半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 充电模型（CDM） 器件级 编制说明_第1页
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《半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型（CDM）器件级》（征求意见稿）编制说明《半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型（CDM）器件级》标准制定是2023年12月28日下达的国家标准计划全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位为中电国基北方有限公司,副主编单位为河北北芯半导体科技有限公司、工业和信息化部的损伤90%属于隐性损伤，很难通过技术手段发现。且随着电子产品的广泛使最初半导体器件的静电放电（ESD）采用人体放电模型（HBM），随着自动本标准针对半导体器件的带电模型（CDM）静电放电（ESD）所造成损伤或的标准程序。这将对评价和考核半导体器件的质量和可靠性有重要作用，促进3.12024.01～2024.02牵头单位广泛征集参编单位，成立了编制组。编制组成员包括检验试验管理人员、长期从事静电放电敏感度测试的技术研究人员和试验成员，以及具有多年国标编制经验的标准化专家。编制组成员明确了3.22024.03～2024.04编制组对相关领域的论文、产品手册等资料进行本标准为半导体器件机械和气候试验方法标准，属于基础标准。标准编写为保证半导体器件试验方法与国际标准一致，实现半导体器件检验方法、本标准包含以下部分：“1范围”、“2规范性引用文件”、“3术语和测试机场板介质上验证模块（金属圆片）的小封装集成电路和分立半导体（ICDS）的测试”、“附录D（资料性）CDM通过对比与试验验证，未发现IEC60749-28:20224、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）确保标准的科学性和先进性。在编制过程中，充分听取各方的意见与建议，保证标准的公正性与可行性。修正了原标准中的一些编辑性错误，确保标准的准三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会试平台均通过计量，满足测试方法对设备参数的要求。如图1所示的为在ETP-2_HBM/ETP-2_MM/E下步骤进行:a)将被测器件放置在静电发生器操作平台上，电场板顶部的电介质直接d)每完成一个分组的静电等级的测试，则使用参数测试机台对样品电参称片4.试验数据的制定基于ANSI/ESDA/JEDECJS-002-2018。AN述了场致（FI）方法。而本标准附录J中描述了另一种直接接触（DC）方法（非五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试充电模型c）修正了4.1.2节中的“1.0±10%”正负号下方的出现的下划线编辑性错g）删除了第3章中的“ISO和IEC在以下地址维护用于标准化的术语数据h）第7表3中的“分级测试条件”后面增加了电压符号“U——第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机）；九、实施国家标准的要求，以及组织措施、技术措施、过渡期和

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