• 现行
  • 正在执行有效
  • 2010-04-26 颁布
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【正版授权】 IEC 62416:2010 EN-FR Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 62416:2010 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件-MOS晶体管的热电子迁移测试
  • 英文名称：Semiconductor devices - Hot carrier test on MOS transistors
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2010-04-26

文档简介

IEC62416是关于半导体器件的测试标准，特别是针对MOS晶体管的热电子迁移测试（Hotcarriertest）。这个标准主要关注的是MOS晶体管在特定工作条件下的性能和稳定性。

在执行热电子迁移测试时，MOS晶体管将被置于一个特定的电场中，以观察和控制其电荷的流动和储存。热电子迁移通常是由于电子的能量升高导致的，这种过程可能会导致晶体管的性能变化，包括漏电增加、阈值电压偏移等。

IEC62416定义了一系列的测试参数和条件，以确保在实施这种测试时能得到准确的评估。它详细规定了如何设定测试参数（例如电压、温度、湿度、电源变化率等），以及如何测量和分析结果。

此外，IEC62416还提供了对测试结果的解释和分析方法，包括如何确定热电子迁移的影响程度，以及如何根据测试结果对产品进行优化或改进。

IEC62416是一个重要的半导体器件测试标准，它为MOS晶体管的热电子迁移测试提供了详细的指南和要求，以确保产品的性能和稳定性。在进行MOS晶体管的测试时，必须遵守这个标准以确保产品的质量和可靠性。

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