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3贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测定方法本文件规定了各类贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测GB/T38783-2020贵金属复合材料覆层厚度的扫描电GB/T40300微束分析分析电子），双束电子显微镜dualbeamelectro4形态介于等轴晶粒与形变条带组织之间的长条状非等轴晶粒。通常其长径比大于2且扫描电镜：背散射电子像分辨率优于20nm；设备需进行5通过双束电子显微镜的大束流FIB切割并抛光试样，制备出平整且满足通道衬求的键合丝截面，再通过小束流FIB成像，获得键合丝双束电子显微镜：电子束分辨率优于5nm；离子束分辨率优于10nm；设备需进行长度为避免样品在离子束加工时位置发生位移，必须将样品进行固定。单根键上，可使用液体导电胶薄涂于芯片表面并自然晾干的方法来固定，将处理后的样品粘平面样品台上。将贴有样品的平面样品台置于样品仓并抽真67将倾斜的样品台倾回水平，以截面位置为中心旋转180°。微调样品台使键合丝截面在8像后获得的图像在高度方向是畸变的，因此需要对图像进行矫正。计算方法见L=L′∕sinθo9获得的图像，测量HAZ长度。每张图片至少进行三次测量，并取平均测量5根同批次样品，再取平均值，作为该H=Σ1Hi…………（2）H——平

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