• 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-09-10 颁布
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【正版授权-英语版】 ISO 17560:2014 EN Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon_第1页
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基本信息：

  • 标准号：ISO 17560:2014 EN
  • 标准名称：表面化学分析 二次离子质谱法 硅中硼的深度剖析方法
  • 英文名称：Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2014-09-10

文档简介

ISO17560:2014ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofboroninsilicon是一个关于表面化学分析的国际标准，它详细描述了二次离子质谱法（SIMS）用于硅中硼深度剖面的方法。

二次离子质谱法（SIMS）是一种用于表面和近表面区域元素和化学态分析的精密分析技术。它通过向样品发射高能离子并收集反射回来的次级离子，以产生高精度的元素分布和化学状态图像。

在硅中硼深度剖面分析中，ISO17560标准提供了以下步骤和注意事项：

1.样品准备：选择适当的样品制备方法，如研磨或机械切割，以获得待测区域。确保样品表面清洁、干燥且无污染物。

2.定位和定位精度：使用适当的定位系统将样品放置在SIMS设备中，并确保定位精度。这可以通过使用固定参考点、激光定位或其他技术来实现。

3.样品固定：在SIMS设备中使用适当的固定剂将样品固定在基板上，以确保在分析过程中样品不会移动。

4.离子束轰击：使用适当的离子束轰击技术对样品进行表面处理，以制备硼的分析表面。这可以通过选择适当的能量和束流强度来实现。

5.收集反射离子：使用SIMS设备收集反射离子并测量其质荷比。通过分析不同质量数的离子，可以确定硅中硼的深度分布。

6.数据分析和结果解释：使用适当的软件和分析技术对数据进行处理和分析，以获得硼在硅中的深度剖面。根据分析结果，可以确定硼在硅中的浓度、分布和化学态。

在使用ISO17560标准进行硼深度剖面分析时，需要注意以下几点：

1.确保样品制备过程的一致性，以确保结果的可靠性和可比性。

2.选择适当的离子束轰击技术和参数，以获得最佳的分析结果。

3.确保仪器设备的准确性和稳定性，以获得可靠的测量结果。

4.与其他分析技术（如X射线光电子能谱）结合使用，以获得更全面的硅中硼的信息。

ISO17560:2014ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofboroninsili

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