立即（）。A、用干布抹去B、用大量清水冲洗C、用绷带包扎患处D、请医生治疗答案：B132.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、NPN管的发射极C、PNP管的发射极D、PNP管的发射极答案：B133.碳材料作为惰性生物材料的优点有()。A、密度低B、韧性高C、硬度低D、模量低答案：A134.集成运放的互补输出级采用()。A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法答案：B135.对放大电路进行调试，静态主要测试（）参数。A、放大倍数B、静态工作点C、输入电阻D、输出电阻答案：B136.生物陶瓷用于以下哪些领域()。A、医疗器械B、导电器C、金属探测器D、人工骨骼答案：A137.某电阻的阻值是20欧姆，误差范围是±5%，使用四色环标识时应是（）。A、棕红黑金B、红黑黑金C、红黑黑棕D、棕红红棕答案：B138.稳压管反向击穿后，其后果为（）。A、永久性损坏B、只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损C、由于击穿而导致性能下降D、击穿后损坏答案：B139.氧化物基金属陶瓷特性()。A、热稳定性B、抗氧化性C、抗热振性D、抗腐蚀性答案：C140.拥有以下()性质的材料在宏观上具有磁性的。A、铁磁性B、铁电性C、反铁磁性D、亚铁磁性答案：A141.风能的大小与风速的(）成正比A、二次方B、三次方C、四次方D、五次方答案：B142.风力发电技术已经走向成熟，下列关于全球风电装机容量前五位的国家排序正确的是()。A、德国、西班牙、美国、丹麦、印度B、美国、德国、中国、日本、丹麦C、美国、西班牙、德国、中国、印度D、德国、中国、西班牙、印度、丹麦答案：A143.陶瓷的概述以下错误的是()。A、高硬度B、高温稳定性C、高耐磨性D、高导电性答案：D144.数字万用表能直接测量三极管的（）。A、电流放大倍数B、输出电阻C、输入电压D、管型答案：A145.软磁铁氧体主要分为()。A、Mn-ZnB、Nn-ZNC、Mm-znD、Ni-Zn答案：D146.测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，测量结果将会()。A、变B、不变C、变大D、不能确定答案：A147.相比于磁性金属材料，磁性陶瓷材料具有()等特点。A、损耗低B、居里温度低C、高频性能优秀D、磁化率高答案：B148.焊料的成分主要是（）。A、铜，铅B、铜，锡C、铅，锡D、铝，锡答案：C149.用45S5作为骨连接材料是，一旦发生断裂，其断裂位置位于()。A、45S5上B、两者界面上C、随机出现D、人体骨骼上答案：A150.新型陶瓷是按照()进行分类的。A、成分B、结构C、工艺D、功能答案：D151.氧化物陶瓷：主要成分是()。A、l2O4B、SiO2C、AiO2D、Al2O2答案：A152.用万用表测量2.1k的电阻，档位应该选择（）。A、20kB、18kC、2kD、45k答案：C153.D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。A、最大值为40V，最小值为0VB、最大值为40V，最小值为+10VC、最大值为10V，最小值为－40VD、最大值为10V，最小值为0V答案：D154.以下哪种方法不能减小CMOS反相器的传播延时（）。A、减小扩散电容和互连线的电容B、增大输入电压VinC、适当增加晶体管的W/LD、适当增大VDD答案：B155.以下()的硬度比氧化铝陶瓷低。A、氧化锆B、氧化钙C、氧化镁D、氧化锌答案：C156.三相异步电动机按其（）的不同可分为开启式、防护式、封闭式三大类。A、供电电源的方式B、外壳防护方式C、结构型式方式D、工作制答案：B157.气敏陶瓷的主要应用领域是()。A、气体的分类B、气体的吸附C、气体的检测D、气体的提纯答案：C158.氧化铝陶瓷用于哪些领域()。A、制造机械零件B、电子器件C、耐火材料D、耐磨答案：C159.下面关于导线电阻的说法错误的是：()。A、一矩形导体的长为L，截面积为A，ρ为电阻率，则其电阻可以表示为R=ρL/AB、一个方块导体的电阻与它的绝对尺寸无关，导线电阻与方块电阻的关系是，R=Rs∗L/W。