增层电路板技术标准模板

增层电路板技术标准序言适用范围定义3.1结构3.2关键结构部位称呼3.3用语材料特征4.1热膨胀系数（TMA法）4.2机械特征4.3吸水性4.4干燥性4.5离子性不纯物4.6可透性4.7相对透电率基板特征5.1热膨胀系数5.2吸水性5.3干燥性5.4离子性不纯物5.5特征阻抗(Impedance)5.6平坦性装配加工特征6.1导体层抗撕强度(PeelStrength)6.2焊垫抗撕强度(PadPeelStrength)6.3装配耐热性试验信赖性7.1温度循环试验7.2高温高湿试验7.3高温效果设计相关事项附录9.1说明9.2评价用基板9.3继续研究项目序言本技术标准之目标是,定义使用有机材料之增层电路板之标准概念、用语试验方法等。以强化对搭载裸芯片(BareChip)表面装配零件、插脚零件等之基板在设计、制造使用上之共通技术之认识。适用范围本标准叙述用在电子产品上，用增层法作成印刷电路板（以下称增层电路板）之相关事项。在此所称增层电路板是指利用电镀、印刷等法，依序将导体层、绝缘层增加上去印刷电路板而言。此增层电路板亦包含半导体组装(Package)用基板(载板)。定义3.1结构增层电路板之结构及部位之称呼图3-1所定义，在此未定义之称呼请参摄影关规格(日本工业规格”印刷电路用语”JISC5603等)。3.2结构要素部位之称呼3.3用语增层孔(BuildupVia)：做为增层电路板之增加层面上孔总称。亦即增层电路板在导体下方之绝缘层面上做成孔，用电镀或印刷等法使和其上方导体形成电气接续结构。模孔(ConformalVia)：在绝缘层上做出孔形状，再作成和绝缘层一样高度导体而形成孔。填孔(FilledVia)：在孔内用导电材料充填而成孔。迭孔(StackVia)：是在增层孔上再加上增层孔使在3层以上各层之间形成电气上连接孔。跳孔(SkipVia)：在增加层里，使不相邻层间直接连接孔。埋孔(PluggedBaseVia)：在增层电路板基材上形成孔内充填导电材料镀通孔(PTH)。外孔环(ViaTopLand):在表层孔环。孔底环(ViaBottomLand):在孔底环垫。孔底缝(ViaBottomTrench):在孔壁和孔底部间环沟形状。雷射孔(LaserVia):用雷射制程做成孔。光学孔(PhotoVia):用光学制程做成孔。钉柱孔(StudVia):用导电材料堆积成钉柱后再形成孔。无环孔(LandlessVia):孔环直径小于或等于孔径孔。搭载基板(PlanarBoard):搭载裸芯片表面装配零件、插脚零件等基板，通常在装配后即不再放在其它搭载基板上做加热装配。模块基板(ModuleBoard):搭载裸芯片表面装配零件等，并在装配后再加热装配于其它搭载基板上所用搭载基板。4.材料特征4.1热膨胀系数(TMA热机分析)(1)目标记述增层电路板在增加层上使用树脂材料热膨胀系数之测定方法之相关事项。(2)样品1.树脂材料:FilmType2.尺寸:宽5mmX长20mm3.厚度:依试样(+100%以内)4.硬化条件:用成品规格硬化条件使之硬化(含用紫外线照射方法)(3)试验设备热机械分析设备(ThermalmechanicalAnalyzer:TMA)(4)试验方法1.准备样品：将Film固定在TMA夹具上，勿使裂开。2.测定：1)对样品尺寸先做测定(或把已知尺寸样品固定住)。2)实施韧化(annealing)以消除样品残留应力，韧化条件是：室温～玻璃转移温度＋10℃～室温为止，以10℃/分速度升温，再冷却之。3)测定：在测定时，在样品上加9.98x0.01N(10g)拉重，以10℃/分速度升温，冷却后纪录其改变。4)计算：以4-1式计算出热膨胀系数CTE=(ΔL/L0)/ΔT--(4-1)CTE=热膨胀系数L0=样品早期尺寸ΔL=样品变位ΔT=温度改变量分别算出玻璃态转换温度(Tg)以下CTE(α1)和以上CTE(α2)，并以图形标示变位状态。5)注1.制作样品时，绝缘树脂为液状材料时，在离形性材料(氟素树脂基板、聚丙烯(Polypropylene)板，玻璃板上所用离型纸等)，上以成品规格所定方法等涂盖树脂，加以干燥硬化来做比较轻易。