半导体器件 微电子机械器件 第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法 征求意见稿

GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:1半导体器件微电子机械器件第35部分：柔性MEMS器件弯曲形变下的电特性测试方法性评价，以及对使用这些器件的产品的可靠性设计有重要意义。柔性MEMSflexiblemicro-electromechanicalsyGB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:2d两个加载壁之间的距离，反应施加到器件上的注1：器件所受的弯曲程度可由两个彼此靠近以弯曲器件的加载壁间的距离表示，称注2：此值的测量可以转换为器件绕弯曲轴的曲率半径，但在两个加载壁之间可能不均匀，特别是弯曲轴的刚度分d14.1通则标加载部分位于中心，见4.2。其他样品制4.2样品形状两个平行边缘的中心，这两个边缘也应与弯曲轴平行。因为在本测试方法中，要加载到末端的点只限于沿弯曲轴，具体可见5.1中对加载方案的描述。柔性衬底上集成或嵌入的结构在整个器件上的厚度GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:载壁之间的长度，即弯折距离d逐渐缩短，如图2b)所示，示。在器件被逐渐弯折的过程中检测其性能，找出可以保持性能的弯a）初始阶段b）中间阶段GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:4加大即可。然后，加载壁宽度和高度应该分别大于样品的宽度和长度间，如每次测量加载壁移动速度为l/min，保持时间为1min。由于柔性MEMS的衬底通常是由聚合物材其他测试条件，如温度、湿度等，应尽可能与器件在实际使用中的条注1:本文件是通过将器件弯曲到极限，检测样品性能的退化特性，因此不易找到与器件实际使用条件充分对应的注：如图1所示的样品置于测试设备上，目标部分朝上时，测试样品以凸起的方式加载，功能部件受力。相反，对于反向弯曲方向下的试验，设置样品功能部件朝中可能需要对弯曲轴的位置进行微调，用于这种调整的精确控制的方GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:还应测量一些典型的点，例如衬底部分和功能部件。台阶仪度尺，亚毫米级别的千分尺，微米级别的激光位移计或显微5.3.7设备品性能（样品的特征功能测试应进行到加载壁不能再相对器件的性能进行充分评估，并按照第6条的规定在测试报告GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:6叠器件的压缩测试，当检测到加载壁进一步驱动时的阻力突然增加时，应立注:只要凹侧有空间，样品就可以弯曲。由于样品厚度的关系，两个加载墙壁在超过某个点不均匀。即使在弯曲轴周围的局部区域仍然有空间，当弯曲轴以外的结构相互接触时，加载壁就不能再靠近了。同时，应说明器件上弯曲轴的弯曲方向和详细位置，推荐以图3所示的插图为例。如果在一次试验中样品测试报告宜包括样品的长度，如有必要，宽度、厚度等其他尺寸注：在图2所示的测试中，通过两加载壁使器件变形。因此在测试初始阶段，两端的距离即长度，决定了器件的变形对弯折距离的影响（图2a）。因此，长度是测试报告的最重要参数。同时，虽然中期阶段（图2b）变形仅由弯折距离决定，与测试样品的尺寸无关，但最终阶段GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:7参数。横坐标上的参数可以是两加载壁之间的绝对长度，即弯折距离；也可是两加载壁之间距离除以直径。应在报告中明确说明横坐标参数的定义。更多含义详见GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:8受尺寸、材料、功能的限制，而是根据各个GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:B.1带有电驱动活动腔和试验时可调节弯曲轴的位置的了满足这种要求，可以在加载壁的下部挖出沟槽，以防止电触点被压住，如图B.1所示。对于这种改造B.2可在一次测试中获得器件多个位置弯曲一种定位弯曲轴的有效方法如图B.2所示。如果可以制造出专门用于测试的功能部件，可以在器件同一结构中的一些可动点被折叠到末端。因此，如图B.2右侧所示，只需一次折叠就可以得到器件的功能部件在不同点的表现，从而表征器件性能随弯GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35GB/T42709.35—XXXX/IEC62047-35:具有极低抗弯刚度的薄软样品，例如由有机衬底制成的器件，其厚度通常是其长度的10-4倍度的10-4倍，应缩短样品；如果由于加载壁的布置而缩短样品不可行，为避免这种情况，并为了保持测试过程可控，倒置放置在测试装置上，如图C.1c)，样品可通过自身的重量稳定，可按照第5节方法设a)正向放置弯曲刚度足够大的样品b)正向放置的极软试件c)反向放置的极软试件1——弯折距离d