• 现行
  • 正在执行有效
  • 2010-12-15 颁布
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【正版授权】 IEC 60747-8:2010 EN-FR Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors_第1页
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基本信息：

  • 标准号：IEC 60747-8:2010 EN-FR
  • 标准名称：半导体器件. 分立器件. 第8部分: 场效应晶体管
  • 英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2010-12-15

文档简介

IEC60747-8:2010EN-FR“半导体器件-分立器件-第8部分:场效应晶体管”是一份国际电工委员会（IEC）制定的标准，用于规范和定义半导体设备中使用的场效应晶体管的特性、制造工艺和性能测试方法。以下是标准中详细内容的解释：

一、定义和概述

标准首先定义了场效应晶体管的基本术语和概念，以及其工作原理和结构。场效应晶体管是一种电压控制器件，其工作原理基于半导体表面的电场效应。

二、材料和制造工艺

标准详细描述了适用于场效应晶体管的材料类型，如半导体材料、绝缘层、金属等。此外，还描述了制造场效应晶体管的工艺流程，包括制造过程中的关键步骤和参数。

三、电气特性

标准详细规定了场效应晶体管的电气特性，包括输入阻抗、输出阻抗、跨导、频率响应、阈值电压、直流电流容量、直流增益等。这些特性是评估场效应晶体管性能的关键指标。

四、测试方法

标准提供了场效应晶体管的测试方法，包括静态测试、动态测试、电气特性的测量等。这些测试方法用于确保场效应晶体管的性能符合预期，并在生产过程中进行质量控制。

五、安全要求

标准强调了场效应晶体管的安全要求，包括防止过热、电击等危险。对于不同类型和尺寸的场效应晶体管，标准规定了相应的安全规范和保护措施。

六、应用和限制

标准描述了场效应晶体管的应用领域和限制，包括在何种电路和系统中使用场效应晶体管，以及在不同环境和温度条件下场效应晶体管的性能表现。

七、参考资料

标准最后提供了参考书籍、期刊和其他相关资源，以帮助读者进一步了解场效应晶体管的相关知识和发展趋势。

以上是对IEC60747-8:2010EN-FRSemiconductordevices-Discretedevices-Pa

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