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文档简介
模拟电子技术复习资料总结
第一章半导体二极管
半导体的基础知识
1.半导体--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、错Ge)。
2.特性--光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体一一纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子一一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体一一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体
的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是
电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是
空穴)。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度--多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻--通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型--通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导
体。
7.PN结
*PN结的接触电位差-一硅材料约为0.6~0.8V,楮材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性-一正偏导通,反偏截止。
8.PN结的伏安特性
八ip/mA
正向特性
______夕BR(4Q
MR/Vrf匹«F/V
反向特性
二.半导体二极管
*单向导电性---正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性一一同PN结。
*正向导通压降----硅管0.6~0.7V,错管0.2~0.3Vo
*死区电压----硅管0.5V,错管0.IV。
3.分析方法-----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若Vm〉V阴(正偏),二极管导通(短路);
若V阳〈V阴(反偏),二极管截止(开路)。
1)图解分析法
UD=%D-
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点。。
+-
跖
-
2)等效电路法
>直流等效电路法
*总的解题手段一一将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
若V阳〉V阴(正偏),二极管导通(短路);
若V阳〈V阴(反偏),二极管截止(开路)。
*三种模型
Ua%
(a)理想模型(b)恒压源模型(c)折线模型
>微变等效电路法
JiU
u,>~c^
rT(<!)小备号模型
三.稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性--正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在
电路中要反向连接。
稳压管的伏安特性
第二章三极管及其基本放大电路
一.三极管的结构、类型及特点
1.类型-一分为NPN和PNP两种。
2.特点-一基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触
面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理
1.三极管的三种基本组态
(a)共发射极组态(b)共集电极组态(c)共基极组态
2.三极管内各极电流的分配
,C=4:N+/CB()/E=/BN+/CN=/B+/C,B=/BN-/CBO
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
8=显
P/BN/C=/?/B+(1+/?)/CBO^?/B+7CEO~/?/B
式子7CEO=(1+Z07CB。称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线
*输入特性曲线--同二极管。
(b)输入特性曲线
*输出特性曲线
(饱和管压降,用Zfe表示
放大区--发射结正偏,集电结反偏。
截止区发射结反偏,集电结反偏。
4.温度影响
温度升高,输入特性曲线向左移动。
温度升息1&B0、&E0、立以及£均增加。
三.低频小信号等效模型(简化)
hie--输出端交流短路时的输入电阻,
常用心表示;
hte―-输出端交流短路时的正向电流传输比,
常用B表示;(c)简化的H参数等效电路
四.基本放大电路组成及其原则
1.VT、L、加、花、c、c的作用。
2.组成原则一一能放大、不失真、能传输。
基本放大电路的习惯画法
五.放大电路的图解分析法
1.直流通路与静态分析
*概念-一直流电流通的回路。
*画法--电容视为开路。
*作用--确定静态工作点
*直流负载线--由Vcc=IcRe+Ua确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1)改变兄:。点将沿直流负载线上下移动。
2)改变发:0点在几所在的那条输出特性曲线上移动。
3)改变心:直流负载线平移,0点发生移动。
2.交流通路与动态分析
*概念--交流电流流通的回路
*画法--电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用--分析信号被放大的过程。
*交流负载线-一连接Q点和Mcc'点Kcc,=心计4mJ的
直线。
(1)截止失真
*产生原因一。点设置过低
*失真现象--NPN管削顶,PNP管削底。
*消除方法减小浆),提高Q<>
(2)饱和失真
*产生原因一-0点设置过高
*失真现象--NPN管削底,PNP管削顶。
*消除方法--增大血、减小股、增大%o
4.放大器的动态范围
(1)庆pp-—是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
(2)范围
=
*当QUCEO-Uas)>(七''-UCEQ)时,受截止失真限制,Uopp2UOMX=2ICQRI.
*当(UcEQ-UcEs)V(VcC—UcEQ)时,受饱和失真限制,Uopp=2U(»IAX=2(UcEQ-
%S)o
*当kUcEQ-UCES)=(-UcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法
1.静态分析
(1)静态工作点的近似估算
r_^CC-〔BEQ
BQ=一国一
/cQaBQ
1'CEQ=lCC"CQ*
(2)0点在放大区的条件
欲使0点不进入饱和区,应满足R>BRco
z放大电路的动态分析
H<5
(a)交流通路
*放大倍数
与_用工_居啤
/&+与&+%rbe
*输入电阻
(J.(j.
