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文档简介

半导体的杂化的原子杂化发生前,原子最外层s轨道中的一个电子被激发至p轨道,使将要发生杂化的原子进入激发态;之后,该层的s轨道与三个p轨道发生杂化。此过程中,能量相近的s轨道和p轨道发生叠加,不同类型的原子轨道重新分配能量并调整方向。硅重叠处杂化轨道形成反成键态成键态sp3杂化是指一个原子同一电子层内由一个ns轨道和三个np轨道发生杂化的过程。原子发生sp3杂化后,上述ns轨道和np轨道便会转化成为四个等价的原子轨道,称为“sp3杂化轨道”。四个sp3杂化轨道的对称轴两两之间的夹角相同,皆为109°28′。原来在ns和np轨道上的4个电子,分别处在这4个杂化轨道上,成为未配对电子,和顶角原子相应的电子形成共价键。4.半导体材料概述最重要的半导体是硅Si:基于杂化轨道,反成键态产生导带,反成键态产生价带,完全的共价键,室温下金刚石结构晶体(锗Ge也是),间接半导体.灰锡Sn:半金属,金刚石结构.SiC:间接半导体,带隙约为3eV.(足球烯):半导体随着同一族原子序数增加,带隙宽度减小.●

Ⅲ-Ⅴ族化合物:AlN,GaN为宽带半导体,InSb为窄带半导体,闪锌矿晶体.氮化物:纤锌矿晶体.

族半导体由Zn,CdorHg和O,S,SeorTe组成化合物.

ZnS,ZnOandCdS为宽带半导体,通常是闪锌矿晶体或纤锌矿晶体(个别除外).这两类部分晶体

半导体由共价键逐渐转化为离子键联。的能量相差可能很小.如闪锌矿ZnS能隙为3.78eV,而纤锌矿ZnS能隙为3.91eV.

I–VII族化合物关于氟化物和

卤化物的半导体性质了解甚少.一般情况下,在同一周期内,随着原子序数的增加,

减小.●

IV–VI族化合物(称为铅盐)由Pb或Sn和S,Se和Te

组成,部分可以用于制作IR激光二极管。●

S,Se,Te以及P或I的转变,这些元素也是半导体●半导体氧化物:●有机半导体晶体:蒽

;并五苯硫芴●混晶(2,3,4种成分)

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