C、与如铜这样的材料相比，铝的电阻率较小，所以集成电路中最常用的互连材料是铝。D、导线的方块电阻可以表示为Rs=ρ/H。也叫做薄层电阻。答案：C160.下面二极管静态特性描述中不正确的是：()。A、在实际器件中，二极管的反向电流大于反向饱和电流，这是在耗尽区因热而产生电子空穴对造成的。B、在PN结上加上反向偏压，使p区的电势相对于n区降低，其结果是使扩散电流减小，漂移电流成为主导，于是电流从n区流向p区。C、二极管电流最重要的特性是它与所加偏置电压之间存在线性关系D、反偏置状态下，二极管的工作就像一个不导通或阻断的器件。答案：C161.食物中毒后错误的做法是：（）。A、饮水稀释B、催吐减毒C、联系急救D、倒掉食物答案：D162.随着电源电压的降低，反相器在过渡区的增益（）。A、不变B、增大C、不确定D、减小答案：B163.标识为3R3的电阻器，其阻值应该是()。A、330ΩB、33ΩC、3.3ΩD、3300Ω答案：C164.我国安全生产工作的方针是（）。A、安全生产、预防为主、综合治理B、安全第一、预防为主、综合治理C、安全生产、注意防范、综合治理D、安全第一、预防为主、综合整治答案：B165.固相合成法过程中，经过高温反应后通常还需进行()的工艺处理。A、碎屑B、球磨C、磁性陶瓷D、化学性陶瓷答案：B166.晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是()。A、共集电极接法B、以上都不是C、共基极接法D、共发射极接法答案：B167.灭火器应当摆放在（）和通风干燥、取用方便的地方。A、火源附近B、被保护物附近C、室外D、地上米答案：B168.当通过静态CMOS电路来实现逻辑功能时，PMOS器件串联相当于（）功能。A、与B、或C、或非D、与非答案：C169.以下()在陶瓷中硬度较高。A、氧化钛B、氧化锌C、氧化锌AD、氧化钙答案：B170.为了防止跨步电压对人造成伤害,要求防雷接地装置距离建筑物出入口、人行道最小距离不应小于（）米。A、3B、2.5C、4D、直径答案：A171.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。A、恒流区B、可变电阻区C、夹断区D、击穿区答案：A172.在铝绞线中加入钢芯的作用是（）。A、提高导电能力B、增大导线面积C、提高机械强度D、抗燃能力提升答案：C173.在要求小容量的高频电路中，应尽量选用（）。A、瓷介电容B、涤纶电容C、钽电解电容D、铝电解电容答案：A174.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A、输入电阻高B、输出电阻低C、共模抑制比大D、电压放大倍数大答案：C175.蓄电池是将所获得的电能以0的形式储存,并能够将其转换成电能的电化学装置,可以重复充电和放电。A、机械能B、化学能C、动能D、势能答案：B176.动态电阻rZ是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是（）。A、rZ小则稳压性能差B、rZ小则稳压性能好C、rZ的大小不影响稳压性能D、rZ小则稳压性能差答案：B177.温度稳定性最好的稳压管是（）。A、稳定电压UZ=6V的管子B、稳定电压UZ>6V的管子C、稳定电压UZD、稳定电压UZ答案：A178.准备测量数字电路中输入和输出共6路信号，选用（）仪器最好。A、四通道示波器B、逻辑分析仪C、数字万用表D、两通道示波器答案：B179.关于高频阻波器的作用下列哪个叙述不对()。A、对高频载波电流阻抗很大B、对工频电流呈现的阻抗很大C、阻止高频电流的外流D、防止高频载波信号向母线方向分流答案：B180.在半导体电路中,主要选用快速熔断器作（）保护。A、过压B、短路C、过热D、100答案：B181.食物中毒后正确的做法是：（）。A、联系急救B、不紧不慢C、在家医治D、听天命答案：A182.下列材料中,导电性能最好的是（）。A、铜B、铝C、银D、必须在电动机完全停转后才答案：C183.面积较小的门往往较快并消耗()的能量，因为门的总电容常常随面积的减小而()。A、较少；增大B、较多；增大C、较少；减小D、较多；减小答案：C184.固相中形成超微粉体的好处()。