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物理半导体二极管物理半导体二极管一.半导体二极管的结构二极管的几种常见外形返回PN结加反向电压时截止动画演示内外电场方向相同，故势垒升高，有利于漂移运动的进行。归纳：PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；

PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。关键这就是PN结的单向导电性。【可参见教材P37图2.2.5】iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－式中：iD:通过PN结的电流；vD:PN结两端的外加电压；VT:温度的电压当量，在常温(300K)下，VT≈26mV（※）；IS:反向饱和电流IFIR(μA)【可参见教材P37图2.2.5】iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－IFIR(μA)

当加正向电压时：vD为正值，表达式等效成：

当加反向电压时：vD为负值，表达式等效成：常数指数关系【可参见教材P37图2.2.5】iD/mAVBRvD/ViD=-IS＋－＋－IFIR(μA)

PN结的反向击穿：反向击穿电压反向击穿电击穿热击穿雪崩击穿齐纳击穿可逆不可逆二极管的几种常见结构【可参见教材P39图2.3.1】二极管的符号(a)点接触型(b)面接触型(c)集成电路中的平面型ak【Anode】【Cathode】几种常见二极管实物图触发二极管开关二极管半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管二.二极管的V-I特性VthV（BR）vD/ViD/mAiD/μA硅管约为0.5V锗管约为0.1V它的大小与二极管的材料及温度等因素有关。两点说明：①关于死区电压门槛电压（或称死区电压）（或称开启电压）VthV（BR）vD/ViD/mAiD/μA二.二极管的V-I特性两点说明：①关于死

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