若为膜状材料时，在撕去离型模后，依成品规格所定条件加以硬化。2.样品要切成短片状时，在像热盘样可加热板子上，使用利刃来切，较易得到没裂开样品。6)备注1.本标准所述，玻璃态转换温度(Tg)，是以本项TMA法所取得值为标准。2.在本试验法所用标准测定环境是以JISC0010标准状态为准。3.参考JISC0010(环境试验方法一电气，电子通则)JISK7127(塑料片及模片试验方法)，及JISK5400(涂料通常试验方法)。机械特征1)目标叙述增层电路板，增加层上所用树脂材料弹性、破裂强度、破裂伸缩率测定方法。2)样品1.树脂材料：FilmType2.尺寸：宽10mmx长80mm。3.厚度：依试样(+100%以内)。4.硬化条件：以成品规格所定条件加以硬化。包含用紫外线照射情况。3)试验设备1.拉力试验设备。2.恒温槽。4)试验方法1.准备样品。将样品固定于试验设备夹具上，勿使裂开。2.测定(1)把夹具间距调为60mm，测量夹具间距。(2)实施以0.083mm/s(5mm／min)之速度试验。(3)计算E=Δσ/Δε--(4-2)σ=F/A--(4-3)ε=((L-L0)/L0)x100E:Z轴改变率F:断裂时所加拉力A:样品截断面积L:断裂时样品长度。5)注1.做试验时之注意事项依4.1项6)备注1.此试验法在常态下时以JISC0010标准状态为准。2.请参考JISC0010(环境试验方法－电气、电子通则)，JISK7127(塑料片及膜片之试验方法)及JISK5400(涂料通常试验方法)。4.3吸水特征(1)目标目标是叙述求取增层电路板增加层上所使用树脂材料吸水特征试验方法相关事项。制品储存条件及组装前，组装过程中烘烤是必需特征。(2)样品1.树脂材料：FilmType2.尺寸：不限（但重量100mg以上）3.厚度：依试样(+100%以内)4.硬化条件：以制品规格所定硬化条件加以硬化。(包含用紫外线照射情况)。(3)试验设备：1.烤箱。2.（Decicator）干燥箱。3.精密天平。4.恒温恒湿箱。(4)试验方法1.用105℃烤箱将样品优异行二小时干燥后，再置入干燥箱(Decicator)中冷却至室温，此时重量当做W0。(读值量测至0.1mg单位)a.浸水法将样品浸于23℃蒸馏水中经1、4、8、12、二十四小时，然后每隔二十四小时测其重量。于测定时，用干燥布擦拭样品，并立即称重量测至o.1mg单位。（W1g）b.高温高湿中将样品放于85℃,RH85%高温高湿中，放1、4、8、12、二十四小时，然后每隔二十四小时测其重量。将样品自烤箱取出后，在常态中冷却之，用干布擦拭样品并立即测重量测至0.1mg单位。2.计算所得结果，以4-5式计算之，用吸水率标准表示法时，是以二十四小时后值来表示。也可用图将特征表现出来。吸水率(%)=(W1-W0)/W0x100(5)备注1.此试验法所指标准测定环境是依JISK7100之标准温湿状态第二级。2.参考JISK5400(涂料通常试验方法)及JISK7100(塑料状态调整及试验场所标准状态)。4.4干燥特征(1)目标它是用来叙述增层电路板在求取用在增加层树脂材料之干燥特征所用试验方法相关事项。制品储存条件及组装前、组装过程中烘烤必需性时，它是一个必需特征。(2)样品1.树脂材料：FilmType2.尺寸：随意(但重量100mg以上)3.厚度：依试样(+100%以内)硬化条件：在制品规格所定硬化条件下，使之硬化(包含使用紫外线照射情况)。(3)试验设备：1.烤箱。2.干燥箱。3.精密天平。4.恒温恒湿箱。(4)试验方法把样品置于85℃,RH85%高温、高湿箱中使吸温二十四小时，冷却至室温、量测至0.1mg单位。此时之重量为W1。测定：置样品于105℃恒温中，经1、4、8、12小时，随即每隔二十四小时称重一次。从烤箱中取出样品后在常态中冷却之，并称重得到W2g。但重量改变率大时，测试周期能够缩短。2.计算：将所得结果依4-6式加以数值化。干燥率标准表示方法是用二十四小时后值来表示。