GB∕T 4937.30-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

ICS31.080.01GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011半导体器件机械和气候试验方法可靠性试验前的预处理reliabilitytesting(IEC60749-30:2011,IDT)国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会 ——第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(HSAT);——第27部分：静电放电(ESD)敏感度试验机械模型(MM); IⅡGB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011——第37部分：采用加速度计的板级跌落试验方法；——第38部分：半导体存储器件的软错误试验方法； 第39部分：半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量——第40部分：采用张力仪的板级跌落试验方法；——第42部分：温度和湿度贮存；——第43部分：集成电路(IC)可靠性鉴定方案指南； 第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法本部分为GB/T4937的第30部分。本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本部分使用翻译法等同采用IEC60749-30:2011《半导体器件机械和气候试验方法第30部分：与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下：——GB/T4937.4—2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验(IEC60749-4:2002,IDT)。1GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011半导体器件机械和气候试验方法第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理GB/T4937的本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。本部分规定了SMDs的预处理流程。GB/T4937.20—2018半导体器件机械和气候试验方法第20部分：塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响(IEC60749-20:2008,IDT)IEC60749-4半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part4:Dampheat,steadystate,highlyacceleratedstresstest(HAST)]IEC60749-5半导体器件机械和气候试验方法第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验(Semi-conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumiditybiaslifetest)IEC60749-11半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法(Semi-IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoisturere-sistance—UnbiasedHAST)IEC60749-25:2003半导体器件机械和气候试验方法第25部分：温度循环(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:Temperaturecycling)IEC60749-33半导体器件机械和气候试验方法第33部分：加速耐湿无偏置高压蒸煮(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part33:Acceleratedmoistureresist-ance—Unbiasedautoclave)3总则2GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011裂和电气性能失效。本部分是通过模拟贮存在仓库或干燥包装环境中SMDs吸收的潮气，进而对其进4试验设备和材料潮湿箱应能在85℃/85%(相对湿度)、85℃/60%(相对湿度)、85℃/30%(相对湿度)、30℃/70%(相对湿度)和30℃/60%(相对湿度)下工作。在潮湿箱工作区域内，温度容差为士2℃,相对湿度容差为±3%。b)气相再流焊(VPR)室：使用合适的液体，能在215℃~219℃和(或)235℃±5℃下工作。该d)波峰焊接设备：应能维持GB/T4937.20—2018中5.4.4规定的条件。干燥(烘焙)箱能在125+5℃下工作。温度循环箱工作范围至少为-40-90℃~60+1℃,与IEC60749-25:2003一致。可接受的、可选择的试验条件和温度容差见IEC60749-25:2003中表1。根据GB/T4937.20—2018中的潮湿敏感等级(MSL),同时可参考其他的潮湿评估数据，来确定适当的预处理程序，使其尽可能通过。建议使用合适的方法和类似的器件进行预评估。但5.5中浸渍顺序应与表1和表2中车间寿命信息一致。3GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:20115.3温度循环(可选)进行5次-40℃(或者更低)～60℃(或者更高)的温度循环，以模拟运输条件。当相关文件有规定5.5干燥包装SMDs浸渍条件5.5.1方法A-GB/T4937.20—2018中干燥包装SMDs试验按表1规定进行，依据GB/T4937.20—2018中5.3.3.2方法A。表1方法A的预处理流程(GB/T4937.20—2018中干燥包装器件条件A2)顺序条款条件A2干燥包装要求要求车间寿命最高条件和时间—预处理顺序要求40倍目检要求运输：温度循环：5次可选要求要求要求要求浸入助焊剂至少10s可选4GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011表1(续)顺序条款去离子水清洗可选室温干燥可选25℃最终直流电测试/功能测试、40倍目检要求可靠性试验要求5.5.2方法B-GB/T4937.20—2018中干燥包装SMDs试验按表2规定进行，依据GB/T4937.20—2018中5.3.3.3方法B。顺序条款条件条件B2a、B3、B4、B5、B5a条件干燥包装要求—要求要求(要求)可选车间寿命最高条件和时间一“Y”h标签上总时间或烘焙后6h预处理顺序要求要求要求40倍目检要求要求要求运输：温度循环：5次可选可选可选要求要求要求水汽浸渍168h、85℃、60%RH要求—一水汽浸渍“Z”h、30℃、60%RH要求—要求要求要求要求浸入助焊剂至少10s可选可选可选去离子水清洗可选可选可选室温干燥可选可选可选25℃最终直流电测试/功能测试、40倍目检要求要求要求可靠性试验要求要求要求注1:Y:GB/T4937.20—2018中规定的车间寿命条件时间。注2:Z:GB/T4937.20—2018中规定的水汽浸渍时间。试验按表3规定进行，依据GB/T4937.20—2018中5.3.2。5GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011顺序条款条件A1或条件B1干燥包装要求不要求车间寿命最高条件和时间预处理顺序要求40倍目检要求运输：温度循环：5次可选要求要求要求浸入助焊剂至少10s可选去离子水清洗可选室温干燥可选25℃最终直流电测试/功能测试，40倍目检要求可靠性试验要求5.7再流焊器件从温度/湿度箱移出后15min到4h之间，采用GB/T4937.20—2018中合适的再流焊条件进行3次循环。所有温度均为本体温度。在两次再流焊循环之间，允许将器件放置在室温环境下至少冷却5min。5.8模拟助焊剂使用(可选)再流焊循环完成之后，允许器件在室温下至少冷却15min。在室温下，将器件主体大部分浸入到助焊剂中至少10s,从而使活性水溶性助焊剂施加到器件引线上。当相关文件有规定时，助焊剂使用是可选的。使用多次搅动的去离子水冲洗器件。使用助焊剂后可立即清洗。进行下一步之前，器件应在室温环境温度下干燥。5.9最终检查进行直流电测试和功能测试，确认器件能否达到规范的常温数据表要求。在40倍的光学显微镜下进行外部目检，确保器件外表面无裂纹。6GB/T4937.30—2018/IEC60749-30:2011评估，确定正确的潮湿敏感等级。在进行5.10可靠性试验之前，应重新提