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准平衡2024/5/182

准平衡非平衡载流子的区间不讨论2024/5/183

准平衡2024/5/184有光照时2024/5/185晶格弛豫(<10-10s)复合(~μs)2024/5/186电子子系统与晶格平衡空穴子系统与晶格平衡但电子子系统和空穴子系统不平衡“准平衡”

偏离热平衡的程度非平衡时:2024/5/187对于n型半导体,小注入时2024/5/188复合的分类按复合过程:直接复合间接复合按复合位置:体内复合表面复合按能量交换方式:辐射复合非辐射复合发射声子俄歇复合(发光)深能级的间接复合往往是决定材料寿命的主要过程2024/5/189电子在导带和价带之间的直接跃迁是动态的,统计的单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数2024/5/1810非简并时,r只与T有关,而与n、p无关2024/5/18112024/5/1812

2024/5/1813影响τ的因素多子浓度复合几率r非平衡载流子浓度(一般地说,禁带宽带越小,直接复合的几率越大。)得到的寿命值比实验结果大的多。这说明对于硅、锗寿命还不是由直接复合过程所决定,一定有另外的复合

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