二极管作用和参数选择

耐压，温度范围，元件封装形式与尺寸；ESR、散逸因数、阻抗/频率特性；二极管的寿命；实际需要、性能和本钱等综合考量。2、不同种类二极管的选用检波二极管的选用2AP择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。整流二极管的选用整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其最二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要依据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电1N2CZRLR系列等。开关稳压电源的整流电路及脉〔例如RUEUV1SR〕或选择快恢复二极管。稳压二极管的选用稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。选用的稳50%左右。开关二极管的选用开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。中速开关电路和检波电路，可以选用2AKRLS1SS1N2CK〔例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等〕来选择开关二极管的具体型号。变容二极管的选用Q3、二极管的特点主要类型根本构造和原理pnp-n电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的相互抑消作用使载流子的集中电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在肯定I0。当外加的反向电压高到肯定程度时，p-n间电荷层中的电场强度到达临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。常用二极管的符号、构造和外形示意图PN阴极。二极管的种类很多，按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按构造来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种；按用途来分，有一般二极管、整流二极管、稳压二极管等多种。的方向。一般在二极管的管壳外表标有这个符号或色点、色圈来表示二极管的极性，左边实心箭头的符号是工程上常用的符号，右边的符号为规定的符号。从工艺构造来看，点接触型二极管〔一般为锗管〕如上图(b)其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二〕如上图(c)其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管如上图(d)，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。二极管生产工艺流程简述：1,焊接：需要的设备有打引线机，装引线机，石墨盘，焊接炉2，酸洗：酸洗机、点胶机、烘箱3，成型：注塑模具、烘箱、冲压模具4，电镀：电镀槽、烘箱5，引直6，测试包装：印字机、包装机或者一贯机整流二极管将沟通电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。通常，IF1IF1料封装〔见以下图〕为整流二极管构造：开关二极管高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和集中台面型几种，一般IF＜500关二极管，多承受全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图以下图所示，引脚较长的一端为正极。稳压二极管PN结反向击穿时的，电压根本上不随电流的变化而变化的特点，来到达稳压的目的，由于它能在电路中起稳压作用，故称为稳压二极管〔简称稳压管〕其图形符号见以下图。稳压管的伏安特性曲线如以下图所示，当反Vz〔反向击穿曲线很徒直〕这时，二极管压管的伏安特性如以下图：TVS二极管 TVS〔TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器〕二极管和MLV(Multi-LayerVaristor，多层变阻器)等ESD保护器是近几年进展起来的一种固态二极管，特地用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流供给通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有抱负的保护作用。改进后的TVS用于在印制电路板面积紧急的状况下使用。很低的箝位电压,经过屡次ESD过程后不会劣化.这些特点打算了它有广泛的适用范围，尤其在高档便携设备的接口电路中有很好的使用价值。由于TVS响应时间远小于1ns,能够快速地将ESD故障电流放电其测试的特性图。瞬态电压抑制器〔TransientVoltageSuppressor〕TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS位于一个预定值，有效地保护电子线路中的周密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易掌握、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。具体有以下三大特点：a、将TVS沟通电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。b10000V、60A10ms；TTL30ms10VTVS消退由总线之间开关所引起的干扰〔Crosstalk〕。cTVS肖特基二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管〔SBD〕，是由金属与半导体接触形成的势垒层为根底制成的二极管，其主要特点是正向导通压降小〔0.45V〕，反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。肖特基二极PN〔用钼或铝等材料制成的阻挡层〕、二氧化硅〔SiO2〕电场消退材料、N-外延层〔砷材料〕、NN+阴极层及阴极金属等构成，如以下图所示。在N〔阳极金属接电源正极，N〕时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，假设在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。以下图为肖特基二极管的构造：肖特基二极管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。目前应用在功率变换电路中的肖特基二应用在高频低压电路中，是比较抱负的。变容二极管用于自动频率掌握〔AFC〕和调谐用的小功率二极管称变容二极管。变容二极管是利用PN加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路QPN、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是承受硅的集中型二极管，但是也可承受合金集中型、外VR的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。变容二极管的构造与一般二极管相像，其符号如以下图所示：3.1.7阶跃恢复二极管抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。PN9PNIR，并维持ts，接差又马上恢复到零，电流和时间的关系见以下图所示：特点各种类型二极管的构造不同打算了有各自不同的特点：限幅二极管正向压降根本保持不变，可以把信号幅度限制在肯定范围内；稳压二极管方向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，可以实现稳压电路；RC关的抱负器件主要参数及其特点型号规格表示方法国产二极管的型号命名及含义：第一局部，主称：用数字“2”表示主称为二极管。第三局部，类别：用字母表示二极管的类别。第四局部，序号：用数字表示序号。第五局部，规格号：用字母表示二极管的规格号。用数字表示同一类别产品序号，用字母表示产品规格、档次2二极管 AN型锗材料 P小信号管〔一般管〕W电压调整管和电压基准管〔稳压管〕L整流堆BP型锗材料N阻尼管Z整流管U光电管CN型硅材料K开关管BC变容管V混频检波管DP型硅材料JD激光管S遂道管CM磁敏管E化合物材料H恒流管Y体效应管EF发光二极管二极管的伏安特性If〔V〕，称为二极管的伏安特性。其伏安特性曲线如图11PN的伏安特性曲线是非线性的，可分为三局部：正向特性、反向特性和反向击穿特性。正向特性正向电压很低时，管子内多数载流子的集中运动没形成，故正向电流几乎为零。当正向电压超过肯定数值时，才有明显的正向电流，这个电压值称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.2V，当正向电压大于死区电压后，正向电流快速增长，曲线接近上升直线，在伏安特性的这一局部，当电流快速增加时，二极管的正向压降变化很小，硅管正向压降约为0.6～0.7V ，锗管的正向压降约为0.2～0.3V。二极管的伏安特性对温度很敏感，温度上升时，正向特性曲线向左移，如图11所示，这说明，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而减小。争论说明，温度每上升10C ，正向压降减小2mV。反向特性向电压在肯定范围内增大时，反向电流的大小根本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流，100C，反向电流近似增大一倍。反向击穿特性〔反向击穿电压〕时，反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。反向击穿电压一般在几十伏以上。最大整流电流将使ＰＮ结过热而把管子烧坏。最高反向工作电压向电压超过这个数值，管子将会有击穿的危急。反向电流IRMVRMIRMIRM管的几十到几百倍。最高工作频率ƒM导电作用开头明显退化的沟通信号的频率。使用温度范围-55℃，-40℃，-25℃几种，高温85℃，105℃,125℃，130℃等几种。使用寿命〔也定义为效劳寿命及操作寿命〕定义为二极管不超过指定失效率的可以到达的寿命。使用寿命是应用使用阅历以及加速老化试验来得到的。假设负载低于额定值，使用寿命可以得到延长〔比方低的工作电压，电流及环境温度〕，适当的散热措施也可以延长使用寿命。其他。二极管的频率及温度特性温度特性温度对二极管的性能有较大的影响，温度上升时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每8℃，12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度上升时，二极管的正向压降