凡=寸=j.'v,=^b//rbe
S/R/pb+g/"be
*输出电阻
UT
&=--—仪&
yT
七.分压式稳定工作点共射
放大电路的等效电
1.静态分析
稳定工作点放大器
UB
尺bl+为>2
ICQ«'B:BEQ,/BQ“CQW
°CEQ-1CC-ICQ+&)
2.动态分析
*电压放大倍数
4-_M
1131+(1+。)&
在Re两端并一电解电容Ge后
微变等效电路
4=口=-续
5"be
\=[o=R]\
九-五-kk%
输入电阻
曷=Abl//Ab2//[rbe+(1+尸)&1
在Re两端并一电解电容Ge后
Ri=Rbl//Rb2//rbe
*输出电阻
&«R。
八.共集电极基本放大电路
1.静态分析
J_IaU-aBEQ
BQ-Rb+(i+")Rc
,CQK〃BQ
(a)共集电极基本放大电路
°CEQ七,ZCC-/CQ&
2.动态分析
*电压放大倍数
(b)H参数等效电路
4,^o_(i+m
uu,「be+a+mw
*输入电阻
Ri=Rb〃卜be+(l+P)(Re//HL)l
*输出电阻
1yJL十〃
3.电路特点
*电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。
*输入电阻高,输出电阻低。
第三章场效应管及其基本放大电路
一.结型场效应管(JFET)
1.结构示意图和电路符号
(a)N-JFET结构及电路符号(b)P-JFET结构及电路符号
2.输出特性曲线
(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)
转移特性曲线
__llr^v2
S=/DSS(1-T^)(UP<"GSSO)
%-----截止电压Cp
输出特性
输出特性(b)转移特性
二.绝缘栅型场效应管(MOSFET)
分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。
结构示意图和电路符号
Jd
SiO:|g『
yJbVT
TSN-EMOS
uud
J
JTb
VT
SpMe
(a)EMOS结构及电路符号(b)DMOS结构及电路符号
2.特性曲线
(a)增强型输出特性(b)增强型转移特性
=,DO(-("GS>〃T)
*N-EMOS的转移特性曲线”
式中,加是%s=24时所对应的工值。
*N-DMOS的输出特性曲线
(C)耗尽型输出特性(d)耗尽型转移特性
注意:B可正、可零、可负。转移特性曲线上2>0处的值是夹断电压诙此曲
线表示式与结型场效应管一致。
三.场效应管的主要参数
1.漏极饱和电流7DSS
2.夹断电压UP
3.开启电压4
4.直流输入电阻蜃
5.低频跨导名(表明场效应管是电压控制器件)
0UGS〃DS=常数
四.场效应管的小信号等效模型
E-MOS的跨导岛--Sm一国一‘飞一一”场效应管微变等效电路
五.共源极基本放大电路
1.自偏压式偏置放大电路
*静态分析
[1GSQ=_/DQ&
/DQ=,DSS。-冬必2
r:DSQ=,DD-,DQ(R(l+4)
动态分析
j_,-o_-ginA]
l,Uil+gm&
若带有念,则"u=-gm"L
7?i=/?gRo^Rd
(c)微变等效电路
2.分压式偏置放大电路
*静态分析
〔GSQ=T''DD",DQRs
,DQ=,DSS(1泻•)?或,DQ=/D0(—^出一球
LP°T
FDSQ=।ED-1DQ(马+&)
*动态分析
\__-gmRf
若源极带有Cs,则'u=-gmR1
/?i=7?g+J?g|//7?g2
7?o~Rd
六.共漏极基本放大电路
*静态分析
T氏2.
〔GSQ=T_7T_TDD-'DQRS
%+02
,DQ=,DSS(1--捍4
1P
依=/[)0(辔I
或"
IDSQ=1DD-/DQ&
*动态分析
j_力。_
.u乙l+gmS.