也能够图形加以表现。干燥率(%)=(W1-W2)／W1X100 图4-2干燥特征(5)备注1.此试验法标准测定环境是以JISK7100标准温湿状态第二级为准。2.参考JISK5400(涂料通常试验方法)及JISK7100(塑料状态调整及试验场所标准状态)。4.5离子性不纯物(1)目标叙述求取用于增层电路板增加层之树脂材料之离子不纯物比率试验方法相关事项。(2)样品1.树脂材料：FilmType2.尺寸：150mmx150mm左右3.厚度：依试样(+100%以内)4.硬化条件：用制品规格所定硬化条件，加以硬化(含使用紫外线照射情况)。(3)试验设备：1.自动冷凝器(Autoclab)2.原子吸光设备(IonChromatography)3.内部涂氟不锈钢容器4.导电率在0.05μSIEMENS/mm以下DIWater。(4)试验方法1.在不锈钢容器中，放入1g硬化胶卷和50gDIWater，放入自动冷凝器中。2.在121℃,RH100%环境下抽二十四小时。3.用离子分光仪或原子吸光装置加以定量，以测定离子浓度。所测定之离子为：el-，Na+，Br-，有机酸等。(5)备注1.本试验法所用标准测定环境是以JISC0010之标准状态为准。2.参考JISC0010(环境试验方法－电气、电子通则)。4-6可透性(1)目标增层电路板增加层上所用树脂材料之可透性，系以EricsenCaping法测定。此试验方法是一简单得悉绝缘树脂之可透性方法。测得值，可做为在组装后树脂耐拉力性等参考值。但树脂弹性疲乏，无法用本试验法来调查，所以用另外要求温度循环试验法等。(2)样品1.使用钢板SPCC150x70x0.8mm做试验板。2.在SPCC钢板上以制品规格所定方法加以涂布、干燥、硬化之。3.厚度：依试样(+100%以内)。4.硬化条件：以产品规格所定硬化条件、硬化之。(含用紫外线照射情况)。(3)试验设备1.Ericsen涂膜试验机：依JISB7729法所要求内容。(4)试验方法：1.测定1)用有刻度标准板做Ericsen试验机零点调整。2)把试验片朝向试片涂布面。调整试片中央部分Punch钢球前端到碰到为止，并栓紧它。3)把旋扭(Dice)调回0.05m/m，并留下些许空间。4)以0.05mm/s(3mm/分)左右定速把Punch押入。5)观察在压出部分出现裂痕为止。读取压入值。2.结果之表示在取得结果之同时，记下涂膜厚值。(5)备注1.本试验法所用标准测定环境是以JIS00010标准状态为准。2.参考JIS00010(环境试验方法－电气、电子通则)，JISK-7209，JIS137729。4.7诱电率(1)目标叙述增层电路板增加层上使用树脂材料之比较诱电率，之测定方法，相关事项。(2)样品：用图4-3所表示图样，准备和主电极不一样尺寸二种尺寸。主计算机 基准 绝缘树脂 相对电极 诱电率测定图样 以下为设定Er=4.0左右特征时标准尺寸例绝缘板厚＝40μm绝缘板厚＝80μm(3)试验设备1.时域反射器(ImpedanceTester)(4)试验方法样品准备1.测定常态中特征时，放置常态下二十四小时2.测定吸湿时使吸湿达成材料饱和状态之90%以上。测定器准备：1.以连接器或探针前端实施校正。(4)试验方法1.准备1)在导体上涂布助焊剂，然后将端子对正位置装上。2)用HotPlot或IR烤箱加以上锡。2.测定A)垂直拉力1.试验方法1)在常态下之测定依图6-6所表示方法向垂直方向拉，拉离速度：5.0±0.1mm/min.2)加热时之测定将样品装于夹具后放入高温设备中，到所定温度后依上述方法测定之。试验温度以85±3℃为标准，可能话在105℃，125℃，150℃±3℃时测定之。压基板用具图6-6拉力试验2.衡量将所得结果数值化，换算拉力值为N/m2。抗撕强度为端子被拉离之测定值。(5)备注1.本试验法所用标准测定环境，以JISC0010之标准状态为准。2.参考JISC0010（环境试验方法－电气、电子－通则）。6.3组装耐热性试验(1)目标叙述衡量增层电路板在装配时之耐热性(含吸温时)之试验方法，此试验，亦可做依靠性试验之前处理。