光电器件及其制造专利总结报告

光电器件及其制造专利总结报告理学院S创新教育实践Ⅰ报告学生姓名：孟令刚学生学号：所在班级：物理111所在专业：应用物理指导教师：李宏升实习场所：校内实习时间：7月实习成绩总评第一项第二项光电器件及其制造专利总结报告光电器件简介半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要有：利用半导体光敏特性工作的光电导器件，利用半导体光生伏特效应工作的光电池和半导体发光器件等。半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。光电器件原理及组成半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。载流子就是由半导体原子逸出来的电子及其留下的空位-----空穴。电子从原子中逃逸出来，必须克服原子的束缚力而做功，而光照正是向电子提供能量，使它有能力逃逸出来的一种形式。因此，光照可以改变载流子的浓度，从而改变半导体的电导率。光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管、光电三极管等。光敏电阻：制作光电传感器用到最多的当属光敏电阻,光敏电阻在无光照的情况下电阻值比较高,当它受到光照的情况下,阻值下降跟多,导电性能明显加强。光敏电阻的主要参数有暗电阻,暗电流,与之对应的是亮电阻,亮电流。它们分别是在有光和无光条件下的所测的数值.亮电阻与暗电阻差值越大越好。在选择光敏电阻的时候还要注意它的光照特性,光谱特性。光电二极管：光电二极管在无光照的条件下,其工作在截至状态,跟一般的二极管特性差不多,都具有单向导通性能。当受到光照时,PN区载流子浓度大大增加,载流子流动形成光电流。光电三极管：光电三极管跟普通三极管的区别在于发射极的尺寸做得比较小,当光照的时候光电流差不多等于普通三极管的基极电流,光电三极管与光电二极管相比,灵敏更高。专利附录光电子器件申请号：200880108847.4申请日：2008-08-06申请(专利权)人欧司朗光电半导体有限公司光电器件申请号：200980108123.4申请日：2009-03-05申请(专利权)人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司光电器件申请号：200980133884.5申请日：2009-07-31申请(专利权)人松下电工株式会社学校法人早稻田大学有机光敏光电器件申请号：201080047697.8申请日：2010-09-03申请(专利权)人华威大学三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法申请号：201210314486.7申请日：2012-08-30申请(专利权)人中山大学Materialfororganicphotoelectricdevice,andorganicphotoelectricdevicetherebyNo.12662765filedon05/03/2010MethodofmountingalightemittingchipandanopticalfiberonaphotoelectricdeviceNo.490456filedon03/08/1990PhotoelectricdevicewithopticalfiberandlaseremittingchipNo.07/054392filedon05/26/1987FocusdetectingphotoelectricdeviceandfocusdetectingsystemNo.06/366080fil