半导体物理智慧树知到期末考试答案章节答案2024年北京理工大学

半导体物理智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年北京理工大学双极晶体管中共射极电流增益截止频率fβ比共基极电流增益截止频率fα低得多。（）

答案:对正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加。（）

答案:错增量电阻随着偏置电流的增加而减小，并与pn结的I-V特性曲线的斜率成正比。（）

答案:错NPN双极晶体管共基接法中输入电流随着输出电压UCE的增加而增加。（）

答案:错肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃迁内建电势差而形成的。（）

答案:对半导体材料是固体材料的一种，其导电能力介于导体和绝缘体之间，电阻率约在106-10-2Ω.cm之间。（）

答案:对pn结二极管的小信号模型最重要的两个参数是扩散电阻和扩散电容。（）

答案:对外延生长法是在单晶衬底表面上生长一层薄单晶的工艺，分同质外延（在同种材料的衬底上生长）和异质外延延。（）

答案:错正偏压时，隧道二极管的正向电流由隧穿电流和扩散电流两部分组成。（）

答案:对PN结击穿机制有（）。

答案:缺陷引发的击穿;隧道击穿;热击穿;雪崩击穿影响PN结伏安特性的因素（）。

答案:串联电阻的影响;大注入的影响;温度的影响;空间电荷的影响以下关于PN结的描述，正确的的选项是（）。

答案:PN结具有单向导电性;PN结加反向偏压时，势垒区内载流子产生率大于复合率微电子器件中使用的半导体材料一般为固体材料，固体材料按照导电性不同可分为（）。

答案:绝缘体;导体;半导体由不同的禁带宽度构成的异质结，其能量关系包括（）。

答案:交错;错层;跨骑NPN双极晶体管的共基接法为（）。

答案:基极B和集电极C构成输出端;发射极E和基极B构成输入端双极晶体管的结构参数会影响器件的哪些特性（）。

答案:电流放大系数α0;基区输运系数;发射效率;电流放大系数β0Si-PN结中若NA=1017/cm3、ND=1015/cm3，其自建电势为（）。

答案:0.7V常见的两种欧姆接触不包括（）。

答案:肖特基接触对于晶格常数为5.28Å的简立方结构，最近平行间距为3.05Å的晶面是（）

答案:（111）下列哪种化学键的相互作用力最弱（）。

答案:范德华键要形成肖特基势垒金属电极的功函数和半导体的功函数关系为（）。

答案:金属比半导体功函数大nMOSFET温度特性中阈值电压主要取决于（）。

答案:费米势Φfp的温度系数NPN双极晶体管交流情况下共射接法下的截止频率fβ正确的为（）。

答案:电流放大系数降到其低频值时的0.707倍NPN双极晶体管交流情况下共射接法下的特征频率正确的为（）。

答案:共射电流放大系数降到1时所对应的频率肖特基二极管与pn结二极管的开关时间哪个大（）。

答案:pn结二极管下列哪种半导体材料属于III-V族化合物类（）。

答案:GaAs结型场效应晶体管包括下面哪种器件（）。

答案:MESFETPIN光电二极管I区空间电荷区较大，瞬时光电流会比普通光电流大很多。（）

答案:对与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）

答案:对增量电阻等同于扩散电阻。（）

答案:对异质结一个的特性是能在表面形成势井。在与表面垂直的反向上，电子的活动会受到势井的限制，但电子在其他两个方向上可以自由地流动。（）

答案:对Czochralski方法是单晶生长的通用技术，籽晶材料接触到液相的同种材料表面，固液界面上发生凝固。（）

答案:对阈值电压为MOSFET的沟道是否导通的参考电压。（）

答案:对n区与p区都为简并掺杂的pn结称为隧道二极管。（）

答案:对NPN双极晶体管共基接法中输入电流IE随着输入电压UBE的增加而减小。（）

答案:错以PN+结为例，下列哪项可以提高PN结开关速度（）。

答案:降低正向电流;减小P区少子的寿命影响PN结雪崩击穿的因素（）。

答案:表面状态;外延层厚度;扩散结结深;杂质的浓度PN结接触电势差和哪些因素有关（）。

答案:N区掺杂ND;温度T;半导体材料类型;P区掺杂NA对于单边突变结，提高雪崩击穿的方法有（）。

答案:降低轻掺杂一侧掺杂浓度;选用禁带宽度更大的半导体材料双极晶体管提高开关速度的外部措施包括（）。

答案:工作在临界饱和状态;选择较小的集电极串联电阻RC;加大基极电流IB;增大基极抽取电流微电子器件中使用的半导体材料一般为固体材料，固体材料按照晶形不同可分为（）。

答案:单晶;无定形;多晶NPN双极晶体管的交流情况下放大能力下降的原因为（）。

答案:集电结势垒区渡越过程中的衰减;基区输运过程中扩散电容的充放电电流;发射结发射过程中的势垒电容充放电电流;集电区输运过程中对集电结势垒电容的充放电电流对于单边突变结，正确的的选项是（）。

答案:P区和N区两边的掺杂浓度有数量级的差别;内建电势主要降落在轻掺杂一侧;耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧双极晶体管的开关特性有（）。

