• 现行
  • 正在执行有效
  • 2010-11-08 颁布
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【正版授权】 ISO 12406:2010 EN Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon_第1页
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基本信息：

  • 标准号：ISO 12406:2010 EN
  • 标准名称：表面化学分析 二次离子质谱法 硅中砷的深度剖析方法
  • 英文名称：Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2010-11-08

文档简介

ISO12406:2010ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofarsenicinsilicon是一个关于表面化学分析的国际标准，主要涉及二次离子质谱法（SIMS）用于硅中砷的深度分析方法。

二次离子质谱法（SIMS）是一种先进的表面分析技术，它通过向样品发射高能次级离子（如氩离子）来分析样品表面的化学成分。这种技术可以提供高分辨率的表面化学信息，特别是在纳米尺度上。

在硅中砷的深度分析方面，SIMS方法特别有用，因为它可以提供砷在硅中的分布信息，包括砷在硅中的位置、浓度以及其化学环境。这种方法可以用于研究砷在硅中的化学行为、掺杂效应以及相关材料科学问题。

具体操作过程包括：

1.准备样品：通常需要制备一个合适的样品表面，例如使用机械研磨或激光剥离等方法。

2.发射离子：使用SIMS设备向样品发射氩离子。

3.收集数据：收集和分析离子在样品表面产生的二次离子信号，以确定砷在硅中的深度分布。

4.数据处理：通常需要使用适当的软件对收集的数据进行数据处理和建模，以获得砷在硅中的深度剖面图像。

ISO12406:2010ENSurfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—Methodfordepthprofilingofarsenicinsilicon提供了一种用于砷在硅中的深度

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