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文档简介

导体和绝缘体

12导体和绝缘体（conductor．insulator）

它们的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。晶体按导电性能的高低可以分为导体半导体绝缘体3导体导体导体半导体绝缘体

Eg

Eg

Eg4

在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。从能级图上来看，是因为其共有化电子很易从低能级跃迁到高能级上去。E导体5从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带（

Eg约3～6eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。

在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。

的能带结构,满带与空带之间也是禁带，但是禁带很窄（

Eg约0.1～2eV)。绝缘体半导体6绝缘体与半导体的击穿当外电场非常强时，它们的共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中的。绝缘体半导体导体Al1-xGaxAs1-ySby的禁带宽度随x、y的变化间接带隙混合晶体的Eg

随组分变化的特性

发光器件

GaAs1-xPx

发光二极管

x=0.38~0.40时，Eg=1.84~1.94eV

电－空复合发出640

~680nm红光

激光器件

Ga1-xInxP1-yAsy

长波长激光器调节x、y组分可获得1.3~1.6m红外光3.II－VI族化合物半导体的能带结构二元化合物的能带结构

导带极小值和价带极大值位于k=0

价带包含三个能带：重空穴带V1

轻空穴带V2

能带V3（L-S耦合）禁带宽度较宽

禁带宽度

ZnS3.6eVZnSe2.58eVZnTe2.28eV

电子有效质量

ZnS0.39m0ZnSe0.17m0

ZnTe0.15m0

碲化镉的能带室温下，Eg

~1.50eV8碲化汞的能带Eg极小且为负值室温下，Eg

~－0.15eV半金属或零带隙材料8混合晶体的能带结构半导体＋半金属，如Hg1-xCdxTe的能带结构由半金属向半导体过渡x0.14x~0.14x~0.

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