- 现行
- 正在执行有效
- 2010-07-28 颁布
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基本信息：
- 标准号：IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 EN-FR
- 标准名称：修正案1-半导体器件-机械和气候测试方法-第19部分：芯片切向强度
- 英文名称：Amendment 1 - Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
- 标准状态：现行
- 发布日期：2010-07-28
文档简介
IEC60749-19:2003/AMD1:2010EN-FRAmendment1是关于半导体器件机械和气候测试方法的一部分，具体来说是关于芯片切向强度（DieShearStrength）的测试方法。
半导体器件的芯片切向强度是衡量其在实际使用环境中可能承受的剪切应力的能力。这个测试方法主要用于评估半导体器件在各种环境条件下的机械性能，包括温度、湿度、振动等，以确保它们在各种条件下都能正常工作。
测试过程通常包括将待测器件固定在一个特定的夹具中，然后施加一个均匀的剪切力，直到芯片与基板或框架分离。这个分离时的剪切力就是芯片切向强度。这个强度值可以用来评估器件在不同环境条件下的性能和寿命。
IEC60749-19:2003/AMD1:2010EN-FRAmendment1提供了这个测试方法的详细指南，包括测试设备、测试步骤、数据记录和报告等。这个标准对于半导体行业来说非常重要，因为它可以帮助制造商生产出更可靠、更耐用的半导体器件。
以上就是IEC60749-19:2003/AMD1:2010EN-FRAmendment1-Semiconductordevices-Mechanicalandclimatictestmethods-Part
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