GB∕ T 4937.23-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命（正式版）

半导体器件机械和气候试验方法国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会I ——第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型( ⅡGB/T4937.23—2023/IEC6 Ⅲ——第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)。目的在于规定可靠、可重复的——第27部分：静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)。目的在于规定可靠、可重复的—第28部分：静电放电(ESD)敏感度测试带电器件模型(CDM)器件级。目的在于规定可 GB/T4937(所有部分)均为一一对应采用IEC60749(所有部分),以保证半导体器件试验方法与国1本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文IEC60747(所有部分)半导体器件分立器件和集成电路(Semiconductordevices—Discretede-vicesandintegratedcirIEC60749-34半导体器件机械和气候试验方法第34部分：功率循环(Semiconductor符合器件规范或数据手册中规定的器件工作时的最大电源电压。23GB/T4937.23—2023/IEC6流水平的静态工作模式。宜确定具体的偏置条件，使器件中最多数目的固态结处于偏置状态。4GB/T4937.23—2023/IEC6超出96h的时间(t)h电测试之前附加应力时间h5与第2章中规范性引用的IEC60747(所有部分)有对应关系的国家标准见表NA.1。引用的国际标准与国际标准的对应关系1(所有部分)GB/T17573—1998半导体器件分立2GB/T4023—2015半导体器件分立器件和集成电路第3GB/T6351—1998半导体器件分立器(包括雪崩整流二极管)空白详细规范4GB/T16894—1997大于100A,环境和管极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范5GB/T6571—1995半导体器件分立器件号(包括开关)和调整二极管6GB/T6588—2000半导体器件分立器件第极管和可控雪崩二极管空白详细规范7GB/T6589—2002半导体器件分立器件第3-2部分：准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范8GB/T20516—2006半导体器件分立器9GB/T21039.1—2007半导体器件分立器件第4-1部GB/T15651.2—2003半导体分立器件和集成GB/T15651.3—2003半导体分立器件和集GB/T15651.4—2017半导体器件分立器件第5-4部GB/T15291—2015半导体器件第6表NA.1与IEC60747(所有部分)有对应关系的国家标准(续)引用的国际标准与国际标准的对应关系(所有部分)GB/T6352—1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范GB/T6590—1998半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GB/T13151—2005半导体器件分立器闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T4587—1994半导体分立器件和集分：双极型晶体管GB/T6217—1998半导体器件分立器件第管空白详细规范GB/T7577—1996低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T6218—1996开关用双极型晶体GB/T7576—1998半导体器件分立器件极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范GB/T4586—1994半导体器件分立器件效应晶体管GB/T6219—1998半导体器件分立器件第效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范GB/T29332—2012半导体器件分立器缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T4589.1—2006半导体器件第10