答案:关态截止：工作点位于截止区;开态导通：工作点位于饱和区在正偏pn结中，以下说法错误的是（）。

答案:扩散电容比其反偏时的结势垒电容要低3-4个数量级。NPN双极晶体管的共基输入电流IE与输出电压UCB的关系（）。

答案:随着UCB增加而减小面心立方，体心立方和金刚石晶格中的原子数分别为（）。

答案:4，2，8下列针对钙钛矿结构描述中错误的是（）。

答案:晶格氧活性无法调节下列关于固体中的杂质和缺陷描述错误的是（）。

答案:掺杂与晶体缺陷没有关系具有高共射电流放大系数异质结双极晶体管的结构特点（）。

答案:发射区比基区材料的禁带宽度大下列哪一项关于半导体物理与器件的科研成果没有获得诺贝尔物理学奖（）

答案:发明COM场效应晶体管SrTiO3是一种钙钛矿金属氧化物绝缘体，为改善其导电性使其成为半导体可以掺杂Y形成Sr（）YxTiO3化合物，这属于哪种掺杂类型。

答案:替位杂质下列针对闪锌矿结构描述中错误的是（）。

答案:属于体心晶系下列哪种方法属于熔融体中生长单晶半导体材料（）。

答案:直拉法下列哪种化学键的相互作用力最强（）。

答案:共价键对于晶格常数为5.28Å的简立方结构，最近平行间距为3.73Å的晶面是（）。

答案:（110）影响肖特基势垒高度的因素为（）。

答案:镜像力，表面态在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。

答案:禁带是间接跃迁型热电子发射现象基于以下哪种假设（）。

答案:势垒高度远大于kT将杂质离子束加速到具有高能量后射向半导体材料表面的制造工艺是（）。

答案:离子注入光电探测器的灵敏度主要取决于其暗电流大小。（）

答案:对一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度.这是因为载流子浓度主要来源于_________，而将_________忽略不计。（）

答案:杂质电离，本征激发用爱因斯坦光子说来解释光电效应时正确的说法是（）。

答案:每一个光电子都是吸收光子后跑出来的;光电子的能量由光子频率决定，与光的强度及光波的振幅无关单晶硅太阳能电池主要由（）组成。

答案:P型层;背面电极;N型层;正面电极;表面减反层MESFET场效应晶体管的M表示（）。

答案:金属栅增强型场效应晶体管在栅极不加偏压时，沟道处于导通状态。（）

答案:错理想的晶体管特性有（）。

答案:增益与正向电流和电压无关;在放大区特性曲线间的间隔是均匀的;零压降下传导电流;零漏电流关断状态下阻断电压制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，室温下时的EF位于导带底下方0.026eV处，半导体的状态为（）。

答案:弱简并MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

答案:相同嵌在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

答案:金属和半导体接触分为（）。

答案:整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表______，CD段代表______。（）

答案:多子积累；多子耗尽；强电场效应会使半导体器件的载流子速度达到饱和，还可能使载流子成为热载流子，影响器件性能。半导体器件的热载流子由于具备高能量，常常会导致载流子进入介质层；热载流子可与晶格发生碰撞电离，利用这一原理可以制备雪崩二极管器件。（）

答案:对当pn结作为光电二极管使用时，经常加反向偏置作为电流源，这时它工作在I-V曲线的第__象限。（）

答案:三光探测器在pn结电流电压特性曲线中的工作区间与太阳能电池相同。（）

答案:错在pn结中，p区的多子是空穴，少子是电子。（）

答案:对太阳能电池工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限。

答案:IV影响pn结内建电势差的因素有__________等参数，在相同条件下半导体材料Si、Ge和GaAs中__________的内建电势差VD最大。（）

答案:掺杂浓度、温度、材料，GaAs反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有（）。

答案:雪崩击穿;隧道击穿太阳能电池本身就是一个pn结。（）

答案:对一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）

答案:错对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（）。

答案:非平衡载流子浓度成反比在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）

答案:错电中性是内建电场产生的原因。只要破坏了电中性，就会产生扩散与漂移电流并存的情形，（）会导致内建电场。

答案:选项ABC都是

答案:有效复合中心的能级必靠近（）

答案:禁带中部半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。

答案:扩散运动半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）。

答案:晶格振动散射;位错散射;载流子间的散射;中性杂质散射;等价能谷间散射;电离杂质散射载流子在电场作用下的运动为（）。

答案:漂移运动半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的（）。

答案:散射机构如果一半导体的导带中发现电子的几率为零.那么该半导体必定（）。

答案:处于绝对零度若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。

答案:处于绝对零度把磷化镓在氮气氛中退火.会有氮取代部分的磷.这会在磷化镓中出现（）。

答案:产生等电子陷阱对于只含一种杂质的非简并n型半导体.费米能级EF随温度上升而（）。

答案:经过一个极大值趋近Ei杂质对于半导体导电性能有很大影响.下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。

答案:硼或磷与半导体相比较.绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。

答案:比半导体的大半导体导带中的电子浓度取决于导带的（）。

答案:状态密度;费米分布函数锗的晶格结构和能带结构分别是（）。

答案:金刚石型和间接禁带型砷化镓是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）

答案:对薛定谔波动方程（）。

答案:是量子力学的一个基本假定量子力学中，针对具体量子状态，不同力学量不能同时有确定值。（）

答案:错量子力学仅讨论在经典物理中存在的力学量。（）

答案:错量子力学的建立始于人们对光的波粒二象性的认识。（）

答案:对量子力学只是描述微观世界运动规律的科学。（）

答案:错半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于_____结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_____和_