A、成本低B、工艺简单C、散热好D、耐磨性最强答案：A185.关于氢能的特点错误的是()。A、氢能是取之不竭，用之不尽的。B、氢在燃烧时不产生污染物，是理想的绿色能源。C、碳纳米管在氢能的储运应用方面已经成熟。D、氢气释放能量快，反应速率常数高。答案：C186.微波铁氧体的应用领域包括()等。A、开关元件B、逻辑元件C、录音机磁芯D、环形器答案：D187.在高频电路中，一般不允许选用（）电阻A、金属电阻B、金属氧电阻C、钢膜电阻D、线电阻答案：D188.晶体管的三个工作区是()。A、截止区B、区域不定C、放射区D、放区答案：D189.评价一个设计好坏的重要质量指标有()。A、稳定性B、功能C、成本D、功耗答案：A190.氧化物陶瓷由那几个部分组成()。A、陶瓷材料B、氧化铝C、氧化铁D、碳化硅答案：B191.作为陶瓷基板材料，与氧化铝和氮化铝相比，氧化铍的优势有()。A、高密度B、高介电损耗C、高热导系数D、高介电强度答案：C192.发光二极管发光时，其工作在()。A、反向截止区B、正向导通区或反向击穿区C、正向导通区D、反向击穿区答案：C193.下面有关MOS晶体管阈值电压的说法不正确的是：()。A、阈值电压通常对于NMOS器件是一个正值，对于PMOS器件是一个负值。B、随着栅电压的不断提高，耗尽区宽度将逐渐增大。C、当源与体之间存在衬底偏置电压VSB时，将会使n沟MOS管的阈值电压增大。D、不同体偏置下条件下的阈值电压可以由下式确定：答案：B194.发光二极管正常工作时，外加()电压。A、弱向B、击穿C、交流D、正向答案：C195.二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而（）。A、增大B、减小C、不变D、为0答案：A196.以下()是世界知名的电功能陶瓷的生产企业。A、TOTOB、FERROC、TDKD、京瓷答案：B197.当一个熔断器保护一只灯时,熔断器应串联在开关（）。A、前B、后C、中D、无答案：B198.设计一种空调控制器电路板，需要多个0.25W，误差±5%的电阻，应该选用以下的()。A、金属膜电阻B、金属氧化膜电阻C、碳膜电阻D、线线电阻答案：C199.煤、石油以及风能、太阳能、核能、地热能等是可以直接从自然界获得的，统称为（）。A、二次能源B、一次能源C、可再生能源D、不可再生能源答案：B200.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为()。A、β1B、β2C、βD、1+β答案：B201.关于一对串联反相器中的寄生电容，电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是（）。A、扩散电容CDB1和CDB2B、栅漏电容CGD12C、扇出的栅电容CG3和CG4D、连线电容CW答案：D202.以下()的粉体适合于新型陶瓷的生产。A、板状B、球形C、不规则形状D、柱状答案：B203.万用表电压量程2.5V是当指针指在（）位置时电压值为2.5V。A、1/2量程B、满量程C、2/3量程D、3/3量程答案：B204.下面关于传播延时的定义错误的是()。A、传播延时只与电路工艺和拓扑连接有关。B、通常所说的传播延时是针对门的。C、传播延时tp是tpLH（门的输出由低至高翻转的响应时间）和tpHL（输出由高至低翻转的响应时间）这两个时间的平均值。D、输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。答案：A205.某场效应管的漏极特性曲线则该场效应管为（）。A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管答案：B206.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则()。A、1为e3为b2为cB、1为e2为b3为cC、2为e1为b3为cD、3为e1为b2为c答案：A207.在使用电容器时，加在其两端的电压应满足（）额定电压。A、大于B、远高于C、小于D、无限制答案：C208.下面有关导线接触电阻的说法正确的是：()。A、为了降低接触电阻，接触孔应该设计得尽可能大。B、电流往往集中在一个较大接触孔的周边，这一效应称为电流集聚，电流集聚效应将限制接触孔的最小尺寸。