标准解读

《GB/T 44004-2024 纳米技术 有机晶体管和材料表征试验方法》是一项国家标准,旨在为有机晶体管及相关纳米材料的性能测试与表征提供一套科学、统一的方法。该标准涵盖了从样品准备到数据处理等多个方面的要求,适用于科研机构、高等院校以及相关企业对有机半导体材料及其制成器件进行质量控制和技术研究。

在样品制备环节,标准详细描述了如何选择合适的基底材料,并指导如何通过旋涂、印刷等手段将有机半导体薄膜均匀地沉积于基板之上。此外,还规定了环境条件如温度、湿度等对实验结果的影响因素及控制措施。

对于电学性质测试部分,《GB/T 44004-2024》明确了测量电流-电压特性曲线(I-V曲线)的具体步骤,包括但不限于源漏极间偏压设置范围、扫描速率的选择等关键参数设定。同时,也涉及到了迁移率计算公式、阈值电压确定方法等内容,确保不同实验室之间能够获得可比性强的结果。

除了基本电学性能之外,该文件还介绍了利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman Spectroscopy)等先进表征技术来分析有机晶体管内部结构特征的方法。这些非破坏性检测手段可以帮助研究人员更深入地理解材料微观组成与其宏观物理性能之间的关系。

《GB/T 44004-2024》不仅限于实验操作层面的规定,还强调了数据分析的重要性。它建议采用适当的统计工具处理原始数据,并给出了一些典型的数据呈现形式示例,比如散点图、直方图等,以便于清晰直观地展示研究成果。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2024-04-25 颁布
  • 2024-11-01 实施
©正版授权
GB/T 44004-2024纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法_第1页
GB/T 44004-2024纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法_第2页
GB/T 44004-2024纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法_第3页
GB/T 44004-2024纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法_第4页
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文档简介

ICS07030

CCSL.90

中华人民共和国国家标准

GB/T44004—2024

纳米技术

有机晶体管和材料表征试验方法

Nanotechnologies—Testmethodsforthecharacterizationof

organictransistorsandmaterials

IEC628602013Testmethodsforthecharacterizationof

(:,

oranictransistorsandmaterialsMOD

g,)

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44004—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

缩略语

3.2………………4

电学特性通则

4……………4

测试仪器

4.1……………4

测试技术

4.2……………4

重复性和报告样本量

4.3………………5

低噪声技术的应用

4.4…………………5

标准表征程序

5OFET……………………5

表征过程指南

5.1OFET………………5

电气测量

5.2……………7

报告

6………………………9

简易报告

6.1……………9

器件结构的报告

6.2……………………9

器件迁移率的测定和报告

6.3…………10

开关比的测定和报告

6.4………………11

介电常数的测定和报告

6.5……………11

环境条件的报告

6.6……………………11

其他可报告参数

6.7……………………11

参考文献

……………………13

GB/T44004—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

本文件修改采用有机晶体管和材料表征试验方法

IEC62860:2013《》。

本文件与相比做了下述结构调整

IEC62860:2013:

第章对应中的

———1IEC62860:20131.1;

增加了第章规范性引用文件

———2;

第章对应中的第章

———3IEC62860:20132;

调整了中术语和定义的编排顺序以符合术语条目按照概念层级分类和编排的原则

———3.1,;

第章对应中的

———4IEC62860:20131.3;

第章对应中的

———5IEC62860:20133.2~3.3;

对应中的

———6.1IEC62860:20133.4.1;

对应中的

———6.2IEC62860:20133.1;

对应中的

———6.3~6.5IEC62860:20133.4.2~3.4.4;

对应中的

———6.6IEC62860:20133.4.5;

对应中的

———6.7IEC62860:20133.4.6;

参考文献对应中的附录

———IEC62860:2013A。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC62860:2013:

删除了中目的以符合中的规定

———IEC62860:20131.2“”,GB/T1.1—2020;

将中引导语的第二句改为注以符合中的规定见

———IEC62860:20132.1,GB/T1.1—2020(

3.1);

删除了术语开启电压底接触器件底栅器件顶接触器件顶栅器件激励电压大地

———“”“”“”“”“”“”“

接地电磁干扰射频干扰亚阈值摆幅因为本文件中这些术语仅使用了一次

”“/”“”,;

删除了缩略语和因为本文件未使用这些缩

———EMI、IEEE、NIST、OET、OST、PFET、RFIUV,

略语

本文件做了下列编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为纳米技术有机晶体管和材料表征试验方法

———,《》;

增加了公式公式中符号的说明及单位

———(1)~(5);

由于中的附录不适用于本文件删除了资料性附录

———IEC62860:2013B,B。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中国科学院提出

本文件由全国纳米技术标准化技术委员会归口

(SAC/TC279)。

本文件起草单位深圳市德方纳米科技股份有限公司国家纳米科学中心深圳大学中国科学院上

:、、、

海微系统与信息技术研究所中国科学院微电子研究所深圳市德方创域新能源科技有限公司中国计

、、、

量大学

本文件主要起草人孔令涌葛广路翟永彪高洁宋志棠夏洋王远航孙言陈小刚金青青

:、、、、、、、、、、

邱志平裴现一男陈心怡何萌张淑琴钟丽坤

、、、、、。

GB/T44004—2024

引言

本文件涵盖了有机晶体管电学特性表征的推荐方法和报告要求由于有机晶体管的特性如果操

。,

作不当会引入较大的测量误差本文件描述了常见的测量误差来源并给出了推荐的操作方法以最

,。,,

小化和或表征每种测量的影响

/。

为了使分析报告数据规范化本文件还给出了报告要求包括环境条件和样本量的描述以便研究

,,,

人员可恰当地评估结果这些报告要求还支持结果的可重复性分析以便更有效地确认新的发现

。,。

本文件旨在促进有机晶体管从实验室向产业化发展标准化的表征方法和报告要求为信息的有效

比较提供了一种手段并为生产制造奠定了基础

,。

GB/T44004—2024

纳米技术

有机晶体管和材料表征试验方法

1范围

本文件描述了一种表征有机晶体管的方法包括测量技术数据报告方法和表征过程的测试条件

,、。

本文件适用于有机晶体管的电学特性测量

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

3术语定义和缩略语

31术语和定义

.

下列术语和定义适用于本文件

注对于本条中未定义的术语参考

:IEEE100。

311

..

源极source

电流由半导体沟道的电导率控制的器件电极

注器件内的所有电压通常以源极上的电压为参考

:。

312

..

漏极drain

电流由半导体沟道的电导率控制的器件电极

注漏极通常与源极是相同的漏极相对于源极的偏压符号取决于多数载流子的性质偏压对电子而言更正对

:。。

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