高二物理竞赛课件半导体的连续态激子

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半导体的连续态激子连续态激子发出声子驰豫到低能态：低温下

激子位于LPB,可以

进一步发出声子驰豫到瓶颈积累；高温下,激子位于LPB的类激子部分（按Boltzmann分布）,纵模支,UPB上.●发光谱更重要的意义.自由激子,自由激子极化激元复合发光驰豫ZnO(a)(b)

峰值来自于

UPB,附加极化激元和纵模激子复合.(c)(d)

●LO-声子伴线激子极化激元从类激子支或瓶颈部分向类光子支跃迁,同时发射一个或多个LO-声子(LO-声子与载流子耦合比TO-声子和AP都强).

类光子支发激子极化激元几乎无衰减长距离传播,以相当高的几率穿过介质表面进入真空.在此谱线区域,折射率

（大于瓶颈处光发生全反射机会减弱）,发光效率较高.若忽略瓶颈部分,视激子按照oltzmann分布,激子数为其中

发光强度为其中

为偶极跃迁下且

处激子能量.跃迁几率

,发射一个LO声子,

类光子激子极化激元的波矢可略.,发射两个LO声子,

直接反应了激子极化激元的初态粒子数分布.A.自由激子辐射不可见.B.束缚激子复合发光约为3.34eV.

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