C、布线层内的互连将给导线带来额外的电阻，称为接触电阻。D、为避免过多的接触或通孔，应该尽可能地使信号线保持在同一层。答案：D209.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，这是因为此时PN结内部的()。A、少数载流子浓度减小B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度增大D、多数载流子浓度减小答案：B210.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于()。A、0.8mAB、0.98mAC、1.2mAD、1.02mA答案：B211.为了使三极管可靠地截止，电路必须满足()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结和集电结都反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结和集电结都正偏答案：B212.铁氧体的主要成分包括()。A、氧化铁B、金属铁C、铁的复合氧化物D、金属铁和铁的复合氧化物答案：C213.非铁电电容器的介电常数随着温度的变化呈现()的趋势。A、非线性变化B、不可预知C、线性变化D、保持不变答案：C214.下列关于降低CMOS反相器的降低电源电压说法错误的是（）。A、降低电源电压使反相器对外部噪声源更加敏感。B、降低电源电压意味着减小信号摆幅和能耗。C、降低电源电压的同时会使门的延时减小。D、降低电源电压可以帮助减小系统的内部噪声。答案：C215.某色环电感的色环排列是“棕黑黑银”，此电感的实际电感量和误差是（）。A、10uH±2%B、10uH±5%C、10uH±10%D、1uH±10%答案：C216.下列新能源中属于二次能源的是()。A、热能B、核能C、生物质能D、太阳能答案：C217.下列属于不属于新能源（）A、地热能B、风能C、水能D、生物质能答案：C218.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA；IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为()。A、60B、82C、104D、50答案：A219.标识为2k7的电阻器，其阻值应该是()。A、2.7ΩB、27ΩC、270ΩD、2700Ω答案：D220.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压()。A、略大于150VB、等于75VC、约等于150VD、等于300V答案：B221.根据国家规定，凡在坠落高度离基准面（）以上有可能坠落的高处进行的作业，均称为高处作业。A、2mB、3mC、4mD、6m答案：A222.以下属于结构陶瓷的是()。A、氧化物陶瓷B、氮化铝陶瓷C、氧化铝陶瓷D、氧化硅陶瓷答案：B223.烧结过程的驱动力是()。A、表面能不变B、表面能下降C、表面能增加D、以上都不是答案：B224.晶体管是一个具有()（当|VGS||VT|时）的开关。A、有限关断电阻、无限导通电阻B、无限关断电阻、无限导通电阻C、有限关断电阻、有限导通电阻D、无限关断电阻、有限导通电阻答案：D225.对电压敏感的陶瓷称为()。A、热敏陶瓷B、压敏陶瓷C、介电陶瓷D、压电陶瓷答案：A226.普通电阻器被替换的原则是尽量保证（）一致。A、形状B、功率C、阻值D、阻值和功率答案：D227.压痕法可以测试结构陶瓷的()。A、延展性B、强度C、硬度D、弹性答案：A228.双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()。A、不偏B、微偏C、正偏D、反偏答案：C229.互补CMOS门中，M1与M2管为相同尺寸与同一工艺条件制造的NMOS晶体管，则M1管的阈值电压Vth1与M2管的电压Vth2的关系是（）。A、Vth1=Vth2B、Vth1C、确定D、Vth1>Vth2答案：B230.人员密集场所应划定安全疏散逃生责任区,确定各责任区（）,提高组织引导人员疏散和逃生的能力。