Rj=Rg+Rgl//Rg2
gm
第五章功率放大电路
功率放大电路的三种工作状态
1.甲类工作状态
导通角为360°,小大,管耗大,效率低。
2.乙类工作状态
心p0,导通角为180°,效率高,失真大。
3.甲乙类工作状态
导通角为180°~360°,效率较高,失真较大。
二.乙类功放电路的指标估算
功放电路的工作状态
1.工作状态
>任意状态:为m心历m
>尽限状态:%m=K-c-原
>理想状态:庆m心味
决m
”=T^om^-om
2.输出功率2HL
3.直流电源提供的平均功率
P-TZT_TZ2/_2%c,om
气cc_>CC/(AV)-rCC-----7om---------------------
8''7T7T7?L
4,管耗RXO.2&Pcm=^c\m-^^m
5.效率
厂■_味〃6_"om
p
vcc21&%/叫,公理想时为78.5%
三.甲乙类互补对称功率放大电路
1.问题的提出
在两管交替时出现波形失真一一交越失真(本质上是截止失真)。
2.解决办法
>甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL一—利用二极管、三极管和电阻上
的压降产生偏置电压。
动态指标按乙类状态估算。
>甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL——电容Q上静态电压为七/2,
并且取代了OCL功放中的负电源-昭c。
动态指标按乙类状态估算,只是用心/2代替。
四.复合管的组成及特点
1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。
2.类型取决于第一只管子的类型。
3.£=£,•B2
第六章集成运算放大电路
一.集成运放电路的基本组成
1.输入级一一采用差放电路,以减小零漂。
2.中间级一一多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。
3.输出级一一多采用互补对称电路以提高带负载能力。
4.偏置电路一一多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。
二.长尾差放电路的原理与特点
1.抑制零点漂移的过程一一
当7tfZci、tf?E1、tft—ita、tteIf?B1、I一、
iI
检对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。
2静态分析
1)计算差放电路人
7_昨E-0.7
设“心0,则6=—0.7V,得C1C2"ElRpQ+2Re
2)计算差放电路体
•双端输出时
•UcEl=UCE2=1'c■L'E=匕CC+0.7
•单端输出时(设VT1集电极接而)
对于VT1:
,
‘C।/ciUCEI=Uci-%=ucl+0.7
△cRL
对于VT2:
fC2=I,CC"czRc,UcE2=fC2E=^CC-JC2Rc+0-7
3.动态分析
半边差模交流通路
1)差模电压放大倍数
•双端输出
_卬(4//比/2)
,,dU12
^+rbe+(l+WV)
单端输出时
从VT1单端输出:
&d_-风&低力
22便$+睢+(1+/)(勺>/2)]
从VT2单端输出:
伙4〃&)
4id2=-4udl
2[4+rbe+(l+0(Rp/2)l
2)差模输入电阻%=2四+MQ+用R争p
3)差模输出电阻
,双端输出:Rod'2Ac
•单端输出:长)d户Ac
三.集成运放的电压传输特性
当纳在+公与-%之间,运放工作在线性区
集成运放的电压传输特性
〃o%od〃0od(〃+-«-)
四.理想集成运放的参数及分析方法
1.理想集成运放的参数特征
*开环电压放大倍数40d-8;
*差模输入电阻"id-8;
*输出电阻而一0;
*共模抑制比ACMR-8;
2.理想集成运放的分析方法
1)运放工作在线性区:
*电路特征一一引入负反馈
*电路特点一一“虚短”和“虚断”:
〃+=〃-
“虚短”
i+=i-=0
“虚断”
2)运放工作在非线性区
*电路特征一一开环或引入正反馈
*电路特点——
输出电压的两种饱和状态:
当&〉&时,4=+爆
当时,n=-Lf„
两输入端的输入电流为零:
7+=7=0
第七章放大电路中的反馈
一.反馈概念的建立
输入厂_---—-I输出
_-Y0_A
一百一丁^法
*开环放大倍数----A
*闭环放大倍数----At
*反馈深度----1+AF
*环路增益----/尸:反馈放大器组成方框图
1.当/户>0时,下降,这种反馈称为负反馈。
2.当月户=0时,表明反馈效果为零。
3.当/尸V0时,升高,这种反馈称为正反馈。
4.当/尸=一1时,A「一8。放大器处于“自激振荡”状态。
二.反馈的形式和判断
1.反馈的范围一一本级或级间。
2.反馈的性质一一交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存
在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈
则为交、直流反馈。
3.反馈的取样一一电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作
用。
(输出短路时反馈消失)
电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。
(输出短路时反馈不消失)
4.反馈的方式——并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电
流形式相叠加。咫越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端)
串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压
的形式相叠加。的越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端)
5.反馈极性——瞬时极性法:
(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号
的频率在中频段。
(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升
高用+表示,降低用一表示)。
(3)确定反馈信号的极性。
(4)根据X、与Xf的极性,确定净输入信号的大小。Xid减小为负反
馈;Xm增大为正反馈。
三.反馈形式的描述方法
某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串
联(并联)负反馈。
四.负反馈对放大电路性能的影响
1.提高放大倍数的稳定性
dAf_1dL4
2Af1+AFA.
3:扩展频带
4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声
5.改变放大电路的输入、输出电阻
*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍
*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍
*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍
*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍
五.自激振荡产生的原因和条件
1.产生自激振荡的原因
附加相移将负反馈转化为正反馈。
2.产生自激振荡的条件
AF=-\
若表示为幅值和
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