(2)样品：使用制品板(3)试验设备：1.恒温恒湿试验设备：在85℃,85%RH，85℃,60%RH，30℃,60%RH时温度公差±2℃，湿度公差±3%RH。2.恒温试验设备：在125℃时温度公差+5/-0℃。3.热循环试验设备(TCT)。4.IR烤箱，能满足下列试验法之加热处理条件。5.蒸气机，变相器、IR烤箱，可满足下述试验方法之加热处理条件者。6.锡槽，可满足下述试验方法之加热条件者。7.立体显微镜，做目视检验用(40倍左右)。(4)试验方法1.经过电气导通试验及目视检验之样品。2.做-40℃~-60℃温度循环，每小时二次，共做10次。3.将样品以105℃在恒温试验装置中干燥二十四小时。依上述烘烤后2小时内，将样品置于恒温恒温试验装置中加温之。加温条件温度：30℃±2℃湿度：60±5%处理时间：192±2小时5.从恒温恒湿装置中取出样品后15分以上，四小时内实施下述加热处理，加热条件，依制品用途而定。装有PTH/SMT/裸晶之空基板时：以加热条件A、B或A和B之组合做二次以上，及条件(一次以上)。模块基板情况：A或B或A、B组合做四次以上。A、IR烤箱，温度曲线。升温速率：max6℃/sec抵达125℃维持时间：120±25s抵达183℃维持时间：120~180s最高温：220℃+5/-10℃降温速率：max-6℃/secB、蒸气机，变相器、IR烤箱、温度曲线。最高温保持时间：215℃到219℃min.60sC、浸锡槽钖温：245℃±5℃,浸泡时间：5±1sec6.对样品之判定项目电气试验：导通试验(增加早期阻抗之20%)。外部目视检验：无破裂、膨胀、鼓起等。(5)备注1.本试验准之标准测定环境以JISK7100之标准温状态第二级为准。2.参考JISK7100(塑料之状态调整及试验场所之标准状态)。7.可靠度7.1热循环试验(1)目标是为衡量增层电路板在高低温间循环改变时，树脂导体耐疲惫性之试验。可藉设定复数试验条件求取加速系数，以估计实际使用条件下之寿命。(2)样品符合和实际制品板一样结构及基础设计规范基板。本样品必需事前先做装配热性之处理。(3)设备1.热循环试验设备2.烤箱、温度曲线用温度统计计。3.立体显微镜，在目视检验时使用(40倍左右)。4.电阻计。(4)试验方法1.试验条件：通常而言，在Tg以上或周围时，树脂之物性会改变，故加速试验应力之直线性会失去。所以最好把试验条件上限温度订在所用材料中最低Tg温度10℃以下。高加速舱标准舱低速舱温度设定(±5℃)(-40~115℃)(-25~115℃)(0~115℃)循环2cycles/hour2cycles/hour2cycles/hour温度转换时间(*)300s以上300s以上300s以上*指样品达设定之最高或最低温之时间。2.试验程序1)用烤箱，温度曲线用温度统计器，取得样品温度曲线。2)把样品放入烤箱中，使曝露于热循环之环境中。3)每隔200cycle量测电阻值。4)对样品之判定项目。3.试验标准判定基准。电气试验：增加电阻值改变率在20%以下。外部目视检验：有没有破裂、膨胀、剥离。(5)评价假定树脂、金属疲惫系依式7-1之Coffin-Manson法则。Coffin-Manson法则C=Ni‧(εI)n--(7-1)C：常数NI：疲惫寿命εI：变形量为了估计实际使用条件下之寿命，求取加速系数AF，在此所述加速系数为应力试验应力和实际使用条件下应力百分比，能够7-2式表示之。AF=(ΔTLab/ΔTfield)–(7-2)依实际使用条件设定之Cycle数(On-OffCycle)以NField表示，相当此Cycle数应力Cycle数以NLab表示。NLab=NField/AF–(7-3)实际使用时，考虑合适安全系数3~5，以决定试验Cycle数。寿命估计，能够上述方法算出，但简易可靠度表示方法，则能够用标准舱内Cycle数替换之。而若要比较正确做寿命估计时，需以同程序确定试验周波数和试验最高温度之影响，以反应于寿命估计之上。(6)注记1.本节系假定疲惫破坏系依从Coffin-Manson法测。