A、治安管理员B、疏散引导员C、消防安全员D、消防志愿者答案：B231.D2均为硅管（正向压降0.7V)，D为锗管（正向压降0.3V)，U＝6V，忽略二极管的反向电流，则流过D1、D2的电流分别为（）。A、2mA，2mAB、0，2mAC、2mA，0D、1mA，0答案：B232.根据三极管放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为()三种。A、共基极电路B、共发射极电路C、共集电极电路D、串联电极电路答案：A233.在分析大扇入逻辑门时，内部节点电容变得十分显著从而不能忽略，四输入NAND门及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RN，所有的PMOS尺寸相同，它们的等效电阻都为RP，则其传播延时可以表示为（）。A、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+4C)B、tpHL=0.69Rp(C1+C2+C3+C)C、tpHL=0.69RN(C1+C2+C3+C)D、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+C)答案：A234.生产、经营、储存、运输、使用危险化学品和处置废弃危险化学品单位的对本单位危险化学品的安全负责A、保卫部门负责人B、安全部门负责人C、主要负责人D、经理答案：C235.集成电路生产时的固定成本与销售量();可变成本是直接用于制造产品的费用，与产品的产量成()。A、无关；正比。B、有关；正比。C、无关；反比。D、有关；反比。答案：A236.迈斯纳效应产生的条件是温度()临界温度A、低于B、等于C、远高于D、高于答案：A237.氮化硼陶瓷的优点()。A、热膨胀系数小B、抗热振性高C、高温电绝缘性D、耐磨性答案：C238.电动机在额定工作状态下运行时,（）的机械功率叫额定功率。A、允许输出B、允许输入C、推动电机D、降低启动电压答案：A239.玻璃陶瓷属于()。A、旧款材料B、新型陶瓷材料C、非晶性陶瓷材料D、晶型陶瓷材料答案：C240.压电陶瓷的应用包括()。A、蜂鸣器B、打火机C、雷达D、超声波探头答案：A241.传统方法烧结氧化铝陶瓷的烧结温度通常需要达到()摄氏度。A、1800B、1600C、1700D、1500答案：C242.与国外相比，我国生物质能技术存在较大的差距，但不包括()。A、生物燃料的规模化生产方面B、秸秆直接燃烧供热技术研究和设备开发方面C、厌氧消化产气率方面D、生物质发电技术和装置方面答案：A243.纳米技术是指在()尺度范围内研究电子、原子、分子和分子内在规律及特征，并用于制造各种特种的一门综合性科学技术。A、0.1--10nmB、0.1--10nmC、1--100nmD、1--100μm答案：C244.当温度升高时，二极管反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、等于零答案：A245.生物活性玻璃与羟基磷灰石相比，()。A、生物活性更好B、成本更低C、强度更好D、毒性更小答案：B246.相变增韧的根本原因是氧化锆陶瓷中具有()。A、立方相B、伪立方相C、四方相D、平方向答案：C247.摇表的两个主要组成部分是手摇（）和磁电式流比计。A、直流发电机B、电流互感器C、交流发电机D、三相异步电动机答案：A248.当使用互补CMOS门实现一个具有N个输入的逻辑门时，所需要的晶体管数目为（）个。A、2NB、2N+1C、4ND、N答案：A249.导电陶瓷的特点包括()。A、抗氧化B、抗磨损C、抗辐射D、抗腐蚀答案：A250.动态设计中的信号完整性问题主要有：()。A、电荷分享B、电荷分享C、电荷泄漏D、时钟馈通答案：B251.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生()失真。A、截止失真B、饱和v失真C、双向失真D、线性失真答案：B252.人体所需的营养素主要包括：蛋白质、脂类、碳水化合物、矿物质、维生素和水六大类。现代营养学把（）列为第七大营养素。A、维生素B、蛋白质C、膳食纤维D、糖类答案：C253.光电二极管正常工作时，外加()电压。A、反向B、正向C、直流D、击穿答案：A254.热释电红外探测器具有()的特点。