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文档简介
四、晶体管的极限参数
1.击穿电压
U(BR)CBO指e极开路时,c-b极间的反向击穿电压。
U(BR)CEO指b极开路时,c-e极间的反向击穿电压。
U(BR)CEO<U(BR)CBO
U(BR)EBO指c极开路时,e-b极间的反向击穿电压。普通晶体管该电压值比较小,只有几伏。2.集电极最大允许电流ICM
β与iC的大小有关,随着iC的增大,β值会减小。ICM一般指β下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流。当iC>ICM时,虽然管子不致于损坏,但β值已经明显减小。因此,晶体管线性运用时,iC不应超过ICM。3.集电极最大允许耗散功率PCMPCM与管芯的大小、材料、散热条件及环境温度等因素有关。PCM在输出特性上为一条IC与UCE乘积为定值PCM的双曲线,称为PCM功耗线,如下图所示。晶体管工作在放大状态时,在c结上要消耗一定的功率,从而导致c结发热,结温升高。当结温过高时,管子的性能下降,甚至会烧坏管子,因此有一个功耗限额。PC=IC·UCEuCEiC0工作区安全ICMPCMU(BR)CEO击穿电压U(BR)CEO
PCM=IC·UCE为了确保管子有效安全工作,使用时不应超出这一工作区。最大电流ICM 五.温度对晶体管参数的影响温度对晶体管的uBE、ICBO和β有不容忽视的影响。其中,uBE、ICBO随温度变化的规律与PN结相同,即
温度每升高1℃,uBE减小(2~2.5)mV;温度每升高10℃,ICBO增大一倍。
温度对uBE、ICBO和β的影响,其结果反映在输出特性曲线上,表现为温度升高曲线上移且间隔增大。
温度对β的影响表现为,β随温度的升高而增大,变化规律是:温度每升高1℃,β值增大0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。▲▲▲◎【例1】晶体管工作状态及放大状态下管型、电极的判别
一.工作状态判别:放大状态饱和状态截止状态放大状态[举例]
判别图示中晶体管的工作状态【例2】晶体管工作在放大状态下管型、电极的判别1.根据放大管的电极电流判别规律:电流从e极流出,从b、c极流入,则为NPN管;电流从e极流入,从b、c极流出,则为PNP管;[举例]
判别图示中晶体管的管型、电极并确定β值。eee
b
b
b
c
c
cPNP型NPN型NPN型β=4.9/0.1=49β=1.98/0.02=99β=3/0.05=602.根据放大管的电极电位判别
规律:e结电压为0.7V时为硅管,0.3V时为锗管;c极电位最高、e极电位最低,则为NPN管;
c极电位最低、e极电位最高,则为PNP管;eeeebbbb
c
c
c
c
硅PNP硅NPN锗N
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