GB∕T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾_第1页
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GB/T4937.13—2018/IEC60749-13:半导体器件机械和气候试验方法国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会IGB/T4937.13—2018/IEC60749-13:2002——第2部分：低气压； 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST): ——第8部分：密封；——第13部分：盐雾；——第14部分：引出端强度(引线牢固性);——第16部分：粒子碰撞噪声检测(PIND); ——第18部分：电离辐射(总剂量); 第23部分：高温工作寿命——第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT);——第26部分：静电放电(ESD)敏感度试验人体模型(HBM——第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); 第28部分：静电放电(ESD)敏感度试验带电器件模型(CDM)器件级：——第29部分：闩锁试验；——第32部分：塑封器件的易燃性(外部引起的); ——第34部分：功率循环； 第35部分：塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查；Ⅱ本部分为GB/T4937的第13部分。《半导体器件机械和气候试验方法第13部分：——GB/T4937.14—2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢——GB/T2423.17—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ka:盐雾1IEC60749-14半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度(引线牢固性)[Semi-conductordevices—MechanicalandclimaticteIEC60068-2-11环境试验第2部分：试验方法试验Ka:盐雾(Environmentaltesting—Part过0.3%,蒸馏水(或使用的其他水)的杂质含量不超过200×10-⁶,应通过过滤以控制溶液的杂质含量，为了达到第4章所要求的沉降率，去离子水或蒸馏水盐溶液的盐浓度应为0.5%～3%(质量百分比);2试验条件试验时间hAB48±4CD轻地刷洗。水温不应超过40℃。b)腐蚀缺陷面积超过任何封装零件(例如盖板、引线或外壳)镀涂或底金属面积的

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