A、体积小B、宽光谱响应C、功耗低D、价格便宜答案：C255.以下描述的是微波烧结的优点，正确的是()。A、整体加热B、选择性加热C、温度梯度从内到外D、快速加热答案：D256.半导体二极管的重要特性之一是()。A、温度稳定性B、放大作用C、单向导电性D、滤波特性答案：B257.由非氧化物组成的陶瓷材料有()。A、碳化硅B、氮化硼C、氧化硅D、氧化铜答案：B258.地面上的绝缘油着火，应用进行灭火。A、水B、二氧化碳灭火器C、干砂D、风答案：C259.碘钨灯属于（）光源。A、气体放电B、电弧C、热辐射D、粉色答案：C260.导线接头的绝缘强度应（）原导线的绝缘强度。A、可大可小B、少C、小于大D、等于答案：D261.从我国历史和国情出发,社会主义职业道德建设要坚持的最根本的原则是().A、人道主义B、爱国主义C、社会主义D、集体主义答案：D262.洁净煤技术，是指从煤炭()的全过程，旨在减少污染物排放与提高利用效率的生产、加工、转化、燃烧及污染控制等新技术体系。A、生产到使用的各个环节B、开采到利用的各个环节C、消费到回收的各个环节D、生产到消费的各个环节答案：B263.以下不是助焊剂的作用的是（）。A、使焊点美观B、除去氧化膜C、防止氧化D、增大表面张力答案：D264.在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A、四价B、六价C、三价D、五价答案：D265.规定了电子元器件的额定值，一般包括额定工作电压、额定工作电流、额定功率消耗及额定工作温度等。它们的定义是：电子元器件能够（）工作的电压、电流、功率消耗及环境温度。A、正常B、长期正常C、短期D、长期答案：B266.某电阻的色环排列是“绿蓝黑棕棕”，此电阻的实际阻值和误差是（）。A、5600KΩ±5%B、5.6KΩ±1%C、5600KΩ±1%D、5.6KΩ±5%答案：B267.陶瓷半导体化的方式有()。A、晶界偏析B、两端通电C、化学计量比偏离D、杂质缺陷答案：D268.防静电的接地电阻要求不大于（）Ω。A、10B、40C、100D、定子及转子答案：C多选题1.集成电路微系统组装中，常用的连接技术有哪些？A、焊接（如引线键合、倒装芯片焊接）B、压接C、粘接（如环氧树脂粘接）D、螺接E、插接答案：ABC2.在集成电路测试中，故障定位与隔离的方法包括？A、边界扫描技术B、红外热成像C、逻辑笔测试D、扫描链测试E、故障模拟与仿真答案：ADE3.半导体分立器件和集成电路封装过程中，对材料的要求包括？A、高纯度B、良好的导热性C、低介电常数D、优异的机械强度E、环保性（如无铅、无卤）答案：ABDE4.在半导体制造中，CMP（化学机械抛光）后的主要检查项包括哪些？A、表面平整度B、残留物检测C、晶格结构分析D、颗粒污染检测E、金属层厚度测量答案：ABD5.下列哪些因素会影响集成电路的封装质量？A、封装材料的选择B、封装工艺的控制C、封装环境的洁净度D、封装后的测试方法E、封装前的清洗工艺答案：ABCE6.半导体分立器件中的PIN二极管主要用于哪些应用？A、射频开关B、整流器C、稳压器D、光电探测器E、振荡器答案：AD7.在集成电路装调过程中，以下哪些步骤是必不可少的？A、晶圆划片B、清洗与干燥C、封装与键合D、功能测试E、老化筛选答案：ABCDE8.以下哪些设备是半导体分立器件和集成电路装调过程中常用的？A、晶圆切割机B、封装机C、测试机D、显微镜E、烧结炉答案：ABCD9.影响半导体分立器件反向击穿电压的因素有？A、掺杂浓度B、外加电压类型（直流/交流）C、器件结构D、工作温度E、封装材料答案：ACD10.在半导体工艺中，常见的清洗方法有哪些？A、湿法清洗（如去离子水清洗）B、干法清洗（如等离子清洗）C、化学机械抛光（CMP）D、超声波清洗E、紫外线清洗答案：ABD11.以下哪些是影响集成电路封装可靠性的因素？A、封装材料的选择B、封装工艺的控制C、封装体与基板的热匹配D、焊接质量的稳定性E、产品的运输与存储条件答案：ABCDE12.半导体分立器件的主要类型包括哪些？A、二极管B、三极管C、集成电路D、晶闸管E、场效应管答案：ABDE13.集成电路中的ESD（静电放电）保护机制主要有哪些类型？A、二极管保护B、栅极保护C、瞬态电压抑制器（TVS）D、电阻网络E、隔离环答案：ACE14.