但若依其它理论式算出时，亦需明述之。2.试验判定基准是为使本试验结果能做标准比较，故不一定和实际设备之动作一致。(7)备考1.本试验所用标准测定环境以JISK7100标准温湿度状态二级为准。2.参考JISK7100(塑料状态调整及试验场所之标准状态)。7.2高温高湿试验(1)目标此为评价电路板暴露于高温高湿下时，因为金属分子扩散(Migration)造成绝缘劣化。所做之试验，且为估计在实际使用条件下之寿命之性赖性试验。(2)样品和制品一样设计规则，并具下列线路之基板。1.平面方向之分子扩散：梳形线路、线-孔环。2.z方向之分子扩散：全方面铜-全铜，全铜-线3.基材内分子扩散：PTH-PTH本样品，必需事先做装配耐热性处理。(3)试验设备1.可维持要求温、温度之恒温、恒湿槽。槽之材质，用在高湿中不反应之物。使用水为蒸馏水或去离子水，296K(23℃)pH6~7.2,0.5μΩ-1/cm以下之导电率。2.BIAS电压为可供30VCD之固定电压电源。3.绝缘阻抗测定器。(4)试验方法：早期测定测样品之绝缘性到1012以上为止，测定电压以所加电压之2倍以下，且30以下(充电时间60~80s)试验将样品放于高温、高湿槽中，加上电压并先放于槽中做前处理再放置二十四小时。在样品进出时要留心不可沾到水滴或弄湿。计标湿度加速舱计标温度加速舱试验条件温度(K)相对湿度(%)温度(K)相对湿度(%)标准加速358(85℃)±285±5358(85℃)±285±5低加速358(85℃)±275±5348(85℃)±285±5高加速358(85℃)±295±5368(85℃)±285±5加电压电压(V)A5.0±0.1B10.0±0.2C30.0±0.6测定测阻抗时，将样品自槽中取出后，放于常态中直到样品表面干燥为止，然后再测。重开应力(Stress)时，要重前处理开始。测定时，若低于要求之阻抗值时，待干燥后再确定一次。测定周期通常以在最早发生故障为止，能够测五次以上为准而设定之。试验之标准判定基准。绝缘阻抗值要100MΩ以上。评价因导体分子扩散造成绝缘阻抗劣化，使得Arrheinus之反应速度论得以发展，并考虑了湿度、电压、温度以外应力之影响。而假定下述Eyring式。K=C‧exp(-H/RT)‧exp(f(RH))‧V--(7-4)但 K：反应速度一定 C：百分比一定 H：活性化能量 R：Bortsman常数 T：绝对温度 f：温度因子(Parameter) RH：相对湿度 V：所加电压材料寿命要在超出特征因子劣化某程度时才会抵达。故将反应速度置于分母以求百分比，所以寿命之表示如7-5式所表示。L=C‧exp(H/RT)‧exp(f(RH))‧V-1但L：故障时间应力试验和实际使用条件上所加应力之比率加速系数，即为故障时间之比率，故能够7-6式表示之。AF=exp(H/R)‧(1/TFIELD-1/TLAB)‧exp(f(RhLAB–RhFIELD))‧VLAB/VFIELD但 H：活性化能量 R：Bortsman常数 TFIELD：在实际使用下之温度 TLAB：在应力条件下之温度 f：温度因子RhFIELD：在实际使用下之相对湿度 RhLAB：在应力条件下之相对湿度 VFIELD：在实际使用下所加之电压VLAB：在应力条件下所加之电压和实际使用条件下制品使用时间数LFIELD相当应力时间数LLAB，以下式决定之。LLAB=LFIELD/AF--(7-7)对实际制品考虑3~5安全系数，不过信赖性简单表现方法亦能够在标准舱内故障时间来替换之。注记6-1.本节是以上述之加速标准为假定条件，但若以其它理想来计算时亦需加以说明。6-2.试验之判定基准，是为将本试验结果作标准比较而定，故无须要和实际装置之动作一致。备注7-1.本试验法所用试验环境以JISK7100标准温湿状态2级为准7-2.参考JISK7100(塑料状态调整及试验场所之标准状态)7.3高温放置目标不加电器压力置于高温中，金属（相接不一样金属）间扩散程度之差异造成空孔现象，进而导通不良或在同种金属情况，基板上搭载裸晶时扩散试验时，评定树脂分解氧化所造成之劣化。