半导体材料的基本特性包括哪些？A、导电性介于导体和绝缘体之间B、具有热敏性C、具有良好的光学特性D、可通过掺杂改变导电类型E、具有良好的机械强度答案：ABD15.集成电路设计中的EDA（电子设计自动化）工具主要包括哪些类型？A、原理图编辑器B、仿真器C、布局与布线工具D、固件编程环境E、晶圆测试机答案：ABC16.半导体分立器件的散热方式主要有？A、自然散热B、强制风冷C、水冷D、热管散热E、半导体制冷答案：ABCD17.在集成电路装调过程中，需要关注的环境因素有？A、静电防护B、温度与湿度控制C、洁净度D、振动与冲击E、电磁干扰答案：ABCE18.集成电路设计中的EDA工具主要支持哪些设计阶段？A、需求分析B、原理图设计C、仿真验证D、布局布线E、物理验证答案：BCDE19.半导体分立器件主要包括以下哪些类型？A、二极管B、三极管C、集成电路D、晶闸管E、电阻器答案：ABD20.半导体分立器件和集成电路测试中的静态参数测试包括？A、输入输出电压B、功耗C、延迟时间D、击穿电压E、增益答案：ABD21.下列哪些因素会影响半导体材料的导电性能？A、温度B、掺杂浓度C、光照D、机械压力E、磁场答案：ABC22.在集成电路封装过程中，常见的封装形式有？A、DIP（双列直插式封装）B、SOP（小外形封装）C、BGA（球栅阵列封装）D、COB（板上芯片封装）E、TO（晶体管轮廓封装）答案：ABCD23.在半导体分立器件和集成电路的筛选过程中，常用的无损检测技术包括？A、X射线检测B、红外热成像C、超声波扫描D、激光扫描显微镜E、电气性能测试答案：ABCD24.集成电路封装过程中的金丝球焊（WireBonding）主要用于哪些连接？A、芯片与引脚框架B、芯片与封装基板C、封装基板与引脚D、封装基板与散热片E、不同芯片之间的连接答案：AB25.半导体分立器件的封装形式主要有？A、TO系列（如TO-92,TO-220）B、SOP（小外形封装）C、BGA（球栅阵列封装）D、IP（双列直插封装）E、QFN（方形扁平无引脚封装）答案：ADE26.半导体分立器件的可靠性测试通常包括哪些内容？A、高温存储测试B、温度循环测试C、湿度测试D、静电放电测试E、辐射测试答案：ABCDE27.集成电路按功能可分为哪几类？A、数字集成电路B、模拟集成电路C、混合信号集成电路D、微处理器E、存储器答案：ABC28.半导体分立器件的测试通常包括哪些阶段？A、晶圆测试B、封装前测试C、成品测试D、可靠性测试E、老化测试答案：BCDE29.在半导体分立器件的筛选过程中，常用的筛选方法有哪些？A、视觉检查B、电气测试C、X射线检查D、红外热成像E、激光扫描答案：ABC30.半导体分立器件的可靠性测试通常包括哪些类型的测试？A、高温老化测试B、温度循环测试C、湿度偏置测试D、静电放电测试E、辐射测试答案：ABCD31.下列哪些参数是评估半导体分立器件性能的重要指标？A、反向击穿电压B、正向导通压降C、电流放大倍数D、封装尺寸E、频率响应答案：ABCE32.下列哪些是影响半导体分立器件反向漏电流大小的因素？A、温度B、掺杂浓度C、反向电压D、封装材料E、光照答案：ABCE33.下列哪些材料常用于集成电路的互连层？A、铝B、铜C、硅D、金E、钨答案：ABDE34.半导体分立器件中，具有负温度系数的器件是？A、硅二极管B、锗二极管C、齐纳二极管D、热敏电阻E、光电二极管答案：AB35.以下哪些措施有助于提高集成电路的抗干扰能力？A、合理的电源设计B、接地布局优化C、电磁屏蔽D、信号完整性设计E、使用低噪声元器件答案：ABCDE36.集成电路封装过程中需要控制的参数包括？A、引脚共面性B、封装体尺寸C、湿度敏感性等级（MSL）D、焊接强度E、内部缺陷检测答案：ABDE37.影响半导体分立器件正向压降的主要因素有？A、材料类型B、工作电流C、工作温度D、封装材料E、掺杂浓度答案：ABCE38.以下哪些是影响半导体器件寿命的主要因素？A、工作温度B、工作电压C、电流密度D、封装质量E、外部机械应力答案：ABCDE39.以下哪些属于集成电路微系统组装的关键技术？A、精密定位与对准B、微焊接技术C、三维封装技术D、可靠性测试与筛选E、电磁兼容性设计答案：ABCD判断题1.判断题：题目：在集成电路制造中，光刻技术用于在晶圆上形成精确的图形和电路结构。（）A、正