样品制品样品或标准样品用标准样品时需用有线孔，导通孔等直线排列并连接者。试验设备可保持所定温度之恒温槽可做电器阻抗之设备试验方法电路板在下述周围条件下放置所定时间。测阻抗值时0时和隔100小时及终止时行之，测定时间为现定时间±12小时之内在早期、中间点、终止点之测定，全部要在常态下行之。试验条件低加速398K(1250C)标准加速423K(1500C)高加速443K(1700C)试验判定基准阻抗改变率：增加早期阻抗值20%能被接收时评价金属扩散速度和试验绝对温度T之倒数，通常而言可得到直线关系（AreiniusPlot）于此假定AreiniusModel为故障ModelK=C‧exp(-H/RT)--(7-8)于此 K=反应速度常数 C=常数 R=Boltsman常数 H：活性化能量 T：绝对温度将7-8式变形可得ln（K）=ln(C)-H/RT--(7-9)应力试验和实际使用条件下所被附和应力之比率，加速系数是故障时间比率，所以可用7-10式来表示AF=exp(H/R‧(1/TField–1/TLab)(7-10)但 TField：实际使用条件下温度 TLab：应力条件下温度相当于实际使用条件下制品使用时间数LFIELD应力时间数LLABLLAB=LFIELD/AF--(7-11)以上述（7-11）式决定之，对实际制品考虑3-5合适安全系数注记本节是依上述假定加速标准，但若依其它理论计算出来时，应明记其内容。试验判定基准是为使本试验结果做标准比较，故无须要和实际装置之动作一致。备考7-1.本试验法所用试验环境以JISK7100标准温湿状态2级为准。7-2.参考JISK7100(塑料状态调整及试验场所之标准状态)。设计相关原因增层电路板之材料及制法有多个，且因应用之适用范围很广，本设计相关原因将其改变表示出可做为参考值之用。以下是依1997年4月之调查为依据。附录9.1讲解温度循环试验之加速性树脂金属之疲惫破坏Coffin-Manson法则假定其依据9-1式。Coffin-Manson法则C=Ni‧(εi)n--(9-1)C：常数 Ni：疲惫寿命εi：变形量以多巢应力试验（MultiCellStress）计算9-1式中之未知数n以二者温差△T1△T2来测试，将其平均故障循环以N1,N2表示之温差△T1△T2系相当于变形量之变量，故代入9-1式C=N1‧(△T1)n--(9-2)C=N2‧(△T2)n--(9-3)依9-2,9-3式1=N1/N2‧(△T1/△T2)n--(9-4)N2/N1=(△T1/△T2)n--(9-5)将9-5式以未之数n解开,从△T1,△T2求得n12n12=△T2/△T1‧Log(N2/N1)--(9-6)实施3级多巢应力试验（MultiCellStress）后以多种组合求nlm其平均值使用。n=Σnlm/K--(9-7)(2)相关高温高湿之加速性因为导体金属移转造成绝缘阻抗劣化使Arrheinus之反应速度论发展，并考虑湿度电压温度以外之影响，假定下列Eyring式。K=C‧exp(-H/RT)‧exp(f‧(RH))‧VK：反应速度常数 C：百分比常数H：活性化能量 R：Hollman常数T：绝对温度 f：温度因子RH：相对湿度 V：所加电压而表示寿命之式以下L=C‧exp(H/RT)‧exp(-f‧(RH))‧V-1--(9-9)2-1求取温度因子之活性化能量H温度因子以Arrheinus关系式表示之。K=C1‧exp(-H/RT)--(9-10)lnK=lnC1-H/RT--(9-11)材料寿命可能有超越特征因子劣化界限时，在寿命和温度应力T之间亦成立下列Arrheinus型关系式lnL=lnC2+H/RT--(9-12)所以高加速条件Th和低加速条件Tl之寿命加速系数式求取AF则Kh=C1‧exp(-H/RTh)--(9-13)Kl=C1‧exp(-H/RTl)--(9-14)所以AF=Ll/Lh=Kh/Kl=exp(-H/R(1/Th–1/Tl))--(9-15)依多巢应力试验（MultiCellStres